「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

A variable wavelength semiconductor laser apparatus 10 has a variable wavelength element section 12 and a stimulation element section 14 for allowing a variable wavelength layer at the variable wavelength element section to be subjected to light stimulation on a common n-InP substrate 16.例文帳に追加

本波長可変半導体レーザ装置１０は、共通のｎ−ＩｎＰ基板１６上に、波長可変素子部１２と、波長可変素子部の波長可変層を光励起する励起素子部１４とを備える。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting element of n-side up type made from an epitaxial wafer comprising a group III nitride semiconductor crystal layer of cubic and hexagonal systems with different crystal structure.例文帳に追加

立方晶と六方晶の結晶構造型を相違するＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハから作製したｎサイドアップ型のＩＩＩ族窒化半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A first zone 106 of an oxide layer formed in the trench adjoins at least part of the N epi-region of the semiconductor device, and a second zone 110 adjoins at least part of the body region.例文帳に追加

トレンチに形成された酸化物層の第１の区域１０６は、半導体デバイスのＮエピ領域の少なくとも一部分に隣接し、第２の区域１１０はボディ領域の少なくとも一部分に隣接する。 - 特許庁

The method for producing butadiene uses, as a raw material, n-butene in which i-butene is controlled in a specific ratio in a fluidized layer reactor in which a catalyst in which a carrier carries an oxide, and oxygen are present inside.例文帳に追加

酸化物を担体に担持した触媒と、酸素とが内部に存在する流動層反応器内で、前記触媒にｉ−ブテンが特定の比率で制御されたｎ−ブテンを原料とするブタジエンの製造方法。 - 特許庁

To provide a CMOS circuit which includes an n-FET gate stack having a gate dielectric and a metal gate conductor, and a p-FET gate stack having a gate dielectric layer and a silicon-containing gate conductor.例文帳に追加

ゲート誘電体及び金属ゲート導体を有するｎ−ＦＥＴゲート・スタックと、ゲート誘電体層及びシリコン含有ゲート導体を有するｐ−ＦＥＴゲート・スタックとを含むＣＭＯＳ回路を提供する。 - 特許庁

The anode active material layer 82 includes a plurality of anode active material particles 82A containing silicon, and their surfaces are covered by compound films 82B having an Si-O bond and an Si-N bond.例文帳に追加

負極活物質層８２は、ケイ素を含む複数の負極活物質粒子８２Ａを有しており、それらの表面はＳｉ−Ｏ結合およびＳｉ−Ｎ結合を有する化合物膜８２Ｂによって覆われている。 - 特許庁

Out of these, upper layer electrodes 15a and 15b of the capacitors C1 and C2 are formed in parallel with a gate electrode 15c as the n-type polysilicon having an identical impurity concentration.例文帳に追加

このうち、キャパシタＣ１およびＣ２の上層電極１５ａおよび１５ｂは、上記トランジスタのゲート電極１５ｃと同時に形成されて、同一の不純物濃度を有するｎ型ポリシリコンとして形成されている。 - 特許庁

Here, N (wt.%) is the content of the organic solvent, on the basis of the dielectric raw material, Ez (μm): the thickness of the electrode on the front plate, and Dz (μm): the thickness of the dielectric layer on the front plate.例文帳に追加

（式１）Ｎ＜（６．５×Ｄｚ＋５００）／Ｅｚ（Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量、Ｅｚ［μｍ］：前面板の電極の厚さ、Ｄｚ［μｍ］：前面板の誘電体層の厚さ）。 - 特許庁

To improve a S/N ratio of a reproduced signal by making it hard that an outer magnetic field penetrating from an upper part magnetic shield layer passes through a magneto-resistance effect element, in the thin film magnetic head provided with the magneto-resistance effect type magnetic head element.例文帳に追加

磁気抵抗効果方磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気シールド層から進入する外部磁界が磁気抵抗効果素子を通過しにくくし、再生信号のＳ／Ｎ比の向上を図る。 - 特許庁

By the n-type pocket region 6, there is formed a barrier blocking the spread of a depletion layer from the low-concentration p-type drain region 1, without reinforcing the electric field strength applied to the low-concentration p-type drain region 1 side.例文帳に追加

Ｎ型ポケット領域６により、低濃度Ｐ型ドレイン領域１側に印加される電界強度を強めることなく、低濃度Ｐ型ドレイン領域１からの空乏層の拡がりを阻止する障壁が形成される。 - 特許庁

