「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(132ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting element with the bar type structure includes a rod type semiconductor core 11 made of n-type GaN, and a semiconductor layer 12 covering a coating part 11b other than an exposed part of the semiconductor core 11 such that a part of the semiconductor core 11 on one end side is not covered to serve as the exposed part 11a, and made of p-type GaN.例文帳に追加

棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、半導体コア１１の一端側の部分を覆わないで露出部分１１aとするように、半導体コア１１の露出部分以外の被覆部分１１bを覆うｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを備える。 - 特許庁

An organic EL element 10 has a dielectric lamination film 20 formed by alternately laminating each n-pieces of silicon oxide layers functioning as first dielectric 21 and second dielectric 22 between an anode layer and a substrate, and the dielectric lamination film functions as an optical resonator 30.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０は、陽極層１２と基板１１との間に、第１の誘電体２１としてのシリコン窒化膜と第２の誘電体２２としてのシリコン酸化膜がｎ層ずつ交互に積層された誘電体積層膜２０が形成され、誘電体積層膜２０が光共振器３０として機能する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device comprising a light-emitting layer, configured to emit a light of first wavelength, disposed in between an n-type region and a p-type region is combined with a cerium-doped garnet phosphor, having a wider excitation spectrum than conventional cerium-doped garnet phosphors.例文帳に追加

ｎ型領域とｐ型領域の間に配置されて第１の波長の光を放射するように構成された発光層を含む半導体発光装置は、従来のセリウムドープガーネット燐光体よりも広い励起スペクトルを有するセリウムドープガーネット燐光体と組み合される。 - 特許庁

An n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 of a Schottky barrier diode includes a substrate 11 having a principal surface 11a and a first semiconductor region 19a of a forward mesa shape having a side surface 19d and a top surface 19c and provided on the principal surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードのｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９は、主面１１ａを有する基板１１と、側面１９ｄと上面１９ｃを有しており順メサ形状の第１の半導体領域１９ａを含み基板１１の主面１１ａ上に設けられている。 - 特許庁

The electrophotographic light transmitting recording material 3 has a toner accepting layer 2 containing a thermoplastic resin, a N-substituted fatty acid amide having 130 to 190°C melting point and a fatty acid or fatty acid derivative having 50 to 130°C melting point on a transparent substrate 1.例文帳に追加

透明基材１上に、熱可塑性樹脂、融点１３０〜１９０℃のＮ-置換脂肪酸アミドおよび融点５０〜１３０℃の脂肪酸あるいは脂肪酸誘導体を含有するトナー受容層２を有することを特徴とする電子写真用光透過性被記録材３。 - 特許庁

The resistance change layer RW is made of an amorphous film including N, and includes Si and C as main components, which can reversibly change the resistive state among a plurality of different resistive states by an electrical signal flowing from the upper electrode film TE side to the lower electrode film BE side.例文帳に追加

前記抵抗変化層ＲＷは、前記上部電極膜ＴＥ側から前記下部電極膜ＢＥ側に流れる電気的信号によって、複数の異なる抵抗状態間を可逆的に変化させることが可能なＳｉ，Ｃを主成分とし、Ｎを含むアモルファスの膜からなる。 - 特許庁

The display panel 10 having a slanted surface structure 24 which improves the light take-out efficiency by converting the emission angle of the light L emitted from a self-light emission type light emitting layer 14, in which, the slanting angle θ of a slanted surface 24a fulfills the relation of θ>45+arcsin(1/n)/2, is provided.例文帳に追加

自発光式の発光層１４から出力された光Ｌ１の射出角度を変換して光の取出効率を向上する斜面構造２４が作り込まれた表示パネルにおいて、斜面２４ａの傾斜角度θがθ≧４５＋ａｒｃｓｉｎ（１／ｎ）／２を満足した表示パネル１０ａを提供する。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by forming a resin composition layer, which is composed of an acrylic resin containing 50 wt.% or above of N-methylolacrylamides, a polyvinyl alcohol polymer obtained by copolymerizing an ethylenic copolymer and an inorganic lamellar compound, at least on one side of a thermoplastic resin base material.例文帳に追加

Ｎ−メチロールアクリルアミド類を５０重量％以上含んでなるアクリル系樹脂、エチレン性共重合体を共重合してなるポリビニルアルコール系重合体、無機系層状化合物からなる樹脂組成物層を熱可塑性樹脂基材の少なくとも片面上に形成したガスバリアフィルムに関する。 - 特許庁

Consequently, when an end part of the printing plate P1 comes to the center of the center reinforcing plate 17B, the negative bar main body 36 can be bent to its original radius of curvature and no extra air layer is formed at the end part of the printing plate P1 with a negative film N laid covering the end part.例文帳に追加

