「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(135ページ目) - Weblio英語例文検索

The radio LAN device 1 measures the reception level of a signal inputted from the antenna section 2 by a reception level measurement section 11, and lights and displays the light emitting device of the display section 5 corresponding to the reception direction of a signal with the maximum reception level, for example the maximum S/N ratio via a data link layer control section 4.例文帳に追加

無線ＬＡＮ装置１は、アンテナ部２から入力される受信信号の受信レベルを受信レベル計測部１１で計測し、データリンク層制御部４を介して、受信レベルが最高、例えば、Ｓ／Ｎ比が最大である受信信号の受信方向に対応する表示部５の発光素子を点灯表示させる。 - 特許庁

The composition for forming an intermediate layer is composed of a silylphenylene polymer (A) having a repeating unit represented by formula (1) (where at least one of R_1 and R_2 is a crosslinkable group; m and n are each an integer of 0-20; and l is an integer representing the number of repeating units) and a solvent (C).例文帳に追加

中間層形成用組成物を、 下記一般式（1）（式中、Ｒ_1、Ｒ_2の少なくとも一方が架橋性基であり、ｍおよびｎはそれぞれ０〜２０の整数であり、ｌは繰り返し単位数を表す整数である。）で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、溶剤（Ｃ）と、を含有させて構成する。 - 特許庁

As a material for this high-pressure hydrogen gas tank and the high-pressure hydrogen gas piping, a stainless steel containing an appropriate quantity of C, Si, P, S, Mn, Ni, Cr and N is used, and this stainless steel has an aluminum layer formed from aluminum or an aluminum alloy and having a thickness of 100 nm to 10 mm in a surface to be brought in contact with hydrogen gas.例文帳に追加

材質が、適量のＣ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎを含有するステンレス鋼であり、水素ガスと接する面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる厚さ１００ｎｍ〜１０ｍｍのアルミ層を有することを特徴とする高圧水素ガス用タンク又は高圧水素ガス用配管。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device of which photoelectric conversion efficiency is improved by increasing an open circuit voltage and a short circuit current without heavily doping an n-type conductivity type semiconductor layer, and to suppress the discharge amount of carbon dioxide upon manufacturing by providing the photoelectric converter.例文帳に追加

ｎ型導電型半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加させ光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes the switching element (TFT 12) which has a functional layer formed of an organic material and includes a source electrode 16 and a drain electrode 20, and a rectifying element (diode rectifying element 14) having a P type semiconductor portion 26 and an N type semiconductor portion 28 disposed between the source electrode 16 and drain electrode 20.例文帳に追加

半導体装置は、機能層が有機材料にて形成され、ソース電極１６とドレイン電極２０とを備えたスイッチング素子（ＴＦＴ１２）と、ソース電極１６とドレイン電極２０との間に配置されたＰ型半導体部２６及びＮ型半導体部２８を備えた整流素子（ダイオード整流素子１４）と、を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加

ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、Ｎ型ポリメタルゲート電極とＰ型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, the light-emitting diode layer is formed on a dummy substrate, and the transparent P-type semiconductor bonding substrate is bonded on the dummy substrate, After the dummy substrate is eliminated, the transparent N-type semiconductor bonding substrate is bonded instead of the dummy substrate, and the entirety is worked in a nearly spherical type.例文帳に追加

これを製造する方法として、ダミー基板の上に発光ダイオード層を形成した後、その上に透明なｐ型半導体接着基板を接着し、その後ダミー基板を除去して代わりに透明なｎ型半導体接着基板を接着し、全体をほぼ球状に加工する方法を提供する。 - 特許庁

A protective layer containing, as a binder, carboxy modified polyvinyl alcohol, a polyamide epichlorohydrin resin and a polyamine/amide resin is provided on the heat sensitive recording medium containing at least 3-(N-ethyl-p-methylphenylamino)-6-methyl-7-anilino fluorane as an electron donating leuco dye and the electron donative dye.例文帳に追加

少なくとも電子供与性ロイコ染料である３−（Ｎ−エチル−ｐメチルフェニルアミノ）−６−メチル−７−アニリノフルオランと、電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層上に、バインダーとしてカルボキシ変成ポリビニルアルコール、ポリアミドエピクロロヒドリン系樹脂、及びポリアミン／アミド系樹脂を含有した保護層を設ける。 - 特許庁