At this point, even when a reverse voltage is applied to the light emitting diode 110, i.e., even when the n-electrode 8 becomes higher than the p-electrode layer 7, the reverse voltage is not applied to the light emitting diode 110 because the compensating diode 320 is conductive.例文帳に追加

発光ダイオード１１０に逆電圧が印加、即ち、ｎ電極層８がｐ電極層７より高くなっても、補償ダイオード３２０が導通するので、発光ダイオード１１０には逆電圧がかからない。 - 特許庁

Cooling is started from the time ta at a speed of -4°C/min, the temperature in the quartz cassette 5 is decreased to Ta°C at a time tb', and conductivity of a crystal layer of the semiconductor wafer is inverted from an N-type to a P-type.例文帳に追加

時刻ｔａから−４℃／ｍｉｎの速度で冷却を開始し、時刻ｔｂ’で石英カセット内の温度をＴａ℃に降温して、半導体ウエハの結晶層の導電型をＮからＰに反転させる。 - 特許庁

As the distance between the photodiode part 13 and the n-type drain region 19 can be shortened and a large electric field can be applied between that to easily form a depletion layer, which decreases the voltage of the power supply 20 for controlling.例文帳に追加

このフォトダイオード部１３とＮ型ドレイン領域１９との距離を短くできるので、その間に大きな電界がかかりやすく容易に空乏層が形成されるので制御する電源２０の低電圧化ができる。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is obtained by disposing a photosensitive layer containing quinone derivatives of formulae 1-3 (where A is O or S and R1-R14, (m) and (n) are shown in the specification) on an electrically conductive substrate.例文帳に追加

本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に感光層を設けたものであって、前記感光層が、一般式(1),(2) および(3) で表されるキノン誘導体を含有するものであることを特徴とする。 - 特許庁

Since the p-type region 12 and the n-type region 13 are formed in the vicinity of the interface of the semiconductor substrate 11 and an insulating layer 14, the careiers generated in the semiconductor substrate 11 can be taken in at a high speed.例文帳に追加

半導体基板１１と絶縁層１４との界面近傍にｐ型領域１２およびｎ型領域１３が設けられているので、半導体基板１１で発生するキャリアを高速に取り込むことができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-channel MOS transistor 1 having an insulating layer 4 separated in SOI structure and a capacitor formed with an insulating film, and the structure is such that a capacity of a substrate is reduced by thinning the silicon substrate B.例文帳に追加

ＳＯＩ構造で絶縁分離された絶縁分離層４を備えるＮｃｈＭＯＳトランジスタ１と、絶縁膜を用いて形成されるコンデンサとを有し、シリコン基板Ｂを薄くして基板容量を減らす構成とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion device (photoelectric conversion element 100) includes a photoelectric conversion layer 3 including an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, and the photoelectric conversion layer 3 forms an optical electric field within the layer and includes an electric field formation region 4 including a part smaller than the wavelength of incident light, thus improving photoelectric conversion characteristics in the photoelectric conversion layer 3.例文帳に追加

本発明は、光電変換デバイス（光電変換素子１００）又は太陽電池等に関し、ｎ型半導体及びｐ型半導体を含む光電変換層３を備えるようにすると共に、この光電変換層３が、層内に光電場を形成すると共に入射光の波長よりも小さい部分を含む電場形成領域４を有するようにし、光電変換層３における光電変換特定の改善を図るようにしたことに特徴がある。 - 特許庁

The optical guide G has a semiconductor lower guide layer 11 having an undoped first lower portion 11a adjoining the central area and an n-type doped second lower portion 11b adjoining the lower coating layer 1, and an upper semiconductor guide layer 12 having an undoped first upper portion 12a adjoining the central area and a p-type doped second upper portion 12b adjoining the upper coating layer 2.例文帳に追加

光学ガイドＧはさらに、中央領域に隣接するドープされていない第１の下方部分１１ａと、下方被覆層に隣接するｎ型のドープされた第２の下方部分１１ｂとを有する半導体下方ガイド層１１と、中央領域に隣接するドープされていない第１の上方部分１２ａと、上方被覆層に隣接するｐ型のドープされた第２の上方部分１２ｂとを有する半導体上方ガイド層１２とを有する。 - 特許庁

In the gallium nitride compound semiconductor laminate, a n-type layer, a luminous layer, and a p-type layer are formed on a substrate; the laminate is of a multi-quantum structure where the luminous layers are alternately laminated with well layers and barrier layers; and the well layer configuring the multi-quantum structure comprises well layers of uneven thicknesses and well layers of even thicknesses.例文帳に追加

