「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

In an organic photoelectric conversion element having a transparent electrode, a counter electrode, and a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed, the n-type organic semiconductor material of the bulk heterojunction layer is a composition where a crystalline fullerene derivative and an amorphous fullerene derivative are mixed at a ratio of 1:99 to 99:1.例文帳に追加

透明電極、対電極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のｎ型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、１：９９〜９９：１の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

The spare element region has p-channel transistor regions 111 to 113, n-channel transistor regions 121 to 123, a plurality of gate electrodes 131 to 134 and 141 to 144 prepared on the p-channel transistor regions and n-channel transistor regions, bypass wires 151 to 155 formed on a wiring layer higher than the gate electrodes, and a principal wiring layer located still higher than the bypass wiring.例文帳に追加

予備素子領域は、Ｐチャンネルトランジスタ領域１１１〜１１３と、Ｎチャンネルトランジスタ領域１２１〜１２３と、Ｐチャンネルトランジスタ領域上及びＮチャンネルトランジスタ領域上に設けられた複数のゲート電極１３１〜１３４、１４１〜１４４と、ゲート電極よりも上層の配線層に形成されたバイパス配線１５１〜１５５と、バイパス配線よりも上層に位置する主配線層とを備える。 - 特許庁

In addition, the concentration of the center 221 is higher than that of a side 222 close to a junction surface with the p-type semiconductor area 210 of the parallel pn junction layer 2, with respect to an impurity concentration in the horizontal direction in the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２２０内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部２２１の濃度を、ｐ型半導体領域２１０との接合面に近い側部２２２の濃度よりも高くする。 - 特許庁

Because both of the n type inversion part 35 and the p+ type electric circuit 36 are formed in the vicinity of the surface layer of the p type frame part 30 in injection of impurity, the smoothness degree is extremely good, and projection and collapse may be neglected.例文帳に追加

不純物の注入は、ｎ型の反転部３５及びｐ^+型の電路３６ともｐ型の枠部３０の表層付近に形成されているので、その平滑度は極めて良く、隆起又は陥没は無視して良い。 - 特許庁

In this case, the P-conductive type columns PC1-PC4 and the N-conductive type columns NC1-NC4 are formed of single crystal silicon and are isolated electrically from diffusion layers having conductivity except the column layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４は、単結晶シリコンにて形成されており、コラム層１０以外の導電性を有する拡散層と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

Next, after a sacrificial oxide film is formed in this exposure region and in the interior of the trench 8 by thermal oxidation, n+ impurities are implanted as ions at an angle of 0 degree toward the front layer of the p-base 2 and a bottom part of the trench 8.例文帳に追加

つぎに、熱酸化によりこの露出領域およびトレンチ８内部に犠牲酸化膜を形成した後、 ｐベース２表層およびトレンチ８底部に向けてｎ＋不純物を０度の角度でイオン注入する。 - 特許庁

The n-type layer 12 has a channel 13 which is formed so as to extend from a second surface 12B as a surface opposite to a first surface 12A as the surface of the substrate 11 toward the first surface 12A.例文帳に追加

ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。 - 特許庁

In the magnetic circuit which imparts magnetic anisotropy in a plane radial direction of a soft magnetic backing layer 12, a magnetic field applying sections 20Aa and 20Ab are set respectively on the S pole and N pole sides of a magnetic field applying section 20A.例文帳に追加

軟磁性裏打ち層１２の面内径方向に磁気的異方性を付与する磁気回路においては、磁場印加部２０ＡのＳ極およびＮ極側にそれぞれ、磁場印加部２０Ａａおよび２０Ａｂを設ける。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive laminate has a pressure-sensitive adhesive layer on a release base material, and an initial peel force of the release base material and a peel force after the heat treatment at 270°C for 3 minutes of the release base material of 0.20-1.96 N/25 mm.例文帳に追加

