「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(126ページ目) - Weblio英語例文検索

When this multi-quantum barrier layer is introduced, carriers are effectively restrained from overflowing and the compound semiconductor light-emitting device can be improved in luminous efficacy and durability, even if p/n-type semiconductor layers on both sides are reduced in film thickness and aluminum(Al) compositional ratio.例文帳に追加

この様な多重量子障壁層の導入により、両側のｐ／ｎ型半導体層の膜厚やアルミニウム（Ａｌ）組成比を小さくしても、キャリヤのオーバーフローが効果的に抑制され、発光効率と耐久性が向上する。 - 特許庁

The barrier region 35 is formed in the N-type semiconductor layer 32 so as to surround a periphery of each charge accumulation part 33 and have an opening which makes the respective charge accumulation parts 33 in contact with the P-type silicon substrate 31.例文帳に追加

バリア領域３５は、各電荷蓄積部３３の周囲を個別に囲むとともに各電荷蓄積部３３をＰ型シリコン基板３１に対して接触させる開口部を有するように、Ｎ型半導体層３２中に形成される。 - 特許庁

Etching is carried out, then the photoresist is removed, as shown in Figure (a), a polysilicon plug 11 is left only between the gate electrodes 6 each provided with the gate electrode cover nitride film 5 in the region 12 with the n-type diffusion layer.例文帳に追加

エッチングを行いフォトレジストを除去すると、（ａ）に示すように、ｎ型拡散層を有する領域１２内にゲート電極カバー窒化膜５を有するゲート電極６の間にのみポリシリコンプラグ１１を形成するポリシリコンが残る。 - 特許庁

The optoelectronic device includes a P-type semiconductor substrate, an N-type transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) layer located on a surface of the P-type semiconductor substrate, and a rear electrode on another surface of the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。 - 特許庁

The semiconductor body is then exposed to an environment suitable for oxidation, to thicken the remaining portions of the initial oxide film, thereby forming the gate oxide film, and to form the tunnel oxide film over the heavily doped N+ layer.例文帳に追加

初期の酸化膜の残りの部分の厚みを増しそれによってゲート酸化膜を形成するために、さらに濃くドープされたＮ＋層上にトンネル酸化膜を形成するために、半導体本体は酸化に適切な環境にその後さらされる。 - 特許庁

The organic photoreceptor is characterized in that an intermediate layer having N type conductor particles dispersed in a binder resin is formed on a cylindrical conductive base having saw-tooh unevenness of 20 to 300 saw teeth per mm.例文帳に追加

１ｍｍ当たり２０〜３００本の均一な鋸刃状凹凸を有する円筒状導電性基体上に、Ｎ型半導体粒子をバインダー樹脂中に分散させた中間層を有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

Respective semiconductor layers from the second semiconductor laminate structure 20 to an n-type DBR layer 38 laminated on a substrate 10 constitute a resonator 50 for laser oscillation and the optical detection mechanism is incorporated in the resonator 50.例文帳に追加

基板１０上に積層された第２半導体積層構造２０からｎ型ＤＢＲ層３８までの各半導体層がレーザ発振用の共振器５０を構成しており、光検出機構が共振器５０に内蔵されている。 - 特許庁

The intense-field drift layer 6 is formed after the surface of multi-crystal silicon which is formed on the n-type silicon substrate 1 is made porous by the positive electrode oxidization treatment, and then oxidized electrochemically in the electrolyte.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンの表面側を陽極酸化処理により多孔質化した後、電解液中にて電気化学的に酸化することにより形成されている。 - 特許庁

In the dielectric material body, an internal electrode 21 is so arranged below the internal electrode 20 separated by a ceramic layer 12A that it has clearance to two sides N by side of the rectangular long hand and is prolonged between the right and the left sides.例文帳に追加

誘電体素体内において、セラミック層１２Ａを隔てた内部電極２０の下方に、長方形の長手側の二辺Ｎに対してそれぞれ隙間を有して左右間で延びる形で、内部電極２１が配置される。 - 特許庁

A varistor consisting of pn junctions 3 and 5 is fabricated and a GaN based III-V nitride semiconductor is employed as the semiconductor material of p-type semiconductor layers 2 and 6 and an n-type semiconductor layer 4 constituting the pn junctions 3 and 5.例文帳に追加