基板上にｎ型層、発光層およびｐ型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がｎ型層とｐ型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。 - 特許庁

The semiconductor device contacts an n^+-type contact region 46 whose electrode 45 is formed in the central region M, connected to a second semiconductor layer 28 of the peripheral region N via a contact region 46a formed at the outmost periphery of the central region M, and extends to the peripheral region N over at least 1/8 of a distance from the contact region 46a to the periphery of the repetitive structure 26.例文帳に追加

電極４５が中心領域Ｍに形成されているｎ^＋型のコンタクト領域４６に接触し、中心領域Ｍの最外周に形成されているコンタクト領域４６ａを介して周辺領域Ｎの第２半導体層２８と接続しており、そのコンタクト領域４６ａから繰返し構造２６の周縁までの距離の少なくとも１／８以上の距離に亘って、周辺領域Ｎに伸びていることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The group III nitride-based semiconductor light emitting element has a light emitting part of pn junction double heterostructure obtained by forming a lower barrier layer 104 of n-type group III nitride-based semiconductor, a light emitting layer 105 of III nitride semiconductor, and a p-type upper barrier layer 106 sequentially on a crystal substrate 101.例文帳に追加

結晶基板１０１上に、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなる下部障壁層１０４とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層１０５とｐ形の上部障壁層１０６とを順次積層したｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の発光部を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、上部障壁層を、ｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体とする。 - 特許庁

In the adhesive tape for processing wafer having a radiation curable adhesive layer on a base material resin film, the adhesive force of the adhesive layer in the adhesive tape to the silicon wafer mirror surface is 2.0-35 N/25 mm before radiation curing, and the pure water contact angle of the adhesive layer surface is 85° or more.例文帳に追加

基材樹脂フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有するウェハ加工用粘着テープであって、該粘着テープにおける粘着剤層のシリコンウェハミラー面に対する放射線硬化前の粘着力が２．０〜３５Ｎ／２５ｍｍで、かつ粘着剤層表面の純水接触角が８５°以上であることを特徴とする脆性ウェハ加工用粘着テープである。 - 特許庁

In the strong adhesive gas barrier transparent film in which at least a transparent inorganic thin film layer is laminated via a transparent primer layer onto at least one side of a thermoplastic polymer film, the transparent primer layer is characterized in that existence of C, N, O, and Si is confirmed by ESCA analysis (analysis conditions: X-ray source monochrome AlKα, X-ray output 30 W).例文帳に追加

熱可塑性高分子フィルムの少なくとも片面に、透明プライマー層を介して透明無機薄膜層が少なくとも積層されている強密着ガスバリア透明フィルムであって、透明プライマー層は、ＥＳＣＡ分析（分析条件：Ｘ線源モノクロＡｌＫα、Ｘ線出力３０Ｗ）により、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉの存在が確認されるものであることを特徴とする。 - 特許庁

Based upon addresses of PHY layer devices 102-1 to 102-n incapable of receiving ATM cell data, an ATM layer device 101 retrieves addresses of cell transmission units 103-1 to 103-m and when the ATM layer device 101 transmits addresses to the cell transmission units 103-1 to 103-m through an ATM switch 104, the retrieved addresses are masked and transmitted.例文帳に追加

ＡＴＭセルデータを受信することができないＰＨＹレイヤデバイス１０２−１〜１０２−ｎのアドレスに基づいて、セル送信部１０３−１〜１０３−ｍのアドレスがＡＴＭレイヤデバイス１０１にて検索され、ＡＴＭレイヤデバイス１０１からＡＴＭスイッチ１０４を介してセル送信部１０３−１〜１０３−ｍへアドレスが送信される際に、検索されたアドレスがマスクされて送信される。 - 特許庁

A p electrode 6 as one electrode in a pair of electrodes brought into contact with each of the n-type nitride semiconductor layer 3 and the p-type nitride semiconductor layer 5 consists of a transparent electrode including a transparent metallic layer 61 formed of a metal material whose optical absorption coefficient to the ultraviolet light having the luminescent wavelength is ≤5×10^4 cm^-1.例文帳に追加

ｎ形窒化物半導体層３およびｐ形窒化物半導体層５それぞれに接触する一対の電極のうちの一方の電極であるｐ電極６が、発光波長の紫外光に対する光吸収係数が５×１０^４ｃｍ^−１以下である金属材料により形成された透明金属層６１を有する透明電極からなる。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a light-transmitting photoelectric conversion element including an n-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer; a voltage conversion element which overlaps with the photoelectric conversion element and which has an oxide semiconductor film in a channel formation region; and a conductive element which electrically connects the photoelectric conversion element and the voltage conversion element.例文帳に追加

