「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(132ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a III-V mixed crystal semiconductor of good crystalline by improving efficiency by which N is brought in, together with a method for manufacturing it, and to provide a semiconductor light-emitting element with III-V mixed crystal semiconductor as a light-emitting layer together with the method for manufacturing it.例文帳に追加

本発明はＮの取り込まれ効率を向上させて結晶性の良好なIII −Ｖ族混晶半導体、III −Ｖ族混晶半導体の製造方法、III −Ｖ族混晶半導体を発光層とする半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thermosensitive recording material using a normally colorless or pale-color chromogenic compound and a developing compound which develops a color in the chromogenic compound by heat, a thermosensitive color developing layer contains a 4-allyloxy-4'-hydroxydiphenyl sulfone as a developing compound and a chemical compound shown by formula (1) (wherein, n is 2 to 10).例文帳に追加

通常無色ないし淡色の発色性化合物と該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を使用する感熱記録材料において、感熱発色層中に顕色性化合物として４−アリルオキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン及び下記式（１） - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

In the trench type IGBT 10, a ladder-like emitter region 15 is formed in a surface portion of a P-channel region 14 and trenches 16 are formed from the surface of a stripe-geometry portion 15a of the emitter region 15 in such a manner as to reach an N^- semiconductor layer 13, penetrating part of the P-channel region 14.例文帳に追加

トレンチ型ＩＧＢＴ10は、Ｐチャネル領域14の表面部に梯子状のエミッタ領域15が形成され、エミッタ領域15のストライプ状部15ａの表面からＰチャネル領域14の一部を貫いてＮ^−半導体層13に達するように、トレンチ16が形成されている。 - 特許庁

A plurality of fine EA modulators 3 connected by optical waveguide core layers are scatteringly formed and a signal line electrode 12 connected to a metal electrode 7 and a ground line electrode 11 connected to an n type InP cladding layer 10 are formed with the fine EA modulators 3 sandwiched between the electrodes.例文帳に追加

光導波路コア層で連結された複数の微小ＥＡ変調器３を離散的に形成するとともに、金属電極７に接続されたシグナルライン電極１２およびｎ型ＩｎＰクラッド層１０に接続されたグランドライン電極１１を、微小ＥＡ変調器３を挟んで形成する。 - 特許庁

A GaN based semiconductor laser chip (semiconductor laser device) includes a substrate 11 made of an n-type GaN and a semiconductor layer 12 made of a nitride-based semiconductor formed on the substrate 11 on which a ridge portion 12a constituting an optical waveguide extending in a C direction is formed.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）は、ｎ型ＧａＮからなる基板１１と、基板１１上に形成され、Ｃ方向に延びる光導波路を構成するリッジ部１２ａが形成された窒化物系半導体からなる半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

One-dimensional simulation is performed to a junction structure including an npn structure or pnp structure having an impurity concentration equal to that of an n-type region and a p-type region in a semiconductor device to obtain one-dimensional simulation value for a depleted layer in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に含まれるｎ型領域およびｐ型領域と同一の不純物濃度を有するｎｐｎ構造若しくはｐｎｐ構造を含む接合構造に対して一次元シミュレーションを行って、半導体装置における空乏層についての一次元シミュレーション値を取得する。 - 特許庁

Since JFETs operating in D and E modes are provided on the same substrate by the n-type channel layer 3 having a different thickness, an SiC semiconductor where the D-mode and E-mode JFETs are combined is achieved even by SiC.例文帳に追加

そして、このような厚みが異なるｎ型チャネル層３によってＤモードとＥモードで作動するＪＦＥＴを同一基板上に備えることができるため、ＳｉＣでもＤモードとＥモードのＪＦＥＴを組み合わせたＳｉＣ半導体装置を実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide an optical pickup device that acquires a stable servo signal and a playback signal of a high S/N ratio, while preventing a focus error signal and a tracking error signal from being affected by stray light from another layers, in recording and playback of double-layer and multilayer optical disks.例文帳に追加

２層および多層光ディスクの記録再生においてフォーカス誤差信号とトラッキング誤差信号ともに他層からの迷光の影響を受けず、安定したサーボ信号、高Ｓ／Ｎの再生信号を得ることが出来る光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

