「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

The layer A is a coated layer of a surface treating agent selected from a reactive organopolysiloxane, an polyolefin, a hydrogenated lecithin, an N-acyl amino acid, a fatty acid and a dextrin fatty acid ester in a solid state at a normal temperature.例文帳に追加

が：Ａ層；反応性オルガノポリシロキサン、ポリオレフィン、水添レシチン、Ｎ−アシルアミノ酸、脂肪酸及びデキストリン脂肪酸エステルの中から選択される、常温で固体状の表面処理剤被覆層；及びＢ層；片末端官能基変性オルガノポリシロキサン、片末端官能基変性アルキルシラン及び分岐脂肪酸の中から選択される。 - 特許庁

In the all solid dye-sensitized photoelectric conversion device which consists of an anode-side current collector, a porous n-type oxide semiconductor layer sensitized by dye, a hall moving layer, and a cathode-side current collector; the dye having a specific structure and a hall moving agent are made of polythiophene.例文帳に追加

アノード側集電体、色素によって増感された多孔質ｎ型酸化物半導体層、ホール移動層及びカソード側集電体によって構成された全固体色素増感型光電変換素子において、特定構造の色素とホール移動剤がポリチオフェンであることを特徴とする全固体色素増感型光電変換素子。 - 特許庁

A ceramic material layer made of ceramic whose deflective strength is ≥147 N/mm^2 containing transition metal elements such as titanium oxide is formed on the external surface of an electronic component element assembly, and marking A with a laser is carried out on the external surface part constituted of the ceramic material layer to configure a piezoelectric resonance component 1.例文帳に追加

電子部品素体の外表面に、酸化チタンなどの遷移金属元素を含有する抗折強度が１４７Ｎ／ｍｍ^2以上のセラミックスからなるセラミック材料層が形成されており、該セラミックス材料層からなる外表面部分にレーザーによるマーキングＡが施されている、圧電共振部品１。 - 特許庁

This gas barrier film 1 is a single-layer plastic film or a two or more-layer plastic film of the structure that, if necessary, a thin film 4 of metallic oxide is laminated on at least one of the sides of a base material 2 with the rigidity falling within the range of 0.5 to 15 N, as a solution of the problem.例文帳に追加

単層もしくは二層以上のプラスチックフィルムが積層された積層フィルムであって、剛性が０．５Ｎ〜１５Ｎの範囲である基材２の少なくとも一方の面に、必要に応じてプライマー層を介して金属酸化物の薄膜４を積層し、ガスバリア性フィルム１を構成することにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

To provide a lateral MOSFET having a trench gate structure wherein thicknesses of an n-type source layer and drain layer deeply formed along the trench can sufficiently be ensured and larger channel widths can be obtained, and as a result, on-state resistance can be reduced, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明の課題は、トレンチゲート構造を備えた横型ＭＯＳＦＥＴにおいて、トレンチに沿って深く形成するｎ型ソース層およびドレイン層の厚さを十分確保できると共に、より大きなチャネル幅が得られ、その結果、オン抵抗を低減できる横型ＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

With this configuration, since voltage between a drain electrode 46 and a source electrode 44 is applied between the n-type drift layer 30b and the p-type protective layer 40 made of SiC which- ever is larger than Si in band gap, it can withstand voltage which is higher than the voltage applied to a region made of Si.例文帳に追加

こうすれば、ドレイン電極４６とソース電極４４との間の電圧は、主に、Ｓｉよりバンドギャップが大きいＳｉＣで形成したｐ型保護層４０とｎ型ドリフト層３０ｂとの間に印加されるので、Ｓｉから形成した領域に電圧が印加されるものより高い電圧に耐えることができる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride LED element having a vertical structure for increasing light-emitting efficiency and maximizing the effect of improving external quantum efficiency, by forming surface unevenness which is a fine light scattering structure on a surface of an n-type gallium nitride layer on the light-emitting side and a p-type gallium nitride layer on the reflection side.例文帳に追加

発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

The first photoelectric conversion element and the second photoelectric conversion element are arranged in parallel, and the insulating layer preventing the flow of ions leaked from the electrolyte layer, when the number of the insulating layers is represented by n, the number of the first photoelectric conversion layers by l, the number of the second photoelectric conversion elements by m, is arranged so as to satisfy the following formulas (I), (II).例文帳に追加