Then, a p-type isolation diffused region 5, which reaches the p-type semiconductor substrate from the surface of the n^--type semiconductor layer 2, is made in the periphery of the first diffused region 3 and the second diffused region 4, and the first diffused region 3 and the isolation diffused region 5 are electrically connected by a connecting electrode 6.例文帳に追加

そして、第１拡散領域３および第２拡散領域４の外周部にｎ^−形半導体層２の表面からｐ形半導体基板に達するｐ形のアイソレーション拡散領域５が形成され、第１拡散領域３とアイソレーション拡散領域５とが接続電極６により電気的に接続されている。 - 特許庁

To form the LDD regions with the concentration inclination of the impurity element, the gate electrode with a tapered part is provided, and the ionized N- or P-type impurity element is accelerated by an electric field, is allowed to pass through the gate electrode and a gate insulating film 142, and is added to a semiconductor layer.例文帳に追加

このような不純物元素の濃度勾配を有するＬＤＤ領域を形成するために、テーパー部を有するゲート電極を設け、イオン化したＮ又はＰ型不純物元素を、電界で加速してゲート電極とゲート絶縁膜１４２を通過させて半導体層に添加する方法を用いる。 - 特許庁

A method of forming a nitride system semiconductor device includes a step in which a plurality of columns 1a made of Si are formed on an upper surface of an Si substrate 1 by machining the upper surface of the Si substrate 1, and a step in which an n-type GaN layer 5 is made to grow on the plurality of columns 1a.例文帳に追加

この窒化物系半導体の形成方法は、Ｓｉ基板１の上面を加工することによって、Ｓｉ基板１の上面に、Ｓｉからなる複数の円柱状部１ａを形成する工程と、その複数の円柱状部１ａ上に、ｎ型ＧａＮ層５を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with reflection display regions R and transmission display regions T in one dot region, wherein an electrode layer for driving liquid crystal molecules 51 has opening parts 18 of nearly wavy shape in a plane view on the position where the opening parts overlaps the boundary region N between both of the regions when viewed in a plane.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、１ドット領域内に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを備えており、液晶分子５１を駆動するための電極層が、前記両領域の境界領域Ｎと平面的に重なる位置に平面視略波状の開口部１８を有して構成されている。 - 特許庁

The cleaning layer should be preferable wherein a saturated absorbing amount to a solvent for screen printing ink is ≥30 g/m^2, an initial absorbing amount to the solvent for screen printing ink is ≥15 g/m^2 in 1 s and adhesive power by a measuring method based on JIS Z0237 is ≤0.1 N/25mm.例文帳に追加

上記クリーニング層は、スクリーン印刷インキ用溶剤に対する飽和吸収量が３０ｇ／ｍ^２以上、スクリーン印刷インキ用溶剤に対する初期吸収量が１秒間で１５ｇ／ｍ^２以上、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠する測定法による粘着力が０．１Ｎ／２５ｍｍ以下であるのが好ましい。 - 特許庁

Then, an opening 71a for the N+ diffusion layer 62b and an opening 71b for the polycrystalline Si film 66b are simultaneously formed on an SiO2 film 68, and SiN films 72a and 72b that are the capacitance dielectric films of the MIS capacitor 88 and the MIM capacitor 89 are simultaneously formed on the openings 71a and 71b.例文帳に追加

そして、Ｎ^+ 拡散層６２ｂに対する開口７１ａと多結晶Ｓｉ膜６６ｂに対する開口７１ｂとをＳｉＯ_2 膜６８に同時に形成し、ＭＩＳ容量素子８８及びＭＩＭ容量素子８９の夫々の容量誘電膜であるＳｉＮ膜７２ａ、７２ｂを開口７１ａ、７１ｂ上に同時に形成する。 - 特許庁

The resin composition is used for forming the layer capable of absorbing at least one of visible light, near infrared light and neon light, and contains the pigment having the maximum absorption wavelength in 380-1200 nm and a polymer containing lactone rings, N-substituted maleimide rings or tetrahydropyran rings.例文帳に追加

可視光線、近赤外線及びネオン光線のうちの少なくとも１種を吸収する層の形成に用いられる樹脂組成物であって、該樹脂組成物は、３８０〜１２００ｎｍに極大吸収波長を有する色素と、ラクトン環、Ｎ置換マレイミド環又はテトラヒドロピラン環含有重合体とを含有してなる樹脂組成物。 - 特許庁

