「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic recording medium has a lubricant of heptyl stearate and the like in or/and on a magnetic layer, with ≤50% high temperature oxidation stability by thermal analysis of magnetic powder which is a constituent component of the magnetic layer 3, containing 20-100 mg/m^2 lubricant that can be extracted by n-hexane.例文帳に追加

磁性層３内又は／及び上にステアリン酸ヘプチル等の潤滑剤を保有し、磁性層３の構成成分である磁性粉の熱分析による高温酸化安定率が５０％以下であり、かつｎ−ヘキサンにより抽出される前記潤滑剤の量が２０〜１００ｍｇ／ｍ^２である、磁気記録媒体。 - 特許庁

After a p-type GaAlAs active layer 2 and an n-type GaAlAs clad layer 3 are successively subjected to liquid phase epitaxial growth on a p-type GaAs substrate 1 installed in a liquid phase epitaxial growth apparatus, heat treatment for raising the temperature again in the liquid phase epitaxial growth apparatus is directly carried out to manufacture the epitaxial wafer.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。 - 特許庁

A cerium compound 36 is deposited on the surface, when the chromium layer formed on a n-type amorphous silicon layer 32 is etched with the etching solution using resist patterns 34 and 35 as masks, to form a drain electrode 18 and a source electrode 19 of a thin film transistor as a switching element of a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置のスイッチング素子としての薄膜トランジスタのドレイン電極１８およびソース電極１９を、ｎ型アモルファスシリコン層３２上に成膜されたクロム層をレジストパターン３４、３５をマスクとしてクロムエッチング液を用いてエッチングして形成すると、表面にセリウム化合物３６が沈着する。 - 特許庁

The gallium nitride system compound semiconductor light- emitting device is in a configuration consisting of a metal thin-film layer or an oxide semiconductor layer where an n-type electrode that is formed at the surrounding on the same plane as a p-type electrode or on the reverse and side surfaces of a substrate transmits light and is in ohmic contact, and a laminate consisting of them.例文帳に追加

ｐ型電極と同一面上の周囲または基板裏面及び側面に形成されたｎ型電極が、透光性でありさらにオーミック接触である金属薄膜層または酸化物半導体層、それらの積層体からなる構成を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 特許庁

To provide a magneto-optical recording medium of a magnetic domain expansion system in which the jitter of the reproduced signal is reduced to improve the signal to noise ratio (S/N) of the reproduced signal by smoothing the expansion of a magnetic domain transferred from a recording layer to a reproduction layer and to provide a method for manufacturing a magneto-optical recording medium.例文帳に追加

記録層から再生層に転写された磁区を拡大する際、磁区の拡大動作をスムーズにすることにより、再生信号のジッタを低減して再生信号の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を向上させた磁区拡大方式の光磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A VCSEL comprises a GaAs substrate, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a p-type current constriction layer formed on the active region, a p-type heavily-doped DBR 112A formed on the current constriction layer, and a p-type DBR 112B formed on the heavily-doped DBR 112A.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、活性領域上に形成されたｐ型の電流狭窄層と、電流狭窄層上に形成されたｐ型の高濃度ＤＢＲ１１２Ａと、高濃度ＤＢＲ１１２Ａ上に形成されたｐ型のＤＢＲ１１２Ｂとを有する。 - 特許庁

A photocatalyst layer 16 to be photoactivated by the wavelength of a laser beam L for reproducing and recording information is formed on the surface of the optical disk 10 on which the laser beam L is made incident and the photocatalyst layer 16 consists of a substance formed by substituting nitrogen atoms N for a portion of oxygen atoms O of titanium oxide TiO_2.例文帳に追加

情報の再生又は記録のためのレーザ光Ｌを入射させる側の表面に、このレーザ光Ｌの波長で光活性となる光触媒層１６が形成され、この光触媒層１６が酸化チタンＴｉＯ_2 の酸素原子Ｏの一部を窒素原子Ｎで置換した物質から成る光ディスク１０を構成する。 - 特許庁