剥離基材上に粘着剤層を有する粘着積層体であって、初期および２７０℃で３分間の熱処理後の剥離基材剥離力が０．２０〜１．９６Ｎ／２５ｍｍである粘着積層体。 - 特許庁

The steel cord 20 to be used in a pneumatic tire is of 1 by 5 structure, wherein the number N of wires constituting the outermost layer sheath 22 is five and the wires have diameters d1 and d2 different from each other.例文帳に追加

空気入りタイヤに用いられるスチールコード２０は、１×５の構造のコードであって、最外層のシース２２を構成する素線は、本数Ｎが５であり、かつ、互いに異なる径ｄ１、ｄ２の素線からなる。 - 特許庁

In the low-emissivity glass, an oxide film and the Ag film, formed by the film forming method, are alternately stacked to form 2n (n≥1) layers in total on a glass substrate, and an oxide film is further stacked on the Ag film of the uppermost layer.例文帳に追加

ガラス基板上に酸化物膜と前記Ａｇ膜の成膜方法でなるＡｇ膜とが交互に２ｎ（ｎ≧１）層をなし、かつ最上層のＡｇ膜の上に酸化物膜が積層されてなる低放射ガラスである。 - 特許庁

The carbon element is bonded to Si to be positive fixed charge, and the positive charge increases carrier concentration of the n-type diffusion layer 7, thereby the cell current is increased without varying a threshold of a transistor.例文帳に追加

この炭素元素は、Ｓｉと結合して正の固定電荷となっており、この正電荷によりｎ型拡散層７のキャリア濃度を高め、トランジスタのしきい値を変動させること無く、セル電流を増大させる。 - 特許庁

Especially, as the magnetic recording medium 1 can have both high coercive force and high S/N even when the magnetic layer 5 is film-formed without heating the substrate, a plastic substrate can be adopted as the substrate 2.例文帳に追加

特に、この磁気記録媒体では、基板加熱を行うことなく磁性層を成膜しても、高保磁力と高Ｓ／Ｎとを兼ね備えることができるので、基板としてプラスチック基板を採用することもできる。 - 特許庁

To make it possible to handle a specified region as a floating diffused layer, without depending upon the on-off control of the gate of a transistor in a semiconductor device constituted into a structure, wherein a plurality of regions, such as n-type regions and a p-type region, are provided on a semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型やｐ型といった複数の領域を備えてなる半導体装置において、特定の領域をトランジスタのゲートのオン／オフによらずに浮遊拡散層として取り扱い得るようにする。 - 特許庁

To provide a photoconductive element comprising a hole-ejection preventing reinforced layer allowing acquisition of a high-grade image having high sensitivity, high resolution and high S/N by suppressing dark current, and to provide an image pickup device.例文帳に追加

本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止強化層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。 - 特許庁

An ohmic contact is secured by forming the electrode 20 on the n-type nitride semiconductor layer 26, and a pn junction is short-circuited by interposing the low resistance region 24 to suppress the rise of operation voltage.例文帳に追加

ｎ型窒化物系半導体層２６上に電極２０を形成することでオーミックコンタクトを確保し、低抵抗領域２４を介在させることでｐｎ接合をショートさせ、動作電圧の上昇を抑制する。 - 特許庁

The tension member for optical cable is obtained, by forming a polyolefin resin layer having a thickness of 10-40 μm on the surface of a monofilament of thermoplastic resin, and is provided with a strength of ≥150 N and thermosensitive shrinkage of ≤3%.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなるモノフィラメントの表面に厚さ１０〜４０μｍのポリオレフィン樹脂層が形成されてなり、強力が１５０Ｎ以上、乾熱収縮率が３％以下である光ケーブル用テンションメンバー。 - 特許庁

there is an organic compound, at least in one of the electrolyte composition layer (10), the surface of the n-type semiconductor electrode (4), and the surface of the facing substrate (5).例文帳に追加