This sliver halide emulsion layer of the photographic element contains a yellow dye forming coupler of an acyl-acetoanilide compound, having an alkoxy or aryloxy substituent on the ortho position to the N atoms of the acetoanilide ring and further, a substituent having a chroman ether group.例文帳に追加

本発明は、アセトアニリド環の窒素原子に対してオルトの位置にアルコキシまたはアリールオキシ置換基を含み、前記環がクロマンエーテル基を含有している置換基をさらに含んでいるアシルアセトアニリド化合物であるイエロー色素形成カプラーを関連して有するハロゲン化銀乳剤層を含んでなる写真要素に関する。 - 特許庁

Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5.例文帳に追加

そして、ｎ^−形半導体層２表面から半導体基板１に達する第１導電形アイソレーション拡散領域４が形成され、そのアイソレーション拡散領域４の表面にオーミック接触するように、たとえばＡｌ金属膜７が設けられることにより、第１電極５と電気的に接続している。 - 特許庁

On the L2-L2 line on the surface of an N type semiconductor layer 12 grown epitaxially on a P type semiconductor substrate 11, a set of electrodes 15a, 15b and a set of electrodes 15c, 15d are arranged alternately and symmetrically with respect to the L1-L1 line.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１１の上にエピタキシャル成長されたＮ型の半導体層１２表面のＬ２−Ｌ２線上に、電極１５ａおよび１５ｂの電極の組と電極１５ｃおよび１５ｄの電極の組とをＬ１−Ｌ１線を対称軸として線対称の関係を有する態様で交互に配設する。 - 特許庁

Inductance is reduced by enlarging the forms of bus bars which connect the P phase and the N phase of an inverter and the positive or the negative electrode of smoothing capacitors, and the form of a wiring bus bar which connects an intermediate layer of capacitors connected in series to enlarge areas where they overlap each other; and by making currents flow in the opposite directions to each other.例文帳に追加

逆変換部のＰ相、Ｎ相と、平滑コンデンサの正極、または負極とを接続したバスバーと直列接続されたコンデンサの中間層を接続する配線バスバーの形状を大きくし、互いに重なり合う面積を大きくして、流れる電流を互いに逆方向とすることで、インダクタンスを低減する。 - 特許庁

Upper surface portion and right and left side face portions of the semiconductor region 12 along the end of the gate electrode 15 on the drain region side is covered with a selective insulating film 171 thicker than the gate insulating film 14, and a lightly doped n^--type impurity diffusion layer 172 is formed beneath the selective insulating film 171 (offset structure 17).例文帳に追加

ドレイン領域側のゲート電極１５の端部近傍に沿う半導体領域１２の上面及び左右側面の部分はゲート絶縁膜１４よりも厚い選択的絶縁膜１７１で覆われ、選択的絶縁膜１７１下には、低濃度Ｎ^−型不純物拡散層１７２が形成される（オフセット構造１７）。 - 特許庁

This magnetic encoder 1 of the present invention has a fixed member 2 fixed integrally to be concentric to a rotor, and the magnetic ink layer 3 fixed to an opposed portion opposed to a sensor S in the fixed member 2 along a circumferential direction of the fixed member 2, and attracted magnetically with N-poles and S-poles arrayed alternately.例文帳に追加

本発明による磁気エンコーダ１は、回転体に同心一体に固定される固定部材２と、この固定部材２におけるセンサＳとの対向部分に同固定部材２の周方向に沿って固着されかつＮ極とＳ極とが交互に配列状に着磁されて着磁されている磁性インク層３とを有している。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser device 10 comprises a laser element 34 including an n-type multilayer film reflector 24, an active layer 26 and a p-type multilayer film reflector 28 formed on a substrate 20, and a light absorption-thermal conversion region 50 for generating heat by absorbing light located contiguously to the laser element 34.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ装置１０は、基板２０上に、ｎ型の多層膜反射鏡２４、活性層２６、およびｐ型の多層膜反射鏡２８とを含むレーザ素子部３４が形成され、さらに、レーザ素子部３４と隣接する位置に、光を吸収し発熱する光吸収熱変換領域５０を有する。 - 特許庁

In the method, the organic layer is constituted in such a way that (a) it comprises organic compounds of two types or above which are selected from a group formed of an n-type organic compound and a p-type organic compound, and (b) the organic compounds of two types or above coexist in the amorphous state.例文帳に追加