これにより、印刷版Ｐ１の端部が中央補強板１７Ｂの中央にきたときに、ネガバー本体３６は本来の曲率半径で屈曲することができ、印刷版Ｐ１の端部において、この端部に覆い被せるネガフィルムＮとの間で余分な空気層が発生しない。 - 特許庁

A first identification mark is formed at the leading part of the ground of the metal pattern layer obtained from the first shot S1, a second identification mark is formed at the rear part of the ground obtained from the n-th shot Sn, and surfaces of the shielding material area between the two identification marks are counted to grasp the number of surfaces.例文帳に追加

第１ショット部Ｓ１から得られる金属パターン層のアース部の先頭部に第１識別マークが形成され、第ｎショット部Ｓｎから得られるアース部の後尾部に第２識別マークが形成されるようにし、２つの識別マークの間のシールド材領域をカウントして面数を把握する。 - 特許庁

The copper alloy plate and strip comprise a copper alloy which contains 1.6-2.4 mass% Fe and the remainder an alloy containing ≥90 mass% Cu, wherein the electric conductivity is 20-50% IACS, the Vickers hardness under a load of 4.9 N is ≥Hv 100 and the thickness of an oxidized layer is ≤0.1 μm.例文帳に追加

Ｆｅ：１．６〜２．４％（質量％、以下同じ）を含有し、残部が９０％以上のＣｕを含む銅合金からなり、導電率が２０〜５０％ＩＡＣＳ、４．９Ｎ荷重のビッカース硬さがＨｖ１００以上、酸化層の厚さが０．１μｍ以下である銅合金板・条。 - 特許庁

A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加

Ｃ面からなる第１の平面領域１１ａと半極性面からなる第２の平面領域１１ｂとＣ面からなる第３の平面領域１１ｃとを主面に有するｎ型ＧａＮ基板１１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層１２を成長させる。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flaw detection method and an apparatus, having a high S/N ratio and capable of detecting micro defects at a surface layer part of a material to be inspected having a coarse surface, such as a slab via immersion testing (full immersion testing, partial immersion testing, and a water-column ultrasonic method).例文帳に追加

水浸法（全没水浸法、局部水浸法、水柱超音波法）を用いて、スラブのように表面が粗い検査材の表層部にある微小欠陥を高いＳ／Ｎで探傷することが可能な超音波探傷方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the trench type IGBT 10, a ladder-like emitter region 15 is formed in a surface portion of a P-channel region 14 and trenches 16 are formed from the surface of a stripe-geometry portion 15a of the emitter region 15 in such a manner as to reach an N^- semiconductor layer 13, penetrating part of the P-channel region 14.例文帳に追加

トレンチ型ＩＧＢＴ10は、Ｐチャネル領域14の表面部に梯子状のエミッタ領域15が形成され、エミッタ領域15のストライプ状部15ａの表面からＰチャネル領域14の一部を貫いてＮ^−半導体層13に達するように、トレンチ16が形成されている。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor (TFT) capable of being actuated at a low voltage using a highly-performing n-type organic semiconductor material in a semiconductor layer on a substrate with an electron-absorbing group induced therein at both ends of an organic compound with an advanced high-planarity molecular frame of a π-electron system.例文帳に追加

π電子系の発達した平面性の高い分子骨格をもつ有機化合物の両端に、電子吸引基を導入した高性能のｎ型有機半導体材料を基板上の半導体層に用いた低電圧駆動の有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which has a high C/N characteristic even in a short wavelength region in particular and makes higher density recording possible as a magnetic recording medium of a large capacity for the next generation, such as a magnetic recording tape formed with a magnetic layer by a vapor deposition method and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録テープなど、次世代の大容量の磁気記録媒体として、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有してさらなる高密度記録化が可能な磁気記録媒体と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a dielectric breakdown voltage BVDS between a source and a drain of a DMOS transistor from being lowered owing to occurrence of dielectric breakdown in a part of a high-concentration N-type drift layer 5 formed in an active region 14 in the vicinity of a field oxide film corner part 19 surrounding an end E in a gate width direction.例文帳に追加

ゲート幅方向端部Ｅを取り囲むフィールド酸化膜コーナー部１９近傍の活性領域１４に形成された、高濃度Ｎ型ドリフト層５の部分で絶縁破壊することにより、ＤＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間絶縁破壊電圧ＢＶＤＳが低下することを防止する。 - 特許庁

