「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(136ページ目) - Weblio英語例文検索

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

A semiconductor laser 26 is mounted on a submount 16 through solder layers 20, 21 and 22 by junction-down mounting, and it is formed monolithically with an infrared laser part 27 and a red laser part 28 which are isolated by an isolation groove 29, where an insulating layer 14 is formed, and are placed adjacently on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ２６はサブマウント１６の上に半田層２０、２１および２２を介してジャンクションダウン実装により載置されたものであり、それはｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、絶縁層１４が形成された分離溝２９によって分離された赤外レーザ部２７と赤色レーザ部２８とが隣接してモノリシックに形成されたものである。 - 特許庁

This ceramic complex for transplantation includes an apatite substrate phase, a secondary phase positioning n the substrate phase and comprising a ceramic material as a reinforcement, and a barrier layer comprising a ceramic material coating on the secondary phase, positioning in between the substrate phase and the secondary phase and suppressing an interface reaction reacted between the substrate phase and the secondary phase.例文帳に追加

アパタイト素地相と、該素地相内に位置する、補強材としてのセラミック材料からなる２次相と、該２次相をコーティングして、前記素地相と前記２次相間に位置し、前記素地相と前記２次相間との間で生じる界面反応を抑制するセラミック材からなる障壁層とを含んでなることを特徴とする生体移植用セラミック複合体。 - 特許庁

In the thermal recording material having a thermal recording layer comprising at least a leuco dye, a developer for developing a color of the leuco dye by heating and a binder resin as a binder as main components on a substrate, a polyurethane with a sulfo-betaine group expressed by general formula (1), wherein n is 1-20, in a main chain is incorporated.例文帳に追加

支持体上に少なくともロイコ染料と該ロイコ染料を加熱発色せしめる顕色剤及び結着剤としてのバインダー樹脂を主成分とする感熱記録層を有する感熱記録材料において、下記一般式（１）に示されるスルフォベタイン基を主鎖中に有するポリウレタンを含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

The conductive roller 10 has an outermost layer made of a vulcanized rubber composition, wherein the vulcanized rubber composition contains epichlorohydrin rubber and chloroprene rubber as a rubber component thereof and further contains 0.2 to 5 parts by mass of each of a thiourea-based vulcanizing agent and a vulcanization retarder consisting of N-cyclohexylthiophthalimide for 100 parts by mass of the rubber component.例文帳に追加

最外層が加硫ゴム組成物で形成されてなる導電性ロールであって、前記加硫ゴム組成物はゴム成分としてエピクロルヒドリンゴムおよびクロロプレンゴムを含み、さらに前記ゴム成分１００質量部に対してチオウレア系加硫剤およびＮ−シクロヘキシルチオフタルイミドからなる架硫遅延剤をそれぞれ０．２〜５質量部含むことを特徴とする導電性ロール。 - 特許庁

The crosslinkable diphenylsulfone compound is represented by general formula (1) (wherein, n is an integer of 1-10), and the thermal recording material is provided by forming on a support, a thermally color-developing layer containing a thermal recording developer comprising the crosslinkable diphenylsulfone compound, and a colorless or light color leuco dye.例文帳に追加

一般式（１）（式中、ｎは、１〜１０の整数を表す。）で表されるジフェニルスルホン架橋型化合物、及びこのジフェニルスルホン架橋型化合物からなる感熱記録用顕色物質と、無色又は淡色のロイコ染料からなる発色物質とを含有する感熱発色層を支持体上に設けてなる感熱記録材料である。 - 特許庁

In the image forming apparatus provided with an intermediate transfer body 3 for carrying toner images transferred primarily from a latent image carrier 2 and secondarily transferring the carried toner images on an object to be transferred, the intermediate transfer body has a hard release layer on the surface, and pressing force F on the contact part between the intermediate transfer body and the latent image carrier is 4.4 N/m or less.例文帳に追加

潜像担持体２から一次転写されたトナー像を担持し、担持したトナー像を被転写物に二次転写させる中間転写体３を備えた画像形成装置において、中間転写体が表面に硬質離型層を有し、該中間転写体と潜像担持体との接触部での押圧力Ｆが４．４Ｎ／ｍ以下である画像形成装置。 - 特許庁