On circumferences of concentric circles centering the n-side electrode 7 on the transparent electrode layer 5 in regions equivalent to lateral weak light emission regions or tangent lines thereof, outside independent electrodes 81a, 81b, 82a, 82b, 83a, 83b are formed to extend along the circumferences or the tangent lines.例文帳に追加

側方の弱発光領域に相当する領域の透明電極層５上の、ｎ側電極７を中心とする同心円の円周もしくはその接線上にこの円周もしくはその接線に沿うように外側独立電極８１ａ、８１ｂ、８２ａ、８２ｂ、８３ａ、８３ｂを設ける。 - 特許庁

An organic photoelectric conversion element has a cathode, an anode, and a photoelectric conversion layer in which a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed.例文帳に追加

陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。 - 特許庁

A first trench 13 is made vertically from the surface side of an n-type semiconductor layer 1 to serve as a collector region, and p-type impurities are diffused laterally (around the first trench 13) from the first trench 13, whereby a p-type base region 2 is made laterally.例文帳に追加

コレクタ領域とするｎ形半導体層１の表面側から縦方向に形成される第１の溝１３が形成され、その第１の溝１３からｐ形不純物が横方向に（第１の溝１３の周囲に）拡散されることによりｐ形ベース領域２が横方向に形成されている。 - 特許庁

In the boundary region to the n-type layer 12, the p-type region 13 includes a low impurity region 13A having a conductivity type closer to p-type than a high impurity region 13B in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

To manufacture a magnetic recording medium wherein fine magnetic crystal grains constituting a magnetic layer are made uniform, a grain boundary width between grains (the width W of a magnetization transition region) is accurately adjusted and an S/N can be enhanced by a manufacturing method having excellent operation efficiency at low costs.例文帳に追加

低コストで作業効率に優れた製造方法により、磁性層を構成する微細な磁性結晶粒の均一化を図り、結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整し、Ｓ／Ｎの向上を図ることが可能な磁気記録媒体を作製すること。 - 特許庁

Related to the BiCMOS, the upper surface of an N-type base 104a of the LPNP is shielded with a conductive layer 107 (gate electrode material) of the same material as a gate electrode of an MISFET through an insulating film 106 thicker than a gate insulating film 105 of the MISFET.例文帳に追加

本発明のＢｉＣＭＯＳでは、ＬＰＮＰのＮ型ベース１０４ａの上面が、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０５よりも膜厚の厚い絶縁膜１０６を介して、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と同一材質の導電層１０７（ゲート電極材料）でシールドされている。 - 特許庁

In the method for producing butadiene, a specific structure of the quenching tower is used in a quenching method of quenching, in the quenching tower, the reactant gas containing butadiene produced by bringing a catalyst into contact with n-butene in a fluidized layer reactor in which the catalyst in which a carrier carries an oxide, and oxygen are present inside.例文帳に追加

酸化物を担体に担持した触媒と、酸素とが内部に存在する流動層反応器内で、前記触媒にｎ−ブテンを接触させて製造したブタジエンを含む反応ガスを急冷塔において急冷する方法において、急冷塔を特定の構造とする、ブタジエンの製造方法。 - 特許庁

An SiO2 film 8 is formed on the substrate where the source and drain electrodes 6 and 7 are formed, the part between the source and drain electrodes 6 and 7 is opened, the n-type GaAs layer 5 is etched through the opening to form a recess groove 13, and a gate electrode 9 is provided.例文帳に追加

このソース電極６ドレイン電極７を形成した基板にＳｉＯ_2膜８を形成した後、ソース電極６とドレイン電極７の間を開口し、その開口を通してｎ型ＧａＡｓ層５をエッチングしてリセス溝１３を形成し、ゲート電極９を配設している。 - 特許庁

In the method for manufacturing a solar cell 100, a metal mask M3 has two openings H3 corresponding to a formation pattern of two island-shaped n-type amorphous semiconductor layers 12n_1, and an opening H4 corresponding to a formation pattern of a p-type amorphous semiconductor layer 12p.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池１００の製造方法において、メタルマスクＭ３は、２本の島状ｎ型非晶質半導体層１２ｎ_１の形成パターンに応じた２つの開口部Ｈ３と、ｐ型非晶質半導体層１２ｐの形成パターンに応じた開口部Ｈ４とを有する。 - 特許庁

