「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode is positioned via a gate insulation film on the p-type base, held between the n-type source layer and the n-type drain layer, and a drain electrode is formed on the surface of the p-type anode layer and the n-type drain layer.例文帳に追加

ｎ型ソース層とｎ型ドレイン層の間に挟まれたｐ型ベース上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が位置し、ｐ型アノード層とｎ型ドレイン層の表面にドレイン電極が形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes a nitride semiconductor stacked layer structure 5 in which an n^+-type GaN substrate 1, n^--type GaN layer 2, p-type GaN layer 3, and n^+-type GaN layer 4 are stacked in this order.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、ｎ^+型ＧａＮ基板１と、ｎ^-型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ^+型ＧａＮ層４が順に積層されてなる窒化物半導体積層構造部５とを備えている。 - 特許庁

An N^--type SiC drift layer 2 and an N^+-type SiC source layer 3 are sequentially formed on a SiC substrate 1 for an N^+-type drain and trenches 4 which penetrate the source layer 3 and reach the drift layer 2 are formed.例文帳に追加

Ｎ^＋型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ^−型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^＋型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。 - 特許庁

An N^--type SiC drift layer 2 and an N^+-type SiC source layer 3 are sequentially formed on a SiC substrate 1 for an N^+-type drain and trenches 4 which penetrate the source layer 3 and reach the drift layer 2 are formed.例文帳に追加

Ｎ^+型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ^-型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^+型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。 - 特許庁

The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

Further, the p-type buried layer 109 is formed so as to cover the upper surface of the n-type buried layer 108 so that at least a part of the n-type buried layer 108 is contacted with the n^--type epitaxial layer 110.例文帳に追加

また、このＮ型埋め込み層１０８の少なくとも一部とＮ^−型エピタキシャル層１１０とが接するように、Ｎ型埋め込み層１０８の上面を覆うようにＰ型埋め込み層１０９が形成されている。 - 特許庁

Local data lines 4(n-1), 4n, 4(n+1) and 4(n+2) composed of a diffusion layer are connected with a global data line 18 through a select transistor.例文帳に追加

拡散層からなるローカルデータ線４（ｎ−１），４ｎ，４（ｎ＋１），４（ｎ＋２）は、選択トランジスタを介してグローバルデータ線１８に接続されている。 - 特許庁

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 501, an n-type GaAs collector layer 502, a p-type GaAs base layer 503, a p-type GaNAs diffusion-preventing layer 504, an n-type AlGaAs emitter layer 505, and an n-type GaAs contact layer 506 are laminated in order through crystal growth.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層５０２、ｐ型ＧａＡｓベース層５０３、ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５０６が結晶成長によって順に積層されて構成されている。 - 特許庁

In the semiconductor layer constituting the percutaneous treatment member layer 10, N type or P type or both N type and P type semiconductor powder is mixed in an adhesive or the like, and a P type semiconductor layer 3, an N type semiconductor layer 5 or the semiconductor layer of mixed N type and P type are stacked.例文帳に追加

経皮治療部材層１０を構成する半導体層は、接着剤等にＮ型またはＰ型または両者混合の半導体パウダーを混入させ、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層５、またはＮ型とＰ型とを混合させた半導体層としてこれらを積層する。 - 特許庁

The transparent moisture barrier film is formed by sequentially laminating a silicon oxynitride layer (1) on a resin substrate and further a silicon oxynitride layer (2) on the layer (1), wherein an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (1) is smaller than an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (2).例文帳に追加

樹脂基材上に窒化酸化珪素層 、さらにその上に窒化酸化珪素層 の順に積層し構成された透明水蒸気バリアフィルムにおいて、窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)が窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)よりも小さいことを特徴とする透明水蒸気バリアフィルム。 - 特許庁

A sub-collector layer 2 of n+-GaAs, a collector layer 3 of n- GaAs, a base layer 4 of p-GaAs, a first emitter layer 5 of n-InGaPs, a first cap layer 7 of n+-GaAs, and a second cap layer 8 of n+-InGaAs are provided on a semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ｎ^+ −ＧａＡｓからなるサブコレクタ層２、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層５、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる第２エミッタ層６、ｎ^+ −ＧａＡｓからなる第１キャップ層７、ｎ^+ −ＩｎＧａＡｓからなる第２キャップ層８を設ける。 - 特許庁

An n-type diffused layer 13 and a p-type diffused layer 14 are formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１にｎ型拡散層１３及びｐ型拡散層１４を形成する。 - 特許庁

A region p+-type buried layer 7 is disposed under an n+-type source layer 13.例文帳に追加

Ｎ＋型のソース層１３の下の領域Ｐ＋型の埋め込み層７が配置される。 - 特許庁

The fuse 204 is connected to the N+ diffusion layer 209 and the P+ diffusion layer 211.例文帳に追加

ヒューズ２０４は、Ｎ＋拡散層２０９およびＰ＋拡散層２１１と接続される。 - 特許庁

The n-side barrier layer is provided between the multilayered laminate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The second clad layer 21 and the third clad layer 23 make up a p-n junction 27.例文帳に追加

第２のクラッド層２１及び第３のクラッド層２３はｐｎ接合２７を構成する。 - 特許庁

Another n^+-layer 17 is formed partially in the upper surface of the p-type well layer 14.例文帳に追加