A first transistor Q1 includes: a source electrode 43 which is electrically connected to an n^+-type source area 36 formed on a surface layer of a well area 35 inside a p-type well area 35; and a well electrode 46 which is formed to be electrically separated from the source electrode 43 and is electrically connected to the p-type well area 35.例文帳に追加

第１のトランジスタＱ１は、Ｐ型ウェル領域３５の内部であってこのウェル領域３５の表層部に形成されたＮ＋型ソース領域３６に電気的に接続されたソース電極４３と、ソース電極４３とは電気的に分離して形成されると共に、Ｐ型ウェル領域３５に電気的に接続されたウェル電極４６と、を備えている。 - 特許庁

The optical recording medium which has a recording layer to record or reproduce signals by being irradiated with a laser beam of a wavelength of 450 nm or less through a lens having a numerical aperture (NA) of 0.6 or larger and less than 0.7, and has the C/N rise power of 2.5 mW or larger when recording by using a single wave of 16.2 MHz.例文帳に追加

波長が４５０ｎｍ以下のレーザー光を、レンズ開口率（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレンズを通して照射し記録再生する記録層を有する光記録媒体であって、周波数１６．２ＭＨｚの単一波記録時におけるＣ／Ｎの立ち上がりパワーが２．５ｍＷ以上であることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁

A first memory cell provided with a first selection transistor and a first memory capacitor and a second memory cell provided with a second selection transistor and a second memory capacitor are provided, the first selection transistor is an n-type channel transistor, the second selection transistor is a p-type transistor, and the memory cell is formed in an SOI board having an insulation layer.例文帳に追加

第１の選択トランジスタと第１のメモリキャパシタを備えた第１のメモリセルと、第２の選択トランジスタと第２のメモリキャパシタを備えた第２のメモリセルを設け、前記第１の選択トランジスタはｎ形チャネルトランジスタであり、前記第２の選択トランジスタはｐ形チャネルトランジスタであり、前記メモリセルは、絶縁層を有したＳＯＩ基板内に形成する。 - 特許庁

In a heat-sensitive recording material wherein a heat-sensitive color-developing layer which contains a generally colorless or light-colored coloring compound and a color-developing compound capable of allowing the coloring compound to develop color in heating are provided on a substrate, 3,4-dihydroxyphenyl-p-trisulfone and N-(4-methylphenyl) acetoamide are contained.例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、３，４−ジヒドロキシフェニル−ｐ−トリルスルホン及びＮ−（４−メチルフェニル）アセトアミドを含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

Then, the elements 1 are arranged so as to form semiconductor laminating structure obtained by superposing plural semiconductor layers on the surface of the board on a condition that a light emitting (active) layer is included and provided with a P electrode formed at the uppermost surface of this multilayer structure and an N electrode formed at the upper surface of a semiconductor laminated structure part whose one part is shaved by etching.例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板の表面上に発光（活性）層を含む形で半導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造を形成しており、この多層構造の最上面に形成されたＰ電極と、半導体積層構造部の一部をエッチングにより削ったその上面に形成されたＮ電極とを備える。 - 特許庁

In a recording medium including a recording layer in which information is recorded by deleting or changing an interference band formed in parallel with the surface of the recording medium at an irradiation part of condensed light, and the information is reproduced with reflected light to irradiation of the condensed light, pitch of the interference band is made wider than λr/2 N.例文帳に追加

記録媒体表面に平行に形成された干渉縞が、集光された光の照射部分において消去又は変化されることで情報が記録され、また集光された光の照射に対する反射光によって情報が再生される記録層を備える記録媒体において、その干渉縞を、λｒ／２Ｎよりも広いピッチとする。 - 特許庁

A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加

分離領域１１５に高濃度Ｎ型拡散層１１６を設けることにより、寄生ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ電流を削減することができるので、通常のＣＭＯＳプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

In the partially or fully semi-insulated or p-doped ZnO substrate, when the substrate is, in particular, in the form of a thin layer or film, or a nanowire and is simultaneously doped with an element selected from Na, Li, K and Rb, together with N and O, ZnO or GaN can epitaxially grow on the substrate.例文帳に追加

