「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a group III nitride semiconductor light emitting element hardly causing deterioration in crystallinity due to a dopant concentration of a first n-type semiconductor layer and achieving high output, and a method for manufacturing the group III nitride semiconductor light emitting element.例文帳に追加

第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The n^--type epitaxial layer 3 has a plurality of gate regions 4 formed separated at intervals, and also has source regions 6 formed between adjacent gate regions 4 separated at intervals among these gate regions 4.例文帳に追加

ｎ^−型エピタキシャル層３には、複数のゲート領域４が間隔を隔てて形成されるとともに、互いに隣り合うゲート領域４の間に、それらのゲート領域４と間隔を隔ててソース領域６が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17b having a relatively deep junction while both the sides are held by p-type source/drain regions 16b is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15b.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ｂ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ｂに挟まれ、相対的に接合深さの深いＮ型しきい値制御拡散層１７ｂが形成されている。 - 特許庁

These voltage detecting and charging operations are repeatedly performed more than once sequentially with respect to each of electric double layer capacitors 10-1 to 10-n until the charging voltage approaches a rated voltage.例文帳に追加

そして、この電圧検出及び充電の動作を、電気二重層キャパシタ１０−１〜１０−ｎの各々について順次切り換えながら充電電圧が定格電圧付近に達するまで複数回繰り返して行う。 - 特許庁

A p^+-diffusion layer 7 is arranged in the n-well 2 near a portion wherein directions of the VDD wiring 1 and the substrate bias VDD2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the VDD wiring 1 via a contact.例文帳に追加

Ｐ＋拡散層７が、ＶＤＤ配線１と基板バイアスＶＤＤ２配線５方向が交差する部分の近傍におけるＮウェル２内に配され、ＶＤＤ配線１とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

There are formed n^+-type first to third divided regions 9, 10, and 11 in the first to third photoelectric conversion regions 6, 7, and 8 at predetermined depths respectively from the surface of the photoelectric conversion layer 4.例文帳に追加

第１ないし第３光電変換領域６，７，８内には、光電変換層４の表面からそれぞれ所定深さの位置に、ｎ^+型の第１ないし第３分割領域９，１０，１１が形成されている。 - 特許庁

An N+-type surface diffusion layer 8 is arranged between P+-type surface layers 6a and 6b which serve as an anode, by which a photocurrent is restrained from leaking out through a P-type channel formed between the P+-type surface diffusion layers 6.例文帳に追加

アノードとなる複数のＰ^+型表面拡散層６ａ，６ｂ間にＮ^+型表面拡散層８を配置して、Ｐ^+型表面拡散層６間に生成するＰ型チャネルを通じての光電流のリークを抑制する。 - 特許庁

Within the first and second Si layers 2 and 3, an n-type base region 4 is formed and within the base region 4, a p-type emitter region 5 is formed having an impurity concentration higher than that of the first Si layer 2.例文帳に追加

第１Ｓｉ層２及び第２Ｓｉ層３内には、ｎ型のベース領域４が形成され、ベース領域４内には、第１Ｓｉ層２より不純物濃度が高いｐ型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁

In addition, the total film thickness d1 of the transparent conductive films 15A and 15B is set so that the thickness d1 may become an optical distance which is 1/4×(2n+1) times (n is a natural number) as large as the wavelength of the light emitted from an active layer 13.例文帳に追加

また、これら透明導電膜の膜厚の合計ｄ１を、活性層１３から発せられた光の波長に対して１／４×（２ｎ＋１）倍（ｎ：自然数）の光学距離となるように設定する。 - 特許庁

A film of a photocatalytic substance having a Ti-O-N of Ti-O-S structure is formed on a substrate 11, and then, a water-storing substance composed of SiO2, or the like, is mixed with the film to form a composite layer 12.例文帳に追加

基板１１上に、Ｔｉ−Ｏ−ＮまたはＴｉ−Ｏ−Ｓ構造の光触媒物質の膜を形成し、その後ＳｉＯ_2等からなる蓄水物質を混合することで、複合層１２を形成する。 - 特許庁

Here, the injected impurity is an N-type impurity, and when phosphorus is used, the injection energy thereof is, e.g. 60-120 keV, and the concentration for the channel stop layer N1 is set at 1×10^17-1×10^19/cm^3.例文帳に追加

ここで、注入される不純物はＮ型の不純物であり、リンを用いるならば、その注入エネルギーは、例えば６０〜１２０ｋｅＶとし、チャネルストップ層Ｎ１の濃度は１×１０^17〜１×１０^19／ｃｍ^3とする。 - 特許庁