前記第１光電変換素子と第２光電変換素子が並列され、前記電解質層から漏出するイオンの流れを防止する絶縁層が、その数をｎ、前記第１光電変換素子数をｌ、前記第２光電変換素子数をｍとするとき、下記式（Ｉ）、式（II）を満たすように配置する。 - 特許庁

The material for which the P-type or N-type impurity semiconductor layer of thickness 2 nm-40 μm composed of poly crystalline silicon containing the dopant of boron or phosphorus or the like, and the true semiconductor layer of the thickness 2 nm-40 μm composed of the polycrystalline silicon, are laminated on a base material in the order, is used as this substrate for the photovoltaic element.例文帳に追加

硼素やりん等のドーパントを含む多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍのＰ型又はＮ型の不純物半導体層、及び多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍの真性半導体層が基材上にこの順番で積層されたものを光起電力素子用基板として用いる。 - 特許庁

The chromate treated article is obtained by forming a galvanized layer 2 on the surface of an iron plate 1 and forming a heat treated chromate coating film 3 on the surface of the galvanized layer 2, and the adhesion strength of the heat treated chromate coating film 3 is set to be 0.5 to 0.7 N when the strength is measured by a scratch testing machine.例文帳に追加

鉄板１表面に亜鉛系めっき層２が形成され、上記亜鉛系めっき層２の表面に熱処理クロメート皮膜３が形成されてなるクロメート処理品であって、スクラッチ試験機による上記熱処理クロメート皮膜３の密着強度が０．５〜０．７Ｎの範囲に設定されている。 - 特許庁

Between an anode 101 and a cathode 106, a first layer 102 containing a light emitting substance, a second layer 103 containing an N type semiconductor, a third layer 104 composed of a transparent conductive film, and a fourth layer 105 containing a hole transport medium are provided sequentially wherein the cathode has a layer containing a reflective metal.例文帳に追加

本発明は、陽極１０１と、陰極１０６との間に、発光物質を含む第１の層１０２、Ｎ型半導体を含む第２の層１０３、透明導電膜から構成される第３の層１０４、ホール輸送媒体を含む第４の層１０５と有し、発光物質を含む第１の層１０２、Ｎ型半導体を含む第２の層１０３、透明導電膜から構成される第３の層１０４、ホール輸送媒体となる材料を含む第４の層１０５、陰極１０６が順に設けられており、陰極は反射金属を含む層を有することを特徴とする。 - 特許庁

For example, accumulation electrodes 17a, 17b, 17c, etc. and barrier electrodes 21a, 21b, etc. are formed in the same layer on an n-type region 13 formed on the surface of a p-type Si substrate 11 with a gate oxide film 15 in between.例文帳に追加

たとえば、ｐ型Ｓｉ基板１１の表面部に形成されたｎ型領域１３上に、ゲート酸化膜１５を介して、蓄積電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，〜とバリア電極２１ａ，２１ｂ，〜とを、同一層により形成する。 - 特許庁

Thus, the range includes all the inspecting marks to the N layer.例文帳に追加

径Ｌの第１の検査マーク１４と位置合わせ精度ａに対して、径（２ａ＋Ｌ）の第２の検査マーク２２、径（４ａ＋Ｌ）の第３の検査マーク３２、Ｎ層まで積層する場合は径（２Ｎａ＋Ｌ）をモニター範囲とすることで、その範囲が、Ｎ層までの検査マークを全て包含する。 - 特許庁

The integrated circuit device has pad rows 220, 222 in which a plurality of pads 200A, 200B are arranged, and a plurality of electrostatic discharge protection elements D1, D2 arranged in the lower layer of the pad row and connected respectively to the each pad of the pad row of the row N.例文帳に追加

複数のパッド２００Ａ，２００Ｂを配列したパッド列２２０，２２２と、パッド列の下層に配置され、Ｎ列のパッド列の各々のパッドにそれぞれ接続された複数の静電気保護素子Ｄ１，Ｄ２とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving the withstand voltage of the semiconductor device using an oxidizing method properly according to whether a withstand voltage layer of the semiconductor device is p^-type or n^-type and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置の耐圧層がｐ^-型かｎ^-型であるかによって酸化方法を使い分けることにより、半導体装置の耐圧を向上させることができる半導体装置および該装置に用いる製法を提供する。 - 特許庁

A first MIS transistor formed in the first region (PMOS) in an n-type semiconductor region (101) comprises a first gate insulating film (103), a first gate electrode (104), first extension diffusion layers (106), and a first fluorine diffusion layer (108).例文帳に追加

