「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result, a crystal grown sidewise from the crystal part 12A is prevented from being in contact with the sapphire substrate 11, and the n-side contact layer 15 and the nitride-based III-V group compound semiconductor crystal have a low density of through dislocation while a fluctuation in crystal orientation is made small.例文帳に追加

結晶部１２Ａから横方向に成長した結晶とサファイア基板１１とが接触することがなく、ｎ側コンタクト層１５およびその上に成長した窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶においては、貫通転位の密度が低く、また結晶方位の揺らぎが少なくなっている。 - 特許庁

The N-type semiconductor region 1C extends to the inside of the well region 1D, the P-type impurity concentration in the well region 1D is higher than the P-type impurity concentration in the epitaxial layer 1B, and a multiplication register EM for multiplying electrons from the horizontal shift register is formed in the well region 1D.例文帳に追加

Ｎ型の半導体領域１Ｃは、ウェル領域１Ｄ内に延びており、ウェル領域１Ｄ内のＰ型不純物濃度は、エピタキシャル層１Ｂ内のＰ型不純物濃度よりも高く、ウェル領域１Ｄにおいて水平シフトレジスタからの電子を増倍する増倍レジスタＥＭが形成されている。 - 特許庁

An asymmetry compound inductor is contained into one of layers forming organic compound layer, herein the asymmetry compound inductor is provided with asymmetry connectors L having a constituent having at least one of n functional asymmetry atoms, and function unit part R having at least one of hole carrier, luminescence, and electron carrier properties.例文帳に追加

ｎ官能性の不斉原子を少なくとも一つ有する置換基を持つ不斉連結部Ｌと、正孔輸送性，発光性，電子輸送性のうちの少なくとも一つの機能を有する機能単位部Ｒとを備える不斉化合物誘導体を有機化合物層を構成する層のうちの少なくとも一層に含ませる。 - 特許庁

Thereafter, a lower electrode 141 and upper electrodes 142 are respectively formed on the rear surface of the substrate 11 and on the surface of the N-type AlGaN semiconductor layer 123.例文帳に追加

次いで、１３族元素窒化物発光ダイオード層１２表面から、青色蛍光体層部１３１、緑色蛍光体層部１３２及び赤色蛍光体層部１３３を各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、３層からなる酸化亜鉛結晶蛍光体層１３を形成し、下部電極１４１及び上部電極１４２を形成して得る。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method for forming an atom layer by using a group IV metal precursor which employs N-alkoxy-β-keto iminate for a ligand of a group IV metal and has high reactivity with a reacting gas, along with having thermal-chemical stability in a carrier gas atmosphere, and can be easily removed of the ligand from the metal.例文帳に追加

Ｎ−アルコキシ−β−ケトイミネートをＩＶ族金属の配位子として適用し、移送気体雰囲気中で熱的−化学的安定性を有すると共に反応気体との反応性が大きくて金属からの配位子の除去が容易なＩＶ族金属前駆体を用いた原子層蒸着法を提供する。 - 特許庁

The anti-Newtonian ring film is provided with a resin layer comprising a transparent binder resin and resin particles on at least one face of a transparent plastic film and the resin particles covered with the transparent binder resin and having a compression strength of 0.5-10 N/mm^2 as a resin particle are used.例文帳に追加

透明なプラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、透明なバインダ樹脂と樹脂粒子とを含有する樹脂層を備えたアンチニュートンリング性フィルムであって、樹脂粒子が透明なバインダ樹脂に覆われてなり、かつ、樹脂粒子として圧縮強度が０．５〜１０Ｎ／ｍｍ^2である樹脂粒子を用いる。 - 特許庁

An optical recording medium 10 is capable of absorbing a laser beam with a wavelength of 350 to 530 nm, and comprises a recording layer 2 which is formed with an optical recording material prepared by using, as a pigment a, a metal complex compound containing at least a pyrazine N-oxide compound as a diazo component.例文帳に追加

光学記録媒体１０は、波長３５０〜５３０ｎｍのレーザ光を吸収し得るものであって、ピラジンＮ−オキシド化合物をジアゾ成分として少なくとも含んでいることを特徴とする金属錯体化合物を色素ａとして光記録材料とすることにより記録層２を構成したものである。 - 特許庁