ｎ^+層１７は、ｐ型ウェル層１４の上面内に部分的に形成されている。 - 特許庁

Electronic supplying layers 3 and 7 are an AlGaAs layer or an InGaP layer of n-type dope.例文帳に追加

電子供給層３，７はｎ型ドープのＡｌＧａＡｓ層又はＩｎＧａＰ層とする。 - 特許庁

An N^+-type diffusion layer 6 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ−型の拡散層５の表面にＮ＋型の拡散層６が形成されている。 - 特許庁

Next, a field oxide film 50, a P^-diffused layer 41 and an N^+diffused layer 31 are formed.例文帳に追加

次に，フィールド酸化膜５０，Ｐ^- 拡散層４１およびＮ^+ 拡散層３１を形成する。 - 特許庁

The p^+ type anode layer 15 and the n^- type base layer 14 form a pn junction.例文帳に追加

上記ｐ^＋型アノード層１５とｎ^−型ベース層１４でｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

The first semiconductor substrate 2 includes a P+ diffusion layer 4 and an N+ diffusion layer 13.例文帳に追加

第１半導体基板２はＰ^+拡散層４とＮ^+拡散層１３を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor layer 103 and the first n+a-Si layer 104 are simultaneously patterned.例文帳に追加

半導体層１０３と１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４を同時にパターニングする。 - 特許庁

A surface opposite to the light emitting layer 4 in the n-type semiconductor layer 3 is made a light extraction surface to the outside.例文帳に追加

ｎ形半導体層３の光取り出し面にはグレーティング３ａを設けてある。 - 特許庁

The low carrier concentration layer 9 has carrier concentration lower than the N-current block layer 10.例文帳に追加

低キャリア濃度層９はｎ−電流ブロック層１０よりも低いキャリア濃度を有する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed on the surface of the n-type low-concentration layer 11.例文帳に追加

Ｎ型低濃度層１１の表面にはＰ型拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

An n^- semiconductor layer 2 being an epitaxial layer is provided on a p^- semiconductor substrate.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上にはエピタキシャル層であるｎ^-半導体層２が設けられている。 - 特許庁

An n type FS layer is formed in a region including the FS layer schedule region 2a.例文帳に追加

また、ＦＳ層予定領域２ａを含む領域にはｎ型のＦＳ層が形成される。 - 特許庁

A p-type channel layer 103 is formed on the upper of the n-type semiconductor layer 102.例文帳に追加

Ｎ型半導体層１０２の上面にＰ型チャネル層１０３が形成されている。 - 特許庁

The second semiconductor substrate 3 includes a P+ diffusion layer 24 and an N+ diffusion layer 33.例文帳に追加

第２半導体基板３はＰ^+拡散層２４とＮ^+拡散層３３を含んでいる。 - 特許庁

Thereafter, a p-type semiconductor layer 2003 is formed on the n-type semiconductor layer 2004.例文帳に追加

次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 74 is formed on the layer 72 to manufacture a semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

その上にＮ型半導体層７４を形成して半導体発光素子を製造する。 - 特許庁

A first inductor 310 is provided in the n-th wiring layer of the multilayer wiring layer 400.例文帳に追加

第１インダクタ３１０は、多層配線層４００の第ｎ配線層に設けられている。 - 特許庁

An N layer 101 and a P layer 102 are formed in a semiconductor substrate such as silicon.例文帳に追加

シリコン等の半導体基板内にＮ層１０１と、Ｐ層１０２とを形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 3 is formed on the insulating layer 2 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁層２上にｎ形半導体層３を備える。 - 特許庁

A P-diffusion layer 7 as a base region is formed in the N--epitaxial layer 4.例文帳に追加

そのｎ^-エピタキシャル層４に、ベース領域としてのｐ拡散層７が形成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, an undoped GaN buffer layer 3, an n-type GaN layer 3 and a p-type GaN layer 4 are formed in sequence on a saphire substrate 1, and a part between the p-type GaN layer 4 and the n-type GaN layer 3 is removed to expose the n-type GaN layer 3.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.例文帳に追加

ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser device 50 is equipped with a laminated structure composed of an N-type buffer layer 52, an N-type clad layer 53, an active layer 54, a P-type clad layer 55, a P-type intermediate layer 56, and a P-type cap layer 57 which are successively and epitaxially grown on an N-type substrate 51.例文帳に追加

本半導体レーザ素子５０は、ｎ型基板５１上に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ型バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、活性層５４、ｐ型クラッド層５５、ｐ型中間層５６、及びｐ型ｓキャップ層５７の積層構造を備える。 - 特許庁

An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor laser device includes an n-material layer 110, an n-clad layer 120, an n-light waveguide layer 130, an active region 140, a p-light waveguide layer 150, a metal layer 160, and a metal-based clad layer 170 sequentially formed on a substrate 100.例文帳に追加

半導体板１００上に、ｎ−物質層１１０、ｎ−クラッド層１２０、ｎ−光導波路層１３０、活性領域１４０、ｐ−光導波路層１５０、金属層１６０、金属系クラッド層１７０の順序で積層された構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 has a structure in which an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type clad layer 7, and a reflection layer 8 are sequentially laminated from the window layer 2 side.例文帳に追加

半導体層３は、ウインドウ層２側から順に、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、反射層８とが積層されている。 - 特許庁

The N+ diffusion layer 210 is connected to power source wiring 208.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２１０は、電源配線２０８と接続される。 - 特許庁