ｎ型半導体領域(101)における第１の領域(PMOS)に形成された第１のＭＩＳ型トランジスタは、第１のゲート絶縁膜(103)と、第１のゲート電極(104)と、第１のエクステンション拡散層(106)と、第１のフッ素拡散層(108)とを備える。 - 特許庁

The concentration of an N-type intrinsic base diffusion area 23 adjoining to the emitter diffusion area 23 of an L-PNP transistor is made higher than that of a base buried layer 3B adjoining to the collector diffusion area 16B of an L-PNP bipolar transistor.例文帳に追加

Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に隣接するＮ型真性ベース拡散領域２２の濃度を、Ｌ−ＰＮＰバイポーラトランジスタのコレクタ拡散領域１６Ｂに隣接するベース埋め込み層３Ｂの濃度より高くする。 - 特許庁

Each of the capacitors at both ends of the active region 40 has an impurity diffusion layer in the inner wall of the isolation trench 2 (the side wall of the active region 40) as the storage electrode, and the N type conductive film 4n in the isolation trench 2 as the cell plate electrode.例文帳に追加

活性領域４０の両端のキャパシタは、分離トレンチ２の内壁（活性領域４０の側壁）の不純物拡散層をストレージ電極とし、分離トレンチ２内のＮ型導電性膜４ｎをセルプレート電極とする。 - 特許庁

The light emitting element is manufactured by using the epitaxial wafer for the light emitting element, and an electrode 7 is formed at the n-type GaAs substrate 1 side, and a non-alloy system p-electrode 8 is formed at the p-type InGaAs contact layer 6 side.例文帳に追加

発光素子は、この発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製され、ｎ型ＧａＡｓ基板１側にｎ電極７が、またｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６側にノンアロイ系のｐ電極８が形成されている。 - 特許庁

The silicide layer 17 is provided at the total region of a source region S1 and the n^+ region BC1, that of the drain regions D1, D2, that of the source region S2 and the p^+ region BC2, and on the gate electrode 15.例文帳に追加

シリサイド層１７は、ソース領域Ｓ１とＮ^＋領域ＢＣ１の総合領域、ドレイン領域Ｄ１，Ｄ２の総合領域、ソース領域Ｓ２とＰ^＋領域ＢＣ２の総合領域、及びゲート電極１５上に設けられる。 - 特許庁

The P-N rectifying junction includes a base region of first conductivity type (e.g., P-type) provided in the substrate and a semiconductor layer of second conductivity type extending between the base region and the light collecting surface.例文帳に追加

前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。 - 特許庁

To provide a gallium-nitride-based light-emitting diode element having vertical structure for securing high-output characteristics, by controlling the surface polarity of a gallium-nitride-based semiconductor layer in contact with an n-type electrode, and to provide a manufacturing method of the gallium-nitride-based light-emitting diode element.例文帳に追加

ｎ型電極と接触する窒化ガリウム系半導体層の表面極性を制御して高出力特性を確保する垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve an emission intensity in a semiconductor light emitting element of the structure in which electrodes for applying a bias to an n-type region and a p-type region of a light emitting semiconductor layer are formed at the same surface side of a supporting substrate.例文帳に追加

発光半導体層のｎ型領域とｐ型領域にバイアス印加するための電極をそれぞれ支持基板の同一面側にて形成した構造の半導体発光素子において、発光強度を向上させる。 - 特許庁

Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; an N channel type drive transistor DR; an output switch SWa; a first capacitor section Cs; and a second capacitor section Cx.例文帳に追加

各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｎチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、出力スイッチＳＷａと、第１容量部Ｃｓと、第２容量部Ｃｘとを有している。 - 特許庁

As the photosensitive layer 72 is formed to have a surface smoothness of 0.30 to 0.90 [N] and Vickers hardness of 26.7 to 34.2 [gf μm^-2] on the surface, the photoreceptor drum 30 is free from generation of filming.例文帳に追加

感光層７２は、その表面の滑り性が、０．３０〜０．９０[Ｎ]であり、且つその表面のビッカース硬度は、２６．７〜３４．２[ｇｆ・μｍ^−２]であるように形成されているので、フィルミングの発生しない感光体ドラム３０が実現できる。 - 特許庁