透光性を有し、ｎ型半導体層、真性半導体層、及びｐ型半導体層を有する光電変換素子と、当該光電変換素子と重畳し、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有する電圧変換素子と、当該光電変換素子及び電圧変換素子を電気的に接続する導電素子とを有する光電変換装置に関する。 - 特許庁

The ink jet direct drawing process is used to form an active layer island comprising a laminate of a silicon semiconductor layer SI and an n+ contact layer NS, in addition to introducing the ink jet direct drawing process into any one of processes of a source electrode SD1 and a drain electrode SD2 including gate wiring, gate electrodes GT and data wiring of the liquid crystal display panel or into several processes thereof.例文帳に追加

液晶表示パネルのゲート配線とゲート電極ＧＴ、データ配線を含めたソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２の何れかの工程、又はそれらの幾つかの工程にインクジェット直描プロセスを導入することに加えて、シリコン半導体層ＳＩとｎ＋コンタクト層ＮＳの積層からなる能動層アイランドの形成にインクジェット直描プロセスを用いる。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor obtained by successively stacking an undercoat layer and a photosensitive layer on an electrically conductive substrate, the undercoat layer is formed by applying a coating liquid containing an alcohol-soluble polyamide resin and titanium dioxide prepared using a mixed solvent comprising 20-60 wt.% methanol, 10-40 wt.% n-butanol and 20-60 wt.% dichloromethane.例文帳に追加

導電性基体上に下引き層と感光層とを順次積層してなる電子写真用感光体において、前記下引き層が、アルコール可溶性ポリアミド樹脂と二酸化チタンとを含有し、かつ、メタノール２０〜６０重量％と、ｎ−ブタノール１０〜４０重量％と、ジクロロメタン２０〜６０重量％とからなる混合溶剤を用いて調製された塗布液を塗布して形成されている。 - 特許庁

In this radiographic image conversion panel having a phosphor layer comprising a storage phosphor particle and a binder, a light transmittance T of the phosphor layer in a light emission peak wavelength of the storage phosphor particle, and total particle number N (particles/cm^2) per a unit area of the phosphor particles in the phosphor layer satisfy the following relation.例文帳に追加

蓄積性蛍光体粒子と結合剤とからなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、蓄積性蛍光体粒子の発光ピーク波長における該蛍光体層の光透過率Ｔと、該蛍光体層における蛍光体粒子の単位面積当りの総粒子数Ｎ（個／ｃｍ^2）とが、下記の関係式を満足する放射線像変換パネル。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate is manufactured by forming a CaN compound semiconductor layer 3 on a Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 by epitaxial growth via an interposed reactive layer 2, containing at least one of B, Zr, and Ti from the Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 and at least one of Ga and N from the CaN compound semiconductor layer 3.例文帳に追加

化合物半導体基板は、Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体層３を、間にＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１からのＢ，Ｚｒ，Ｔｉの少なくとも１種と、ＧａＮ化合物半導体層３からのＧａ及びＮの少なくとも１種とを含む反応層２を介在させてエピタキシャル成長させた。 - 特許庁

Moreover, an n+ source region 6 is formed in the layer 3, in such a way that the region 6 is involed in the region 5 and is exposed to the surface of the layer 3 and an insulating gate 8 is formed on the region 5, which is interposed between the regions 4 and 6 on the surface of the layer 3 via a gate oxide film 7 of a thin film thickness.例文帳に追加

また、ｐ型ウェル領域５に内包され、半導体層３の表面に露出するように半導体層３内にｎ＋型ソース領域６が形成されており、半導体層３表面における、ｎ＋型ドレイン領域４とｎ＋型ソース領域６との間に介在するｐ型ウェル領域５上には、薄い膜厚のゲート酸化膜７を介して絶縁ゲート８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a diffused layer 25 of a P-type high concentration impurities formed on an N type well 21, a diffused layer 26 of a P-type intermediate concentration impurities, which is adjacent to this layer 25 and formed so as to enclose surroundings thereof, and an element isolation region 22 formed so as to enclose the layers 25, 26.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、Ｎ型のウェル２１表面に形成されたＰ型の高濃度不純物拡散層２５と、これに隣接しかつ周囲を囲むように形成されたＰ型の中濃度不純物拡散層２６と、高濃度Ｐ型不純物拡散層２５および中濃度Ｐ型不純物拡散層２６を囲むように形成された素子分離領域２２とを備える。 - 特許庁

