「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(130ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical recording material contains a cyanine compound expressed by general formula (I) of a molecular structure having a specified group at an N place, and the optical recording medium is constituted by forming on a base an optical recording layer consisting of the optical recording material.例文帳に追加

Ｎ位に特定の基を有する分子構造の下記の一般式（I）で表されるシアニン化合物を含有してなることを特徴とする光学記録材料及び基体上に該光学記録材料からなる光学記録層を形成した光学記録媒体。 - 特許庁

The soundproof carpet is arranged with a foam resin layer 13 that has excellent soundproofing and sound-absorbing properties and includes an organic low-molecular weight material having high dipole moment and has on open-cell structure with a hardness of 0.19-0.4 N/cm^2 on the back face of the carpet surface material 12.例文帳に追加

カーペット表面材１２の裏面に、高双極子能率を有する有機低分子材料を含み、かつ硬さが０．１９〜０．４Ｎ／ｃｍ^２である連続気泡構造を有する発泡樹脂吸音遮音層１３を配置したことを特徴とする。 - 特許庁

The sheet-like form comprises a meshy form 3 made by mutually crossing multiple longitudinal strip pieces 1 and multiple transverse strip pieces 2 and furnished with an adhesive layer N on the reverse face and a pad 4 or functional material 6 furnished on the reverse face of the meshy form 3 and smaller in size than the meshy form 3.例文帳に追加

複数の縦帯片１および横帯片２を交叉させてなり裏面に粘着層Ｎが設けられた網状体３と、この網状体３の裏面に設けられる網状体３よりも小さいパッド４または機能性材料６とを備えた。 - 特許庁

This vegetation foundation layer 10 is constructed via a process of laying a vegetation net 11 on the face of slope N, a process of filling sediment on the vegetation net 11 and a process of vegetating a lawn G of a root growing state on the vegetation net 11.例文帳に追加

植生基盤層１０は、植生ネット１１を法面Ｎに敷設する工程と、その植生ネット１１上に土砂を充填する工程と、根が生育した状態の芝生Ｇを前記植生ネット１１上に植生する工程を経て構築される。 - 特許庁

When the transparent conductive layer 14 is formed of n-type zinc oxide, it is harder to transmit ultraviolet rays than when formed of ITO, thereby making the semiconductor thin film 5 hard to absorb the ultraviolet rays which may cause deterioration.例文帳に追加

そして、透明導電層１４をｎ型酸化亜鉛によって形成した場合には、ＩＴＯによって形成した場合と比較して、紫外線を透過させにくく、ひいては半導体薄膜５が劣化の原因となる紫外線を吸収しにくいようにすることができる。 - 特許庁

A surface channel layer 5, a gate oxide film 6, a gate electrode 7, etc. are sequentially formed, thereafter they are patterned by dry etching, and contact holes for connecting the n+ type source regions 4 to a source electrode are formed simultaneously with the patterning of the gate electrode 7.例文帳に追加

さらに、表面チャネル層５、ゲート酸化膜６、ゲート電極７等を順に形成したのち、これらをドライエッチングによってパターニングし、ゲート電極７のパターニングと同時にｎ+型ソース領域４とソース電極との接続を行うためのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

An ohmic contact layer-forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of a semiconductor film-forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, containing a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

By using an oxide semiconductor layer having such a structure, a change to an N-type caused by re-entry of moisture or elimination of oxygen to or from the superficial portion and generation of a parasitic channel can be prevented and a contact resistance with source and drain electrodes can be reduced.例文帳に追加

この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるＮ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 - 特許庁

The semiconductor layer 22 has low concentration impurity regions (LDD regions 31 and 32), in which only n-type impurity ion is doped, formed between the source region 35 and the channel region 30 and between the drain region 36 and the channel region 30 respectively.例文帳に追加

半導体層２２は、ソース領域３５とチャネル領域３０と、及び、ドレイン領域３６とチャネル領域３０と、の間にそれぞれ形成されてｎ型不純物イオンのみドープされた低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域３１，３２）を備えている。 - 特許庁