On the silicon layer 33, an n-type well area 34 is formed in a racetrack shape pattern, in inner area and outer area of which p-type base areas 35a, 35b of the MOSFETs 21a, 21b are respectively formed to reach a silicon oxide film 32 through p-type well areas 44a, 44b.例文帳に追加

シリコン層３３に、ｎ型ウェル領域３４がレーストラック形状のパターンで形成され、その内側領域および外側領域にＭＯＳＦＥＴ２１ａ、２１ｂのｐ型ベース領域３５ａ、３５ｂがｐ型ウェル領域４４ａ、４４ｂを介してシリコン酸化膜３２に到達するようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁

This adhesive sheet comprising a substrate and an adhesive layer formed on the substrate is characterized by using a substrate having a shrinkage stress of ≤5.0×10^5 N/m^2 measured when heated at 23 to 180°C, held at 180°C for one minute, and then cooled to 23°C, as the substrate.例文帳に追加

本発明に係る粘着シートは、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、基材として、該基材を２３℃から１８０℃に加熱し、１８０℃で１分間保持した後２３℃に冷却した際に測定される収縮応力が５．０×１０^５Ｎ／ｍ^２以下の基材を用いたことを特徴としている。 - 特許庁

After a metal thin film 110 is formed on the reverse surface 1b of the semiconductor substrate having been processed so that (100%-reflectivity-permeability) becomes ≥80% at the wavelength of the laser beam to be irradiated, the side of the reverse surface 1b of the n^+-type substrate 1 is irradiated with laser light to form a drain electrode 11 including a silicide layer 111.例文帳に追加

そして、照射するレーザ光の波長において（１００％−反射率−透過率）が８０％以上に加工された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側にレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁

The method for producing the composite fiber includes a dispersion-preparing step for preparing a dispersion comprising raw material cellulose, monolayer carbon nanotubes, and N-methylmorpholine-oxide, and a spinning step for extruding and ejecting the dispersion through a spinning nozzle, and then coagulating the extruded fiber through an air layer and a coagulation bath to obtain the regenerated cellulose fiber containing the monolayer carbon nanotubes.例文帳に追加

原料セルロースと単層カーボンナノチューブとＮ−メチルモルホリンーオキシドとを含む分散液を調整する分散液調整工程と、紡糸ノズルを通して押出し吐出した後、空気層および凝固浴を通して凝固させて単層カーボンナノチューブを含むセルロース再生繊維を得る紡糸工程と、を含む製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.例文帳に追加

半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this method for mounting an exterior wall plate, first a floor 4 on an nth (n is an integer) layer is constructed, and while a first floor skeleton fastener 21 and a second floor skeleton fastener 22 are provided to the floor 4, a curtain wall 1 is prepared, and the second floor skeleton fastener 22 is temporarily fixed to the second exterior wall plate fastener 12 of the curtain wall 1.例文帳に追加

外壁版取付け方法は、まず、第ｎ（ｎは整数）層の床４が構築されて、床４に第１床躯体ファスナー２１および第２床躯体ファスナー２２が設けられた状態で、カーテンウォール１を用意し、このカーテンウォール１の第２外壁版ファスナー１２に第２床躯体ファスナー２２を仮固定する。 - 特許庁

The protective film comprises a base material made of a polyolefin resin and a self-adhesive layer having a thickness of 0.25-3 μm, and adhesive strength based on JIS-Z-0237 between the protective film and a concavo-convex face of an acrylic resin plate provided with concavities and convexities in an average roughness of 5-50 μm is 0.1-1 N/25 mm.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂からなる基材、厚みが０．２５〜３μｍの粘着層からなり、前記プロテクトフィルムと、平均粗さ５μｍ〜５０μｍの凹凸が賦形されてなるアクリル樹脂板の凹凸面とのＪＩＳ−Ｚ−０２３７に準拠した粘着強度が０．１〜１Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。 - 特許庁

In the electric double layer capacitor having a pair of polarized electrodes and an electrolyte for forming electric double layers on interfaces with the polarized electrodes, the electrolyte is composed of an organic electrolyte which contains fluorobenzene represented by formula 1 (in the formula 1, (n) is an integer from 1 to 6).例文帳に追加