The device still further includes: Au films 14s and 14d electrically connected to the Ta films 11s and 11d without interposing the Al films 12a and 12d, respectively; and a gate electrode 13g that is located over the n-AlGaN layer 4 between the Ta films 11s and 11d.例文帳に追加

更に、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄにＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄを介さずに電気的に接続されたＡｕ膜１４ｓ及び１４ｄと、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上においてＴａ膜１１ｓ及び１１ｄの間に位置するゲート電極１３ｇと、が設けられている。 - 特許庁

An active layer is formed on a semiconductor substrate where non-doped GaAs and InGaAs layers 2 and 3, and n-type AlGaAs and GaAs layers 4 and 5 are subjected to epitaxial growth on a semi-insulating GaAs substrate 1, and source and drain electrodes 6 and 7 are formed by AuGe/Ni/Au alloy.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、ノンドープＧａＡｓ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４，ｎ型ＧａＡｓ層５をエピタキシャル成長した半導体基板に活性層を形成し、ソース電極６及びドレイン電極７をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成している。 - 特許庁

The integrated semiconductor laser element is equipped with a purple-blue laser element 110 comprising a light emitting region 13 and a ridge unit 8, and a red laser element 120 comprising another light emitting region 34 and the opening 30a of an n-type current block layer 30.例文帳に追加

この集積型半導体レーザ素子は、発光領域１３を含むとともに、リッジ部８を有する青紫色レーザ素子１１０と、発光領域３４を含むとともに、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａを有する赤色レーザ素子１２０とを備えている。 - 特許庁

An ink jet head using a silicon wafer is formed on the major surface (110) thereof with an etching stop layer 350 composed of a material represented by SiXm (X is an element selected from among a group of O, N and C; m is an arbitrary number).例文帳に追加

シリコンウェハを用いたインクジェットヘッドであって、（１１０）面を主表面とするシリコンウェハ表面に、ＳｉＸ_m （Ｘは、Ｏ、ＮおよびＣからなる群から選ばれるいずれかの元素；ｍは任意の数）で表わされる材料からなるエッチングストップ層３５０が形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by laminating a resin composition layer, which comprises an acrylic resin containing 50 wt.% or above of N-methylolacrylamide, a water soluble polymer and an inorganic laminar compound, on a thermoplastic resin base material having a thin film, which is composed of aluminum oxide and silicon oxide, formed thereon.例文帳に追加

Ｎ−メチロールアクリルアミド類を５０重量％以上含んでなるアクリル系樹脂と水溶性高分子と無機系層状化合物からなる樹脂組成物層を、酸化アルミニウムと酸化珪素からなる薄膜が形成された熱可塑性基材上に積層したガスバリアフィルムに関する。 - 特許庁

To provide a III-V mixed crystal semiconductor of good crystalline by improving efficiency by which N is brought in, together with a method for manufacturing it, and to provide a semiconductor light-emitting element with III-V mixed crystal semiconductor as a light-emitting layer together with the method for manufacturing it.例文帳に追加

本発明はＮの取り込まれ効率を向上させて結晶性の良好なIII −Ｖ族混晶半導体、III −Ｖ族混晶半導体の製造方法、III −Ｖ族混晶半導体を発光層とする半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thermosensitive recording material using a normally colorless or pale-color chromogenic compound and a developing compound which develops a color in the chromogenic compound by heat, a thermosensitive color developing layer contains a 4-allyloxy-4'-hydroxydiphenyl sulfone as a developing compound and a chemical compound shown by formula (1) (wherein, n is 2 to 10).例文帳に追加

通常無色ないし淡色の発色性化合物と該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を使用する感熱記録材料において、感熱発色層中に顕色性化合物として４−アリルオキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン及び下記式（１） - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

A plurality of fine EA modulators 3 connected by optical waveguide core layers are scatteringly formed and a signal line electrode 12 connected to a metal electrode 7 and a ground line electrode 11 connected to an n type InP cladding layer 10 are formed with the fine EA modulators 3 sandwiched between the electrodes.例文帳に追加

光導波路コア層で連結された複数の微小ＥＡ変調器３を離散的に形成するとともに、金属電極７に接続されたシグナルライン電極１２およびｎ型ＩｎＰクラッド層１０に接続されたグランドライン電極１１を、微小ＥＡ変調器３を挟んで形成する。 - 特許庁

A GaN based semiconductor laser chip (semiconductor laser device) includes a substrate 11 made of an n-type GaN and a semiconductor layer 12 made of a nitride-based semiconductor formed on the substrate 11 on which a ridge portion 12a constituting an optical waveguide extending in a C direction is formed.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）は、ｎ型ＧａＮからなる基板１１と、基板１１上に形成され、Ｃ方向に延びる光導波路を構成するリッジ部１２ａが形成された窒化物系半導体からなる半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

