「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(131ページ目) - Weblio英語例文検索

The dye-sensitized solar cell 1 has a semiconductor layer 10 forming a n-type group III nitride semiconductor carrying a photosensitizing dye 14, an ohmic electrode 11 joined with the group III nitride semiconductor, an opposite electrode 12, and an electrolyte layer 13 wherein an electrolyte including the photosensitizing dye 14 is enclosed between the group III nitride semiconductor and the opposite electrode 12.例文帳に追加

色素増感太陽電池１は、光増感色素１４を担持するｎ型のＩＩＩ族窒化物半導体が形成された半導体層１０と、ＩＩＩ族窒化物半導体に接合したオーミック電極１１と、対向電極１２と、ＩＩＩ族窒化物半導体と対向電極１２との間に、光増感色素１４を含む電解液が封入された電解質層１３とを備える。 - 特許庁

The double-sided adhesive sheet comprises: a plastic film substrate; and an adhesive layer on both sides of the plastic film substrate, wherein a 180°C peeling adhesive force of a surface (surface A) of one of the adhesive layer to a stainless steel plate as measured at a tensile speed of 300 mm/min is 8 N/20 mm or more, and an adhesive residue is not generated in the releasability evaluation test.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材の両面側に粘着剤層を有する両面粘着シートであって、一方の粘着剤層表面（Ａ面）の引張速度３００ｍｍ／分で測定されるステンレス板に対する１８０°引き剥がし粘着力が８Ｎ／２０ｍｍ以上であり、かつ再剥離性評価試験において糊残りを生じないことを特徴とする。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor comprises a conductive support 2 and a photosensitive layer 3 formed on the conductive support 2, wherein the photosensitive layer 3 shows dynamic hardness of 20×10^9 to 150×10^9 N/m^2 and an elastic deformation rate of 15 to 80%.例文帳に追加

上記課題を解決する電子写真感光体は、導電性支持体２と、導電性支持体２上に設けられた感光層３と、を有する電子写真感光体１であって、感光層３のダイナミック硬度が２０×１０^９Ｎ／ｍ^２以上１５０×１０^９Ｎ／ｍ^２以下であり、且つ、感光層３の弾性変形率が１５％以上８０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The conductive roller is characterized in that: an elastic roller has a core metal and at least one elastic layer formed around the periphery of the core metal; the elastic layer comprises a macromolecular composition containing epihalohydrin-ethylene oxide-acrylglycidyl ether terpolymer rubber, whose ethyleneoxide content is 60 to 90 mol%; and the macromolecular composition has a fracture energy of 10(N m) or less.例文帳に追加

芯金とその外周に設けられた少なくとも１層以上からなる弾性体層を有する弾性ローラにおいて、その弾性体層がエチレンオキサイド含有量が６０〜９０mol%のエピハロヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体ゴムを含む高分子組成物からなり、前記高分子組成物の破断エネルギーが１０Ｎ・ｍ以下であることを特徴とする導電性ローラ。 - 特許庁

This laminate 1 is composed of the nonwoven fabric 2 made of polypropylene and a polypropylene resin layer 3 and characterized in that the tensile elastic modulus in the MD direction of the polypropylene resin layer 3 is 200 MPa or above and the mutual seal strength of the propylene resin layers 3, when the propylene resin layers 3 are mutually heat-sealed, is 8 N/15 mm or above.例文帳に追加

ポリプロピレン系不織布２とポリプロピレン系樹脂層３からなる積層体であって、前記ポリプロピレン系樹脂層３のＭＤ方向の引張弾性率が２００ＭＰａ以上であって、かつ、前記ポリプロピレン系樹脂層３同士をヒートシールした場合における当該ポリプロピレン系樹脂層３同士のシール強度が８Ｎ／１５ｍｍ以上であることを特徴とする積層体１。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, an alcohol solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A, and a solvent C made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｃとを含む。 - 特許庁

The adhesive sheet for capturing the insects, having the adhesive layer containing a polyolefin-based polymer elastomer and a hydrogenated adhesiveness-imparting agent having ≥85°C softening point on one surface of a base material sheet has 12-80 N/35 mm×35 mm shear force of the adhesive layer when the adhesive layers of the adhesive sheets are superposed on each other.例文帳に追加

基材シートの一方の面に、ポリオレフィン系高分子エラストマーと軟化点が８５℃以上の水素添加処理された粘着付与剤を含む粘着剤層を有する粘着シートであって、当該粘着シートの粘着剤層面同士を重ね合わせた場合の粘着剤層のせん断力が、１２〜８０Ｎ／３５ｍｍ×３５ｍｍであることを特徴とする捕虫用粘着シートである。 - 特許庁

The N layer (emitter layer) of the solar cell 16 is formed as thick as 0.6 to 10 μm, so that sunlight where a light component of short wavelengths is removed is lengthened in absorption distance, and a photovoltaic power generating device of this constitution can be prevented well from deteriorating in generation efficiency even if a light component of shorter wavelengths than 450 nm is removed through the filter 18.例文帳に追加

