「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

In the n-type current block layer, a current injection part 108a which is a first opening and a current shutoff part 108b which is a second opening are formed, and the p-type light guide layer 111 is also formed in the current injection part 108a and the current shutoff part 108b.例文帳に追加

ｎ型電流ブロック層には、第１の開口部である電流注入部１０８ａと第２の開口部である電流遮断部１０８ｂとが形成されており、ｐ型光ガイド層１１１は、電流注入部１０８ａ及び電流遮断部１０８ｂにも形成されている。 - 特許庁

In an IGBT with a built-in FWD, a trench 21 which is a dummy trench reaching an N-type drift layer 11 through a P-type diffusion layer 20 is formed at the same pitch and depth as an IGBT part 1 in a region except the IGBT part 1 and an FWD part 3, that is, a runner 2.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵ＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴ部１およびＦＷＤ部３以外の領域、すなわちランナー部２にＰ型拡散層２０を貫通してＮ−型ドリフト層１１に達するダミートレンチであるトレンチ２１を、ＩＧＢＴ部１と同じピッチ、深さで形成する。 - 特許庁

Since a joining portion 15A is supported with the projected portion 31, a downward force at the joining portion 15A is alleviated and the crystal alignment CX in the lateral growth region X of the n-side contact layer 15 is aligned with the crystal alignment CS of the seed crystal layer 11.例文帳に追加

突起部３１によって会合部１５Ａを支持させることによって、会合部１５Ａにおける下向きの力が緩和され、ｎ側コンタクト層１５の横方向成長領域Ｘにおける結晶方位ＣＸは、種結晶層１１の結晶方位ＣＳと同一になる。 - 特許庁

A PIN photodiode 100C has the following layers formed on a p-type substrate 110: a p-type silicon layer 112; an n-type silicon layer 114; a field oxide film 118; a silicon oxide film 120c that covers the surface of an active region; and a silicon nitride film 122c that covers the silicon oxide film 120c.例文帳に追加

ＰＩＮフォトダイオード１００Ｃは、Ｐ型の基板１１０上に、Ｐ型のシリコン層１１２、Ｎ型のシリコン層１１４、フィールド酸化膜１１８、活性領域の表面を覆うシリコン酸化膜１２０ｃと、シリコン酸化膜１２０ｃを覆うシリコン窒化膜１２２ｃとを有する。 - 特許庁

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上の表面の領域にＭＯＳＦＥＴの活性領域を分離するフィールド酸化膜２を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層５にイオン注入し熱処理を行いｎ型拡散層６を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 104ab of a driving transistor and a contact hole 109a, reaching an N-type diffusion layer 106b are formed in an interlayer film 108 covering a memory cell and a silicide layer 110, are formed selectively by silicidation, prior of forming a high resistance load thereon by growing polysilicon.例文帳に追加

メモリセルを覆う層間膜１０８に、駆動用トランジスタのゲート電極１０４ａｂと、Ｎ型拡散層１０６ｂに達する接続孔１０９ａを形成し、シリサイデーションを行って選択的にシリサイド層１１０を形成し、その上にポリシリコンを成長して高抵抗負荷を形成する。 - 特許庁

The effective carrier lifetime in the p-type a-Si layer 5 and the n-type a-Si layer 7 is drastically reduced, thereby the optical modulator can respond to frequency higher than by one digit or more compared with a conventional carrier injection type optical modulator having a pin diode structure without a drain.例文帳に追加

ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 - 特許庁

A first MOSFET comprises a first n-type gate electrode 13A, formed on a first gate insulating film 12 of a relatively thin film thickness, while a first lightly-doped layer 18 is provided on the channel region side of a first heavily-doped impurity layer 24.例文帳に追加

第１のＭＯＳＦＥＴは、相対的に小さい膜厚を持つ第１のゲート絶縁膜１２の上に形成された第１のｎ型ゲート電極１３Ａを有すると共に、第１の高濃度不純物層２４のチャネル領域側に第１の低濃度不純物層１８を有している。 - 特許庁

After the backside polishing, a collector electrode 31 made of e.g. aluminum forms an ohmic junction with the p^- lightly-doped collector layer 11, and the n^+ collector short-circuited region 13, dispensing with the ion implantation and heat treatment for separately forming a collector contacting high-concentration layer.例文帳に追加

裏面研削後、例えばアルミニウム等から成るコレクタ電極３１によって、ｐ^−低濃度コレクタ層１１及びｎ^＋コレクタ短絡領域１３とオーミック接合が形成されるので、コレクタコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