In a lateral bipolar transistor where a collector region and an emitter region are juxtaposed above a base region, the collector region and the emitter region are formed by diffusing P type or N type impurities contained in a silicon germanium layer in the base region.例文帳に追加

本発明では、ベース領域の上部にコレクタ領域とエミッタ領域とを並設してなる横型バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ領域及びエミッタ領域は、シリコンゲルマニウムに含有させたＰ型又はＮ型の不純物をベース領域内で拡散させて形成した。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element having high photoelectric conversion efficiency, and its manufacturing method, by constituting a photoelectric conversion layer where p-type and n-type organic semiconductor substances unnecessary for solvent are mixed uniformly in a sate of fine particles.例文帳に追加

溶媒に不要なｐ型、ｎ型の有機半導体物質が、微粒子の状態で均一に混合された光電変換層を構成して光電変換効率が高い光電変換素子を提供すること、及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The N type layer 5 is formed by irradiating protons on an entire major surface 153 of the silicon substrate, for example, with an acceleration energy of 5MeV and a doze amount of 5×1012 cm2 and then by subjecting the substrate to heat treatment with a temperature of, e.g. 350°C.例文帳に追加

Ｎ型層５は、シリコン基板の主面１Ｓ３の全面に対して、例えば４．５ＭｅＶの加速エネルギー及び５×１０^12ｃｍ^-2のドーズ量で以てプロトンが照射された後に、シリコン基板に例えば３５０°Ｃの温度で熱処理を施すことにより形成される。 - 特許庁

For example, in a unit sell 6_11 of a MOS sensor, there are provided an n conductivity type charge storage 24 becoming a photodiode, and a p-conductivity well region 25 of a scanning transistor on the surface of a p-conductivity epitaxial layer 21a on a p-conductivity silicon substrate 21.例文帳に追加

たとえば、ＭＯＳセンサの単位セル６_11は、Ｐ導電型シリコン基板２１上のＰ導電型エピタキシャル層２１ａの表面に、フォトダイオードとなるＮ導電型の電荷蓄積部２４、および、走査トランジスタ部のＰ導電型ウェル領域２５が設けられている。 - 特許庁

To achieve both the reduction of the write core width and the acquisition of a high S/N ratio by suppressing both a particle diameter variation and crystal orientation variation in a perpendicular magnetic recording medium having a recording layer wherein magnetic crystal particles are separated from one another by a gap in an in-plane direction.例文帳に追加

磁性結晶粒子が互いに面内方向で空隙により分離された構成の記録層を有する垂直磁気記録媒体において、粒径分散と結晶配向分散の双方を抑制し、高いＳ／Ｎｔと狭ライトコア幅を実現する。 - 特許庁

In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.例文帳に追加

該第一主表面ＥＡの一部領域において半導体積層体５０は、発光層部２４のｐ−ｎ接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部ＪＫが形成される。 - 特許庁

A semiconductor structure made on the growth substrate includes a light emitting layer formed between a n-type region and a p-type region, and is attached to a carrier with coupling portions which support the semiconductor structure certainly in order to make the removing of the growth substrate possible.例文帳に追加

成長基板上に形成され、かつｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を含む半導体構造が、成長基板の除去を可能にするように、半導体構造を十分に支持する結合部によってキャリアに取付けられる。 - 特許庁

By such a connection, a gate insulating film 8 can be prevented from being broken due to the charge-up of the n-channel MISFET in the logical section, and all channels on the upper layer formed in the following steps can be used for wiring in the cell or between the cells.例文帳に追加

この接続により、論理部のｎチャネルＭＩＳＦＥＴのチャージアップによるゲート絶縁膜８の破壊を防ぐことができ、さらに後の工程において形成される上層の配線のチャネルを全てセル内またはセル間の配線に用いることができる。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device in which deterioration of characteristics and erroneous operations due to the input of light are never generated easily even in the integrated circuit device in which the n-type epitaxial layer surrounding the p-type diffusing resistance part must be floated at the time of trimming.例文帳に追加