In an amplifier 1 constituting an amplifier circuit 16, a feedback resistor Rf has a polysilicon resistor 6 formed via a silicon oxide film 5 on an n-type epitaxial layer 3 and a p-type impurity diffusion region 7 formed on a position corresponding to a portion under the polysilicon resistor 6.例文帳に追加

増幅回路１６を構成する増幅器１において、帰還抵抗Ｒｆは、ｎ型のエピタキシャル層３上にシリコン酸化膜５を介して形成されたポリシリコン抵抗６と、ポリシリコン抵抗６の下部に対応する位置に形成されたｐ型の不純物拡散領域７とを有する。 - 特許庁

In this solar cell panel 1 wherein an amorphous semiconductor film 7 and a microcrystalline semiconductor film 11 are arranged in tandem, an intermediate layer 9 made of a microcrystalline n-type semiconductor film is provided between the amorphous semiconductor film 7 and the microcrystalline semiconductor film 11.例文帳に追加

非晶質の半導体膜７と微結晶の半導体膜１１とをダンデムした構成の太陽電池パネル１において、上記非晶質の半導体膜７と上記微結晶の半導体膜１１との間に、微結晶のｎ型半導体膜で構成された中間層９が設けられている。 - 特許庁

The magnetism acting means includes a magnet disposed so an N pole and an S pole are vertically directed, a heat insulating layer ll to cover the magnet, and a paramagnetic plate-like body disposed near the magnet above the magnet so as to be magnetically induced by the magnet.例文帳に追加

磁気作用手段は、Ｎ極とＳ極とが鉛直方向を向くように配置する磁石と、磁石を被覆する断熱材層ＩＩと、磁石により磁気誘導されるようにその磁石の上方にその磁石に近接して配置する常磁性の板状体とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device, exhibiting good transistor characteristics in which an epitaxial Si film can be formed on an n-type buried layer while suppressing crystal defects and a leak current is suppressed.例文帳に追加

本発明は、ｎ型の埋込層上に結晶欠陥の少ないエピタキシャルＳｉ膜を得ることができ、リーク電流の少ないトランジスタ特性の良好な半導体装置を製造することができる方法とそれらの特徴を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The cord 20 of the circumferential directional steel belt layer is formed by intertwisting a plurality of steel filaments 21 having a tensile strength of 2,700 N/mm^2 or more, and a cross-sectional shape of the cord when viewed from a cross section in the tire width direction, presents a C-shape having an opening part 22 in part between the steel filaments.例文帳に追加

周方向スチールベルト層のコード２０が、引張強さ２７００Ｎ／ｍｍ^２以上のスチールフィラメント２１の複数本を撚り合わせてなり、かつ、タイヤ幅方向断面から見たときのコードの断面形状が、スチールフィラメント間の一部に開口部２２を有するＣ形を呈する。 - 特許庁

By switching between connection and non-connection of the switches 133-1 to 133-n, an distance between the signal line 131 and the ground layer is pseudo adjusted to change an effective dielectric constant in a transmission line part 130, so that the frequency of the standing wave can be adjusted.例文帳に追加

スイッチ１３３−１〜１３３−ｎの接続及び非接続を切り替えることにより、擬似的に信号線１３１とグランド層の間の距離が調節され、伝送線路部１３０における実効誘電率が変化して、定在波の周波数を調整することができる。 - 特許庁

The p-type regions 13, in boundary regions with the n-type layer 12, each include a low impurity region 13A having a lower concentration of p-type impurities that exhibit p-type conductivity than a high impurity region 13B, which is a region in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

A P-N junction of a transistor element is formed on a surface layer at one surface of a semiconductor substrate, and one portion of the electrode of the transistor element positioned on one surface of the semiconductor substrate is electrically connected to a corresponding pad for wire bonding, disposed on the back of the semiconductor substrate via a through electrode.例文帳に追加

半導体基板の一面側表層に、トランジスタ素子のＰＮ接合部が形成され、半導体基板の一面上に位置するトランジスタ素子の電極の一部が、貫通電極を介して、半導体基板の裏面に配置された対応するワイヤボンディング用パッドと電気的に接続されている。 - 特許庁