前記電解質組成物層（１０）、前記ｎ型半導体電極（４）の表面、および前記対向基板（５）の表面の少なくとも１つには、ハロゲン原子が１つのみ置換した有機化合物が存在することを特徴とする。 - 特許庁

Here, NA is the numerical aperture of the lens, (n) is the refractive index of the lens, and (d) is the thickness of the transmission layer of the optical disk.例文帳に追加

（１−Ｄ）Ａ＜Ｒ１＜（１＋Ｄ）ＡＡ＝Ｂ／ＣＢ＝０．８５ｆ（ｎ−１）Ｃ＝ｎ（０．６０８６６−０．１１・ｔ／ｆ−０．１２７２・ｄ／ｆ）（０．８３＋０．２・ＮＡ）ここに、ＮＡは当該レンズの開口数、ｎは当該レンズの屈折率、ｄは当該光ディスクの透過層の厚さである。 - 特許庁

In the group III nitride-based electron device 11, a drift layer 15 is provided on a main surface 13a and is made of an n^--type group III nitride semiconductor having a silicon concentration of less than 1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

III族窒化物系電子デバイス１１では、ドリフト層１５は主面１３ａ上に設けられており、また１×１０^１７ｃｍ^−３未満のシリコン濃度を有するｎ^−型III族窒化物系半導体からなる。 - 特許庁

When an N-type semiconductor layer is epitaxilally grown, a second gas flow F2 flowing from a second gas flow port 12 via the sequential containers 1, and zinc crucible 3 to the first gas flow port 11 is generated.例文帳に追加

Ｎ型半導体層をエピタキシャル成長させるときには、第２気体流通口１２から、処理容器１群および亜鉛壺３を順に通って第１気体流通口１１に至る第２気流Ｆ２が形成される。 - 特許庁

The P-type semiconductor film functions as a oxygen barrier layer, and thus occurrence of a phenomenon that the electrical resistance of the interconnector (N-type semiconductor) increases can be suppressed even under a condition that the interconnector is exposed to air.例文帳に追加

Ｐ型半導体膜が酸素バリア層として機能することで、インターコネクタが空気に曝される状況下でも、インターコネクタ（Ｎ型半導体）の電気抵抗が増大する現象の発生が抑制され得る。 - 特許庁

The pattern-forming material has, on its base material, a layer which includes a polymer having at least one site represented by -C(R^1)=N-O- (wherein R^1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group) in its molecule.例文帳に追加

支持体上に、−Ｃ（Ｒ^1）＝Ｎ−Ｏ−で表される部位（Ｒ^１は水素原子または１価の有機基を表す）を少なくとも１つ分子中に有するポリマーを含有する層を設けたパターン形成材料。 - 特許庁

In the disc brake rotor 1, a surface layer 12, which uses an Fe-C-N-based compound as its main material and contains dispersed hard materials harder than the cast iron, is formed on the surface of a base material 11 made of cast iron.例文帳に追加

ディスクブレーキロータ１は、鋳鉄製の母材１１の表面に、Ｆｅ−Ｃ−Ｎ系化合物を主材とし、前記鋳鉄よりも硬質の硬質材料を分散して含有する表面層１２を形成している。 - 特許庁

Besides, because the bottom surface of the trench 6 and surfaces of the outside (an n^+-type source region 4 and a p^+type contact layer 5) of the trench 6 are the Si planes, a gate oxide film 7 becomes a high-reliability film that can suppress degradation.例文帳に追加

また、トレンチ６の底部やトレンチ６の外部（ｎ^+型ソース領域４およびｐ^+型コンタクト層５）の表面がＳｉ面となるため、ゲート酸化膜７は、劣化を抑制できる信頼性の高い膜となる。 - 特許庁

In addition, the n-type impurity region and a drain electrode are provided at the outer circumference end of the chip, so that a depleted layer of a substrate can be terminated even if a conventional annular region or a shield metal is not separately provided.例文帳に追加