部分的に又は完全に半絶縁性又はｐ型ドーピングされたＺｎＯ基板であって、基板が、特に薄層、薄膜の形態またはナノワイヤーの形態であり、基板が、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ及びＲｂから選択される元素、Ｎ及びＯが同時にドーピングされ、それは、さらにＺｎＯまたはＧａＮにおいてこの基板上におけるエピタキシャル成長を可能にし得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar battery includes: a step of applying the alcoholic solution of phosphorous acid to a p-type semiconductor substrate by the inkjet method so that the dots of the alcoholic solution of the phosphorous acid partially overlap; and a step of forming the n-type diffusion layer of a different phosphor concentration on the p-type semiconductor substrate by thermally diffusing phosphor.例文帳に追加

リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

In the semiconductor device, two MOS structures which share a drain are formed in the front surface side of the semiconductor substrate, and a plurality of ditch-like opening parts 4 are formed to extend from the drain region of one MOS structure to the drain region of the other MOS structure in the interior of an N+ type drain layer 7 in the back surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板の表面側にドレインを共有するＭＯＳ構造が２つ形成され、かつ、半導体基板の裏面側のＮ＋型ドレイン層７の内部に、一方のＭＯＳ構造のドレイン領域から他方のＭＯＳ構造のドレイン領域まで、延在して形成された複数の堀状の開口部４を有する。 - 特許庁

The field effect transistor (FET) includes a plurality of device layers disposed vertically in a stack, each device layer has a source region, a drain region and a plurality of nanowire channels 110 connecting the source region and the drain region, wherein the source and drain regions of one or more of the device layers are doped with an n-type dopant or a p-type dopant.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）インバータは、スタック内で垂直方向に配置された複数のデバイス層を含み、各デバイス層は、ソース領域、ドレイン領域、及びソース領域とドレイン領域を接続する複数のナノワイヤ・チャネル１１０を有し、ここで１つ又は複数のデバイス層のソース及びドレイン領域はｎ型ドーパント、又はｐ型ドーパントでドープされる。 - 特許庁

A heat-sensitive recording material is provided with a heat- sensitive coloring layer containing usually a colorless or a light-color coloring compound and a developing compound for thermal time coloring the coloring compound and formed on a substrate, and a 4-hydroxy-4'-benzyloxydiphenyl sulfone and an N-(4-methylphenyl) acetoamide are container therein.例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオキシジフェニルスルホン及びＮ−（４−メチルフェニル）アセトアミドを含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

The paste composition is a paste composition for forming a catalyst layer in which (2) a hydrogen ion conductive polymer electrolyte and (3) a solvent are blended into (1) an aqueous dispersion of catalyst carrier carbon particles, the solvent is at least one kind of solvents selected from a group composed of propylene glycol, ethylene glycol, diethylene glycol and N-methylpyrrolidone.例文帳に追加

本発明の触媒層形成用ペースト組成物は、（１）触媒担持炭素粒子の水分散液に（２）水素イオン伝導性高分子電解質及び（３）溶剤を配合した触媒層形成用ペースト組成物であって、溶剤がプロピレングリコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール及びＮ−メチルピロリドンからなる群より選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

The manufacturing method of a cutting blade for manufacturing a glass chopped strand joins the edge section 1a and base section 1b via the alloy layer 1c by irradiating a coordinating section with a laser beam after coordinating the edge section 1a made of a cemented carbide and the base section 1b made of a carbon tool steel through a nickel foil or cobalt foil N.例文帳に追加

本発明のガラスチョップドストランド製造用切断刃の製造方法は、超硬合金からなる刃部１ａと、炭素工具鋼からなる基体部１ｂをニッケル箔又はコバルト箔Ｎを介して整合させた後、その整合部をレーザー照射Ｒすることによって、刃部１ａと基体部１ｂとを合金層１ｃを介して接合する。 - 特許庁

This adhesive tape is characterized by providing an adhesive layer containing a styrene-based block copolymer having compatibility to a polystyrene resin and/or acrylonitrile-butadiene-styrene resin, and a cross-linked adhesiveness-imparting resin on at least one side surface of a supporting film having each ≥20 N/20 mm tensile strength in flow direction and width direction.例文帳に追加

