「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(125ページ目) - Weblio英語例文検索

The first side diffusion region 2SDR1 is positioned directly above the cathode N+ layer 4, and the vertical sectional shape of the bottoms 2BS1, 2BS2 of both side diffusion regions 2SDR1, 2SDR2 is a slowly-varying parabolic shape.例文帳に追加

第１サイド拡散領域２ＳＤＲ１はカソードＮ＋層４の直上に位置しており、両サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２の底部２ＢＳ１，２ＢＳ２の縦断面形状は、緩やかに変化する放物線を成す。 - 特許庁

In a stamper inspecting adhesive sheet, where an adhesive layer containing an adhesive agent is formed on an optical film, the adhesive agent has 3 (N/25 mm) or smaller for the adhesive force.例文帳に追加

光学フィルム上に、粘着剤を含有する粘着層が形成されたスタンパー検査用粘着シートであって、前記粘着剤の粘着力が、３（Ｎ／２５ｍｍ）以下であることを特徴とするスタンパー検査用粘着シートである。 - 特許庁

The outer peripheral side surface of an epitaxial layer covered with an insulative protective film 40 forms inclination (forward taper) which spreads from the upper side where the n-contact electrode 130 is formed to the lower side as the support substrate 200 side.例文帳に追加

絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 - 特許庁

A photoresist is coated and left through a gate insulation film on one face of the wafer divided by the gate electrode, and a first impurity layer 6 is formed while being masked by a resist 5a and implanted by a N-type impurity As+.例文帳に追加

フォトレジストを塗布しゲート絶縁膜を介しゲート電極を境にして基板面の一方だけにレジストを残して、このレジスト５ａをマスクにしＮ型不純物Ａｓ^＋を注入して第１不純物層６を形成する。 - 特許庁

The gate region 3 of a junction type field effect semiconductor element is provided on the inner region 15 of the N type epitaxial layer 10 serving as the source-drain region of the junction type field effect semiconductor element while being surrounded by the internal isolation region 1.例文帳に追加

内部分離領域１で囲まれて接合型電界効果半導体素子のソース／ドレイン領域となるＮ型エピタキシャル層１０の内側領域１５上に接合型電界効果半導体素子のゲート領域３を設ける。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device having a negative electrode which attains excellent Ohmic contact with an n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer, and which resists deterioration in characteristics which would be caused by heating.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と良好なオーミック接触を得ることができ、且つ、加熱による特性劣化に耐性を有する負極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a superjunction Schottky barrier diode including a parallel p-n layer where a first-conductivity region and a second-conductivity region are alternately arranged, the Schottky barrier diode relaxing a surface electric field and reducing a leakage current.例文帳に追加

第一導電型領域と第二導電型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備える超接合ショットキーバリアダイオードにおいて、表面電界を緩和し、漏れ電流の低減するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The field plate 9 is in contact with both a part of a surface of an n-type drift layer 2 in a mesa region 18 between the end portion trench 7 and guard trench 8, and the conductive polysilicon 13 formed inside the guard trench 8.例文帳に追加

フィールドプレート９は、端部トレンチ７とガードトレンチ８の間のメサ領域１８におけるｎ型ドリフト層２の表面の一部と、ガードトレンチ８の内部に形成されている導電性ポリシリコン１３の両方と接している。 - 特許庁

A phase control part 10 of the Mach-Zehnder type optical modulator 1A has mesa structure parts 19a, 19b containing an n-type lower clad layer 13, core layers 14a, 14b, and upper clad layers 15a, 15b respectively.例文帳に追加

マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。 - 特許庁

The light emitting element is manufactured by using the epitaxial wafer for the light emitting element, and an electrode 7 is formed at the n-type GaAs substrate 1 side, and a non-alloy system p-electrode 8 is formed at the p-type InGaAs contact layer 6 side.例文帳に追加

発光素子は、この発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製され、ｎ型ＧａＡｓ基板１側にｎ電極７が、またｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６側にノンアロイ系のｐ電極８が形成されている。 - 特許庁