Furthermore, a third trench 115 is formed on the surface of the n-type layer 106 in a region not opposing the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the p-electrode 103, and a p-pad electrode 114 is formed on the p-electrode 103 exposed on a bottom face of the third trench 115.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９と対向しない領域に、ｐ電極１０３に達する深さの第３の溝１１５が形成され、第３の溝１１５底面に露出したｐ電極１０３上にｐパッド電極１１４が形成されている。 - 特許庁

According to the method of manufacturing a silicon wafer, since the n-type first epitaxial film 12 formed under the second epitaxial film 13 in which the device is formed functions as a barrier layer, heavy metal introduced from the reverse-surface side of the silicon wafer in the device post-process never reaches a device region.例文帳に追加

本発明によれば、デバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３の下部に形成されるｎ型の第１のエピタキシャル膜１２がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 - 特許庁

Though the magnetic field communication method for low-power node management is performed in a radio network of a low-frequency band that is comprised of one MFAN-C and at least one MFAN-N, a physical layer frame is comprised of a preamble, a header, and a payload, and the preamble is comprised of a wake-up bit string and a synchronization bit string.例文帳に追加

１つのＭＦＡＮ−Ｃと少なくとも１つのＭＦＡＮ−Ｎとで構成された低周波帯の無線ネットワークで行われるが、物理層フレームをプリアンブルと、ヘッダーと、ペイロードとで構成し、前記プリアンブルをウェイクアップビット列と同期ビット列とで構成してなる。 - 特許庁

The light emitting element with the bar type structure includes a rod type semiconductor core 11 made of n-type GaN, and a semiconductor layer 12 covering a coating part 11b other than an exposed part of the semiconductor core 11 such that a part of the semiconductor core 11 on one end side is not covered to serve as the exposed part 11a, and made of p-type GaN.例文帳に追加

棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、半導体コア１１の一端側の部分を覆わないで露出部分１１aとするように、半導体コア１１の露出部分以外の被覆部分１１bを覆うｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを備える。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes a cathode, an anode, and a photoelectric conversion layer comprising a mixture of an electron-donating p-type conjugated polymer semiconductor material and an electron-accepting n-type semiconductor material, and the organic photoelectric conversion element contains a compound having a naphthalocyanine structure.例文帳に追加

陰極、陽極、及び電子供与性を有するｐ型共役高分子半導体材料と電子受容性を有するｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であってナフタロシアニン構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。 - 特許庁

The Si dope n-type AlGaN layer 23 is formed so that an electric conductivity in the [0001] direction of crystal orientation becomes large, and that the conductivity in the direction orthogonal to the [0001] direction becomes small while the ratio of the maximum value to the minimum value in the electric conductivity becomes more than 10.例文帳に追加

Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層２３は、結晶方位の［０００１］方向の電気伝導度が大きく、［０００１］方向に直交する方向が小さくなるように形成されるとともに、電気伝導度の最大値と最小値の比が１０以上になるように形成される。 - 特許庁

To improve avalanche resistance in a super junction semiconductor device having such a parallel pn structure that a drift layer is formed by bonding alternately and repeatedly a drift area formed of an n-type semiconductor area with higher impurity concentration and a partitioning area formed of a p-type semiconductor area.例文帳に追加

ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型半導体領域よりなるドリフト領域とｐ型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

The electric double layer capacitor has a high voltage characteristic which does not exist in a conventional one since oxidation reduction potential of n-dope of a dielectric of poly-fluorene is lower compared with conventional activated carbon and oxidation reduction potential of poly-fluorene or p-dope of the dielectric is higher compared with conventional activated carbon.例文帳に追加

この本発明の電気二重層キャパシタは、ポリフルオレンの誘導体のｎ−ドープの酸化還元電位は従来の活性炭に比べて低く、ポリフルオレンまたはその誘導体のｐ−ドープの酸化還元電位は従来の活性炭に比べて高いので、従来にない高電圧特性を有する。 - 特許庁

In this radiological image conversion panel, a phosphor layer formed by a vapor-phase sedimentation method comprises a columnar crystal of a phosphor, and the orientation constant (hkl) specified by the formula has an orientation face satisfying the conditions: the orientation constant (hkl)≥2.5; and (the orientation constant (hkl)/N)×100≥35%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層が、蛍光体の柱状結晶からなり、下記式で規定される配向定数（ｈｋｌ）≧２．５と（配向定数（ｈｋｌ）／Ｎ）×１００≧３５％を満足する配向面（ｈｋｌ）を有する放射線像変換パネル。 - 特許庁