一対の分極性電極と該分極性電極との界面に電気二重層を形成する電解液とを有する電気二重層キャパシタにおいて、前記電解液が式１で表されるフルオロベンゼン（式１中、ｎは１〜６の整数である。）を含有する有機電解液からなる電気二重層キャパシタ。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element using an SiC substrate wherein a p electrode and an n electrode are opposed to each other, and capable of stabilizing a drive voltage by reducing carrier depletion due to spontaneous polarization and piezoelectric polarization caused on a boundary of a semiconductor layer.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いてｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を構成するとともに、半導体層の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A material source Zn and O that compose the ZnO oxide, and a dopant source N, which is provided by having nitrogen, i.e., p-type dopant, in plasma state, are supplied so as to make the material source that composes the ZnO oxide rich in Zn, and thereby the p-type ZnO oxide semiconductor layer 9 grows on the substrate 8.例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源ＺｎおよびＯと、ｐ形ドーパントであるチッ素をプラズマ化したドーパント源Ｎとを供給すると共に、ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源がＺｎリッチとなるように供給しながらｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層９を基板８上に成長する。 - 特許庁

The surface of an N-type semiconductor wafer 1 is coated with a liquid-state impurity source 2 composed of the mixture of an aluminum compound, boron compound, organic polymer material and organic solvent and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, and the organic solvent is evaporated so that a layer containing aluminum and boron can be formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物とホウ素化合物と有機高分子物質と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ型半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

In the image forming method, an electrophotographic photoreceptor contains a polyarylate resin having a structural unit represented by general formula (1) in an outermost surface layer, a toner is a toner having a Tg of 16-44°C manufactured by a polymerization method, and the intermediate transfer member is an intermediate transfer member having a universal hardness of 150-600 N/mm^2.例文帳に追加

電子写真感光体は最表面層に下記一般式（１）で表される構造単位を有するポリアリレート樹脂を含有し、かつ、トナーは重合法により作られたＴｇ１６〜４４℃のトナーであり、また、中間転写体は、ユニバーサル硬度で１５０Ｎ／ｍｍ^2以上６００Ｎ／ｍｍ^2以下の中間転写体である。 - 特許庁

A light pervious resin film layer 2 having (1) a tensile modulus of 100-500 MPa and (2) a compression strength of 2,0-7.0 N in 50% stress is formed on at least one surface of a light pervious base fabric 1, containing fiber cloth to constitute the light pervious film material having a total light transmission of 30% or more.例文帳に追加

繊維布帛を含む光透過性基布１の少なくとも１面上に、（１）１００〜５００MPa の引張弾性率、及び（２）５０％歪みにおいて、２．０〜７．０Ｎの圧縮強度、を有する光透過性樹脂被覆層２を形成し、全体として３０％以上の全光線透過率を有する透光性膜材を構成する。 - 特許庁

The base material for forming the underlayer film between a substrate and a photoresist layer contains a phenolic resin having a constitutional unit represented by formula (I), wherein R^1 represents an alicyclic group; R^2 represents naphthyl or anthryl; and n represents an integer of 0 or 1.例文帳に追加

基板とホトレジスト層との間に下層膜を形成するための下地材であって、下記一般式（Ｉ）［式中、Ｒ^１は脂環式基を表し、Ｒ^２はナフチル基またはアントリル基を表し、ｎは０または１の整数を表す］で表される構成単位を有するフェノール樹脂を含有することを特徴とする下地材。 - 特許庁

In the method for manufacturing the original printing plate for the lithographic printing plate forming the photosensitive layer by coating a substrate with a coating liquid comprising the photosensitive composition comprising at least polymer particles and drying it, a pressure applied on the coating liquid on a coating face of the substrate in a coating process is made to be ≤5×10^5 N/m^2.例文帳に追加

少なくともポリマー粒子を含有する感光性組成物を含む塗布液を支持体上に塗布、乾燥して感光層を形成する平版印刷版原版の製造方法において、塗工工程の支持体塗布面における塗布液に掛かる圧力を０．５×１０^５Ｎ／ｍ^２以下とする。 - 特許庁