その方法は、前記有機層を、（ａ）ｎ型有機化合物およびｐ型有機化合物からなる群から選択される二種以上の有機化合物を含有する、および（ｂ）それら二種以上の有機化合物のいずれもがアモルファス状態で混在する、をいずれも満たすように構成することを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a cylindrical fiber-reinforced composite material is disclosed, including winding a release film having a release layer containing a curable silicone resin on at least one surface of a polyester film and satisfying both of the following expressions (1) and (2), around a cylindrical prepreg while maintaining tension of 10 to 15 N/m.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に硬化型シリコーン樹脂を含有する離型層を有し、下記式（１）および（２）を同時に満足する離型フィルムを、張力が１０〜１５Ｎ／ｍとなるように円筒状プレプレグに巻き付けることを特徴とする円筒状繊維強化複合材料の製造方法。 - 特許庁

In the pasting material for skin scratching-breaking prevention in which a textile is a base a pressure-sensitive adhesive lamina is formed on one side of the base, the static friction coefficient of the adhesive layer unforming face of the base is 0.5 to 0.8 and the 50% modulus of the pasting material as a whole is 0.2-5.0 N/cm.例文帳に追加

布帛を支持体とし、該支持体の片面上に感圧性接着剤層を形成してなる貼付材であって、支持体の接着剤層非形成面の静摩擦係数が０．５〜０．８、貼付材全体の５０％モジュラスが０．２〜５．０Ｎ／ｃｍであることを特徴とする皮膚掻破防止用貼付材。 - 特許庁

In addition, the deterioration of a gate insulating film or the retreat of a diffusion layer is suppressed by improving the uniformity of gate resistance by improving the uniformity of characteristics of p- and n-type MOSs by equally controlling silicide reactions of the MOSs and in addition, suppressing the abnormal growth of a gate electrode or the Ni silicide film at the end of the source/drain region.例文帳に追加

また、Ｐ−ＭＯＳとＮ−ＭＯＳのシリサイド反応を同等に制御することにより特性の均一性を高め、更にゲート電極やソース／ドレイン領域端部のＮｉシリサイド膜の異常成長を抑制することにより、ゲート抵抗の均一性を高めゲート絶縁膜の劣化や拡散層の後退を抑制する。 - 特許庁

On an n-type clad layer 11 of a thickness of T2 which is mode of a C component, quantum dots 1 mode of an A component are formed in a cylindrical shape of a diameter Dqd and height Tqd in a form of being embedded in a matrix made of a D component by a lithography or etching method with the size, position, and distribution density being controlled.例文帳に追加

Ｃ成分からなる厚さＴ２の１１ｎ型クラッド層の上に、Ｄ成分からなる、２マトリックス中に埋った形態で、Ａ成分からなる１量子ドットを、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、直径Ｄ_qd、高さＴ_qdの円柱体の形状で、サイズ、位置および分布密度を制御して形成する。 - 特許庁

This preparation consists of a step forming a semiconductor layer comprising a laminated structure of a-Si film 5 and n+ a-Si film 6, a step forming ITO film 7 as a transparent pixel electrode at a separated position from the semiconductor layer, a step forming an SiNx protective film 10 in whole area and an etching step patterning so as to separate this protective film from the transparent pixel electrode.例文帳に追加

ガラス基板１の上にａ−Ｓｉ膜５およびｎ^+ ａ−Ｓｉ膜６の積層構造からなる半導体層を形成する工程と、半導体層と離れた位置に透明画素電極となるＩＴＯ膜７を形成する工程と、全体にＳｉＮｘ保護膜１０を形成する工程と、この保護膜を、透明画素電極と離れるようにパターンニングするエッチング工程と、により液晶表示装置用のアレイ基板を製造する。 - 特許庁

The method of manufacturing the III-V compound semiconductor layer containing N atoms includes a step of growing semiconductor crystals constituting the III-V compound semiconductor layer on a semiconductor substrate to form an epitaxial wafer 1 and an annealing step of heat-treating the semiconductor crystals at a temperature higher than its growth temperature while applying a load to the crystals by putting a weight 104 on the epitaxial wafer 1.例文帳に追加

Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を製造する方法であって、III−Ｖ族化合物半導体層を構成する半導体結晶を半導体基板上に成長させてエピタキシャルウェハ１を形成する工程と、エピタキシャルウェハ１上におもり１０４を載せることで該半導体結晶に対して荷重を付与しつつ、該半導体結晶に対しその成長温度より高い温度で熱処理を行うアニール工程とを備える。 - 特許庁

