「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The n-type compressive stress application layer 22 comprises a strain-free AlGaN layer.例文帳に追加

ｎ型圧縮応力印加層２２は、ストレインフリーのＡｌＧａＮ層からなる。 - 特許庁

The ruthenium layer is formed so as to be brought into contact with the n-AlGaN layer.例文帳に追加

このルテニウム層は、ｎ−ＡｌＧａＮ層に接するように設けられている。 - 特許庁

Further, an n-type clad layer 104 is formed on the optical waveguide layer 103.例文帳に追加

また、光導波路層１０３上にはｎ型クラッド層１０４を形成する。 - 特許庁

An n^- dopant layer 4 is formed on the surface of the p^+ isolation layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋分離層３の表面にはＮ−不純物層４が形成されている。 - 特許庁

The window layer 2 is pasted on the n-type clad layer 4 by thermo-compression bonding.例文帳に追加

ウインドウ層２は、熱圧着によりｎ型クラッド層４に貼り付けられている。 - 特許庁

The light emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, an active region, and a substrate.例文帳に追加

発光デバイスは、ｎ型層と、ｐ型層と、活性領域と、基板とを含む。 - 特許庁

On an N-type GaAlAs layer 3, an aluminum electrode layer 5 is formed.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｌＡｓ層３上にアルミニウム電極層５が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor laser element 500 is composed by successively laminating a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-contact layer 4, an n-crack prevention layer 5, an n-clad layer 6, a light emitting layer 7, a p-clad layer 8 and a p-first contact layer 9a on a sapphire substrate 1 whose thickness t1 is 500 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子５００は、厚さｔ_1 が５００μｍのサファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−コンタクト層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−クラッド層６、発光層７、ｐ−クラッド層８およびｐ−第１コンタクト層９ａが順に積層されてなる。 - 特許庁

A semiconductor laser device 100 is constituted by laminating a buffer layer 2, undoped GaN layer 3, n-GaN contact layer 4, n-InGaN crack preventing layer 5, n-AlGaN clad layer 6, light emitting layer 7, p-AlGaN clad layer 8, and p-GaN contact layer 9 upon another in this order.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、バッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８およびｐ−ＧａＮコンタクト層９が順に積層されてなる。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。 - 特許庁

Between the N-type impurity layer 30 and the intrinsic base layer 50, an epitaxially grown layer is formed, where the epitaxially grown layer is lower in impurity concentration than the N-type impurity layer 30 and the intrinsic base layer 50.例文帳に追加

Ｎ型不純物層３０と真性ベース層５０との間に、Ｎ型不純物層３０及び真性ベース層５０よりも不純物濃度が低いエピタキシャル成長層が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor layer group 20 is constituted on a substrate 11 by laminating one by one an n-type emitter layer 12, a p-type base layer 13, an active layer 14, an n-type base layer 15, and a p-type emitter layer 16.例文帳に追加

基板１１上において、ｎ型エミッタ層１２、ｐ型ベース層１３、活性層１４、ｎ型ベース層１５、及びｐ型エミッタ層１６が順次積層されてなる半導体層群２０を形成する。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

Thus, the p-type diffusion layer 11, the n-type collector diffusion layer 14 and the n-type diffusion layer 16 are selectively extracted, and a parasitic npn bipolar transistor 22 consisting of the n-type collector diffusion layer 14, the p-type diffusion layer 11 and the n-type diffusion layer 16 is recognized.例文帳に追加

これにより、マスクレイアウトからＰ型半導体基板１１、Ｎ型コレクタ拡散層１４及びＮ型拡散層１６が選択的に抽出され、Ｎ型コレクタ拡散層１４とＰ型拡散層１１とＮ型拡散層１６とからなる寄生ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２２が認識される。 - 特許庁

An n-type clad layer 3 consisting of n-type AlGaN, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 consisting of p-type AlGaN, and a p-type contact layer 6 consisting of p-type GaN, are sequentially laminated on the n-type contact layer 2, so that part of the n-type contact layer 2 is exposed.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２の一部を露出させるように、ｎ型コンタクト層２の上には、ｎ型のＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層３と、発光層４と、ｐ型のＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層５と、ｐ型のＧａＮからなるｐ型コンタクト層６とが順次積層されている。 - 特許庁

An i-type GaN layer 2 and an n-type GaN layer 3 are grown epitaxially on the surface of the n-type GaN substrate 1, and the field effect transistor where the n-type GaN layer 3 is set to be an active layer is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１の表面に、ｉ型ＧａＮ層２及びｎ型ＧａＮ層３をエピタキシャル成長させて、ｎ型ＧａＮ層３を活性層とする電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