Crystal plane orientations of single crystal semiconductor layer that become a channel region of an N conductivity type thin film transistor and a channel region of a P conductivity type thin film transistor both formed on the same substrate flat surface are formed to be optimum crystal plane orientations in the respective thin film transistors.例文帳に追加

同一基板平面上に形成されたＮ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とＰ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。 - 特許庁

The super junction structure 12 is composed of first semiconductor layers 13 containing n-type impurities, and second semiconductor layers 14 containing p-type impurities which are alternately and repeatedly arranged in a direction perpendicular to that of facing between the semiconductor substrate 11 and the base layer 15.例文帳に追加

スーパージャンクション構造１２は、ｎ型の不純物が含有された第１の半導体層１３と、ｐ型の不純物が含有された第２の半導体層１４とが、半導体基板１１とベース層１５が対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置されて構成されている。 - 特許庁

The display panel 10 having a slanted surface structure 24 which improves the light take-out efficiency by converting the emission angle of the light L emitted from a self-light emission type light emitting layer 14, in which, the slanting angle θ of a slanted surface 24a fulfills the relation of θ>45+arcsin(1/n)/2, is provided.例文帳に追加

自発光式の発光層１４から出力された光Ｌ１の射出角度を変換して光の取出効率を向上する斜面構造２４が作り込まれた表示パネルにおいて、斜面２４ａの傾斜角度θがθ≧４５＋ａｒｃｓｉｎ（１／ｎ）／２を満足した表示パネル１０ａを提供する。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by forming a resin composition layer, which is composed of an acrylic resin containing 50 wt.% or above of N-methylolacrylamides, a polyvinyl alcohol polymer obtained by copolymerizing an ethylenic copolymer and an inorganic lamellar compound, at least on one side of a thermoplastic resin base material.例文帳に追加

Ｎ−メチロールアクリルアミド類を５０重量％以上含んでなるアクリル系樹脂、エチレン性共重合体を共重合してなるポリビニルアルコール系重合体、無機系層状化合物からなる樹脂組成物層を熱可塑性樹脂基材の少なくとも片面上に形成したガスバリアフィルムに関する。 - 特許庁

Consequently, when an end part of the printing plate P1 comes to the center of the center reinforcing plate 17B, the negative bar main body 36 can be bent to its original radius of curvature and no extra air layer is formed at the end part of the printing plate P1 with a negative film N laid covering the end part.例文帳に追加

これにより、印刷版Ｐ１の端部が中央補強板１７Ｂの中央にきたときに、ネガバー本体３６は本来の曲率半径で屈曲することができ、印刷版Ｐ１の端部において、この端部に覆い被せるネガフィルムＮとの間で余分な空気層が発生しない。 - 特許庁

A first identification mark is formed at the leading part of the ground of the metal pattern layer obtained from the first shot S1, a second identification mark is formed at the rear part of the ground obtained from the n-th shot Sn, and surfaces of the shielding material area between the two identification marks are counted to grasp the number of surfaces.例文帳に追加

第１ショット部Ｓ１から得られる金属パターン層のアース部の先頭部に第１識別マークが形成され、第ｎショット部Ｓｎから得られるアース部の後尾部に第２識別マークが形成されるようにし、２つの識別マークの間のシールド材領域をカウントして面数を把握する。 - 特許庁

The copper alloy plate and strip comprise a copper alloy which contains 1.6-2.4 mass% Fe and the remainder an alloy containing ≥90 mass% Cu, wherein the electric conductivity is 20-50% IACS, the Vickers hardness under a load of 4.9 N is ≥Hv 100 and the thickness of an oxidized layer is ≤0.1 μm.例文帳に追加

Ｆｅ：１．６〜２．４％（質量％、以下同じ）を含有し、残部が９０％以上のＣｕを含む銅合金からなり、導電率が２０〜５０％ＩＡＣＳ、４．９Ｎ荷重のビッカース硬さがＨｖ１００以上、酸化層の厚さが０．１μｍ以下である銅合金板・条。 - 特許庁

A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加

Ｃ面からなる第１の平面領域１１ａと半極性面からなる第２の平面領域１１ｂとＣ面からなる第３の平面領域１１ｃとを主面に有するｎ型ＧａＮ基板１１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層１２を成長させる。 - 特許庁