流れ方向および幅方向にそれぞれ２０Ｎ／２０ｍｍ以上の引張強度を有する支持体フィルムの少なくとも片面に、ポリスチレン樹脂および／またはアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂と相溶性を有するスチレン系ブロックコポリマー、および架橋させた粘着付与樹脂を含有する粘着剤層を設けたことを特徴とする粘着テープ。 - 特許庁

In this photosensitive and heat sensitive recording material having a photosensitive and heat sensitive recording layer including a diazonium salt and a coupler on a support, at least one kind of the diazonium salt is a compound represented by general formula, wherein R1 is a secondary or tertiary alkyl group, R2 and R3 are alkyl groups or allyl groups, n is an integer from 1 through 4 and X- is a negative ion.例文帳に追加

支持体上に、ジアゾニウム塩及びカプラーを含む感光感熱記録層を有する感光感熱記録材料において、前記ジアゾニウム塩の少なくとも１種が、下記一般式（１）で表される化合物である感光感熱記録材料〔Ｒ^1：２級又は３級のアルキル基、Ｒ^2，Ｒ^3：アルキル基，アリール基、ｎ＝１〜４、Ｘ^-：陰イオン〕。 - 特許庁

An ATM multiplex system 10 comprises PHY (Physical layer processing) blocks of n pieces PHY1-PHYn equipped respectively with ATMPHY terminating units 111-11n and UTOPIA level 1 interface units 121-12n (slave side) and has an ATM signal multiplex unit 16 equipped with a common unit function block 14 and a UTOPIA level 2 interface unit 15 (master side).例文帳に追加

ＡＴＭ多重システム１０は、それぞれＡＴＭＰＨＹ終端部１１_1〜１１_nと、ＵＴＯＰＩＡレベル１インタフェース部（スレーブ側）１２_1〜１２__nとを備えたｎ個のＰＨＹブロックＰＨＹ１〜ＰＨＹｎを有し、また、共通部機能ブロック１４と、ＵＴＯＰＩＡレベル２インタフェース部（マスタ側）１５を備えたＡＴＭ信号多重部１６を有している。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where a phosphorus junction layer 2 provided with an N++ part heavily doped with phosphorus on its surface is formed on a P-type silicon substrate 1, a surface electrode 6 is formed on the N++ part 3, and a back face electrode 7 is formed on the rear of the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

少なくともＰ型シリコン基板１に、リンが高濃度にドープされたｎ^^++部を表面に有するリン接合層２を形成した後、該ｎ^++部３上に表面電極６を形成し、Ｐ型シリコン基板裏面に裏面電極７を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペースト１５を表面電極が形成されるパターンに対応してＰ型シリコン基板１に印刷し、該Ｐ型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、ｎ^++部３を表面に有するリン接合層を形成する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

To provide a GaN light emitting element formed on an n-type SiC substrate doped with nitrogen, which can be improved in brightness by keeping the SiC substrate conductive, restraining the light emitted from a light emitting layer from being reabsorbed, and specifying the range of electron concentration in the SiC board, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒素ドープされたｎ型ＳｉＣ基板上に形成されたＧａＮ系半導体発光素子における、ＳｉＣ基板の導電性を保ち、かつ発光層より発光した光の再吸収を抑制することが可能な、ＳｉＣ基板中の電子濃度範囲を規定することにより、輝度の向上を可能とするＧａＮ系発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The glazing assembly having soundproof effect for a vehicle comprises: at least one glass layer; and a laminated glazing assembly including an intermediate film having a loss factor tanδ of greater than 0.6 and a shear modulus G' of less than 2 x 10^7 N/cm^2, in a temperature range of 10 to 60 °C and a frequency range of 50 to 10000 Hz.例文帳に追加

車両用の防音効果を有するグレイジングアッセンブリーであって、少なくとも１枚のガラス板と、温度範囲１０〜６０℃及び振動数範囲５０〜１０，０００Ｈｚにおいて、損失角tanδが０．６より大きく、せん断弾性指数Ｇ’が２×１０^７Ｎ／ｃｍ^２より小さい中間層フィルムとを含む積層グレイジングアッセンブリーから成ることを特徴とする上記グレイジングアッセンブリー。 - 特許庁