An HEMT1 is provided with a channel layer 119 made of group III nitride, essentially containing Ga and a pair of n-type doped electron supply layers 110 that are arranged on both sides of the channel layer 119 in the layer- thickness direction, are larger in conductor bottom energy than the channel layers 119, and are made of group III nitride essentially containing Ga.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１は、Ｇａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物からなるチャネル層１１９と、該チャネル層１１９の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞれチャネル層１１９よりも伝導体底エネルギーが高く、かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構成され、ｎ型にドープされた１対の電子供給層１１０を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the organic photoreceptor having at least an intermediate layer and a photosensitive layer stacked on a conductive support, the intermediate layer contains n-type semiconductive particles heat-treated in a treatment chamber at 40-90°C and 60-95% RH for ≥3 h after surface treatment with a polymer including a methylhydrogensiloxane unit.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも中間層及び感光層を積層する有機感光体において、該中間層が、メチルハイドロジェンシロキサン単位を含む重合体で表面処理を施された後、温度４０〜９０℃、かつ湿度６０〜９５ＲＨ％の処理室内で、少なくとも３時間以上熱処理されたＮ型半導性粒子を含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

In other words, the photoelectric conversion element is composed by arranging two of the semiconductor electrodes by facing the surfaces of the semiconductor electrodes to each other through the electrolyte layer abutting on them, and is characterized in that one of the semiconductor electrodes has the metal oxide semiconductor layer having n-type conductivity and the other semiconductor electrode has the metal oxide semiconductor layer having p-type conductivity.例文帳に追加

更に、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した光電変換素子であって、一方の半導体電極がｎ型伝導性の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極がｐ型伝導性の金属酸化物半導体層を有することを特徴とする光電変換素子である。 - 特許庁

A BTO ferroelectric thin film 36 is grown epitaxially on an Si substrate 31 through the intermediary of a lower electrode, and an SRO upper electrode 37 is formed on the ferroelectric thin film 36 for the formation of a ferroelectric capacitor, where the lower electrode is formed of a three- layered epitaxial film composed of a (Ti, Al) N film layer 33, an Ir layer 38, and an SOR layer 365.例文帳に追加

Ｓｉ基板３１上に下部電極を介してＢＴＯ強誘電体薄膜３６がエピタキシャル成長され、強誘電体薄膜３６上にＳＲＯ上部電極３７が形成された強誘電体キャパシタにおいて、下部電極を、Ｓｉ基板３１側から（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜層３３，Ｉｒ層３８，ＳＲＯ層３５の３層構造のエピタキシャル膜で形成した。 - 特許庁

The method is characterized as the recording layer of the optical information recording medium contains phthalocyanine inductor, is formed with a solvent coating, has an index of a refraction (n) of 1.5<n<1.9, has an extinction coefficient (k) of 0.03<k<0.30, and has a light reflex layer of a metal composition on its surface.例文帳に追加

波長４５０ｎｍ以下のレーザー光照射により光情報記録媒体に情報を記録する光情報記録方法であって、前記光情報記録媒体の記録層がフタロシアニン誘導体を含有し且つ溶剤塗布により形成され、前記記録層の屈折率（ｎ）が１．５＜ｎ＜１．９であり、消衰係数（ｋ）が０．０３＜ｋ＜０．３０であり、前記記録層上に金属からなる光反射層を有することを特徴とする光情報記録方法である。 - 特許庁

In the heat sensitive recording material having a heat sensitive color developing layer including an electron donative colorless dye, an electron acceptive compound and a sensitizer on a support, the heat sensitive color developing layer includes 2-anilino-3-methyl-6-(N-ethyl-N-p-benzyl) aminofluoran as the electron donative colorless dye and 4-hydroxybenzene sulfonanilide as the electron acceptive compound.例文帳に追加

支持体上に、電子供与性無色染料と電子受容性化合物と増感剤とを含有する感熱発色層を有する感熱記録材料であって、前記感熱発色層が、電子供与性無色染料として２−アニリノ−３−メチル−６−（Ｎ−エチル−Ｎ−ｐ−ベンジル）アミノフルオランを含有し、かつ、電子受容性化合物として４−ヒドロキシベンゼンスルホンアニリドを含有することを特徴とする感熱記録材料である。 - 特許庁