To provide a gallium-nitride-based light-emitting diode element having vertical structure for securing high-output characteristics, by controlling the surface polarity of a gallium-nitride-based semiconductor layer in contact with an n-type electrode, and to provide a manufacturing method of the gallium-nitride-based light-emitting diode element.例文帳に追加

ｎ型電極と接触する窒化ガリウム系半導体層の表面極性を制御して高出力特性を確保する垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve an emission intensity in a semiconductor light emitting element of the structure in which electrodes for applying a bias to an n-type region and a p-type region of a light emitting semiconductor layer are formed at the same surface side of a supporting substrate.例文帳に追加

発光半導体層のｎ型領域とｐ型領域にバイアス印加するための電極をそれぞれ支持基板の同一面側にて形成した構造の半導体発光素子において、発光強度を向上させる。 - 特許庁

Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; an N channel type drive transistor DR; an output switch SWa; a first capacitor section Cs; and a second capacitor section Cx.例文帳に追加

各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｎチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、出力スイッチＳＷａと、第１容量部Ｃｓと、第２容量部Ｃｘとを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for rectification of p-n junction which is of high withstand voltage and switching speed by immediately causing annihilation of minority carriers remaining in a semiconductor layer during a transient state, when operation is turned off.例文帳に追加

動作がオフになる過渡状態において、半導体層内に残留する少数キャリアを即座に消滅させることにより、高耐圧でありながらスイッチングスピードの速いｐｎ接合による整流用半導体装置を提供する。 - 特許庁

The light-emitting device is provided in which, for example, an n-type region and a p-type region formed by an ion implantation method constitute a pn junction on an insulating layer buried type semiconductor silicon carbide substrate.例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板上に、例えば、イオン注入法で形成されたｎ型領域とｐ型領域が、該炭化珪素基板上でｐｎ接合を構成していることを特徴とする発光デバイス。 - 特許庁

The p^--type leakage stopper region 112 is formed so as to be in contact with both of an insulating film 102 and the collector electrode film 201, and is further Schottky-joined to the collector electrode film 101 together with the n^+-type buffer layer 103.例文帳に追加

Ｐ^−型リークストッパ領域１１２は、絶縁膜１０２とコレクタ電極膜２０１との双方に接するように形成され、さらに、Ｎ^＋型バッファ層１０３と共にコレクタ電極膜１０１に対してショットキー接合されている。 - 特許庁

A light guide 11 makes light incident from the upper end and makes the light incident into the inside incident and absorb onto a solar battery layer composed of a p-type organic semiconductor 13 and an n-type organic semiconductor 14.例文帳に追加

導光部１１は、その上端から光を入射させ、その内部に入射された光をＰ型有機半導体１３とＮ型有機半導体１４とからなる太陽電池層に入射させて吸収させるようにしている。 - 特許庁

An N-type low-concentration drain region 3, a source region 5, a drain ohmic region 7, a P-type channel region 9, and an ohmic channel region 11 are formed in a silicon layer 1c at a depth reaching an embedded oxide film 1b.例文帳に追加

シリコン層１ｃに、埋め込み酸化膜１ｂに達する深さで、Ｎ型の低濃度ドレイン領域３、ソース領域５、ドレインオーミック領域７、及びＰ型のチャンネル領域９、オーミックチャンネル領域１１が形成されている。 - 特許庁

To form a fine memory cell, while securing an overlapping area of a floating gate and an impurity diffused layer, and to reduce irregularity on an F-N tunnel phenomenon between bits that is resulted from a fine memory cell.例文帳に追加

浮遊ゲートと不純物拡散層とのオーバーラップ面積を確保しながらメモリセルの微細化を図り、さらにメモリセルの微細化に伴って発生するビット間のＦ−Ｎトンネル現象のばらつきの低減を図ることを目的とする。 - 特許庁