A number of MOS transistors 52-1 to 52-n are aligned densely, a source S of a number of MOS transistors is connected to an aluminum wiring layer 64 for source common connection via a through-hole 73 for a source, and a drain D is connected to an aluminum wiring layer 63 for drain common connection via a through-hole 74 for a drain.例文帳に追加

多数のＭＯＳトランジスタ５２−１〜５２−ｎが密に並んでおり、多数のＭＯＳトランジスタのソースＳがソース用スルーホール７３を介してソース共通接続用アルミ配線層６４と接続してあり、ドレインＤがドレイン用スルーホール７４を介してドレイン共通接続用アルミ配線層６３と接続してある。 - 特許庁

Ion implantation of arsenic ions or the like is performed from the upper part of the trench 3 having the composition in parallel with the trench sidewall 3a and vertically or at a certain angle to a P-type well layer 1 to form the N+ type source layer 4 opposed to a floating gate FG6 extended from the bottom of the trench 3 to the trench sidewall 3b over a wide area.例文帳に追加

かかる構成のトレンチ３の上部からトレンチ側壁３ａに平行で、且つＰ型ウエル層１に垂直又は角度をもった砒素イオン等のイオン注入を行い、トレンチ３底面からトレンチ側壁３ｂに延在するフローティングゲートＦＧ６と広い面積で対峙するＮ＋型ソース層４を形成する。 - 特許庁

To provide a vertically structured gallium nitride-based LED device adapted to increase a light emission efficiency and maximize an improving effect on an external quantum efficiency by forming a fine surface unevenness, that is, a light-scattering structure, on the surface of an n-type gallium nitride layer disposed on a light emission side and the surface of a p-type gallium nitride layer disposed on a light reflection side.例文帳に追加

発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser having the end face window structure is manufactured on a portion of the n-type GaN substrate 11 that is not covered with the insulating film mask 16 by growing a GaN based semiconductor layer 25 containing an active layer 19 comprising the nitride based III-V compound semiconductor containing In and Ga.例文帳に追加

この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有する半導体レーザを製造する。 - 特許庁

A coating film layer composed of one or more layers of coating films including a resin coating film having tensile strength not less than 7 N/mm^2 and tensile elongation not less than 300 % is formed on a concrete structure surface as a reinforcing layer, and prevents peeling-off of concrete from the concrete structure.例文帳に追加

コンクリート構造物表面に、補強層として、引張り強さ７Ｎ／ｍｍ^２以上かつ引張り伸び３００％以上の樹脂塗膜を含む１層以上の塗膜からなる塗膜層を形成し、コンクリート構造物からのコンクリートの剥落を防止するコンクリート剥落防止方法および補強層付きコンクリート構造物。 - 特許庁

A barrier laminated film is obtained by successively laminating a gas barrier film layer 3, which is based on an alkali metal polysilicate represented by M2O.nSiO2 (wherein M is lithium or a plurality of alkali metals including lithium and n is a molar ratio of 2-10), and an overcoat layer 4 on the single surface or both surfaces of a base material comprising a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材１の片面もしくは両面に、Ｍ_2 Ｏ・ｎＳｉＯ_2 （Ｍはリチウムまたはリチウムを含む複数のアルカリ金属、ｎはモル比で２〜１０の範囲内）で表されるアルカリ金属ポリシリケートを主成分とするガスバリア性被膜層３、オーバーコート層４を順次積層したバリア性積層フィルム。 - 特許庁

The biaxially stretched polyester film has a polyester layer (layer A) with a melting point of 240°C or below containing a butylene terephthalate unit and is characterized in that the end tear resistance value in the longitudinal direction of the film is smaller than that in the lateral direction thereof and the end tear resistance in the longitudinal and lateral directions of the film is 40 N or below.例文帳に追加

ブチレンテレフタレート単位を含む、融点２４０℃以下のポリエステル層（Ａ層）を有するフィルムであって、フィルムの長手方向の端裂抵抗値が幅方向の端列抵抗値より小さく、フィルムの長手方向および幅方向の端列抵抗が４０Ｎ以下であることを特徴とする二軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