The optical sensor has an MQW structure formed such that a plurality of GaAs layers 22 having quantum well potentials and a plurality of AlGaAs layers 23 having potential barriers against quantum wells are alternately grown on an n-GaAs layer 21 and an n-GaAs layer 24 for ensuring a good connection to In bumps 15 is formed as an uppermost layer.例文帳に追加

本発明の光検知装置におけるＭＱＷ構造は、ｎ−ＧａＡｓ層２１上に量子井戸ポテンシャルを有するＧａＡｓ層２２と量子井戸に対するポテンシャルの障壁を有するＡｌＧａＡｓ層２３とを交互に複数積層成長させ、最上層にＩｎバンプ１５との良好な接続を確保するためのｎ−ＧａＡｓ層２４が形成されてなり、各ＡｌＧａＡｓ層２３には、ＧａＡｓ層２２から見たＧａＡｓ基板１１側の界面に選択的にｎ^+型不純物２５、一般的にＳｉが選択的にドーピングされている。 - 特許庁

The glazing comprises at least one transparent substrate provided with the laminated body consisting of an alternation of n functional layers having reflection properties in the infrared and/or the solar radiation range and of n+1 coatings composed of one or more layers made of a dielectric, so that each functional layer is placed between two coatings.例文帳に追加

赤外線及び／又は太陽光照射領域において反射特性のｎ個の機能層と、１又は複数の誘電体層で構成されるｎ＋１個のコーティングとの交互の層からなる積層体、従って各機能層が２つのコーティングの間に配置されている積層体を備えた少なくとも１つの透明な基材を含むグレージングとする。 - 特許庁

In the developer for processing the silver halide photographic plate which has on a glass support at least a layer of silver halide emulsion and a method for processing it, pH is kept between 9 or more and less than 11, and static surface tension 40×10^-5 N/cm to 65×10^-5 N/cm.例文帳に追加

ガラス支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀写真乾板を処理するための現像剤が、ｐＨ９以上１１未満であり、静的表面張力が４０×１０^−５Ｎ／ｃｍ〜６５×１０^−５Ｎ／ｃｍであることをを特徴とするハロゲン化銀写真乾板用現像剤及びその処理方法。 - 特許庁

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

The ZnO buffer layer 3 having small specific resistance is grown on a conductive Si substrate 2, and n-type GaN, n-type AlGaN, InGaN (light emitting), p-type AlGaN, and p-type GaN layers 4, 5, 6, 7, and 8 are successively grown, thus forming the semiconductor light emitting device 1 having double hetero junction structure.例文帳に追加

導電性Ｓｉ基板２の上に比抵抗の小さなＺｎＯバッファ層３を成長させ、ＺｎＯバッファ層３の上に順次ｎ型ＧａＮ層４、ｎ型ＡｌＧａＮ層５、ＩｎＧａＮ層（発光層）６、ｐ型ＡｌＧａＮ層７、ｐ型ＧａＮ層８を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子１を形成する。 - 特許庁

The cleaning blade 62 which comes into contact with the surface of a photoreceptor 3 being a member to be cleaned, to remove toner being powder from the photoreceptor 3 comprises a strip-like elastic body blade 622 and the surface layer 623 covering the front end ridge part 62c of the elastic body blade 622 and having a Martens hardness of 100[N/mm2] to 300[N/mm2].例文帳に追加

被清掃部材である感光体３の表面に当接して、感光体３から粉体であるトナーをクリーニングするクリーニングブレード６２において、短冊形状の弾性体ブレード６２２と、弾性体ブレード６２２の先端稜線部６２ｃを覆い、マルテンス硬度が１００［Ｎ／ｍｍ２］以上３００［Ｎ／ｍｍ２］以下である表面層６２３とで構成する。 - 特許庁

Then the semiconductor laser layer 3 includes a light projection surface 20a, and inclined surfaces 20c and 20d extending near the light projection surface 20a obliquely at an angle θ1 (=about 62°) with respect to a [1-100] direction perpendicular to the principal surface of the n-type GaN substrate 1 while having an acute angle to the principal surface of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

そして、半導体レーザ素子層３は、光出射面２０ａと、光出射面２０ａの近傍に、ｎ型ＧａＮ基板１の主表面と鋭角をなしながらｎ型ＧａＮ基板１の主表面に垂直な［１−１００］方向に対して角度θ_１（＝約６２°）だけ傾斜して延びる傾斜面２０ｃおよび２０ｄとを含んでいる。 - 特許庁