By containing 9% or more Cr, the wear resistance of the Fe-N layer 20 and the nitrogen-diffused layer 21 is increased, and by setting the porosity 15% or less, the dimensional deformation is reduced, the possibility of occurrence of the lowering the the strength by nitriding is reduced, and the possibility of brittleness is also reduced.例文帳に追加

Ｃｒ量を９％以上としたことにより、Ｆｅ−Ｎ層２０、窒素拡散層２１の耐摩耗性が向上し、また空孔率を１５％以下にしたことにより、寸法歪みが小さくなり、窒化による強度低下の発生が低減され、脆化も低減される。 - 特許庁

In a region with a given length from each edge face of the semiconductor laser element 100, a part with a given depth from the p-type contract layer 9 to the n-type GaN layer 4 is removed by etching to form a step part 300 with a flat side face 41 and a bottom face 42.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００の両端面から所定幅の領域においてｐ−コンタクト層９からｎ−ＧａＮ層４の所定深さまでがエッチングにより除去され、平坦な側面４１および底面４２を有する段差部３００が形成されている。 - 特許庁

The MOSFET is a non-punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at an end (channel formation region 3b or terminal region 5), a part having a longer trailing pattern of an p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than a center part (body region 3a).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはノンノンパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）に中央部（ボディ領域３ａ）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

This lithium ion secondary battery 20 has a winding group 6 formed by winding a positive electrode P prepared by forming a positive mix layer containing lithium manganate on an aluminum foil 17; a negative electrode N prepared by forming a negative mix layer containing amorphous carbon on an electrolytic copper foil, and a separator S.例文帳に追加

円筒型リチウムイオン二次電池２０は、マンガン酸リチウムを含有する正極合剤層をアルミニウム箔１７上に形成した正極Ｐと、非晶質炭素を含有する負極合剤層を電解銅箔上に形成した負極Ｎと、セパレータＳとを捲回した捲回群６を備えている。 - 特許庁

The multilayered photoelectric transfer device has a lamination structure, which comprises (a) a first photoelectric transfer layer having a titanium oxide coating electrode, electrolyte and paired electrodes; and (b) a second photoelectric transfer layer having a positive and negative electrode on both faces of a silicon substrate having a p-n junction.例文帳に追加

（ａ）酸化チタン被着電極、電解質および対電極部を有する第一の光電変換層と、（ｂ）ｐ−ｎ接合を有するシリコン基板の両面に正負電極部を有する第二の光電変換層との積層構造を有する多層型光電変換装置。 - 特許庁

The thermal transfer receiving sheet has a sheet-like support and a receiving layer containing a dyable resin as a main ingredient formed on one face of the support, in which the receiving layer contains an acrylic acid polyoxyalkylene compound/an acrylic acid N-perfluoroalkylsulfonyl amino compound copolymer.例文帳に追加

シート状支持体と、その少なくとも一面上に形成され、かつ染着性樹脂を主成分とする受容層とを有し、前記受容層がアクリル酸ポリオキシアルキレン化合物／アクリル酸Ｎ−パーフルオロアルキルスルホニルアミノ化合物共重合体を含有する熱転写受容シート。 - 特許庁

This easy tear biaxially stretched polyester film excellent in adhesiveness is characterized in that its adhesive layer comprises a layer having crystallinity composed of a mixture of a crystalline polyester resin and an amorphous polyester resin and its thrust strength is 2.0-8.0 N.例文帳に追加

フィルムの接着層が結晶性ポリエステル樹脂と非晶性ポリエステル樹脂の混合物からなる結晶性を有する層からなり、フィルムの突き刺し強度が２．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であることを特徴とする接着性に優れた易引き裂き性２軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

An adhesive sheet for water jet laser dicing is configured by laminating an adhesive layer on a base film, wherein the adhesive constituting the adhesive layer is an energy radiation curing type adhesive, and the adhesive sheet has adhesive strength of at least 1.5 N/20 mm.例文帳に追加

基材フィルム上に粘着剤層が積層されてなるウォータージェットレーザダイシング用粘着シートであって、粘着剤層を構成する粘着剤はエネルギー線硬化型粘着剤であり、粘着シートは１．５Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着強さを有するウォータージェットレーザダイシング用粘着シート。 - 特許庁

Further, an electrode formation region of the potential reduction layer 14 deposited is selectively implanted with phosphorus ion, and the potential reduction layer 14 doped with phosphorus is subjected to a heat treatment at a temperature of about 1,000 °C to activate an n-type dopant doped.例文帳に追加