ｐｎ接合３、５からなるバリスタを作製し、ｐｎ接合３、５を構成するｐ型半導体層２、６及びｎ型半導体層４を構成する半導体材料にＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いる。 - 特許庁

To provide a production method for obtaining a photoelectric conversion device arranged with an organic semiconductor layer having a high photoelectric conversion efficiency, capable of increasing the area of a p-n junction interface while preventing occurrence of an isolated semiconductor.例文帳に追加

孤立した半導体の発生を防ぎつつ、ｐ−ｎ接合界面の面積を増大させることができ、高い光電変換効率の有機物半導体層が配置された光電変換素子が得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser element comprising an active layer and a diffraction grating formed thereon in a multilayer structure provided on an n-type semiconductor substrate and having low threshold current and element resistance.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上に設けられた積層構造内に活性層及び活性層上に設けられた回折格子を有し、しきい値電流及び素子抵抗の双方が小さい分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To bury trenches formed in a semiconductor layer in manufacturing a semiconductor element having a repetitive p-n junction structure with epitaxial layers having no void nor crystal defect, but having uniform impurity concentration profiles in the depthwise direction.例文帳に追加

繰り返しｐｎ接合構造を有する半導体素子を製造する際に、半導体層に形成したトレンチを、空隙や結晶欠陥がなく、深さ方向に均一な不純物濃度プロファイルを有するエピタキシャル層で埋めること。 - 特許庁

In the ohmic electrode 6, a main component of a contact electrode layer 6a being in contact with the N atomic plane 9 is one selected from a group consisting of Ni, Au, Pd, Mo, Ru, Te, Rh, Co, Re, Os, I and Pt.例文帳に追加

オーミック電極６においてＮ原子面９に接している接触電極層６ａの主成分はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１つである。 - 特許庁

The p-type high resistance wafer is provided with a resistance rate of not less than 100 Ωcm and whose p/n converting unit due to the generation of the thermal donor in the manufacturing process of the device is in a depth not contacting with a device activating region or a depletion layer region.例文帳に追加

抵抗率が１００Ωｃｍ以上で、デバイスの製造工程でのサーマルドナー発生によるｐ／ｎ反転部が、デバイス活性領域や空乏層領域には接しない深さにあるｐ型の高抵抗ウェーハ。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, a magnetoresistance effect head, a magnetoresistance conversion system and a magnetic recording system wherein sense current is prevented from flowing in a vertical bias layer, noises in a regenerating wave is little and S/N ratio and bit error rate are superior.例文帳に追加

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁

According to the method, since the ion implantation of phosphorous is performed in the formation of the n-type pocket layer 34, even if the length of the gate is shorten to 100 nm or less, the generation of a strong electric field in the vicinity of a channel can be suppressed.例文帳に追加

この方法によれば、Ｎ型ポケット層３４の形成にあたり、リンのイオン注入を行っているので、ゲート長を１００ｎｍ以下と短くしても、チャネル近傍に強い電界が発生することを抑制することができる。 - 特許庁

One P-type high-concentration diffusion layer 23 and three or more (for example, four) N-type high-concentration diffusion layers 24-1 to 24-4, joined thereto, which constitute a ZAP diode are formed in a region enclosed with a field oxide film 22.例文帳に追加

フィールド酸化膜２２による包囲内に、ザップダイオードを構成している１つのＰ型高濃度拡散層２３とこれに接合された３つ以上（例えば、４つ）のＮ型高濃度拡散層２４−１〜２４−４とが形成されている。 - 特許庁

An interval between the two gates 6 is made narrower; sidewalls 8 are connected between the gates 6; and an insulating film (NSG) 8 is interposed, so that a high concentration impurity layer (n+-type) is formed on a substrate (P-type well) 2 between the gates 6.例文帳に追加

２個のゲート６の間隔をより狭くし、かつ、そのゲート６間にサイドウォール８がつながって絶縁膜（ＮＳＧ）８を存在させ、ゲート６間の基板（Ｐウェル）２に高濃度不純物層（ｎ^+ ）が形成されないようにした。 - 特許庁

The transition metal (Ti) which forms a level for acquiring holes when the nitride semiconductor layer 2 is an (n) conductivity type or transition metal (Cu) forming a level for acquiring electrons when a (p) type conductivity type is introduced.例文帳に追加

窒化物半導体層２がｎ型導電型の場合は正孔を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｔｉ）、またｐ型導電型の場合は電子を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｃｕ）を導入する。 - 特許庁