In vertical type FET1, hexagonal GaN and AlGaN are epitaxially grown on the GaN substrate 10 with a {0001} surface as a growth surface, and a vertical surface S1 in an n-type GaN cap layer 18 is to be {1-100} surface (m surface).例文帳に追加

縦型ＦＥＴ１では、ＧａＮ基板１０上に、六方晶のＧａＮ、ＡｌＧａＮを、｛ 0 0 0 1｝面を成長面として、エピタキシャル成長させており、ｎ型ＧａＮキャップ層１８における鉛直な面Ｓ１は、｛ 1-1 0 0｝面（ｍ面）となる。 - 特許庁

Similarly, a source 42SB and a gate 44B of the active layer 42 are connected to a second power supply line 102 on the other N-channel type thin film transistor TRB, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45B.例文帳に追加

同様に、他方のＮチャネル型薄膜トランジスタＴＲＢでは、能動層４２のソース４２ＳＢとゲート４４Ｂが第２の電源線１０２に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ｂの一方の端に接続されている。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which allows a recording performance to be secured, heat stability of magnetization recorded on a recording layer and S/N ratio to be enhanced and high recording density to be attained, and its manufacturing method and a magnetic storage device.例文帳に追加

記録性能を確保し、記録層に記録された磁化の熱安定性およびＳ／Ｎ比を向上し、高記録密度化を図れる磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記憶装置を提供することである。 - 特許庁

The high field layer 6 is formed whose surface side of a polycrystalline silicon 3 formed on the n-type silicon substrate 1 is made to have a porosity by a anode oxidation treatment and thereafter is made to be oxidized by a dilute nitric acid.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多結晶シリコン３の表面側を陽極酸化処理により多孔質化した後、希硝酸によって酸化することにより形成されている。 - 特許庁

The whole semiconductor light-emitting element is made nearly spherical, by using a transparent P-type semiconductor bonding substrate which is nearly semispherical, a transparent N-type semiconductor bonding substrate which is nearly semispherical, and a light-emitting diode layer sandwiched by the substrates.例文帳に追加

半導体発光素子を、ほぼ半球状の透明なｐ型半導体接着基板と、ほぼ半球状の透明なｎ型半導体接着基板と、これらに挟まれた発光ダイオード層と、により全体がほぼ球状のものとする。 - 特許庁

A body contact diode region 13 constituting a diode structure where the body contact region 12 and the n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, and an MOSFET region 14 where MOSFET structure is formed are also provided.例文帳に追加

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３と、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４とを有する。 - 特許庁

A semiconductor layer 3, made of polycristalline silicon is formed on a substrate 2, and a source area 7 and a drain region 8 constituted of n- semiconductor layers are formed, and a gate insulating film 4 and a gate electrode 5 are formed on a channel part 9.例文帳に追加

基板２上に多結晶シリコンからなる半導体層３が設けられ、ｎ^-半導体層からなるソース領域７およびドレイン領域８が形成され、チャネル部９上にゲート絶縁膜４、ゲート電極５が設けられている。 - 特許庁

The temperature monitoring wafer 10 is manufactured in which a high concentration n-type epitaxial growth layer 12 is formed on a p-type silicon substrate 11, and the coating by the coating film is conducted in order to prevent diffusion of the water as a whole to the external side of impurity.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１１上に高濃度のＮ型エピタキシャル成長層１２が形成されており、ウェーハ全体が不純物の外方への拡散を阻止するコーティング膜でコーティングされている温度モニタウェーハ１０を作成する。 - 特許庁

This solid-state imaging element is provided with each pixel 4 having: a P-type epitaxial growth layer 51; a P-type well 52 arranged on that; and an N-type charge accumulation part 53 arranged on the well 52 for accumulating photoelectrically converted charge.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型エピタキシャル成長層５１と、その上に配置されたＰ型ウエル５２と、ウエル５２に配置され光電変換された電荷を蓄積するＮ型電荷蓄積部５３を有する各画素４と、備える。 - 特許庁