One-dimensional simulation is performed to a junction structure including an npn structure or pnp structure having an impurity concentration equal to that of an n-type region and a p-type region in a semiconductor device to obtain one-dimensional simulation value for a depleted layer in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に含まれるｎ型領域およびｐ型領域と同一の不純物濃度を有するｎｐｎ構造若しくはｐｎｐ構造を含む接合構造に対して一次元シミュレーションを行って、半導体装置における空乏層についての一次元シミュレーション値を取得する。 - 特許庁

Since JFETs operating in D and E modes are provided on the same substrate by the n-type channel layer 3 having a different thickness, an SiC semiconductor where the D-mode and E-mode JFETs are combined is achieved even by SiC.例文帳に追加

そして、このような厚みが異なるｎ型チャネル層３によってＤモードとＥモードで作動するＪＦＥＴを同一基板上に備えることができるため、ＳｉＣでもＤモードとＥモードのＪＦＥＴを組み合わせたＳｉＣ半導体装置を実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide an optical pickup device that acquires a stable servo signal and a playback signal of a high S/N ratio, while preventing a focus error signal and a tracking error signal from being affected by stray light from another layers, in recording and playback of double-layer and multilayer optical disks.例文帳に追加

２層および多層光ディスクの記録再生においてフォーカス誤差信号とトラッキング誤差信号ともに他層からの迷光の影響を受けず、安定したサーボ信号、高Ｓ／Ｎの再生信号を得ることが出来る光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

On circumferences of concentric circles centering the n-side electrode 7 on the transparent electrode layer 5 in regions equivalent to lateral weak light emission regions or tangent lines thereof, outside independent electrodes 81a, 81b, 82a, 82b, 83a, 83b are formed to extend along the circumferences or the tangent lines.例文帳に追加

側方の弱発光領域に相当する領域の透明電極層５上の、ｎ側電極７を中心とする同心円の円周もしくはその接線上にこの円周もしくはその接線に沿うように外側独立電極８１ａ、８１ｂ、８２ａ、８２ｂ、８３ａ、８３ｂを設ける。 - 特許庁

An organic photoelectric conversion element has a cathode, an anode, and a photoelectric conversion layer in which a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed.例文帳に追加

陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。 - 特許庁

In an amplifier 1 constituting an amplifier circuit 16, a feedback resistor Rf has a polysilicon resistor 6 formed via a silicon oxide film 5 on an n-type epitaxial layer 3 and a p-type impurity diffusion region 7 formed on a position corresponding to a portion under the polysilicon resistor 6.例文帳に追加

増幅回路１６を構成する増幅器１において、帰還抵抗Ｒｆは、ｎ型のエピタキシャル層３上にシリコン酸化膜５を介して形成されたポリシリコン抵抗６と、ポリシリコン抵抗６の下部に対応する位置に形成されたｐ型の不純物拡散領域７とを有する。 - 特許庁

In this solar cell panel 1 wherein an amorphous semiconductor film 7 and a microcrystalline semiconductor film 11 are arranged in tandem, an intermediate layer 9 made of a microcrystalline n-type semiconductor film is provided between the amorphous semiconductor film 7 and the microcrystalline semiconductor film 11.例文帳に追加

非晶質の半導体膜７と微結晶の半導体膜１１とをダンデムした構成の太陽電池パネル１において、上記非晶質の半導体膜７と上記微結晶の半導体膜１１との間に、微結晶のｎ型半導体膜で構成された中間層９が設けられている。 - 特許庁

The magnetism acting means includes a magnet disposed so an N pole and an S pole are vertically directed, a heat insulating layer ll to cover the magnet, and a paramagnetic plate-like body disposed near the magnet above the magnet so as to be magnetically induced by the magnet.例文帳に追加

磁気作用手段は、Ｎ極とＳ極とが鉛直方向を向くように配置する磁石と、磁石を被覆する断熱材層ＩＩと、磁石により磁気誘導されるようにその磁石の上方にその磁石に近接して配置する常磁性の板状体とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device, exhibiting good transistor characteristics in which an epitaxial Si film can be formed on an n-type buried layer while suppressing crystal defects and a leak current is suppressed.例文帳に追加

本発明は、ｎ型の埋込層上に結晶欠陥の少ないエピタキシャルＳｉ膜を得ることができ、リーク電流の少ないトランジスタ特性の良好な半導体装置を製造することができる方法とそれらの特徴を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The light-emitting nitride compound semiconductor device is composed of a plurality of nitride compound semiconductor films on a nitride compound semiconductor substrate, and has a layer 102 containing Al between an n-type electrode 101 and a nitride compound semiconductor substrate 103.例文帳に追加