To provide an optical wiring board that has an effective multi-channel cross connection structure, by installing input optical wiring and output optical wiring of N channels in two upper and lower layers regardless of the number of channels and by connecting one-to-one optical wires with layers made to differ from each other in the respective places of an inter-layer transition part.例文帳に追加

Ｎチャンネルの入力光配線と出力光配線とをチャンネル数に依存せずに上下２層に敷設し、層間移行部の夫々の個所において１対１の光配線同士で層を違えて接続し、有効な多チャンネルのクロスコネクト構造を有する光配線基板を提供する。 - 特許庁

An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.例文帳に追加

ベース領域４及びエミッタ領域５を取り囲むように、不純物としてＰを含むｎ型のＦＬＲ領域６が、第１Ｓｉ層２と第２Ｓｉ層３との境界近傍の位置に環状に形成されており、ＦＬＲ領域６は第２Ｓｉ層３の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁

Between the gate electrodes 9 of adjacent unit cells, a trench electrode 15 comprising a trench 16 reaching a p+ type silicon substrate 1 from an n+ type source region 5 while penetrating a p- type body region 4 and a p- type silicon layer 2, and a conductive substance 17 filling the trench 16 is formed.例文帳に追加

隣接するユニットセル同士のゲート電極９間部分に、ｎ＋型ソース領域５からｐ型ボディ領域４、ｐ−型シリコン層２を貫いてｐ＋型シリコン基板１に達するトレンチ１６及びトレンチ１６内に埋め込まれた導電性物質１７からなるトレンチ電極１５が形成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescent device is such as to be provided with layer(s) comprising the silole compound represented by general formula (I) (wherein, R^1 to R^3 are each independently an aliphatic hydrocarbon group or the like; a-d are each independently a carbon atom or nitrogen atom; and Ar is an n-valent aromatic hydrocarbon ring residue or aromatic heterocyclic residue).例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）（式中、Ｒ^1〜Ｒ^３は、それぞれ独立に脂肪族炭化水素基等を示し、ａ〜ｄは、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を示す。Ａｒはｎ価の芳香族炭化水素環残基または芳香族複素環残基を示す。）で表わされるシロール化合物を含有する層を設けた。 - 特許庁

To provide a technique for improving controllability of a base width regarding a method for manufacturing a semiconductor device where a vertical PNP transistor in that a P-type semiconductor substrate composes a collector region is formed on a semiconductor substrate where an epitaxial growth layer for composing an N-type base region is formed on the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板の上にＮ型のベース領域を構成するエピタキシャル成長層を形成した半導体基体に、Ｐ型半導体基板がコレクタ領域を構成する縦型のＰＮＰトランジスタを形成する半導体装置の製造方法について、ベース幅の制御性を改善する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter wherein an open circuit voltage and a short circuit current are increased and the photoelectric conversion efficiency is improved without making an n-type conductivity type semiconductor layer contain a high concentration impurity element, and to suppress the discharge amount of carbon dioxide upon manufacturing by providing the photoelectric converter.例文帳に追加

ｎ型導電型半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加させ光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。 - 特許庁

The chromium-free surface treated aluminum-zinc based alloy plated steel sheet is obtained by forming a covering layer containing a water soluble urethane resin having carboxyl groups and acid amido bonds, N- methylpyrrolidone, a zirconium metal compound, and a silane coupling agent at least on one side in 0.5 to 5.0 g/m^2 as a film coating weight.例文帳に追加

カルボキシル基及び酸アミド結合を有する水溶性ウレタン樹脂と、Ｎ−メチルピロリドンと、ジルコニウム金属化合物と、シランカップリング剤とを含有する被覆層を少なくとも片面に皮膜付着量として０．５〜５．０ｇ／ｍ^^2形成する、クロムを含有しない表面処理アルミニウム・亜鉛系合金めっき鋼板である。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly for exposure at a short wavelength, that is, has high transparency and the optimum n and k values and is excellent also in etching resistance during substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The organic radical compound as the active material is a nitroxyl compound which has an N-oxoammonium cation partial structure in an oxidization state and a nitroxyl radical partial structure in a reduction state, and the electrode has a plurality of holes 108 in an electrode active material layer 101 formed on a collector 102.例文帳に追加