トリミング時にＰ型拡散抵抗部を取り囲むＮ型エピタキシャル層をフローティングにする必要が生じるような集積回路装置においても、光の入射による特性劣化や誤動作の問題が生じにくい集積回路装置を提供する。 - 特許庁

A gate insulator 7 of a high breakdown voltage MISFET having a thick film thickness is formed at an upper part of an n-type buried layer 3 serving as a dummy active region, and a resistance element IR of an internal circuit is formed at an upper part of the gate insulator 7.例文帳に追加

ダミーアクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

An inorganic material such as SiO2, TiO2 and ZrO2 is dissolved into a solvent including an alkoxide, methoxide, proxide, n-methylpropiden, or the like and a dissolution material of the solvent and an epoxy photosensitive resin is subjected to spin-coating on a metallic substrate 9 to be prebaked to form a first layer 10.例文帳に追加

まず、金属基板９上に、ＳｉＯ_2やＴｉＯ_2、ＺｒＯ_2などの無機物をアルコキシド、メトキシド、プロキシドをｎ−メチルプロピドン等の溶媒に溶解し、エポキシ系の感光性樹脂との溶解物をスピンコートし、プリベークすることで第１の層１０を形成する。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

The wiring group has a structure where connection is switched so that wiring on the starting end side of J-th (J is the integer satisfying K<J≤N) wiring position is routed to wiring of the terminating end side of (J-K)th wiring position in a wiring layer above an arrangement region of the buffer circuit.例文帳に追加

配線群は、バッファ回路の配置領域の上層の配線層において、第Ｊ（Ｊは、Ｋ＜Ｊ≦Ｎを満たす整数）の配線位置の始端側の配線が第Ｊ−Ｋの配線位置の終端側の配線に接続替えされて配線される構造を有する。 - 特許庁

In the imaging semiconductor device, an image cell is formed on the surface of a semiconductor layer 53, and the image cell is provided with a photodiode PD constituted of an n-type region 54 and a p-type region 55, and a second transistor for amplifying photodetection signals output from the photodiode PD.例文帳に追加

半導体層５３の表面に画像セルが形成され、画像セルはＮ型領域５４及びＰ型領域５５により構成されたフォト・ダイオードＰＤと、フォト・ダイオードＰＤから出力される光検出信号を増幅する第２トランジスタを有している。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including a process of silver complex salt diffusion transfer development), and then treating with a treating liquid containing a pyridine-N-oxide compound having a mercapto group in the molecule.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、分子中にメルカプト基を有するピリジン−Ｎ−オキシド化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

In this case, when the width of a part in the gate lead out electrode 8, which is arranged outside the groove 5, is shown by CHSP and the resistivity of an n-type single crystal silicon layer 1B is shown by ρ(Ω cm), the width CHSP is set so as to be CHSP≤3.80+0.148ρ.例文帳に追加

その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁

Rod elements 11 and 12 composed of an n-type thermoelectric conductor and a p-type thermoelectric conductor are arranged and fixed regularly, with an insulating layer 30 in between and end surfaces of the rod type elements 11 and 12 are exposed respectively to form two wiring surfaces 40a and 40b.例文帳に追加

ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体からなる複数の棒状素子１１、１２を絶縁層３０を介して規則的に配置して固定し、各棒状素子１１、１２の端面をそれぞれ露出させて二面の配線面４０ａ、４０ｂを作る。 - 特許庁

When the laminate body of a magnetic pole 1b is an N pole, since the surfaces of auxiliary magnetic poles 2 and 3 and a base part 1a are completely covered with a diamagnetic body layer 6, an S pole is not present substantially on the surface of the magneto-optical recording magnetic head.例文帳に追加

磁極１ｂの積層体がＮ極であるとした場合、補助磁極２及び３並びに基部１ａの表面は反磁性体層６により完全に覆われているので、Ｓ極は光磁気記録用磁気ヘッドの表面には実質的に存在しないことになる。 - 特許庁

A third thin film transistor includes a gate electrode connected to an (N+1)th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode.例文帳に追加

第３薄膜トランジスタは、第ｎ＋１ゲートラインに接続されたゲート電極、ゲート電極と重畳する半導体層、第２サブ画素電極に接続されゲート電極と一部分が重畳するソース電極、及びソース電極と対向するドレイン電極を含む。 - 特許庁