A semiconductor region is made by forming an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer sequentially, a high efficiency light extraction region is made, by forming a plurality of holes in the surface of the semiconductor region, and a transparent electrode forming region is made by forming transparent electrodes made of a transparent conductive film continuously in the flat region of the high efficiency light extraction region, thus fabricating a light-emitting diode.例文帳に追加

ｎ型半導体層及びｐ型半導体層を順に形成することにより半導体領域を作製し、前記半導体領域の表面に複数の穴を形成することにより高効率光取出し領域を作製し、前記高効率光取出し領域の平坦領域に透明導電膜からなる透明電極を連続的に形成することにより透明電極形成領域を作製することにより、発光ダイオードを製造する。 - 特許庁

The adhesive composition for forming the adhesive layer having excellent ultraviolet absorption provides an adhesive tape having ≥4 N/25 mm 180° adhesive force and ≤10% transmittance of light having 380 nm wavelength when the adhesive tape is obtained by laminating the adhesive layer obtained from the adhesive composition on one surface of a transparent bi-axially oriented polyethylene terephthalate film.例文帳に追加

紫外線吸収性に優れた粘着剤層を形成するための粘着剤組成物であって、この粘着剤組成物から得られた粘着剤層が透明な二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に積層された粘着テープを作成したとき、この粘着テープのガラスに対する１８０゜粘着力が４Ｎ／２５ｍｍ以上であり、かつ、波長３８０ｎｍにおける透過率が１０％以下であることを特徴とする紫外線吸収性粘着剤組成物である。 - 特許庁

For a layer having carbon nanotubes uniformly dispersed, the material is used which has carbon nanotubes uniformly dispersed by using a mixed solvent consisting of a nonionic surface active agent, an amide-based polar organic solvent, especially NMP (N-methyl pyrolidone) and/or polyvinyl pyrolidone while paying attention to the function as a dispersant for carbon nanotubes of the nonionic surface active agent.例文帳に追加

ここで、カーボンナノチューブが均一に分散された層として、非イオン性界面活性剤のカーボンナノチューブに対する分散剤としての機能に着目しつつ、非イオン性界面活性剤、アミド系極性有機溶媒、特に、ＮＭＰ（Ｎメチルピロリドン）及び／又はポリビニルピロリドンからなる混合溶媒を用いてカーボンナノチューブを均一に分散させた材料を使用する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous semiconductor film is doped with a catalytic element, a crystal semiconductor film is formed by a first heat treatment, the catalytic element is transferred to an n-type dopant layer formed on the crystal semiconductor film by a second heat treatment, and the first/second island-like crystal semiconductor films are formed on the first/second gate electrodes by patterning.例文帳に追加

非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、第１の加熱処理により結晶性半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、結晶性半導体膜に設けられたＮ型不純物層に、触媒元素を移動させ、パターニングして第１／第２のゲイト電極上に第１／第２の島状の結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁

After a first-conductivity impurity is injected into the whole surface of a first-conductivity semiconductor substrate 201, a first-conductivity diffusing layer 200 and second-conductivity wells 202 and 203 higher in concentration that the substrate 201 are formed in a desired area by selectively injecting n-type dopants, such as the P, As, etc., into the area.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板２０１全面に半導体基板と同一導電型の不純物を注入した後、所望領域に、選択的に、Ｐ、Ａｓ等のＮ型ド−パンを注入し、熱拡散により半導体基板２０１より高濃度の第１導電型拡散層２００と第２導電型ｗｅｌｌ２０２，２０３を形成する。 - 特許庁

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。 - 特許庁

The MOS type gates Mgx1 and MOS type storing gates Mccd of all pixels are turned on at once, and charges stored in the photodiodes PD of the pixels are transferred to a substrate region (an N type layer 23 forming an embedded channel) directly below the storing gates Mccd through corresponding MOS type gates Mgx1 in all pixels and stored and held in the substrate region ((C)).例文帳に追加

全画素のＭｇｘ１及びＭｃｃｄがそれぞれ一斉にオンとされ、全画素のフォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷が全画素で対応するゲートＭｇｘ１を通して、ＭＯＳ型蓄積用ゲートＭｃｃｄの直下の基板領域（埋め込みチャネルを形成するＮ^−層２３）に転送されて蓄積、保持される（（Ｃ））。 - 特許庁