When the nitride semiconductor light emitting diode 10 is viewed from the upper surface, outline of the nitride semiconductor layer N does not have a linear portion which makes an angle in the range of 80-100° with the longitudinal direction of the protrusion/recess structure.例文帳に追加

この窒化物半導体発光ダイオード素子１０を上面視したとき、窒化物半導体層Ｎの外郭線は、前記凹凸構造の長手方向との間で８０度〜１００度の範囲内の角度をなす直線部分を有していない。 - 特許庁

In this case, the layer contains a compound having a structure represented by formula I, wherein M is a metal atom or an organic component, (A) is an organic polymer component, (B) is an organic molecular component, n and m are each an integer of 1 or more, and 1 is an integer of 0 or 1 or more.例文帳に追加

Ｍ（Ａ）ｎ（Ｂ）ｍ（Ｃ）ｌ （Ｉ） （Ｍは金属原子または有機成分、Ａは有機高分子成分、Ｂは有機低分子成分、Ｃは有機低分子成分である。また、ｎ、ｍは１以上の整数、ｌは０または１以上の整数である。） - 特許庁

This photovoltaic generator is constructed on an SOI N^- layer which is subdivided into a series of connected isolated tubs whereby the isolated tubs are subdivided by a matrix of trenched wells.例文帳に追加

ＳＯＩ Ｎ^−層上に構築される光起電力発生装置であって、ＳＯＩ Ｎ^−層は、一連の分離され接続されたタブに再分割され、分離されたタブがトレンチウェルのマトリックスによって再分割される光起電力発生装置である。 - 特許庁

In step S_4, positional information is calculated so that an alignment deviation is minimized, on the basis of the measured data A_n of n-th block only, when the layer data imparted in the step S_3 are the same data (X_n=Y_n) for preparing the preceding information A_n.例文帳に追加

Ｓ_4 では、ステップＳ_3 で付与した層データが同じもの（Ｘ_n ＝Ｙ_n ）のみ、つまりｎ個目のブロックの測定データＡ_n に基づいてアライメントずれ量が最小になるように位置情報の計算を行い先行情報Ａ_n を作成する。 - 特許庁

Then, while the substrate temperature of 1,050°C is held at 1,050°C and the internal pressure in the furnace is held at 30 kPa as they are, a trimethyl gallium, an ammonia and a silane are introduced, and an n-type GaN buffer layer 3, having a thickness of 1 μm, is grown on the substrate 1.例文帳に追加

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。 - 特許庁

In the transfer material for injection molding in-mold decorating, a stretching degree is not less than 13% in area ratio, and the initial peeling weight at the time of peeling of a base material sheet from the transfer layer is 29.4-294×10-3 N/one inch width.例文帳に追加

射出成形同時加飾用転写材において、延伸度が面積比１３０％以上であり、転写層より基材シートを剥離する際の初期剥離重さが、１インチ幅あたり２９.４〜２９４×１０^−３Ｎである。 - 特許庁

In a fixing position, a fixing pressure is applied between a fixing roll 81 and an optical disk D, and an elastic layer 81b of the fixing roll 81 is elastically deformed to give a prescribed nip width N between the fixing roll 81 and the optical disk D.例文帳に追加

定着位置では、定着ローラ８１と光ディスクＤとの間に定着圧力が掛かり、定着ローラ８１の弾性層８１ｂが弾性変形して、光ディスクＤとの間に所定のニップ幅Ｎを持たせることができる。 - 特許庁

Breakdown voltage can be enhanced by forming a heavily doped P type guard ring region 5 having a depth of 2 μm and an impurity concentration of 1×10^16/cm^3-6×10^17/cm^3 in a lightly doped N type epitaxial layer 2.例文帳に追加

低濃度Ｎ型エピタキシャル層２に、深さ２μｍ、不純物濃度１×１０^16／ｃｍ^3〜６×１０^17／ｃｍ^3程度の高濃度Ｐ型ガードリング領域５を形成することにより、耐圧を高くすることが可能となる。 - 特許庁