In order to expose an n^+-type emitter region 5 or a body p layer 6 (p-type base region 3), an opening end of a contact hole 10a formed on an interlayer insulating film 10 is retracted, and the opening width of the contact hole 10a is expanded.例文帳に追加

ｎ^+型エミッタ領域５やボデーｐ層６（ｐ型ベース領域３）を露出させるために層間絶縁膜１０に形成されるコンタクトホール１０ａの開口端を後退させ、コンタクトホール１０ａの開口幅を広げる。 - 特許庁

Then, a transparent electrode 3 and a p-side electrode 4 are formed on the surface of the p-type contact layer 10 through a vacuum vapor deposition method or the like, and an n-side electrode 5 is formed on the oxygen polar plane 1b of the ZnO substrate 1.例文帳に追加

次いで、真空蒸着法等によりｐ形コンタクト層１０の表面に透明電極３及びｐ側電極４を形成し、また、ＺｎＯ基板１の酸素極性面１ｂ上にｎ側電極５を形成する。 - 特許庁

The mist nozzle 9 and an air blow pipe 15 form a double-pipe part N, and the mist is discharged in a state that a mist layer M consisting of the mist is formed inside an air wall K consisting of an air flow.例文帳に追加

そして、ミストノズル９及び送風パイプ１５は、二重管部Ｎを形成しているとともに、空気の流れからなる空気壁Ｋの内側にミストからなるミスト層Ｍを形成した状態で吐出されるようになっている。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

Further, the surface of skeletal concrete is pasted with a pottery-based tile via a mortar layer having an elastic modulus of 4.5×10^3 to 17×10^3 N/mm^2 and the average thickness of 3 to 45 mm.例文帳に追加

また、躯体コンクリートの表面に、弾性係数が４.５×１０^3〜１７×１０^3Ｎ／ｍｍ^2である平均厚さ３〜４５ｍｍのモルタル層を介して、陶磁器質タイルが張り付けられているタイル張りコンクリート構造物が提供される。 - 特許庁

Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.例文帳に追加

このため、電荷の転送部分となるｎ^-型の拡散層１５ａからなるＶ−ＣＣＤ１５の単位セル１０あたりの表面積は小さく、フォトダイオード２１の単位セル１０あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁

To eliminate the variation of the state of a PN junction caused by the positioning deviation of an implantation mask when forming an N-type region and a P-type region adjacent to each other in the semiconductor layer of an SOI substrate by an ion implantation method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の半導体層に互いに隣接するＮ型領域及びＰ型領域をイオン注入法によって形成する際に、注入マスクの位置合わせずれに起因するＰＮ接合の状態の変動をなくす。 - 特許庁

The flooring sheet-like adhesive sheet has an adhesive layer on a back side of a decorative sheet, wherein a power of the decorative sheet at an elongation of 2% is 35-80 N/10 mm width.例文帳に追加

化粧シートの裏面に粘着剤層を有する床用枚葉状粘着シートであって、該化粧シートの２％伸度時の力が３５〜８０Ｎ／１０ｍｍ幅である床用枚葉状粘着シート及びその製造方法である。 - 特許庁

An n^+-diffusion layer 8 is arranged in a p-well 4 near a portion wherein wiring directions of the GND wiring 3 and the substrate bias VDD 2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the GND wiring 3 via a contact.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層８が、ＧＮＤ配線３と基板バイアスＶＤＤ２配線５の配線方向が交差する部分の近傍におけるＰウェル４内に配され、ＧＮＤ配線３とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

Similarly, a source 42SB and a gate 44B of the active layer 42 are connected to a second power supply line 102 on the other N-channel type thin film transistor TRB, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45B.例文帳に追加

同様に、他方のＮチャネル型薄膜トランジスタＴＲＢでは、能動層４２のソース４２ＳＢとゲート４４Ｂが第２の電源線１０２に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ｂの一方の端に接続されている。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which allows a recording performance to be secured, heat stability of magnetization recorded on a recording layer and S/N ratio to be enhanced and high recording density to be attained, and its manufacturing method and a magnetic storage device.例文帳に追加

記録性能を確保し、記録層に記録された磁化の熱安定性およびＳ／Ｎ比を向上し、高記録密度化を図れる磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記憶装置を提供することである。 - 特許庁

An N-type low-concentration drain region 3, a source region 5, a drain ohmic region 7, a P-type channel region 9, and an ohmic channel region 11 are formed in a silicon layer 1c at a depth reaching an embedded oxide film 1b.例文帳に追加