続いて、堆積したポテンシャル低減層１４の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層１４に対して約１０００℃の温度で熱処理を施して、注入されたｎ型のドーパントを活性化する。 - 特許庁

Around a laser light emission plane 34 of the surface-emitting semiconductor laser, electrodes 26 connected to an n-type semiconductor layer of the surface-emitting semiconductor laser, and electrodes 35 connected to a p-type semiconductor layer of the light detecting element, are alternately formed.例文帳に追加

面発光型半導体レーザから射出されるレーザ光の射出面３４の周囲には、面発光型半導体レーザが備えるｎ型の半導体層に接続される電極２６と、光検出素子が備えるｐ型の半導体層に接続される電極３５とが交互に形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, an n-type silicon layer 2a is formed by an epitaxial growth, and a CoSi2 layer 6 and a silicon oxide film 7 are formed additionally.例文帳に追加

半導体基板１上にｎ型シリコン層２ａをエピタキシャル成長により形成し、さらに、ＣｏＳｉ_2層６および酸化シリコン膜７を形成した後、シリコン層２ａの中央部に開口部８を形成し、開口部８内にタングステン膜等を埋め込むことによりゲート電極１０ａを形成する。 - 特許庁

In a process for growing a first nitride compound semiconductor layer in which a nitride semiconductor substrate is doped with n-type impurities, the main surface of the nitride semiconductor substrate is partially heavily doped and the first semiconductor layer is grown.例文帳に追加

本発明では、窒化物半導体基板上にｎ型不純物をドーピングした第１の窒化物化合物半導体層を成長する工程において、窒化物半導体基板の主面を部分的に前記不純物で高濃度化した後に第１の半導体層を成長する。 - 特許庁

Then, a source-drain electrode 5 is provided to the pair of p^+-type contact layers 4 in ohmic contact, and a gate electrode 6 is provided on the exposure surface of an n^+-type contact layer 2, provided on the lower side of the channel layer 3 in ohmic contact, thus forming the junction FET.例文帳に追加

そして、一対のｐ^+型コンタクト層４上にオーミックコンタクトするようにソース・ドレイン電極５が設けられ、チャネル層３の下側に設けられるｎ^+型コンタクト層２の露出面上にオーミックコンタクトするようにゲート電極６が設けられることにより、接合型ＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

A primary coating layer comprising a black polyamide resin and a secondary coating layer comprising a colored polyamide resin are successively formed on the outside of a plastic optical fiber in such a way as to ensure ≥98 N adhesive strength of the primary and secondary coating layers in 30 mm coating length.例文帳に追加

プラスチック光ファイバの外側に、黒色ポリアミド樹脂からなる一次被覆層と、一次被覆層の外側に着色ポリアミド樹脂からなる二次被覆層を、３０ｍｍ被覆長における一次被覆層と二次被覆層との密着強度が９８Ｎ以上となるように形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 20 has a p-n junction that prevents flow of leakage current from the lower electrode 8 to the surface electrode 7, and the semiconductor layer 20 constitutes a reverse preventing means for preventing the flowing, of the leakage current, from the lower electrode 8 to the surface electrode 7.例文帳に追加

半導体層２０は、下部電極８から表面電極７へリーク電流が流れるのを阻止するｐｎ接合を有しており、半導体層２０が、下部電極８から表面電極７へリーク電流が流れるのを阻止する逆阻止手段を構成している。 - 特許庁

The semiconductor device refers to a triac, a protective film 31 is formed on a chip surface including a main electrode 1, and openings 31a, 31b for wire bonding used to expose surfaces of electrodes 3, 5 corresponding to a P-layer and an N-layer are formed in prescribed positions on the protective film 31.例文帳に追加

この半導体装置はトライアックであり、主電極１を含むチップ表面上に保護膜３１が設けられ、その保護膜３１の所定位置にＰ層、Ｎ層に対応する電極部３，５の表面を露出させるワイヤーボンディング用の開口部３１ａ，３１ｂが設けられている。 - 特許庁

A p-type layer 21 with impurity concentration similar to that of the p-well region 111 of the substrate body 110 is formed from the surface 113 of the body 110 to a predetermined height in the protrusion 120, and an n-type layer 22 is formed in a higher part.例文帳に追加

突出部１２０において、基板本体部１１０の表面１１３から所定高さまでは基板本体部１１０のＰウェル領域１１１と同様の不純物濃度のＰ型層２１が形成され、それ以上の高さ部分にはＮ型層２２が形成されている。 - 特許庁