The friction coefficient μ of the cover layer 4 is preferably 0.05 to 0.4 measured when a ball-on-disc method using a ball made of WC as a counterpart is conducted at a sliding speed of 100 mm/sec and under a load of 3 N.例文帳に追加

相手材としてＷＣ製のボールを用いたボールオンディスク法を、摺動速度：１００ｍｍ／秒、荷重：３Ｎの条件で行ったときに測定される被覆層４の摩擦係数μは、０．０５〜０．４であるのが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises, on the overcoat layer, a photoelectric conversion layer having a p-type semiconductor film, an i-type semiconductor film, and an n-type semiconductor film; and one end portion of the photoelectric conversion layer is in contact with the first electrode, and an end portion of the color filter lies inside the other end portion of the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive payer on an electrically conductive substrate by way of a middle layer, the middle layer contains a binder resin and n-type semiconductive fine particles subjected to a plurality of surface treatments including the final surface treatment with a reactive organosilicon compound and the surface layer of the photosensitive layer contains a resin having a polycarbonate component, a siloxane condensate component and an electric charge transporting structure component.例文帳に追加

導電性支持体上に、中間層を介して感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が複数回の表面処理を施し、且つ最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物を用いて行われたＮ型半導性微粒子とバインダー樹脂を含有しており、該感光層の表面層が、ポリカーボネート成分、シロキサン縮合体成分及び電荷輸送構造成分を有する樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light.例文帳に追加

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。 - 特許庁

In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

This Schottky barrier diode has an anode electrode, having unevenness on one surface, a p-type semiconductor layer which is jointed with a 1st region on the other surface of the anode electrode, an n-type semiconductor layer which is jointed with a 2nd region on the other surface of the anode electrode, and a cathode electrode and a projection part of the anode electrode is positioned above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、アノード電極の他方の面の第１の領域に接合されたｐ型半導体層と、アノード電極の他方の面の第２の領域に接合されたｎ型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、アノード電極の凸部分が、ｐ型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード等を提供する。 - 特許庁

The carbon nanotube composite structure has a plurality of carbon nanotube columnar structures above a base material and has an intermediate layer between the base material and the carbon nanotube columnar structures, wherein the intermediate layer has a thickness of 1.0 to <10 nm and adhesion between the base material provided with the intermediate layer and the carbon nanotube columnar structures is ≥5 N/cm^2.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ複合構造体は、基材上に複数のカーボンナノチューブ柱状構造体を備えたカーボンナノチューブ複合構造体であって、該基材と該カーボンナノチューブ柱状構造体との間に中間層を備え、該中間層の厚みが１．０ｎｍ以上１０ｎｍ未満であり、該中間層を備えた基材とカーボンナノチューブ柱状構造体との密着力が５Ｎ／ｃｍ^２以上である。 - 特許庁

The antireflection layered film comprises a hard coat layer and an antistatic low refractive index layer, layered in this order on a transparent support, wherein the antistatic low refractive index layer comprises an actinic ray-curing resin containing a compound having at least a (meth)acryloyloxy group in the molecule and porous conductive fine particles having ≤100 nm particle size and ≤1.40 refractive index n.例文帳に追加

透明支持体上に、ハードコート層、帯電防止性低屈折率層がこの順に積層されてなる反射防止積層フィルムにおいて、前記帯電防止性低屈折率層が、少なくとも（メタ）アクリロイルオキシ基を分子内に有する化合物を含む活性エネルギー線硬化型樹脂と、粒径１００ｎｍ以下で屈折率ｎが１．４０以下の多孔質導電性微粒子からなることを特徴とする反射防止積層フィルムである。 - 特許庁

This polyolefin-based ornamental sheet comprises one or more of structural layers and brings the layer consisting of a resin composition comprising 20-90 wt.% of an amorphous polyolefin containing ≥50 wt.% of propylene and/or butene-1 and ≤60 wt.% of an insoluble portion in boiling n-heptane and 10-80 wt.% of a crystalline polyolefin to the one layer of the constitutional layer.例文帳に追加

一層以上の構成層からなる化粧シートであって、プロピレン及び／又はブテン−１の含有率が５０重量％以上であり、かつ、沸騰ｎ−へプタン不溶分の量が６０重量％以下である非晶性ポリオレフィン２０〜９０重量％及び結晶性ポリプロピレン１０〜８０重量％とを含む樹脂組成物からなる層を構成層の一層とするポリオレフィン系化粧シート。 - 特許庁