本発明の窒素化合物半導体発光素子は、窒素化合物半導体基板上に複数の窒素化合物半導体膜より構成される発光素子であって、ｎ型電極１０１と窒素化合物半導体基板１０３との間にＡｌを含有する層１０２を有する。 - 特許庁

This oriented film is constituted by a method wherein the adhesion modifying layer of a copolymer resin consisting of an isobutylene unit, a maleic acid unit and an n-butyl acrylate unit is stacked on at least one side of the oriented film constituted of a styrene polymer having a syndiotactic structure.例文帳に追加

シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体からなる延伸フィルムの少なくとも片面に、イソブチレン単位、マレイン酸単位およびｎ−ブチルアクリレート単位からなる共重合樹脂よりなる接着性改質層を積層した易接着シンジオタクチックポリスチレン系延伸フィルムである。 - 特許庁

After bringing the base material into contact with a solution containing organoalkoxysilane SiR' _n(OR)_4-n and calcium ions, the base material is brought into contact with an aqueous solution containing calcium ions and phosphoric acid ions to form a bioactive apatite coating layer on the base material.例文帳に追加

基材を、オルガノアルコキシシランＳｉＲ´_ｎ（ＯＲ）_４−ｎとカルシウムイオンを含有する溶液と接触させた後、カルシウムイオンとリン酸イオンを含有する水溶液と接触させて該基材上に生体活性なアパタイト被覆層を形成することを特徴とする生体活性材料の製造方法。 - 特許庁

The super junction structure 12 is composed of first semiconductor layers 13 containing n-type impurities, and second semiconductor layers 14 containing p-type impurities which are alternately and repeatedly arranged in a direction perpendicular to that of facing between the semiconductor substrate 11 and the base layer 15.例文帳に追加

スーパージャンクション構造１２は、ｎ型の不純物が含有された第１の半導体層１３と、ｐ型の不純物が含有された第２の半導体層１４とが、半導体基板１１とベース層１５が対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置されて構成されている。 - 特許庁

A fixing belt unit consisting of a fixing roller 506 having an elastic layer, a heating roller 510, an auxiliary roller 508 and a fixing belt 504 laid over them is turned by having the rotary shaft of the auxiliary roller 508 as a supporting point, and is pressed to a receiving roller 502 positionally fixed so as to form a fixing nip part N.例文帳に追加

弾性層を有する定着ローラ５０６、加熱ローラ５１０、補助ローラ５０８及びこれらに掛け回された定着ベルト５０４からなる定着ベルトユニットを、補助ローラ５０８の回転軸を支点として回動し、位置固定された受けローラ５０２に加圧して定着ニップ部Ｎを形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a gate electrode 3 on a semiconductor substrate 1 via an insulating film 2, and forming a p-type base region 6 and an n+ type emitter region 7 on a thin film semiconductor layer 11 formed on the electrode 3 via an insulating film 5 through a coupled semiconductor 12 from the surface of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1 上に絶縁膜2 を介してゲート電極3 を形成し、半導体基板1 表面から連結半導体部12を経てゲート電極3 上に絶縁膜5 を介して形成された薄膜半導体層11にｐベース領域6 、ｎ^+ エミッタ領域7 を形成する。 - 特許庁

When a heat collecting substrate 1 becomes higher in temperature while it is being used, an electrode plate 5 and the high-temperature ends of respective thermoelectric power generation elements N and P are got in contact with each other flexibly and appropriately by means of a melted low-melting-point metal layer 8A.例文帳に追加

使用状態において集熱基板１が高温となると、各熱電発電素子Ｎ，Ｐの高温端部と電極板５との間で溶融した低融点金属層８Ａを介して電極板５と各熱電発電素子Ｎ，Ｐの高温端部とが柔軟性をもって良好に接触する。 - 特許庁

In the device, the length Ls of the Schottky diode defined by the length of a portion existing on the n-type drift layer 2 of a Schottky electrode 11 is 20-60% of the length Lm of a MOSFET constituted of a p-type body region 3 and a depletion region 5, or of a p-type region and a trench region.例文帳に追加

ショットキー電極１１のｎ型ドリフト層２上に存在する部分の長さで定義されるショットキーダイオード部の長さＬｓが、ｐ型ボディ領域３とデプレッション領域５またはｐ型ボディ領域とトレンチ領域とからなるＭＯＳＦＥＴ部の長さＬｍの２０％〜６０％である。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