シリコン層１ｃに、埋め込み酸化膜１ｂに達する深さで、Ｎ型の低濃度ドレイン領域３、ソース領域５、ドレインオーミック領域７、及びＰ型のチャンネル領域９、オーミックチャンネル領域１１が形成されている。 - 特許庁

To form a fine memory cell, while securing an overlapping area of a floating gate and an impurity diffused layer, and to reduce irregularity on an F-N tunnel phenomenon between bits that is resulted from a fine memory cell.例文帳に追加

浮遊ゲートと不純物拡散層とのオーバーラップ面積を確保しながらメモリセルの微細化を図り、さらにメモリセルの微細化に伴って発生するビット間のＦ−Ｎトンネル現象のばらつきの低減を図ることを目的とする。 - 特許庁

In vertical type FET1, hexagonal GaN and AlGaN are epitaxially grown on the GaN substrate 10 with a {0001} surface as a growth surface, and a vertical surface S1 in an n-type GaN cap layer 18 is to be {1-100} surface (m surface).例文帳に追加

縦型ＦＥＴ１では、ＧａＮ基板１０上に、六方晶のＧａＮ、ＡｌＧａＮを、｛ 0 0 0 1｝面を成長面として、エピタキシャル成長させており、ｎ型ＧａＮキャップ層１８における鉛直な面Ｓ１は、｛ 1-1 0 0｝面（ｍ面）となる。 - 特許庁

The constituent part includes a third N-type region 22 of high doping level formed under a layer part which is almost in a middle between an outer circumferential edge part of the second region 4 and an inner circumferential edge part of a wall surface in a substrate 1.例文帳に追加

この構成部品は、基板中の、第２の領域の外側周縁部と壁面の内側周縁部の間のほぼ中間となる層の部分の下に形成された、ドーピング・レベルの高い第３のＮ型領域を含む。 - 特許庁

The base material made of titanium metal has a net-like weathered layer of 0.1 to 20 μm in depth, which is formed by immersing a thin piece of titanium metal of 300 μm or less in thickness in an aqueous alkaline solution of 5 N or lower for 0.5 to 12 hours.例文帳に追加

厚さが３００μｍ以下のチタン薄片を５Ｎ以下のアルカリ水溶液に０．５〜１２時間浸漬することにより形成される深さが０．１〜２０μｍの網目状の侵食層を備えたチタン金属製の基材。 - 特許庁

An arsenic coating layer 12 is formed by decomposing GaAs powder or the GaAs crystal to put As on an Si substrate 11, while the N-type Si substrate 11 of a low resistance is placed in the high temperature reduction atmosphere.例文帳に追加

低抵抗のＮ型のＳｉ基板１１が高温還元雰囲気中に置かれた状態で、ＧａＡｓ粉末あるいはＧａＡｓ結晶を分解してＳｉ基板１１上に砒素を付着させ、砒素被覆層１２を形成する。 - 特許庁

And by subjecting the laminate to an ion implantation a plurality of times with a varied ion energy, the N+ type drain lead-out diffusion layer 106A can be formed to contain a high concentration of impurities in a wide range in a depthwise direction and thus to have a low resistance.例文帳に追加

そして、Ｎ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａは、イオンエネルギを変えて複数回イオン注入を行うことで、深さ方向の広い範囲で高濃度の不純物を含むように形成され、低抵抗値となっている。 - 特許庁

The silicon nitride film 41 cuts off the diffusion of hydrogen during the formation of upper-layer films to improve, specially, deterioration in the hot-carrier resistance of the N+ poly-NMOS 37 and the controllability and stability of the resistance value of the polysilicon resistor 35.例文帳に追加

シリコン窒化膜４１は上層膜の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、Ｎ＋ポリＮＭＯＳ２７のホットキャリア耐性の劣化を防止し、ポリシリコン抵抗体３５の抵抗値の制御性及び安定性を向上させる。 - 特許庁

Two trenches into a semiconductor substrate vertically through a thin film silicon layer and a buried oxide film are manufactured, the P-type impurity region is formed in one of the trenches and the N-type impurity region is formed in the other trench.例文帳に追加

薄膜シリコン層と埋込酸化膜を上下方向に貫通して半導体基板の中まで至るトレンチを２つ作製し、２つのトレンチの一方にはＰ型不純物領域、もう一方にはＮ型不純物領域を設ける。 - 特許庁