The heat sensitive recording material is characterized by having a heat sensitive color developing layer containing a leuco dye as a color producing substance, 2,4'-dihydroxy diphenyl sulfone and/or 4,4'-dihydroxy diphenyl sulfone as a color developing substance and N-benzyl-p-toluenesulfonamide as a sensitizer.例文帳に追加

発色物質としてロイコ染料、顕色物質として２,４'−ジヒドロキシジフェニルスルホン及び／又は４,４'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、増感剤としてＮ−ベンジル−ｐ−トルエンスルホンアミドを含有する感熱発色層を有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

The polyimide film is produced from a polyamic acid obtained by reacting an aromatic diamine with an aromatic tetracarboxylic acid and has a surface of 270-450 N/m Martens' hardness, and the metallized film is obtained by laminating a metallic layer on the polyimide film.例文帳に追加

芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリアミド酸から製造されるポリイミドフィルムであって、その表面が、マルテンス硬度で２７０〜４５０Ｎ／ｍであるポリイミドフィルム、および該フィルムに金属層を積層した金属化フィルム。 - 特許庁

The film has at least 0.6 N/15 mm of a T-peel strength when a cellophane pressure-sensitive adhesive tape having a rubber-based pressure- sensitive adhesive layer is stuck on the film and is then peeled off the film at the speed of 300±30 mm/min by using a tensile testing machine.例文帳に追加

ゴム系粘着剤層を有するセロハン粘着テープを該フィルムに貼着し、引張試験機を用いて同テープをフィルムから速度３００±３０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときのＴ形剥離強度が０．６Ｎ／１５ｍｍ以上であるフィルムである。 - 特許庁

Then, a p-type diffusion region 4a is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 2 at least on the side of the gate region 3 of the drain region 4 and a drain electrode 7 is formed, so as to be connected to the p-type diffusion region 4a.例文帳に追加

そして、ドレイン領域４の少なくともゲート領域３側におけるｎ形半導体層２の表面にｐ形の拡散領域４ａが形成され、そのｐ形拡散領域４ａに接続されるようにドレイン電極７が形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor comprises the steps of the forming an n+ type epitaxial layer 2a first on a substrate, forming a SiO_2 film on the substrate and opening a capacitor dielectric film region and an upper electrode contact region by means of photo lithography and etching.例文帳に追加

このキャパシタの製法は、まずＳｉ基板１上にｎ型エピタキシァル層２ａを形成し、次に基板１の表面にＳｉＯ_２膜を形成し、フォトリソ工程とエツチ工程により、キャパシタ誘電体膜領域と上側電極コンタクト領域を開口する。 - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁

By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.例文帳に追加

約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁

In a p-type semiconductor layer 101, a heavily doped region 109 in which the concentration of p-type impurities different from right and left n-type diffusion regions 106, 107 becomes extremely large is formed by oblique ion implantation in the center of a channel region 108.例文帳に追加

ｐ型の半導体層１０１には、チャネル領域１０８の中央部に、左右のｎ型の拡散領域１０６，１０７とは異なるｐ型の不純物の濃度が極大となる高濃度領域１０９が斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁

When bit depth conversion predictive encoding is selected in intra-encoding, a bit depth conversion predictive encoding unit 60 performs bit depth conversion processing on an N-bit image signal for a designated encoding unit to convert the image signal to a low bit depth image of N-Δ bits, performs encoding/decoding processing on the lower layer signal, and performs inverse bit depth conversion processing on the decoded image.例文帳に追加

イントラ符号化で、ビット深度変換予測符号化が選択された場合、ビット深度変換予測符号化部６０は、指定された符号化ユニットに対して、Ｎビットの画像信号に対してビット深度変換処理を行うことでＮ−Δビットの低ビット深度画像に変換し、該下位階層信号に対して、符号化・復号処理を行い、その復号画像に対して、逆ビット深度変換処理を行う。 - 特許庁