活物質としての有機ラジカル化合物は、酸化状態においてＮーオキソーアンモニウムカチオン部分構造をとり、還元状態においてニトロキシルラジカル部分構造をとるニトロキシル化合物であり、集電体１０２上に形成された電極活物質層１０１中に複数の孔１０８を有する。 - 特許庁

The original plate has a photopolymerizable photosensitive layer containing a compound having an addition polymerizable ethylenically unsaturated double bond, a titanocene photopolymerization initiator, an N- nitrosophenylhydroxylamine salt and an ester compound having ≥200°C boiling point and comprising a compound having a phenolic OH group and an inorganic acid on an aluminum base.例文帳に追加

アルミニウム支持体上に、付加重合可能なエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、チタノセン光重合開始剤、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩およびフェノール性OH基を有する化合物と無機酸との沸点200℃以上のエステル化合物を含有する光重合性感光層を有する平版印刷版原版。 - 特許庁

The catalytic electrode layer is used for a solid polymer electrolyte fuel cell and contains a binding property resin having no proton conductivity and its adhesion strength to a PET film is 0.001 N/cm or more.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は固体高分子電解質型燃料電池に用いられる触媒電極層であって、プロトン伝導性を有さない結着性樹脂を含有し、かつＰＥＴフィルムに対する粘着強度が０．００１Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする触媒電極層を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

The functional thin film has a transition layer containing a first component selected from aluminum (Al) and silicon (Si) and at least one second component selected from an oxygen atom (O) and a nitrogen atom (N), and each of the first and second components has a gradual concentration gradient along the thickness of the thin film.例文帳に追加

アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）より選択される第１成分ならびに酸素原子（Ｏ）及び窒素原子（Ｎ）より選択される少なくとも一の第２成分を含む転移層を有し、該第１成分及び第２成分は薄膜の厚みに沿って漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする機能性薄膜。 - 特許庁

In a power transistor composed by arranging a plurality of vertical type PNP transistors on a P type silicon substrate 1, one or a plurality of electrodes parts a of N+ type embedded layer 2 for separating the collector of the plurality of vertical type PNP transistors from the P type silicon substrate 1 are provided in an active region of the power transistor.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上に縦型ＰＮＰトランジスタを複数並べて構成されたパワートランジスタにおいて、前記Ｐ型シリコン基板１と前記複数の縦型ＰＮＰトランジスタのコレクタを分離するためのＮ+型埋込層２の電極部aをパワートランジスタの能動領域内に1箇所または複数有する。 - 特許庁

The pellicle 1 is characterized in that a peel strength is 0.004-0.10 N/mm when a non-surface-treated polyethylene terephthalate film having a thickness of 125 μm is peeled in a direction of 180° to the adhering surface at 23°C after the polyethylene terephthalate film has been adhered to a mask adhering layer 9 of the pellicle.例文帳に追加

厚さ１２５μｍの表面処理されていないポリエチレンテレフタレートフィルムをペリクルのマスク接着層９に接着させた後、温度２３℃で、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムを接着面に対して１８０°方向に剥離する際の剥離強度が０．００４Ｎ／ｍｍ以上０．１０Ｎ／ｍｍ以下であることを特徴とするペリクル１。 - 特許庁

As the semiconductor device formed on a silicon carbide semiconductor substrate, a diode and a transistor, etc. are manufactured by selectively forming in the epitaxial layer grown on the surface which is inclined from a (000-1) surface of the substrate by 0 or more degree of the angle and less than 1 degree of the angle, by ion implanting a P-type or N-type region.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の（０００−１）面から０°超で以上１°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、Ｐ型あるいはＮ型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。 - 特許庁

The base fabric for the airbag includes a woven fabric and a resin layer containing a thermoplastic resin and laminated at least on a part thereof, and has a sliding resistance of ≥300 N measured based on ASTM D 6479-02 (2003), and an air permeability of ≤0.5 L/cm^2 min at an air pressure of 19.6 kPa.例文帳に追加