In the MRAM, tunnel insulating layers (5-1 through 5-3), are provided so as to be sandwiched between first to (n+1)-th magnetic material layers (4 and 6-1 through 6-3) and an i-th magnetic material layer, which have spontaneous magnetization respectively.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、トンネル絶縁層（５−１〜５−３）が自発磁化をそれぞれ有する第１〜第（ｎ＋１）磁性体層（４、６−１〜６−３）第ｉ磁性体層の間に介設されている。 - 特許庁

This article has a supporting body, one or more corrosion resisting layers 12 deposited on the supporting body 10 and an external layer 18 deposited by PVD and composed of only one among Zr, Hf, C and N or selected from plural.例文帳に追加

この物品は、支持体と、支持体に付着された１つまたは複数の耐食層と、ＰＶＤによって付着されてＺｒ、Ｈｆ、Ｃ、およびＮの１つのみ、または複数から選択された外層を含む。 - 特許庁

The solar cell is formed by combining two or more processes of a process for roughening the surface of silicon having p-type conductivity and n-type conductivity, a process for forming openings having polygon shapes, and a process for forming a porous layer.例文帳に追加

ｐ型及びｎ型を有するシリコンの表面を粗化する工程と、多角形を有する孔を作成する工程と多孔質層を形成する工程とを２工程以上を組み合わせて作成された太陽電池。 - 特許庁

The antireflection films are formed so as to be reverse to the direction in which the film thickness distribution of the ND film on the surface of the base plate 11 is formed, and an SiO_2 film 23 of a fifth layer is formed by λ/4 as optical thickness n×d by removing the mask.例文帳に追加

基板１１の表面のＮＤ膜の膜厚分布が形成される方向と逆になるように成膜し、第５層のＳｉＯ_2膜２３はマスクを取り外し、光学膜厚ｎ×ｄでλ／４成膜する。 - 特許庁

To suppress the production of an artifact and the decrease in S/N due to deterioration in characteristic resulting from the crystallization of a-Se (amorophous Se), as to an imaging device equipped with a solid-state detector including a layer consisting principally of a-Se.例文帳に追加

ａ−Ｓｅを主成分とする層を含む固体検出器を備えた画像撮像装置において、ａ−Ｓｅの結晶化により特性が劣化して生じるアーティファクトの発生や、Ｓ／Ｎの低下を抑える。 - 特許庁

The thin film transistor is composed of a semiconductor layer, gate insulation film, gate electrode having conductive material-made side-walls, low-concentration N-type impurity region, source region and drain region, all formed on an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板上の半導体層、ゲート絶縁膜、導電性材料から成るサイドウォールを有するゲート電極、低濃度Ｎ型不純物領域、ソース領域及びドレイン領域から構成される薄膜トランジスタ。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

A plurality of N-type diffused layers 2 are provided separately from each other, and the layers adjacent to each other through contact holes 4 provided in insulating films 3 on the layers 2 are connected with each other through the first wiring metal layers 5 (Al-Si-Cu alloy layer).例文帳に追加

Ｎ型拡散層２が離間して複数設けられその上の絶縁膜３のコンタクトホール４で互いに隣り合うものどうし第一層の配線金属５（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金）で接続する。 - 特許庁

The MISFET comprises a main gate 15 formed on the surface of the channel body in order to form a channel, and an auxiliary gate of an n^+ type layer 18 being coupled capacitively with the rear surface through the insulating film 12.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴは、チャネルボディの表面に形成されたチャネルを形成するための主ゲート１５と、裏面に対して絶縁膜１２を介して容量結合するｎ^+型層１８からなる補助ゲートを有する。 - 特許庁

This sealing agent layer 10 is constituted of a material with the main component, having a tensile strength of 0.02 N/mm^2 or higher at 5 mm or higher for the tensile strain, for example, polyamide resin with an amine value within a range of 50 to 200.例文帳に追加

このシール剤層１０は、引張り歪み５ｍｍにおける引張り強度が０．０２Ｎ／ｍｍ^２以上の材料、例えば、アミン価が５０〜２００の範囲にあるポリアミド樹脂を主成分とする材料からなる。 - 特許庁

The passivation film 9 is so formed as to be contacted with the mesa structure 20, the wiring electrode 11 is formed on a portion of the contact layer 8 and on the passivation film 9. and further, the n-side electrode 12 is formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