After a surface of an N-type epitaxial layer 12 of a wafer 20 is covered with a first oxide film 13 and a formation region of a vertical hole 16 is removed, the vertical hole 16 is formed by RIE by using the first oxide film 13 as a mask.例文帳に追加

ウエハ２０のＮ型エピタキシャル層１２表面を第１酸化膜１３で被覆し、垂直穴１６形成領域を除去した後、第１酸化膜１３をマスクとしてＲＩＥにより垂直穴１６を形成する。 - 特許庁

As a gate region is formed of an N+ diffusion layer 11 located under a channel region 14, the surface of the channel region 14 is restrained from increasing in surface roughness by a flattening process, and a thin film transistor is restrained from deteriorating in driving capacity.例文帳に追加

ゲート領域が、チャネル領域４の下にあるｎ^+ 拡散層１１によって形成されているので、平坦化プロセスによってチャネル領域１４の表面粗さが大きくならず、薄膜トランジスタの駆動能力の低下を抑制する。 - 特許庁

Namely, when a managing value of the whole plate thickness of the cavity unit 50 is A, if the whole plate thickness is managed so as to satisfy A≥B+(N-1)×C, it is possible that such the adhesive layer that has a thickness smaller than the set value C does not exist.例文帳に追加

つまり、キャビティユニット５０の総板厚の管理値をＡとした場合に、Ａ≧Ｂ＋（Ｎ−１）×Ｃを満たすように総板厚を管理すれば、設定値Ｃよりも小さい厚さの接着層が存在しないようにすることができる。 - 特許庁

The silicide layer 17 is provided at the total region of a source region S1 and the n^+ region BC1, that of the drain regions D1, D2, that of the source region S2 and the p^+ region BC2, and on the gate electrode 15.例文帳に追加

シリサイド層１７は、ソース領域Ｓ１とＮ^＋領域ＢＣ１の総合領域、ドレイン領域Ｄ１，Ｄ２の総合領域、ソース領域Ｓ２とＰ^＋領域ＢＣ２の総合領域、及びゲート電極１５上に設けられる。 - 特許庁

The P-N rectifying junction includes a base region of first conductivity type (e.g., P-type) provided in the substrate and a semiconductor layer of second conductivity type extending between the base region and the light collecting surface.例文帳に追加

前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。 - 特許庁

Consequently, portions where voltage dependency of the width of a depletion layer are high and low, respectively, can be provided at the pn junction of the constant voltage diode formed of the p^++-type semiconductor region 3 and the n-type semiconductor region 2.例文帳に追加

これにより、ｐ^＋＋型半導体領域３とｎ型半導体領域２とで形成される定電圧ダイオードのｐｎ接合部に空乏層幅の電圧依存性が大きい箇所と少ない箇所とを設けることができる。 - 特許庁

The outer peripheral-side surface of an epitaxial layer covered with an insulative protective film 40 forms inclination (forward taper) which spreads from the upper side where the n-contact electrode 130 is formed to the lower side as the support substrate 200 side.例文帳に追加

絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 - 特許庁

To prepare an amorphous composite material having N (two or larger integer) pieces of compositions different from each other, or having concentric circular layer structure of mutually different mechanical, magnetic, electrical, chemical, thermal, electronic, and quantum characteristics.例文帳に追加

Ｎ個の（Ｎは２以上の整数）異なる組成、すなわち、機械的、磁気的、電気的、化学的、熱的、電子的、および、量子的に特性の異なる同心円形層状構造を有する、アモルファス複合材料を作製すること。 - 特許庁

By exploiting the phenomenon that the magnetism-attracting substance layer forms another set of N and S poles by the effect of magnetism, magnetic flux is increased to strengthen the attraction between the magnets and stabilize the magnetic attraction.例文帳に追加

且つ磁吸着物質層が磁力を受けてＮ極とＳ極に導磁作用を形成することを利用し、その磁束量を増加させ、これら磁石間の相互の磁吸着及び多層貼り付けの安定度と磁吸着強度を高めた。 - 特許庁