また、ｎ型不純物領域とドレイン電極をチップ外周端に設けることにより、従来のアニュラー領域やシールドメタルを別途も受けなくても、基板の空乏層を終端させることが可能となる。 - 特許庁

The GaP substrate is constituted of either one of a substrate having a thickness of not more than 200 μm or having recess and projection formed on the rear surface and side surface of the substrate or an n-type substrate bonded to a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そしてこのＧａＰ基板は厚さが２００μｍ以下であるか、基板の裏面及び側面に凹凸が形成されているか、あるいはｎ型基板がｐ型半導体層に接合されているかのいずれかからなる。 - 特許庁

The process release paper is constituted of a laminate of the base paper and the releasable resin layer provided on at least one surface of the base paper and the N content of the base paper is set to 10-60 weight %.例文帳に追加

工程剥離紙を、基紙と、この基紙の少なくとも一方の面に設けられた離型性樹脂層との積層体からなる構成とし、基紙のＮ材含有量を１０〜６０重量％の範囲内とする。 - 特許庁

As a result, electric field concentration at an end of the silicon oxide film 19 is reduced to suppress an increase in electric field intensity, so that a breakdown when the impurity concentration of the N type diffusion layer 12 can be prevented.例文帳に追加

その結果、シリコン酸化膜１９の端部における電界集中が緩和されて電界強度の上昇が抑制され、Ｎ型拡散層１２の不純物濃度を下げた場合のブレイクダウンが防止される。 - 特許庁

In CMOS structure, the n-type double gate MOS transistor structure and p-type double gate MOS transistor structure made of a pair are constituted by bringing each drain area into contact with one island-like semiconductor crystal layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構造では、対をなすＮ形二重ゲートＭＯＳトランジスタ構造およびＰ形二重ゲートＭＯＳトランジスタ構造が一つの島状半導体結晶層にそれぞれのドレイン領域を接して構成されている。 - 特許庁

Therefore, a depletion layer at a joint between the drift region 6 and the body region 8 can be restrained from extending to the N-type low-concentration drift region 6, so that JFET resistance can be lessened.例文帳に追加

そのため、ｎ型低濃度ドリフト領域６とｐ型ボディ領域８との接合部の空乏層が、ｎ型低濃度ドリフト領域６側へ延びるのを抑えることが可能であるので、ＪＦＥＴ抵抗を減らすことができる。 - 特許庁

One principal plane of a p-type semiconductor substrate 1a comprises a region where a first p well 2 of the same conductivity type is formed and a region where an n type epitaxial layer 4 of a different conductivity type is buried.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１ａの一主面に同一導電型の第１のｐウェル２が形成された領域と、異なる導電型のｎ型エピタキシャル層４が埋め込まれた領域を備えた構成とする。 - 特許庁

A pn junction is formed by forming an n-type diffusion layer 3 on the light receiving surface side of a p-type polysilicon substrate 2, and an antireflection film 4 and a light receiving surface silver electrode 10 are formed, respectively, on the light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型多結晶シリコン基板２の受光面側にｎ型拡散層３を形成することによりｐｎ接合を形成し、受光面には反射防止膜４および受光面銀電極１０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The n-type layer 12 has a groove 13 formed to extend from a second surface 12B as a surface on the opposite side from a first surface 12A as a surface on the side of the substrate 11 toward the first surface 12A.例文帳に追加

ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。 - 特許庁

An interface (opening portion interface) between an n type GaN cap layer 18 and opening portion 28 includes a plurality of substantially vertical surface S1 and an inclined surface S3, formed to interpolate between each surface S1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮキャップ層１８の開口部２８との界面（開口部境界面）は、複数のほぼ鉛直な面Ｓ１と、各面Ｓ１の間を補完するように形成された傾斜した面Ｓ３により構成されている。 - 特許庁

Thus, the dangling bond in the gate nitride film 4 is terminated by an Si-F combination to lower an interface level between the gate nitride film 4 and the N-type well layer 2.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート窒化膜４の中のダングリングボンドをＳｉ−Ｆ結合によって終端させることができ、ゲート窒化膜４とＮ型ウェル層２との界面における界面準位を低減することができる。 - 特許庁