The nanowire solar cell 1 includes: a semiconductor substrate 2; a plurality of nanowire semiconductors 4 and 5 forming p-n junctions; a transparent insulating material 6 with which the gap between the semiconductors 4 and 5 is filled; an electrode 7 covering the end of the semiconductors 4 and 5; and a passivation layer 10 provided between the semiconductor 5 and the transparent insulating material 6, and between the semiconductor 5 and the electrode 7.例文帳に追加

ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２と、ｐｎ接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体４，５と、半導体４，５の間隙に充填された透明絶縁性材料６と、半導体４，５の端部を被覆する電極７と、半導体５と透明絶縁性材料６及び電極７との間に設けられたパッシベーション層１０とを備える。 - 特許庁

In this method for recovering the performance of a low-polluting coating film, the outermost surface layer coating film formed on a substrate by a low-polluting clear coating film containing the functional ladder silicone compound is wiped by using the stain-proofing restorer containing 40 mass% or more of at least one of organic solvent selected from a group consisting of isopropyl alcohol, isobutyl alcohol, and n-propyl alcohol.例文帳に追加

イソプロピルアルコール、イソブチルアルコールおよびｎ−プロピルアルコールからなる群より選ばれた少なくとも一種の有機溶剤を４０質量％以上含む防汚回復剤を用いて、基材上に官能性ラダーシリコーン化合物を含有する低汚染性クリヤー塗膜により形成された最表層塗膜をワイプすることを特徴とする低汚染性塗膜の性能回復方法。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method includes a step of irradiating a proton several times from either one of main surfaces of a p-type wafer 15 while changing acceleration energy, forming proton injection regions 24 with different depths so as to be linked from the one main surface to the other main surface, and then forming an n-type isolation layer 25 by donating the proton injection regions 24 via heat treatment.例文帳に追加

ｐ型ウエハ１５のいずれか一方の主面からプロトンを複数回、加速エネルギーを変えて照射し、深さの異なるプロトン注入領域２４を、前記一方の主面から他方の主面にかけて繋がるように形成し、その後、熱処理によりドナー化することによりｎ型分離層２５を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

This blooming stopper 170 secures a region as a readout gate, where signal charges flow from the photosensor 13 to the vertical CCD transfer register 12 in a region above the blooming stopper 170, and stops signal charges overflowed at the deep part of the N layer 131 of the photosensor 13 from leaking to the side of the vertical CCD transfer register 12 in the area blow it.例文帳に追加

このようなブルーミングストッパ部１７０により、その上層領域では、フォトセンサ１３から垂直ＣＣＤ転送レジスタ１２に信号電荷が流れる読み出しゲート部としての領域を確保するとともに、その下層領域においてはフォトセンサ１３のＮ層１３１の深部で溢れた信号電荷が垂直ＣＣＤ転送レジスタ１２側に漏洩するのを阻止する。 - 特許庁

A multiplexer circuit 40 multiplexes TxCLAV signals outputted from a plurality of PHY #0-#N of a PHY 50, an ATM layer chip 10 receives the multiplexed signal, a latch circuit 30 latches a TxADDR signal of a selected transmission destination PHY by one cell time as a routing signal 7 to control a Banian routing circuit 20 so as to transmit transmission data 6 to a selected PHY.例文帳に追加

ＰＨＹ５０の複数のＰＨＹ＃０〜＃Ｎから出力されるＴｘＣＬＡＶ信号を、多重回路４０により多重してＡＴＭレイヤｃｈｉｐ１０に取り込み、選択された送信先ＰＨＹのＴｘＡＤＤＲ信号をラッチ回路３０により１セル時間ラッチし、それをルーティング信号７としてバニヤン型ルーティング回路２０を制御し、送信データ６を選択されたＰＨＹに送信する。 - 特許庁

A semiconductor device 100 is of a BiCMOS type in which in PMOS and NMOS regions 18 and 20, as in prior art BiCMOS semiconductor device, a P+-region 48 (source/drain region), an N+-region 44 (source/drain region) and a gate electrode 40 are silicided in their surface layers, for example, as a silicide layer 70.例文帳に追加