パッシベーション膜９は、メサ構造体２０に接して形成され、配線電極１１は、コンタクト層８の一部およびパッシベーション膜９上に形成され、ｎ側電極１２は、基板１の裏面に形成される。 - 特許庁

N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加

パターン３をマスクにしたイオン注入によって、Ｐ型領域５の表面層になる深さにＮ型不純物６を導入し、基板１の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域７を形成する。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

A steel cord for reinforcing a rubber article has an m+n+1 structure in which a spiral filament 13 is wound around a two-layer twisted cord 3 obtained by twisting a plurality of steel filaments 11, 12A and 12B.例文帳に追加

複数本のスチールフィラメント１１，１２Ａ，１２Ｂが撚り合わされてなる２層の層撚りコード３の外周に、スパイラルフィラメント１３が巻き付けられてなるｍ＋ｎ＋１構造のゴム物品補強用スチールコードである。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device is divided into first and second regions I, II, and in the first region I, an n+ layer 9 is formed so as to extend from a source region 3 into under a floating gate 6.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、第１、第２の領域Ｉ，ＩＩに分割され、第１の領域Ｉにおいて、ソース領域３から浮遊ゲート６の下に拡張してｎ＋層９が形成されている。 - 特許庁

Trenches 20 reaching an N-type silicon substrate 11 are formed on a SOI substrate 10 wherein a P-type silicon layer 13 is formed on the substrate 11 via a silicon oxide film 12, and trench capacitors C are formed in lower parts of the trenches 20.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１１にシリコン酸化膜１２を介してｐ型シリコン層１３が形成されたＳＯＩ基板１０に、基板１１に達する溝２０を形成し、その溝２０の下部にトレンチキャパシタＣを形成する。 - 特許庁

A reflection preventing film constituted of a silicon oxide film 27 and a silicon nitride film 28 is formed on the n type diffusion layer 24, and each film thickness is set so that reflectivity can be minimized for the wavelength of incident light.例文帳に追加

ｎ型拡散層２４上には、シリコン酸化膜２７およびシリコン窒化膜２８で成る反射防止膜を形成し、入射光の波長に対して反射率が最小になるように各膜厚を設定する。 - 特許庁

Thus, the surface rejoint of minority carriers due to dangling bond or impurity level or the like on the surface of the n-type semiconductor layer 2 is significantly reduced than that in a conventional violet cell.例文帳に追加

こうして、ｎ型半導体層２の表面におけるダングリングボンドの存在や不純物準位の存在等による少数キャリアの表面再結合を従来のバイオレットセルの場合よりも大幅に低減する。 - 特許庁

Trenches 2a formed in an n-type drift layer 2 are not made merely linear, but shifted in a direction perpendicular to a length direction in the middle of the length direction.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２に対して形成するトレンチ２ａを単なる直線形状にするのではなく、長手方向の途中で当該長手方向に対する垂直方向にトレンチ２ａをずらした構造となるようにする。 - 特許庁

To provide an organic FET array capable of providing good transmission characteristics which is practically sufficient by suitably coupling an organic semiconductor layer common in p-channel and n-channel with source and a drain electrode material.例文帳に追加

ｐチャネルとｎチャネルに共通の有機半導体層とソース、ドレイン電極材料の好適な組合せにより、実用上十分に良好な伝達特性を得ることが可能な有機ＦＥＴアレイを提供する。 - 特許庁

With this configuration, if a voltage is applied in forward direction between the p-type ohmic electrode 21 and the n-type ohmic electrode 20, a current flows between both electrodes so that the InGaN layer 14 emits blue light.例文帳に追加

このような構成においては、ｐ型オーミック電極２１とｎ型オーミック電極２０の間に順方向に電圧を印加すると、両電極間に電流が流れ、ＩｎＧａＮ層１４が青色に発光する。 - 特許庁

An n type gate width deciding layer 15 for deciding the gate width of the gate electrode 5 is formed so that the source/drain layers 9 can be interposed from gate width direction X of the gate electrode 5 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面に、ソース／ドレイン層９を、ゲート電極５の幅方向Ｘから挟むように、ゲート電極５のゲート幅を決定するｎ型のゲート幅決定層１５が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a solid electrolyte secondary cell formed on a semiconductor substrate (a), and the semiconductor substrate (a) located beneath the solid electrolyte secondary cell is equipped with a diffusion layer (g) doped with N-type impurities.例文帳に追加