On the finishing side of the bead patching part in circumferential welding, each welding finishing position from the 1st pass in the initial layer to the N-th pass in the final layer is set to the position advanced by a second prescribed angle or a second prescribed distance from the position obtained by making a round from each welding starting position to the direction of the welding line.例文帳に追加

また、円周溶接のビード継ぎ部の終了側では、前記初層１パス目から最終層のＮパス目までの各溶接終了位置を前記各溶接開始位置から溶接線方向に一周させた位置より第２の所定角度又は第２の所定距離だけ前進させた位置に設定する。 - 特許庁

A tunnel element between bands is equipped with a silicon substrate 101, a p+ region 102 being made by introducing p-type impurities in high concentration into the silicon substrate 101, a tunnel barrier layer 103 being made on the p+ region 102 of the silicon substrate 101, and an n+ region 104 being provided on the tunnel barrier layer 103.例文帳に追加

バンド間トンネル素子は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１内に高濃度のｐ型不純物を導入して形成されたｐ^+ 領域１０２と、シリコン基板１０１のｐ^+ 領域１０２の上に形成されたトンネル障壁層１０３と、トンネル障壁層１０３の上に設けられたｎ^+ 領域１０４とを備えている。 - 特許庁

The isolation region 30 between the analog circuit region 10 and the digital circuit region 20 is constituted so as to comprise heavily doped P^+ type impurity regions 4 and an N type diffusion layer 2, which is formed so as to be apart from the impurity regions 4 and have portions of a P^- type substrate region 1 between the diffusion layer and the impurity regions.例文帳に追加

アナログ回路領域１０とデジタル回路領域２０との間の分離領域３０は、高不純物濃度のＰ^+ 型の不純物領域４と、不純物領域４から離間して間にＰ^- 型基板領域１の部分を有して形成されたＮ型の拡散層２とを具備して構成されている。 - 特許庁

The sheet is manufactured by a transfer method using a transfer sheet 10 which has a base sheet 11 and a metallic gloss layer 12 formed on one side of the base sheet 11 and containing a leafing pigment 13 and wherein a dry peel force of the surface of the base sheet 11 on the metallic gloss layer 12 side is 1-10 N/50 mm.例文帳に追加

基材シート１１と、該基材シート１１の片面に形成され、リーフィング顔料１３を含有する金属光沢層１２とを有し、前記基材シート１１の前記金属光沢層１２側の面の常態剥離力が１〜１０Ｎ／５０ｍｍである転写シート１０を使用した転写法により製造する。 - 特許庁

Then, a metal silicide layer is formed by reacting the metal film 12, the gate electrodes 8a, 8b, the n^+ type semiconductor region 9b and the p^+ type semiconductor region 10b are reacted by effecting a first heat treatment and, thereafter, a barrier film 13 and a not yet reacted metal film 12 are removed to remain the metal silicide layer.例文帳に追加

それから、第１の熱処理を行って金属膜１２とゲート電極８ａ，８ｂ、ｎ^＋型半導体領域９ｂおよびｐ^＋型半導体領域１０ｂとを反応させて金属シリサイド層を形成してから、バリア膜１３および未反応の金属膜１２を除去し、前記金属シリサイド層を残す。 - 特許庁

The gas barrier bonding label 3 is constituted of a gas barrier substrate layer and an adhesive layer, the adhesive being either an acrylic family one or a rubber family one, with bonding strength being 0.1 to 10 N/cm and the amount of oxygen gas permeating being 1.0 to 1974.0 ml/m^2.day/MPa.例文帳に追加

ガスバリアー基材層と接着剤層からなるガスバリアー性接着ラベル３であり、接着剤がアクリル系接着剤、ゴム系のいづれかの接着剤であり、接着強度が０．１〜１０Ｎ／ｃｍであり、酸素ガス透過量が１．０〜１９７４．０ｍｌ／ｍ^２・ｄａｙ／ＭＰａであるガスバリアー性接着ラベル。 - 特許庁