Blue pixels 20B1 and 20B2 have an N type imaging charge accumulation layer 52 for accumulating charge to be the imaging signal by mainly photoelectrically converting the blue wavelength component of the incident light, and N type focus detection charge accumulation layers 53 and 54 for accumulating charge to be a focus detection signal by mainly photoelectrically converting the wavelength component other than the blue wavelength component of the incident light.例文帳に追加

青色の画素２０Ｂ１，２０Ｂ２は、入射光の青色波長成分を主として光電変換して撮像用信号となるべき電荷を蓄積するＮ型の撮像用電荷蓄積層５２と、入射光の青色波長成分以外の波長成分を主として光電変換して焦点検出用信号となるべき電荷を蓄積するＮ型の焦点検出用電荷蓄積層５３，５４とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

The pigment-dispersed composition for the color filter containing the pigment, a coupling agent, an acrylic copolymer having N,N-di-substitution amino group and acidic group and a solvent, the pigment-dispersed resist for the color filter containing the pigment-dispersed composition for the color filter and the color filter having a cured-film layer of the pigment dispersing resist for the color filter on a substrate, are provided.例文帳に追加

顔料、カップリング剤、主鎖または側鎖にＮ，Ｎ−ジ置換アミノ基および酸性基を含有するアクリル系共重合体、および溶剤を含有するカラーフィルター用顔料分散組成物、ならびに、該カラーフィルター用顔料分散組成物を含有するカラーフィルター用顔料分散レジストを提供し、さらには、基板上に該カラーフイルター用顔料分散レジストの硬化塗膜層を有するカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

In an IGBT having a drain electrode 10 made of a heavy metal and a source electrode 28, a lattice defect region 32 for promoting the recombination of carriers and shortening a turn-off time is formed in an (n) drift region of an (n) epitaxial layer 14 formed on a substrate 12 by applying ions at an amount of 1.0×1011/cm2 or less through the drain electrode 10.例文帳に追加

重金属で構成されたドレイン電極１０及びソース電極２８を備えるＩＧＢＴにおいて、基板１２上に形成されたｎエピタキシャル層１４のｎドリフト領域にキャリアの再結合を促しターンオフ時間を短縮化させる格子欠陥領域３２を形成する際に、１．０×１０^11／ｃｍ^2以下の照射量でドレイン電極１０を介してイオンを照射して格子欠陥領域３２を形成する。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, and a solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A and made of n-amyl acetate, or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含む。 - 特許庁

In a second partition region 40 thereof, a bipolar type semiconductor element 4 having a buried collector region 47 as the p-type deep layer 7a and having a base region 46 as the n-type shallow layer 6a is formed.例文帳に追加

活性層１４の第１区画領域２０にはｐ型の深層７ａをリサーフ領域２７とするとともにｎ型の浅層６ａをドリフト領域２６とするユニポーラ型の半導体素子２が形成されており、第２区画領域４０にはｐ型の深層７ａを埋め込みコレクタ領域４７とするとともにｎ型の浅層６ａをベース領域４６とするバイポーラ型の半導体素子４が形成されている。 - 特許庁

The potential difference between the Schottky electrode 3 and a cathode electrode 4 varies, and thereby a condition where current is carried between the Schottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a condition where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is formed into a depletion layer to cut a current path between the Schottky electrode 3 and the cathode electrode 4 can be selected.例文帳に追加

ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell 1 has a semiconductor layer 10 forming a n-type group III nitride semiconductor carrying a photosensitizing dye 14, an ohmic electrode 11 joined with the group III nitride semiconductor, an opposite electrode 12, and an electrolyte layer 13 wherein an electrolyte including the photosensitizing dye 14 is enclosed between the group III nitride semiconductor and the opposite electrode 12.例文帳に追加

色素増感太陽電池１は、光増感色素１４を担持するｎ型のＩＩＩ族窒化物半導体が形成された半導体層１０と、ＩＩＩ族窒化物半導体に接合したオーミック電極１１と、対向電極１２と、ＩＩＩ族窒化物半導体と対向電極１２との間に、光増感色素１４を含む電解液が封入された電解質層１３とを備える。 - 特許庁