織物および少なくとも一部に熱可塑性樹脂を含む樹脂層が積層されてなり、ＡＳＴＭ ＡＳＴＭ Ｄ ６４７９−０２（２００３）に基づき測定した滑脱抵抗力が３００Ｎ以上、空気圧１９．６ｋＰａにおける通気度が０．５Ｌ／ｃｍ^２・ｍｉｎ以下であることを特徴とするエアバッグ用基布。 - 特許庁

The second isolation region 132 includes a trench 132a and a caulk 132b embedded in the trench 132a, and the structure caulk 132b is formed with an insulating film, thereby reducing an occupied area of the isolation region (second isolation region 132) on a surface of the n-type semiconductor layer where an element region is formed.例文帳に追加

第２分離領域１３２は、トレンチ１３２ａとトレンチ１３２ａに埋め込まれた充填材１３２ｂを有し、構造充填材１３２ｂを絶縁膜とすることで、素子領域が形成されるｎ−型半導体層表面の分離領域（第２分離領域１３２）の占有面積を縮小できる。 - 特許庁

This cutting work method for a pressure sensitive adhesive sheet is a work method cutting the pressure sensitive adhesive sheet having a pressure sensitive adhesive layer of 7.0 N/20 mm or less anchoring force in at least one surface of a base material, and the method is characterized by performing cutting work after pressing operation is performed to a location including a cut part of the pressure sensitive adhesive sheet.例文帳に追加

粘着シートの切断加工方法は、基材の少なくとも片面に、投錨力が７．０Ｎ／２０ｍｍ以下の粘着層を有する粘着シートを切断する加工方法であって、粘着シートの切断部を含む部位に押圧操作を行った後に、切断加工を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The fuser member has a substrate 4, and thereover, an outer layer 2 including a fluorinated polyimide including a compound of formula (1), wherein Ar represents a fluorinated hydrocarbon group; Rf_1 represents a fluorine-containing group; and Q is an end group, n is a number of from about 20 to about 1,000 carbons, and o is 0 or 1.例文帳に追加

定着部材は、基材４、およびその上に、次式の化合物（式中、Ａｒがフッ素化炭化水素基を表し、Ｒｆ_１がフッ素含有基を表し、Ｑが末端基であり、ｎが約２０から約１，０００までの炭素の数であり、ｏが０または１である）を含むフッ素化ポリイミドを含む外層２を含む。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having an interlayer and a photosensitive layer on an electroconductive substrate, the interlayer comprises a resin having heat of fusion of 0-40 J/g and a water absorption of ≤5 mass% and an N-type semiconductive particle containing 100 ppm to 2.0 mass% of a transition metal.例文帳に追加

導電性支持体上に中間層、感光層とを有する電子写真感光体において、該中間層が融解熱０〜４０Ｊ／ｇで、且つ吸水率５質量％以下の樹脂及び遷移金属を１００ｐｐｍ〜２．０質量％含有したＮ形半導性粒子を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

To provide an interior finish member which has a moderate resistance feeling and develops soft touch by setting an intermediate layer of a low-hardness elastomer having 30 or below in Asker C hardness and 10 N/cm^2 or below in 20% compressive load between a skin and a substrate forming the interior finish member.例文帳に追加

内装部材をなす表皮と基材との間に、アスカーＣ硬度が３０以下で、かつ２０％圧縮荷重が１０Ｎ／ｃｍ^2以下である低硬度エラストマを材質とする中間層を設けることで、その触感が適度な抵抗感を有すると共に、柔らかな感触を発現させる内装部材を提供する。 - 特許庁

A PN junction diode 22 which comprises an N type impurity diffusion region 21 and a P type semiconductor support substrate 11 by which padding formation is carried out after this embedded insulating film 12 has dissociated electrically SOI layer 13 is formed at a portion which is in the P type semiconductor support substrate 11, and touches the embedded insulating film 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体支持基板１１にあって埋込絶縁膜１２に接する部位に、該埋込絶縁膜１２によってＳＯＩ層１３とは電気的に分離された状態で埋め込み形成されるＮ型の不純物拡散領域２１とＰ型の半導体支持基板１１とからなるＰＮ接合ダイオード２２を形成した。 - 特許庁