Each cell is formed of an n-type GaN layer 21 having uneven surface of mound type inclination having an inclination angle corresponding to each band gap, an n-type InAlGaN layer 22 and a p-type InAlGaN layer 23 formed on an n-type GaN buffer layer 21.例文帳に追加

各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。 - 特許庁

Thereafter, the heat treatment is carried out to form the n-type well layer up to the silicon substrate from the deep n-type well layer and also form the p-type well layer in the area surrounded by the n-type well layer.例文帳に追加

その後、熱処理を施すことによって、深いＮ型ウエル層からシリコン基板に至るＮ型ウエル層を形成すると共に、Ｎ型ウエル層に囲まれた領域にＰ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laminated structure 2 is formed of a lamination consisting of an n^+-type GaN drain layer 6, an n^--type GaN drift layer 7, a p-type GaN channel layer 4 and an n^+-type GaN source layer 5.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２は、ｎ^+型ＧａＮドレイン層６と、ｎ^-型ＧａＮドリフト層７と、ｐ型ＧａＮチャネル層４と、ｎ^+型ＧａＮソース層５とを積層して形成されている。 - 特許庁

A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.例文帳に追加

ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁

The semiconductor device has at least a p-layer 15 and an n-layer 13 connected to the p-layer 15, and the n-layer contains a carbon material composed of sp2 bonding and an n-type material.例文帳に追加

少なくとも、ｐ層１５と、該ｐ層に接続されるｎ層１３と、を備え、ｎ層に、ｓｐ２結合により構成される炭素材料及びｎ型材料が含有されている、半導体装置とする。 - 特許庁

The MOSFET has a super-junction structure wherein a first n-type pillar layer 13, a p-type pillar layer 14, and an n-type pillar layer 15 are periodically and alternately placed on an n^+-type drain layer 12.例文帳に追加

このＭＯＳＦＥＴは、ｎ＋型ドレイン層１２上に、第１ｎ型ピラー層１３と、ｐ型ピラー層１４と、ｎ型ピラー層１５とを周期的に交互に配置してなるスーパージャンクション構造を有している。 - 特許庁

The triac is formed by selectively forming n-layers 41 and 43 within a p-layer of a semiconductor substrate in which an n-layer is held by the p-layers and also selectively forming an n-layer 42 within the p-layer.例文帳に追加

ｐ層がｎ層を挟み込む半導体基板のｐ層内にｎ層４１及び４３が選択的に形成され、ｐ層内にｎ層４２が選択的に形成され、トライアックが形成される。 - 特許庁

An n-GaAs active layer 3 is grown on a GaAs substrate 1 via an AlGaAs high-resistance buffer layer 2, and an n-InGaP etching stopping layer 4 and an n+-GaAs cap layer 5 are grown (first step).例文帳に追加

ＧaＡs基板１上にＡlＧaＡs高抵抗バッファ層２を介してｎ-ＧaＡs活性層３を成長させ、更にｎ-ＩnＧaＰエッチング停止層４、ｎ^+-ＧaＡsキャップ層５を成長させる（第１の工程）。 - 特許庁

In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁

A p-type buffer layer 12, a p-type semiconductor layer 14, an n-type semiconductor layer 16, a p-type semiconductor layer 18, an n-type semiconductor layer 20, and an n-type semiconductor layer 30 serving as a light absorbing layer are successively laminated on a p-type substrate 10 to form a pnpn structure.例文帳に追加

ｐ形基板１０上に、ｐ形バッファ層１２，ｐ形半導体層１４，ｎ形半導体層１６，ｐ形半導体層１８，ｎ形半導体層２０、光吸収層であるｎ形半導体層を順次積層し、ｐｎｐｎ構造を作る。 - 特許庁

The light control layer 22 compensates a difference between the reflection index of an n-type clad layer consisting of the first n-type clad layer 21 and the second n-type clad layer 23 and the reflection index of a p-type clad layer consisting of a first p-type clad layer 25 and a second p-type clad layer 26.例文帳に追加

光コントロール層２２によって、第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３からなるｎ型クラッド層の屈折率と、第１ｐ型クラッド層２５と第２ｐ型クラッド層２６からなるｐ型クラッド層の屈折率との差が補償される。 - 特許庁