In the thermosensitive recording body, in which a thermosensitive recording layer mainly including a colorless or light-colored basic leuco dye and a developer is provided on a support, 4-hydroxy-4'-n-propoxydiphenyl sulfone is included as the developer and acrylic polymer and colloidal silica are included in the thermosensitive recording layer.例文帳に追加

支持体上に、無色または淡色の塩基性ロイコ染料および顕色剤を主成分として含有する感熱記録層を設けた感熱記録体において、該顕色剤として４−ヒドロキシ−４’−ｎ−プロポキシジフェニルスルホンを含有し、かつ該感熱記録層にアクリル系ポリマーとコロイダルシリカとを含有する感熱記録体。 - 特許庁

To provide an optical recording layer for an optical information recording medium and the optical information recording medium, which are excellent in writing/reading characteristics, C/N characteristics, jitter characteristics, recording sensitivity characteristics, reflectivity characteristics and environment-resisting characteristics and can be applied to a next-generation type optical disk, and a sputtering target useful for forming the recording layer.例文帳に追加

書込み・読み取り特性、Ｃ／Ｎ特性、ジッター特性、記録感度特性、反射率特性、耐環境特性に優れており、次世代型の光ディスクに適用可能な光情報記録媒体用光記録層と光情報記録媒体、並びに該記録層の形成に有用なスパッタリング・ターゲットを提供する。 - 特許庁

A p electrode 12 and an n electrode 13 are provided through the insulating layer 4 on the light emitting surface of the light emitting part 11, and belt-like blocking layers 15A and 15B having the characteristics of wettability worse than that of the insulating layer 4 or the like exposed around the light emitting part 11 are provided between the electrodes 12 and 13 and the light emitting part 11.例文帳に追加

発光部１１の発光面には、絶縁層４を介してｐ電極１２及びｎ電極１３が設けられ、この電極１２，１３と発光部１１の間には、発光部１１の周囲に露出する絶縁層４等よりも濡れ性が悪い特性を有する帯状の阻止層１５Ａ，１５Ｂが設けられている。 - 特許庁

On the n-type GaN substrate 11 in which the groove 16 is formed, a GaN-based semiconductor layer 25 which includes an active layer 19 formed of a nitride-based III-V group compound semiconductor including In and Ga is grown to manufacturer a GaN-based semiconductor laser having the end surface window structure.例文帳に追加

この溝１６が形成されたｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有するＧａＮ系半導体レーザを製造する。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes a cathode, an anode, and a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed, and a layer containing a compound having a partial structure represented by general formula (1) is provided between the cathode and anode.例文帳に追加

陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、該陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

Selection ratio of the titanium nitride film to the polysilicon film can be increased by performing etching at a p-type layer structure portion until the titanium nitride film is exposed, supplying plasma of nitrogen gas to a substrate, and then nitriding the polysilicon film in the layer structure portion for forming an n-type transistor.例文帳に追加

ｐ型の層構造部において窒化チタン膜が露出するまでエッチングを行い、その後窒素ガスのプラズマを基板に供給し、ｎ型のトランジスタを形成するための層構造部におけるポリシリコン膜を窒化することによって、当該ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element contains an N-type gallium nitride compound semiconductor, an I layer 36 made of a semi-insulating gallium nitride compound semiconductor, and an electrode 40 comprises the steps of forming the electrode 40 on at least the layer 36, and then heat treating the electrode.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体と、半絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体からなるＩ層３６と、電極４０と、を含む半導体発光素子の製造方法において、少なくとも前記Ｉ層３６上に電極４０を形成した後、熱処理する。 - 特許庁

The state change part comprises a first semiconductor layer composed of one semiconductor between a P type semiconductor and an N type semiconductor and second semiconductor layers composed of the other semiconductor and provided on the top and reverse of the first semiconductor layer across PN junction parts.例文帳に追加

この状態変化部は、Ｐ型半導体またはＮ型半導体のいずれか一方の半導体からなる第１半導体層と、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体の他方の半導体からなり前記第１半導体層の上下それぞれでＰＮ接合部を介して設けられた第２半導体層を備えて構成される。 - 特許庁