半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板ａがＮ型の不純物をドープした拡散層ｇを有する。 - 特許庁

A conductor 132 is formed inside the element area isolation insulating wall 124, and is grounded through a zener diode 131 formed of an n-type area 130 and the p-type base layer 102.例文帳に追加

素子領域分離用絶縁壁１２４の壁厚の内側に導体１３２が形成されており、導体１３２はｎ型領域１３０とｐ型基層１０２で形成されるツェナーダイオード１３１を介して接地される。 - 特許庁

The method further comprises steps of perforating a contact hole CONT in the insulating film 8 with the silicon nitride film 7 as an etching stopper layer, then removing the exposed silicon nitride film 7, and then exposing an n-type semiconductor region D for forming a drain.例文帳に追加

次いで、窒化シリコン膜７をエッチングストッパ層として絶縁膜８にコンタクトホールＣＯＮＴを穿孔した後、露出した窒化シリコン膜７を除去して、ドレインを形成するｎ型半導体領域Ｄを露出する。 - 特許庁

On an N type silicon substrate (first substrate) 110, an epitaxial silicon layer (second substrate) 111 is formed at an impurity concentration lower than that of the silicon substrate 110, e.g. a concentration of 1E14 or less, thus completing a silicon substrate.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板（第１基板）１１０の上に、このシリコン基板１１０より不純物濃度の低い、例えば１Ｅ１４以下の濃度でエピタキシャルシリコン層（第２基板）１１１を形成してシリコン基板を完成する。 - 特許庁

A fin layer 4 has the source region 21, the channel region 22, and the drain region 23 of a P type fin FET 20, and the drain region 24, the channel region 25, and the source region 26 of an N type fin FET 30.例文帳に追加

フィン層４には、Ｐ型フィンＦＥＴ２０のソース領域２１、チャネル領域２２、ドレイン領域２３と、Ｎ型フィンＦＥＴ３０のドレイン領域２４、チャネル領域２５、ソース領域２６とが形成される。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17a having a relatively shallow junction while both sides are held by p-type source/drain regions 16a is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15a.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ａ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ａに挟まれ、相対的に接合深さの浅いＮ型しきい値制御拡散層１７ａが形成されている。 - 特許庁

Floating gate electrodes 16 formed of n-type polysilicon are formed respectively between side wall films 13 on device separating films 12 on a substrate 11 of p-type silicon and on first-layer gate oxide films 15.例文帳に追加

Ｐ型シリコンからなる基板１１上の素子分離膜１２に設けられたサイドウォール膜１３同士の間で且つ第１層ゲート酸化膜１５の上には、ｎ型ポリシリコンからなるフローティングゲート電極１６が形成されている。 - 特許庁

A trench 6 with a gate electrode 8 buried via a gate insulation film 7 is formed by digging from the surface of the epitaxial layer 3 in a way that it penetrates the body region 5 and its deepest section reaches the N^--type region 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が埋設されるトレンチ６は、エピタキシャル層３の表面から掘り下げて形成され、ボディ領域５を貫通して、その最深部がＮ^−型領域４に達している。 - 特許庁

To provide a multilayer analysis element having a porous film as a developing layer, larger in signal/noise ratio (S/N ratio) and having a stable capacity of receiving no liquid amount dependence, and its manufacturing method.例文帳に追加

展開層として多孔性膜を有する多層分析要素において、よりシグナル／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が大きく、液量依存性を受けない安定な性能を有する多層分析要素、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A metal catalyst layer is introduced on a zinc oxide thin film having electrical characteristic of an n-type semiconductor and is subjected to heat treatment to be reformed to a zinc oxide thin film having electrical characteristic of a p-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。 - 特許庁

And a potential varied linearly or natural logarithmically by the embedded type photo diode PD is transmitted to a N type suspended diffusion layer FD and outputted as an image signal through MOS transistors T3, T4.例文帳に追加

そして、埋込型フォトダイオードＰＤで線形的又は自然対数的に変化したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに転送し、ＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ４を通じて映像信号として出力する。 - 特許庁

An N-type second well region 560 higher in concentration than the drain offset region 540 is formed in the semiconductor layer 200 beneath the drain offset region 540 overlapping the drain region 520 in a plan view.例文帳に追加

ドレインオフセット領域５４０よりも高濃度のＮ型の第２ウェル領域５６０は、半導体層２００のうち、ドレインオフセット領域５４０の下に位置して、平面視でドレイン領域５２０と重なる領域に設けられている。 - 特許庁