The soft resin layer 13 has Martens hardness of 0.1-70 N/mm^2 measured by a super-microhardness tester under an atmosphere of 20°C of temperature and 50% of relative humidity, and also has a self-restoration nature.例文帳に追加

軟質樹脂層１３は、超微小硬さ試験装置により温度２０℃、相対湿度５０％の雰囲気下で測定したときのマルテンス硬度が０．１〜７０Ｎ／ｍｍ^２であり、かつ自己修復性を有している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an impurity atom pair of a first impurity atom 106 and a second impurity atom 107 introduced to a semiconductor layer 101 in a region between a p-type region 102 and an n-type region 103.例文帳に追加

ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挾まれた領域の半導体層１０１に導入された第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７からなる不純物原子対を備える。 - 特許庁

The first portions 10A of the channel impurity layer 10 are formed along the side faces 2S of the grooves 2 near the opened ends of the grooves 2 and positioned in source-drain layers 6, more specifically, in N+-type layers 6B.例文帳に追加

チャネル不純物層１０の第１部分１０Ａは溝２の開口端付近に溝２の側面２Ｓに沿って形成されており、ソース・ドレイン層６内に、より具体的にはＮ^+型層６Ｂ内に設けられている。 - 特許庁

A trench 6 in which a gate electrode 8 is embedded through a gate insulating film 7 is formed while dug from a surface of the epitaxial layer 3, and penetrates through the body region 5, so that a deepest portion thereof reaches the N^--type region 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が埋設されるトレンチ６は、エピタキシャル層３の表面から掘り下げて形成され、ボディ領域５を貫通し、その最深部がＮ^-型領域４に達している。 - 特許庁

Carburizing processing or carbonitriding processing is performed to the alloy steel raceway rings 7 and 8 so as to provide a surface layer including having concentration of C+N of 1.0-2.5 mass% and the residual austenite amount of 15-45 capacity%.例文帳に追加

そして、この合金鋼製の軌道輪７、８に、浸炭処理又は浸炭窒化処理を施す事により、Ｃ＋Ｎの濃度が１．０〜２．５質量％で、残留オーステナイト量が１５〜４５容量％の表面層を設ける。 - 特許庁

The electroluminescent element, when employing poly-di-n-hexylpolysilylene (PDHS) for the light-emitting layer, emits light with an EL spectrum having a sharp peak at about 370 nm, when direct voltage is placed between both of the electrodes 12 and 14.例文帳に追加

発光層としてポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ）を用いた場合、両電極１２，１４間に直流電圧を印加することで約３７０ｎｍに鋭いピークを有するＥＬスペクトルが得られる。 - 特許庁

To provide a light emitting element emitting light of a plurality of wavelengths from a single emission layer and emitting light of multiple colors, especially white color, by simply injecting a current into a set of p-type and n-type electrodes.例文帳に追加

単一の発光層から複数の波長の光を発し、しかも一組のｐ型及びｎ型電極に電流を注入するだけで多色発光する、特に白色発光する発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an npin type semiconductor light modulator separating electrically an upper n-type clad layer from an electric signal line of a waveguide, and to provide a light modulation device using the same.例文帳に追加

本発明は、上部のｎ型のクラッド層と導波路の電気信号ラインとが電気的に分離できるｎｐｉｎ型の半導体光変調器及びこれを利用する光変調装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In order to decrease the number of sheets of mask, an ion implantation mask (photoresist layer 8) for regulating the threshold voltage of an N-channel MOS transistor is also used in ion implantation for forming a P-type well region.例文帳に追加

マスク枚数を削減するために、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧調節用イオン注入とＰ型ウエル領域形成用イオン注入を同一のマスク（ホトレジスト層８）を用いて行うことに着目した。 - 特許庁