The cancelling circuit further has a noise cancelling element 24 having a gate electrode E formed on a P-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulating film 32 and connected to a gate electrode B of a P-ch MOSFET 2 and an N-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

さらに、ゲート絶縁膜３２を介してＰ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電極Ｂと接続されるゲート電極Ｅと、出力配線Ｄに接続されるＮ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２４を有している。 - 特許庁

An HEMT 100 includes a semiconductor substrate 5 on which an undoped GaN layer 2 and an n-type AlGaN layer 4 are laminated in this order, a source electrode 6 and a drain electrode 10 formed on a surface of the semiconductor substrate 5 and a gate electrode 8 formed between the source electrode 6 and the drain electrode 10.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１００は、アンドープのＧａＮ層２とｎ型のＡｌＧａＮ層４が順に積層されている半導体基板５と、半導体基板５の表面に形成されているソース電極６、ドレイン電極１０と、ソース電極６とドレイン電極１０の間に形成されているゲート電極８を備えている。 - 特許庁

To provide a resist undercoat-forming material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process or for a three-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly to short-wavelength exposure light, that is, has high transparency, optimum n value and k value, and excels in etching resistance in substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

In a cathode for a secondary battery constituted of a current collector, an electrode layer, containing an active substance, a conductive agent and a binding agent, the surface roughness R_zjis of the current collector is 5 μm or smaller and the peeling strength between the electrode layer and the current collector is 0.1 N/mm or higher.例文帳に追加

集電体と、活物質、導電剤及び結着剤を含む電極層と、からなる二次電池用正極において、前記集電体の表面粗さＲ_ｚｊｉｓが５μｍ以下であり、前記電極層と前記集電体との間の剥離強度が０．１Ｎ／ｍｍ以上である、二次電池用正極である。 - 特許庁

In a gas barrier film wherein a heat-sealable resin layer is formed on the outermost surface of a gas barrier laminate wherein an inorg. oxide membrane layer is formed on the surface of a plastic film, the tear resistance value of a heat-sealed part formed by heat-sealing the surfaces of heat- sealable resin layers is 1 N/15 mm or less.例文帳に追加

プラスチックフィルムの表面に無機酸化物薄膜層が形成されたガスバリア性積層体の最外層にヒートシール性樹脂層が形成されたガスバリア性フィルムにおいて、ヒートシール性樹脂層面同士をヒートシールしたヒートシール部の引裂き抵抗値が１Ｎ／１５ｍｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

The outermost peripheral gate wiring 10 of a power MOSFET is formed parallel to one end side 5 of a silicon substrate 3, while a P layer 4 of the power MOSFET, an N^+ source layer 6, a channel region 15 and a gate electrode 8 are formed oblique to the end side 5 of the silicon substrate 3.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの最外周のゲート配線１０は、シリコン基板３の一端辺５に対して平行に形成され、前記パワーＭＯＳＦＥＴのＰ層４、Ｎ＋ソース層６、チャネル領域１５、及びゲート電極８は、シリコン基板３の一端辺５に対して斜め方向に傾斜して形成されている。 - 特許庁

In a compound semiconductor device of an HEMT structure composed of a compound semiconductor, electron supply layers 14, 16, and 18 supplying electrons to a channel layer are formed by planar-doped layers of n-type impurity, and planar-doped layers 15 and 17, which are in the same electron supply layer, are divided into two or more layers.例文帳に追加

化合物半導体からなるＨＥＭＴ構造の化合物半導体装置において、チャネル層へ電子を供給する電子供給層１４，１６，１８が、ｎ型不純物のプレーナドープ層で形成されており、同一の電子供給層におけるプレーナドープ層１５，１７が２分割以上に分割されている。 - 特許庁

In the oscillator circuit in which both terminals of a piezoelectric oscillator X are connected to input and output terminals of an amplifier A and an oscillating waveform is output from the output terminal of the amplifier A, a diode-type ESD protection circuit B1 having a P-type diffusion layer and an N-type diffusion layer is connected on the input side of the amplifier A.例文帳に追加