A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＳｉＯ_2よりなるマスク８を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第２クラッド層６およびコンタクト層７を形成し、続いてＭＯＣＶＤ法により、マスク８を利用して、ｎ型Ａｌ_y2Ｇａ_(1-y2)Ａｓである光閉じ込め層１０を、リッジ部１２の両側に選択的に形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a first insulating film 3 on an n-type high concentration substrate 1 after growing an I-layer 2 having a relatively low impurity concentration on the main surface of the substrate 1, and exposing the I-layer 2 in a peripheral portion by removing an unnecessary portion of the film 3.例文帳に追加

ｎ型高濃度基板１の主面上に相対的に不純物濃度が低いＩ層２を成長させた後、ｎ型高濃度基板１上に第１絶縁膜３を形成し、第１絶縁膜３の不要部分を除去して、周辺部分のＩ層２を露出させる。 - 特許庁

In the polyester laminated film formed of at least two layers such as a layer substantially without molecular orientation and a layer substantially with molecular orientation, the index of refraction Nz, in the thickness direction, of the polyester laminated film is not lower than 1.480 and the piercing strength of the film is not more than 8.0 N.例文帳に追加

実質的に分子配向がない層と分子配向を有する層の少なくとも２層からなるポリエステル系積層フィルムであって、該ポリエステル系積層フィルムの厚み方向の屈折率Ｎｚが１．４８０以上、突刺し強度が８．０Ｎ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A high breakdown voltage semiconductor device of high reliability with small fluctuation of the pressure resisting feature can be provided by providing a floating resurf layer on a source side and an n-type electric field relaxation layer on a drain side and means for relaxing simultaneous electric field concentration in a source region and a drain region.例文帳に追加

ソース側にフローティングリサーフ層とドレイン側にｎ型の電界緩和層を設けソースおよびドレイン領域での電界集中を同時に緩和させる手段を設けることで、耐圧特性の変動が少ない高信頼の高耐圧半導体装置が提供できる。 - 特許庁

If a Vcc is supplied to the n-type semiconductor lower layer 105a, a pn joint normal current does not run in the p-type semiconductor upper layer 105b, even when the potential is made to vary from the ground potential to Vcc, the structure can be made to function as a signal wiring.例文帳に追加

ｎ型半導体下部層１０５ａにＶｃｃを供給した場合には、ｐ型半導体上部層１０５ｂは、グランド電位からＶｃｃまで電位を変動させても、ｐｎ接合順方向電流は流れないので、信号配線として機能させることができる。 - 特許庁

Afterwards, a metal film is formed on the surface protecting film 7 including the inside of the opening 8, and the metal film is patterned, thereby forming an anode electrode 9a in contact with the p-type diffusion layer 6 and an outer peripheral electrode 9b in contact with the n-type epitaxial layer 2 exposed in the outer periphery of the chip.例文帳に追加

その後、開口部８の内部を含む表面保護膜７上にメタル膜を成膜し、メタル膜をパターニングすることによって、ｐ型拡散層６に接するアノード電極９ａおよびチップの外周部に露出したｎ型エピタキシャル層２に接する外周電極９ｂを形成する。 - 特許庁

Thus, in the surface channel layer 5, by making the impurity concentration low near the gate oxide film 7 which effectively reduces R channel and making the impurity concentration high near the surface section of the n^--type epitaxial layer 2 which influences Racc-drift, resistance components of (R channel + Racc-drift) can be reduced effectively.例文帳に追加

このように、表面チャネル層５のうち、Ｒchannelを効果的に低減するゲート酸化膜７の近傍の不純物濃度を低くし、Ｒacc-driftに影響のあるｎ^-型エピ層２の表面部近傍の不純物濃度を高くすることで、Ｒchannel＋Ｒacc-driftの抵抗成分を効果的に低減できる。 - 特許庁

A conductive composition contains silver powder, nonlead glass power containing Bi_2O_3, B_2O_3, ZnO, and alkaline-earth metal oxide, and a vehicle made of an organic substance, and forms the electrode 13 which penetrates a silicon nitride layer 11 to be electrically connected to an n-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

導電性組成物は、銀粉末と、Ｂｉ_2Ｏ_3，Ｂ_2Ｏ_3，ＺｎＯ及びアルカリ土類金属酸化物を含む無鉛ガラス粉末と、有機物からなるビヒクルとを含み、窒化ケイ素層１１を貫通してｎ型半導体層１２と導通する電極１３を形成する導電性組成物である。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has an approximately spherical shape, where a p-type amorphous SiC (abbreviated as a-SiC) layer 8 having a wider optical bandgap than that of an amorphous Si (abbreviated as a-Si) is coated on the outer surface of an n-type a-Si layer 7 at a center side, and thereby a PN-junction is formed.例文帳に追加