本半導体装置１００は、ＢｉＣＭＯＳ半導体装置であって、ＰＭＯＳ領域１８及びＮＭＯＳ領域２０では、従来のＢｉＣＭＯＳ半導体装置と同様に、Ｐ^+ 領域４８（ソース／ドレイン領域）、Ｎ^+ 領域４４（ソース／ドレイン領域）及びゲート電極４０の表層がシリサイド化され、例えばＣｏＳｉからなるシリサイド層７０が形成されている。 - 特許庁

In the developing cartridge 20 having the developing roller 25 produced by forming the resin layer having conductivity on the outer periphery of the conductive shaft, the non-magnetic one-component developer and the regulating blade 28, the material of the regulating blade 28 is a phosphor bronze plate, and the regulating blade 28 abuts on the developing roller 25 with average abutting pressure of 10 to 50 N/m.例文帳に追加

導電性シャフトの外周に導電性の樹脂層を形成して作製した現像ローラ２５と、非磁性一成分現像剤と、規制ブレード２８を有する現像カートリッジ２０において、該規制ブレード２８の材質がリン青銅板で、該規制ブレード２８が現像ローラ２５に当接圧平均１０〜５０Ｎ／ｍで当接していることを特徴とする現像カートリッジ２０。 - 特許庁

The protective layer is given by using an aqueous dispersion comprising a high molecular polyurethane A having at least 10 kg/mol number average molecular weight and at least 20 kg/mol weight average molecular weight and an additive B having a mercaptan group, a hydrazide group and/or an N-alkylamide group.例文帳に追加

この課題は、高分子量ポリウレタンＡおよび添加物Ｂよりなる水性分散物において、ポリウレタンが少なくとも１０ｋｇ／ｍｏｌの数平均分子量および少なくとも２０ｋｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有しそして添加物Ｂがメルカプタン基、ヒドラジド基および／またはＮ−アルキルアミド基を持つことを特徴とする、上記水性分散物によって解決される。 - 特許庁

This ferroelectric thin film element composed of an Si substrate, a conductive thin film having NaCl crystalline structured on the Si substrate and a conductive thin film containing ferroelectric thin film made of an oxide formed on the conductive thin film element while the conductive thin film contains a layer represented by a composition formula of Ti1-x Alx N (wherein 0<x≤0.4)例文帳に追加

本願発明の強誘電体薄膜素子は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長させたＮａＣｌ結晶構造を有する導電性薄膜と、導電性薄膜上に形成された酸化物の強誘電体薄膜とを含む強誘電体薄膜素子であって、導電性薄膜は、組成式Ｔｉ_1-x Ａｌ_x Ｎ（ただし、０＜ｘ≦０．４）で表される層を含む。 - 特許庁

The carrier accumulation layer 3 is formed of phosphorus doped to provide the maximum impurity concentration at the predetermined depth, the base region 2 is formed of boron doped to provide the maximum impurity concentration at the location shallower than the depth of the base region 2, and the emitter region 4 is formed of arsenic to provide the maximum impurity concentration at the front surface of the N-substrate.例文帳に追加

キャリア蓄積層３は、所定の深さにおいて不純物濃度が最大となるように注入されたリンによって形成され、ベース領域２はその深さよりも浅い位置において不純物濃度が最大となるように注入されたボロンによって形成され、エミッタ領域４はＮ−基板の表面において最大となるように注入された砒素によって形成されている。 - 特許庁

The development processing method includes coating the planographic printing plate with a liquid developer by using a silver complex salt diffusion transfer process having a physical developing nucleus between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer, and is characterized in that development is carried out using a liquid developer containing mercaptopyridine-N-oxide wherein a mercapto group substitues for a pyridine nucleus.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版上に現像液を塗布する現像処理方法において、ピリジン核にメルカプト基が置換したメルカプトピリジン−Ｎ−オキシドを含有する現像液を用いて現像することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁

The conductive particulates, consists of a base material particulate and a conductive layer formed on the surface of the base material particulates having projections on the surface, and the base material particulates have a compression elastic modulus (10% K value) of 500-2,500 N/mm^2 and a compression deformation recovery factor of 15-100%, when the particle diameter measured at 20°C is displaced by 10%.例文帳に追加

基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された表面に突起を有する導電層とからなる導電性微粒子であって、前記基材微粒子は、２０℃で測定した粒子直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）が５００〜２５００Ｎ／ｍｍ^２、圧縮変形回復率が１５〜１００％である導電性微粒子。 - 特許庁

The material to be plated has a layer (A) to be electroless-plated thereon, which has the surface roughness less than 0.5 μm by arithmetical mean roughness Ra measured at a cutoff value of 0.002 mm; shows an adhesion of 1.0 N/25 mm or less, when measured by a 90 degrees peeling test; and contains a polyimide resin having a specific structure.例文帳に追加

無電解めっきを施す層Ａを有し、且つ該層Ａの表面粗さが、カットオフ値０．００２ｍｍで測定した算術平均粗さＲａで０．５μｍ未満であり、且つ該層Ａの９０度引き剥がし粘着力が１．０Ｎ／２５ｍｍ以下であり、且つ該層Ａが特定の構造を有するポリイミド樹脂を含有することを特徴とするめっき用材料よって上記課題を解決しうる。 - 特許庁

To provide an underlayer film forming material, the film functions as an underlayer film for a silicon-containing two-layer resist process or as a superior antireflection film, is adaptable to all wavelengths of 248 nm, 193 nm and 157 nm, has optimum n value and k value as compared with polyhydroxystyrene, cresol novolac, naphthol novolac, etc., and is excellent in etching resistance during substrate working, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

珪素含有２層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The polyurethane foam roller provided with at least one polyurethane layer is obtained by injecting into a mold a mixed liquid of a polyisocyanate, a polyol, water and a catalyst followed by expansion molding in the mold; wherein the catalyst contains one or more kinds of compound of the chemical formula:K^+-RCOO^-[ wherein, R is C_nH_2n+1( n is an integer of ≥1 )].例文帳に追加

ポリイソシアネート、ポリオール、水、及び触媒の混合液を金型内に注入し、該金型内で発泡させて成形することにより製造される少なくとも１層以上のポリウレタン層を備えるポリウレタンフォーム・ローラであって、 前記触媒が、 Ｋ^+−ＲＣＯＯ^- ここで、Ｒ：−Ｃ_nＨ_2n+1 （ｎは１以上の整数）の化学式で表わされる化合物を１種類以上含有する。 - 特許庁

An adhesive laminate film for an accelerator beam tube is obtained by laminating a polyimide film on an adhesive layer containing a thermoplastic resin having a glass transition temperature of 100 to 250°C and a water absorption ratio of not more than 1.5 %, a glycidyl amine type epoxy resin and a curing agent wherein the film shows peeling strength of not less than 5 N/cm at 185°C and under 1 Mpa.例文帳に追加

ポリイミドフィルムと、ガラス転移温度が１００℃〜２５０℃であり、更に１．５％以下の吸水率である熱可塑性樹脂とグリシジルアミン型エポキシ樹脂及び硬化剤を含む接着層とを積層して１８５#C、１ＭＰａの条件下で５Ｎ／ｃｍ以上の剥離強度を有する本発明にかかる加速器ビームチューブ被覆用接着性積層フィルムを構成した。 - 特許庁

The oxidizing process electrochemically oxidizes the porous polycrystalline silicon layer 4 by making a constant current to flow with a platinum electrode (unillustated) as a negative electrode and a lower electrode composed of the n type silicon substrate 1 and an ohmic electrode 2 as a positive electrode by using an oxidation treatment tank for containing the electrolyte of dissolving a solute composed of potassium nitrate of 0.04 M in an organic solvent composed of, for example, ethylene glycol.例文帳に追加

酸化工程では、例えばエチレングリコールからなる有機溶媒中に０．０４Ｍの硝酸カリウムからなる溶質を溶かした電解液の入った酸化処理槽を利用し、白金電極（図示せず）を負極、ｎ形シリコン基板１とオーミック電極２とからなる下部電極を正極として、定電流を流し多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化する。 - 特許庁