圧電振動子Ｘの両端子が増幅器Ａの入出力端子に接続され、増幅器Ａの出力端子から発振波形が出力される発振回路において、増幅器Ａの入力側に、Ｐ型拡散層とＮ型拡散層を有するダイオード型のＥＳＤ保護回路Ｂ１が接続されている。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁

This photovoltaic device includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which the light is incident from a surface side, a transparent conductive film 4 made of an ITO film formed on the photoelectric conversion layer, and a collector electrode 5 formed on a predetermined region on the transparent conductive film 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層上に形成されたＩＴＯ膜からなる透明導電膜４と、透明導電膜４上の所定領域に形成された集電極５とを備えている。 - 特許庁

Additionally, in the organic electroluminescent element having one or more of organic layer between the positive and negative electrode, the organic electroluminescent element has 2000 Å or more of a thickness of the organic layer and a thickness of the negative electrode satisfies conditions expressed by an expression 400 [Å]≤L≤n×3 [Å].例文帳に追加

４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×０．８［Å］（ただし、ｎは、有機層の厚さを示す。）また、陰極と陽極との間に１層以上の有機層を有する有機ＥＬ素子において、有機層の厚さが２０００Å以上であり、かつ、陰極の厚さＬ［Å］が下記の式で示される条件を満たす有機ＥＬ素子とする。 - 特許庁

In this optical recording medium, a light absorbing layer is provided on a substrate, and the light absorbing layer comprises a nitrogen- containing compound or phosphorus-containing compound which has a specific metal tetrazaporphyrin compound and an N atom capable of coordinating with the metal tetrazaporphyrin compound as a main component.例文帳に追加

基板上に光吸収層を設けてなり、該光吸収層が、特定の金属テトラアザポルフィリン系化合物と、該金属テトラアザポルフィリン化合物に配位できるＮ原子を有する窒素含有化合物もしくは該リン含有化合物とを主成分として構成されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

In the reflection ground photosensitive element wherein (a) a ruggedness formation layer support film, (b) a reflection ground photosensitive resin layer and (c) a protective film are laminated in this order, a polyester film subjected to release treatment is used as (c) the protective film and peeling strength of the (b) and the (c) is 0.05 to 0.45 N/m.例文帳に追加

（ａ）凹凸形成層支持体フィルム、（ｂ）反射下地感光性樹脂層、及び（ｃ）保護フィルムの順に積層された反射下地感光性エレメントにおいて、（ｃ）保護フィルムが離型処理を施されたポリエステルフィルムを使用し、前記（ｂ）と（ｃ）の剥離強度が０．０５〜０．４５Ｎ／ｍである反射下地感光性エレメント。 - 特許庁

Then, as shown in Figure 2 (a), N-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask, so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, and the lower electrode 118 of a capacitive element is formed.例文帳に追加

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｎ型不純物をイオン注入し、容量素子の下部電極１１８を形成する。 - 特許庁

The p-type region 8 is formed to generate a depletion layer DL covering at least a surface layer S23 of a joint J23 between a first p-type region 3 and an n-type semiconductor substrate 2 while no voltage is applied to a back electrode 7 (zero bias) or large voltage is applied by ESD.例文帳に追加

この第２のＰ型領域８は、裏面電極７への電圧非印加時（ゼロバイアス時）にもＥＳＤによる大電圧印加時にも、第１のＰ型領域３とＮ型半導体基板２の接合部Ｊ２３のうち、少なくとも表層部Ｓ２３を覆う空乏層ＤＬを発生させるように形成されている。 - 特許庁

A growth suppression film 104 is formed on an n-GaN layer 103, an InGaN re-grown layer 105 is formed from a part, where the growth suppressing film 104 is not formed, thereby lessening the dislocation propagating from the substrate interface and improving the characteristics of a light-emitting element formed thereon.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ層１０３の上に成長抑制膜１０４を形成し、成長抑制膜１０４の形成されていない部分からＩｎＧａＮ再成長層１０５を形成することによって、基板界面から伝搬する転位を減少させ、その上に作成した発光素子の特性を向上させる。 - 特許庁