The semiconductor laser 11 comprises an active layer 13, an n-type clad layer 15, a first guide layer 17, and a second guide layer 19.例文帳に追加

半導体レーザ１１は、活性層１３、ｎ型クラッド層１５、第１のガイド層１７、第２のガイド層１９を備える。 - 特許庁

The groove 108 penetrates the n-type layer, an active layer, and a p-type layer and has a depth reaching an etching stopper layer 109.例文帳に追加

この溝１０８は、ｎ型層、活性層、ｐ型層を貫通し、エッチングストッパ層１０９に達する深さである。 - 特許庁

Here is disclosed a light-emitting diode including an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a transparent electrode layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。 - 特許庁

An electrode layer 10 is formed on the N well layer 2 between the first P+layer 4 and the second P+layer 5.例文帳に追加

第１のＰ＋層４と第２のＰ＋層５との間におけるＮウェル層２上に電極層１０を形成する。 - 特許庁

On a ZnO single crystal substrate 1, an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10 are sequentially laminated.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶基板１上にｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、及びｐ形コンタクト層１０が順次積層されている。 - 特許庁

The light-emitting device includes a semiconductor layer, a p-side electrode, an n-side electrode, a first insulating layer, a p-side wiring layer, an n-side wiring layer, and a second insulating layer.例文帳に追加

実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes an n-type semiconductor layer 11, a p-type semiconductor layer 13, and an active layer 12 having a multilayer quantum well structure sandwiched by the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれてなる多重量子井戸構造を有する活性層１２とを有している。 - 特許庁

Impurity density setting regions in both of the N-type clad layer 4 and the P-type clad layer 2 are set to be the regions having a width of 3 μm or less from the interface between a P-type active layer 3 and the N-type clad layer 4/the P-type clad layer 2.例文帳に追加

また、不純物密度の設定領域を、Ｎ型クラッド層４、Ｐ型クラッド層２共にＰ型活性層３との界面から３μｍ以内の幅の領域とする。 - 特許庁

An npn bipolar transistor consists of a first semiconductor layer group sharing constituted of the n-type emitter layer 12, the p-type base layer 13, the active layer 14, and the n-type base layer 15.例文帳に追加

ｎ型エミッタ層１２、ｐ型ベース層１３、活性層１４、及びｎ型ベース層１５からなる第１の半導体層群区分からｎｐｎ型のバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

The photovoltaic device is provided with an n-type layer 3, a photoelectric conversion layer 4 formed on the n-type layer 3, and a p-type layer 5 formed on the photoelectric conversion layer 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、ｎ型層３と、ｎ型層３上に形成された光電変換層４と、光電変換層４上に形成されたｐ型層５とを備えている。 - 特許庁

The nitride based semiconductor laser element comprises an n-type clad layer 3, an emission layer 5 formed on the n-type clad layer 3, and a p-type clad layer 7 formed on the emission layer 5.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子は、ｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成される発光層５と、発光層５上に形成されるｐ型クラッド層７とを備える。 - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

An n-type diffusion area 4 and a p-type diffusion area 5 separately from the n-type diffusion area 4 are formed on the surface layer of an n-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層３の表面層にｎ形拡散領域４とこのｎ形拡散領域４と離してｐ形拡散領域５を形成する。 - 特許庁

A MOSFET 1 is provided with an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p well 21, an n^+ source region 22, and an insulation layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p-well 21, an n^+source region 22, and an insulating layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

An n-type GaAsP composition gradient layer 2 and an n-type GaAsP composition uniform layer 3 are formed in order on an n-type GaAs substrate 1 by an epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、エピタキシャル成長によりｎ−ＧａＡｓＰ組成勾配層２とｎ−ＧａＡｓＰ組成均一層３を順次形成する。 - 特許庁

A base P region 30, a source N^+ region 31, and a drain N^+ region 32 are formed on the top layer of the main surface 3a of an N^- silicon layer 3.例文帳に追加

Ｎ^-シリコン層３における主表面３ａでの表層部にベースＰ領域３０、ソースＮ^+領域３１、ドレインＮ^+領域３２が形成されている。 - 特許庁

The n^+-type carrier accumulation layer 3b with impurity concentration higher than that of the n^+-type carrier accumulation layer 3a is not present directly below the n^+-type emitter region 4.例文帳に追加

ｎ^＋型エミッタ領域４の直下に、ｎ^＋型キャリア蓄積層３ａより不純物濃度が高いｎ^＋型キャリア蓄積層３ｂが存在しない。 - 特許庁