A phosphor conversion light emitting device includes a light emitting layer disposed between n-type region and a p-type region, so as to emit light having a first peak wavelength; a first phosphor constituted so as to emit light having a second peak wavelength; a second phosphor constituted so as to emit light having a third peak wavelength.例文帳に追加

蛍光体変換発光デバイスが、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置され第１のピーク波長を有する光を発するように構成された発光層と、第２のピーク波長を有する光を発するように構成された第１の蛍光体と、第３のピーク波長を有する光を発するように構成された第２の蛍光体と、を具備する。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

The composition for forming the liquid crystal layer includes: a liquid-crystal compound having two or more polymerizable functional groups in one molecule thereof and having refractive-index anisotropy of ≥0.2; a solvent having a cyclic ketone structure; a solvent having a cyclic ether structure; and an antioxidant exhibiting volatility at the temperature lower than the N-I point of the liquid-crystal compound.例文帳に追加

液晶層形成用組成物に、１分子中に２つ以上の重合性官能基を有し、且つ屈折率異方性が０．２以上である液晶化合物と、環状ケトン構造を有する溶媒と、環状エーテル構造を有する溶媒と、前記液晶化合物のＮ−Ｉ点より低い温度で揮発性を示す酸化防止剤と含ませる。 - 特許庁

In addition, a third insulator film 11 that is thinner and stable is formed as a result of thermal oxidation of a surface of the light receiving portion 5, a p-type impurity ion is injected in a surface portion of the light receiving portion 5 of an n-type semiconductor substrate 1 through this third insulator film 11 that is thin and stable, and a high-concentration surface p+ layer is formed.例文帳に追加

さらに、受光部５の表面を熱酸化して膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を成膜し、この膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を通してｎ型半導体基板１の受光部５の表面部にｐ型不純物イオンの注入が為されて高濃度表面ｐ＋層を形成する。 - 特許庁

To provide a vertical magnetic recording medium wherein quality of a reproducing signal is heightened by controlling magnetic domains of a soft magnetic base layer and demagnetization of recording magnetization due to a floating magnetic field is suppressed and which has a high medium S/N ratio at ≥7.75 gigabit/cm^2 recording density, and also to provide a high density magnetic recording device having high reliability.例文帳に追加

軟磁性下地層の磁区を制御することにより再生信号の品質を高め、さらに浮遊磁界による記録磁化の減磁を抑制した、１平方センチあたり７．７５ギガビット以上の記録密度で高い媒体Ｓ／Ｎを有する垂直磁気記録媒体を提供し、信頼性の高い高密度磁気記録装置の実現を容易にする。 - 特許庁

The power constituent part is formed in an N-type silicon board defined by a P-type wall surface and has a lower surface including a first P-type region 3 connected to the wall surface, an upper surface including a second P-type region and a conductive layer extending between the second region 4, and a wall surface on a board.例文帳に追加

Ｐ型壁面によって画定されたＮ型シリコン基板中に形成されたパワー構成部品であって、この壁面に接続された第１のＰ型領域を含む下側表面、第２のＰ型領域を含む上側表面、および基板の上で第２の領域と壁面の間に延びる導電層を有するパワー構成部品である。 - 特許庁

Three semiconductor laser elements 10 on the left, right and upper sides respectively have an N-type GaAs substrate 11 with an L-shaped section, a luminous layer 12 and an electrode 15 which are laminated in order on the upper surface 11a on the left side of this substrate 11, and an electrode 15 formed on the upper surface 11b on the right side of the substrate 11.例文帳に追加

左右上側の３個の半導体レーザ素子１０は、断面Ｌ字状のＮ型GａＡｓ基板１１と、このＮ型G ａＡｓ基板１１の左側上面１１ａに順次積層された発光層１２及び電極１５と、Ｎ型G ａＡｓ基板１１の右側上面１１ｂに形成された電極１５とをそれぞれ有する。 - 特許庁

The chemically amplified photoresist composition used for forming a thick film photoresist layer of 20-150 μm thickness on a support comprises (a) a resin whose alkali solubility is varied by the action of an acid and (b) an N-sulfonyloxyimide compound which generates an acid upon irradiation with a radiation.例文帳に追加

支持体上に、膜厚２０〜１５０μｍの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物であって、（ａ）酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂及び（ｂ）放射線照射により酸を発生するＮ−スルホニルオキシイミド化合物を含有する厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物。 - 特許庁