In a transversal filter 10 provided with a propagation layer 12 formed on a sapphire substrate 11 and interdigital electrodes 15, 16 formed on the propagation layer 12, the propagation layer 12 is formed of GaN with piezoelectricity and not positively including impurities, and the interdigital electrodes 15, 16 are formed of InGaN having a band gap narrower than that of the GaN and positively including n-type impurities.例文帳に追加

サファイア基板１１上に形成される伝搬層１２と、伝搬層１２上に形成される櫛形電極１５および１６を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、圧電性を有し積極的に不純物を含まないＧａＮから伝搬層１２を形成し、ＧａＮと比較して狭いバンドギャップを有し積極的にｎ型不純物を含むＩｎＧａＮから櫛形電極１５および１６を形成した。 - 特許庁

In this manufacturing method of the inkjet recording material having at least one ink accepting layer mainly containing inorganic particulates on a water-resistant substrate, a coating solution of the ink accepting layer is applied on the substrate, and in a drying process or after completion of drying thereof, a coating solution containing N-hydroxyalkylated chitosan is applied on the ink accepting layer and dried.例文帳に追加

耐水性支持体上に無機微粒子を主体に含有する少なくとも１層のインク受容層を有するインクジェット用記録材料の製造方法において、前記支持体上に、前記インク受容層の塗布液を塗布し、その乾燥過程もしくは乾燥終了後に、該インク受容層上にＮ−ヒドロキシアルキル化キトサンを含有する塗布液を塗布、乾燥することを特徴とするインクジェット用記録材料の製造方法。 - 特許庁

The polymer electrolyte laminate lithium secondary cell has each layer (a cathode, cathode active material layer, separator, anode active material layer and anode) constituting a unit cell, laminated in turn, that makes up the thickness of the basic cell of {((lamination number)-(natural number n))/(lamination number)} times a general cell used for a camera-integrated VTR, a cellphone, or a portable computer with output performance improved.例文帳に追加

ポリマー電解質積層リチウム二次電池において、単位電池を構成する各層（正極／正極活物質層／セパレータ／負極活物質層／負極）を順次積層して、カメラ一体型ＶＴＲ、携帯電話、または携帯用コンピューターに使用される一般的な電池の〔（積層数−自然数ｎ）／積層数〕倍の基本セルの厚みとすることを特徴とする出力性能を向上したポリマー電解質積層リチウム二次電池。 - 特許庁

The method of manufacturing gallium nitride system semiconductor comprises the steps of preparing a gallium oxide substrate (S1); modifying the front surface of a gallium oxide substrate into nitride, and forming a surface nitride layer having Ga-N engagement by physical and chemical pretreatment to the front surface of a gallium oxide substrate (S2); and forming a gallium nitride system semiconductor layer on the surface nitride layer (S4).例文帳に追加

本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

The selegiline-containing adhesive preparation is obtained by forming an adhesive layer containing (-)-(R)-N,α-dimethyl-N-2-propynylphenethylamine and/or a pharmaceutically acceptable salt thereof, a pressure-sensitive adhesive, and one or more stabilizers selected from the group consisting of 2-mercaptobenzimidazole, sodium sulfite, butylhydroxyanisole and butylhydroxytoluene, on at least one side of a support medium.例文帳に追加

（−）−（Ｒ）−Ｎ，α−ジメチル−Ｎ−２−プロピニルフェネチルアミン及び／又はその薬学的に許容し得る塩、粘着剤、並びに、２−メルカプトベンズイミダゾール、亜硫酸ナトリウム、ブチルヒドロキシアニソール、及びブチルヒドロキシトルエンからなる群より選ばれる少なくとも１種以上である安定化剤を含有してなる粘着剤層が、支持体の少なくとも片面に形成されてなる貼付製剤。 - 特許庁

In the opening preventing band b for preventing the memo pad or the notebook n from opening, an integral advertisement sheet part 2 formed wider than the width of an annular sheet material 1a is arranged in one or more positions of the stretchable annular sheet material 1a, and an adhesive layer for affixing to the memo pad or the notebook n is arranged in one side face of the integral advertisement sheet part 2.例文帳に追加