光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のｎ形アモルファスＳｉ（略称ａ−Ｓｉ）層７の外周面上に、ａ−Ｓｉよりも光学的バンドギャップが広いｐ形アモルファスＳｉＣ（略称ａ−ＳｉＣ）層８を被覆し、ｐｎ接合を構成する。 - 特許庁

The diode (20) is formed so as to be brought into contact with the channel region 11 of the thin-film transistor 10 and constituted, so that a p^+-type semiconductor layer 34 (anode) is connected to the channel region 11 and an n^+-type semiconductor layer 34 (cathode) is connected to the gate electrode 15 via body electrode 25.例文帳に追加

ダイオード２０の部分は、薄膜トランジスタ１０のチャネル領域１１に接するように形成され、ｐ＋型半導体層３４（アノード）がチャネル領域１１に接続され、ｎ^＋型半導体層３４（カソード）が、ボディ電極２５を介してゲート電極１５に接続されている。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

For instance, a conductive n^+-type AlGaN layer of the high impurity concentration (Al composition >0) and an AlBGaN layer of the low impurity concentration (Al composition ≥0; B composition ≥0) are sequentially formed on the surface of the conductive SiC substrate, and the ohmic electrode is formed on the back of the conductive SiC substrate.例文帳に追加

例えば、導電性ＳｉＣ基板の表面上に不純物濃度の高い導電性のｎ^＋型ＡｌＧａＮ層（Ａｌ組成＞０）と、不純物濃度の低いＡｌＢＧａＮ層（Ａｌ組成≧０、Ｂ組成≧０）を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成する。 - 特許庁

An Inverter 100 is constituted of a P-MOS transistor 102 and an N-MOS transistor 130 being serially connected between a power source voltage wiring layer 110 and an earth voltage wiring layer 112, and the gate electrodes 120C and 130C to which an input signal IN is commonly inputted.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２０と、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１３０とが、電源電圧配線層１１０，接地電圧配線層１１２間に直列に接続され、そのゲート電極１２０Ｃ，１３０Ｃに入力信号ＩＮを共通に入力させることで、インバータ１００が構成される。 - 特許庁

The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、中央部（コンタクト領域３ｃ）に端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

The thickness of the recording layer formed on a groove part 7 is larger than the thickness of the recording layer formed on a land part 8, and the thicknesses are adjusted so as to obtain a high C-N ratio from both recording marks separately formed on the land part and the groove part.例文帳に追加

ランド部８上に形成される記録層の膜厚よりもグルーブ部７上に形成される記録層の膜厚の方が厚く、それらの膜厚は、ランド部及びグルーブ部にそれぞれ形成した記録マークから共に高Ｃ／Ｎ比が得られるようにそれぞれ調整される。 - 特許庁

Second layer gate oxide films 17 of silicon oxide, control gate electrodes 18 formed of n-type polysilicon and upper protective insulating films 19 are formed in sequence respectively on the floating gate electrodes 16 and above the first layer gate oxide films 15.例文帳に追加

フローティングゲート電極１６の上における第１層ゲート酸化膜１５の上方の領域には、酸化シリコンからなる第２層ゲート酸化膜１７、ｎ型ポリシリコンからなるコントロールゲート電極１８及び酸化シリコンからなる上部保護絶縁膜１９が順次形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with the NPN and PNP transistors on the same substrate, n^+ type buried layer 4 is formed on an NPN formation area forming the NPN transistor and an PNP formation area forming the PNP transistor, and a p^+ type buried layer is not formed.例文帳に追加

同一基板上にＮＰＮ及びＰＮＰトランジスタが備えられた半導体装置において、ＮＰＮトランジスタが形成されるＮＰＮ形成領域とＰＮＰトランジスタが形成されるＰＮＰ形成領域とにｎ^+型埋込み層４を形成し、ｐ^+型埋込み層は形成しない。 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer includes a p-type conductive nitride semiconductor containing group IV impurity atoms as an acceptor, or at least a p-type conductive nitride semiconductor layer containing a group IV impurity as an acceptor and an n-type conductive nitride semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加

IV族の不純物原子をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体、又は基板上に、IV族の不純物をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体層と、ｎ型伝導性の窒化物半導体層を少なくとも有する窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