手帳やノートｎなどが開かないようにする開き防止バンドｂであって、伸縮自在な環状シート材１ａの一箇所以上の部分に前記環状シート材１ａの幅よりも幅広に形成された一体広告用シート部２を設けて、この前記一体広告用シート部２の片側面に手帳やノートｎなどに貼付けるための粘着剤層を設けている。 - 特許庁

The double-sided adhesive tape includes a nonwoven fabric base material containing substantially no binder component and having a tensile strength in a longitudinal direction of 4.1-10.0 N/10 mm; and an adhesive layer provided on both surfaces of the nonwoven fabric base material; wherein the double-sided adhesive tape has an initial tensile strength in the longitudinal direction of ≥17.0 N/10 mm.例文帳に追加

バインダー成分を実質的に含まない長手方向の引張強度が、４．１〜１０．０Ｎ／１０ｍｍである不織布基材と、前記不織布基材の両面に粘着剤層が設けられた両面接着テープであって、前記両面接着テープの長手方向の初期の引張強度が、１７.０Ｎ／１０ｍｍ以上であることを特徴とする両面接着テープ。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion semiconductor device can be improved by vanishing defect levels in the semiconductor device and removing contaminant metals from the semiconductor device, by treating a semiconductor layer having the p-n structure of n-type polycrystalline silicon 12 and p-type polycrystalline silicon 13 with a solution 15 containing a nonmetallic cyanogen compound or an alcoholic solution containing a metallic cyanogen compound.例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコン１２及びｐ型多結晶シリコン１３のｐｎ構造を有する半導体層を、非金属系シアン化合物を含む溶液１５又は金属系シアン化合物を含むアルコール溶液により処理することにより、光電変換半導体装置における欠陥準位の消滅及び汚染金属を除去して、その光電変換効率の向上が実現できる。 - 特許庁

In the semiconductor device having a parallel p-n layer with an n-type drift region 2 and a p-type partition region alternately arranged a plurality of times, an insulating film 16 thicker than a gate oxide film 6 is formed on the surface of a region with no p base region 8 between first p-type partition regions 3a having the p base regions 8 among the p-type partition regions.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成された第１ｐ型仕切領域３ａ間の、ｐベース領域８が形成されていない領域の表面に、ゲート酸化膜６より厚い絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

Because N is added to the layer 4, lattice constant is small and wavelength is long, in addition, band gap energy is small because of the large electronegativity of N, and band discontinuity in a conduction band increases, overflow in implanted carrier remarkably decreases, and temperature characteristics are improved, as compared with a light emitting device where a GaInAsP/InP based material that is a conventional material is used.例文帳に追加

活性層４は、Ｎが添加されたことにより、格子定数が小さく、波長が長波長となり、また、Ｎがその電気陰性度が大きいことにより、バンドギャップエネルギーが小さく、かつ、伝導帯のバンド不連続が大きくなり、従来の材料系であるＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた発光素子に比べて、注入キャリアのオーバーフローが激減し、温度特性が向上している。 - 特許庁

Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

The tip part of a steel pipe pile 1 is put to penetrated in the depth of 0.1 time as much as 0.9 time of an outer diameter d of a spiral blade 1a to a support layer 2a having an N value larger than 50 by a standard penetration test.例文帳に追加

標準貫入試験によるＮ値が５０よりも大きい支持層２ａに対して鋼管杭１の先端部を螺旋状の羽根１ａの外径直径ｄの０．１倍以上、且つ０．９倍以下の深さで貫入したことを特徴とする。 - 特許庁

Then, the width of a depletion layer 6 is adjusted, by controlling reverse bias applied between the p-type region 2 and the n-type region 3 and a positive voltage applied to the gate electrode 5, thus making the capacitance value of the semiconductor variable capacitance capacitor changed.例文帳に追加

そして、Ｐ型領域２およびＮ型領域３間に加える逆バイアスと、ゲート電極５に加える正の電圧とを制御して空乏層６の幅を調節することで、半導体可変容量コンデンサの容量値を変化させる。 - 特許庁

The cut muddy water is received in a tank 1, separated into three layers of soil S, muddy water D and a natural polymer residue N, the muddy water of an intermediate layer is extracted, an inorganic flocculant and/or polymer-based flocculant is added, and solid/liquid separation is performed.例文帳に追加

切削泥水をタンク１に受けて土壌Ｓ、濁水Ｄ及び天然高分子残渣Ｎの３層に分離し、中間層の濁水を抜き出して無機系凝集剤及び／又は高分子系凝集剤を添加して固液分離する。 - 特許庁