また、太陽発電セル１６のＮ層（エミッタ層）２８の厚みが０．６乃至１０μｍとされていることから、短波長成分が除去された太陽光の吸収距離が長くされているので、フィルタ１８によって太陽発電セル１６に対する入射光から４５０ｎｍ以下の短波長成分が除去されているにも拘らず、発電効率の低下が好適に防止される。 - 特許庁

On a SiC semiconductor region 30 of a power MOSFET 100, having a Si semiconductor region 20 made of silicon(Si) and a SiC semiconductor region 30 made of silicon carbide(SiC), a p-type protective layer 40 is formed which makes contact with the Si semiconductor region 20 and a n-type drift layer 30b and is made of p-type SiC.例文帳に追加

珪素（Ｓｉ）から形成されたＳｉ半導体領域２０と炭化珪素（ＳｉＣ）から形成されたＳｉＣ半導体領域３０とを備えるパワーＭＯＳＦＥＴ１００のＳｉＣ半導体領域３０に、Ｓｉ半導体領域２０に接すると共にｎ型ドリフト層３０ｂに接するように設けられｐ型のＳｉＣからなるｐ型保護層４０を形成した。 - 特許庁

After forming a metal thin film 110 on the rear surface 1b where the amorphous layer 12 is formed, the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1 is irradiated with laser light under the condition that the product of photon energy and laser output is 1000-8000 eV mJ/cm^2, thereby forming a drain electrode 11 containing a silicide layer 111.例文帳に追加

そして、アモルファス層１２が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 10 constituted of a group III-V nitride semiconductor; a semiconductor laminate 11 formed on a principal surface of the substrate 10, and including an n-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer 14; and a first insulating film 15 which is formed on the semiconductor laminate 10, and of which heat conductivity is high in comparison with the semiconductor laminate 11.例文帳に追加

半導体装置は、III−Ｖ族窒化物半導体からなる基板１０と、基板１０の主面上に形成され、ｎ型半導体層１２及びｐ型半導体層１４を含む半導体積層体１１と、半導体積層体１０の上に形成され、半導体積層体１１と比べて熱伝導率が高い第１の絶縁膜１５とを備えている。 - 特許庁

A Shottky diode 10 comprises a semiconductor substrate 11 of n-type 4H-SiC, a first SiC layer 12 of 4H-SiC provided on the semiconductor substrate 11, a Schottky electrode 14 of nickel provided on the first SiC layer 12, and an ohmic electrode 15 of nickel provided on the lower surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明のショットキーダイオード１０は、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の上に設けられた４Ｈ−ＳｉＣからなる第１ＳｉＣ層１２と、第１ＳｉＣ層１２の上に設けられ、ニッケルからなるショットキー電極１４と、半導体基板１１の下面上に設けられ、ニッケルからなるオーミック電極１５とから構成されている。 - 特許庁

Next, a first metal layer 112 is formed in an N-channel MOSFET forming region 106 and the P-channel MOSFET forming region 107 and the first metal layer 112 and the first mask 111 are removed from the P-channel MOSFET forming region 107, thereby exposing the gate insulating film 110B formed in the P-channel MOSFET forming region 107.例文帳に追加

次に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０６およびＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に第一金属層１１２を形成し、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７から第一金属層１１２および第一マスク１１１を除去することにより、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に形成されたゲート絶縁膜１１０Ｂを露出させる。 - 特許庁

(1) In a stacked film including a hard film consisting of a compound of metallic components essentially consisting of Al and Ti with B, C, N, O or the like, the hard film is oxidized to form an oxide-containing layer, and an alumina film essentially consisting of an α type crystal structure is formed on the oxide-containing layer so as to be the stacked film.例文帳に追加

▲１▼ＡｌとＴｉを必須とする金属成分とＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ等との化合物をからなる硬質皮膜を有する積層皮膜において、該硬質皮膜を酸化することによって形成される酸化物含有層と、該酸化物含有層上に形成されるα型結晶構造を主体とするアルミナ膜を有することを特徴とする積層皮膜とする。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte battery provided with n electrode consisting of a cathode with a cathode active material layer containing a cathode active material, an anode with an anode active material, and a separator intercalated between these electrodes, and nonaqueous electrolyte impregnated in the electrode, the cathode active material contains at least cobalt or manganese, and a coating layer containing filler particles and a binder is formed on the surface of the cathode active material layer.例文帳に追加

正極活物質を含む正極活物質層を有する正極、負極活物質を有する負極、及びこれら両極間に介装されたセパレータから成る電極体と、この電極体に含浸された非水電解質とを備えた非水電解質電池において、上記正極活物質には少なくともコバルト又はマンガンが含まれると共に、正極活物質層の表面にはフィラー粒子とバインダーとが含まれている被覆層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element includes at least one luminescent layer sandwiched between an anode and a cathode, wherein the luminescent layer contains at least one phosphorescent dopant and has an organic layer containing at least one compound containing within a molecule a partial structure comprising one or more phenanthridine rings or N-containing hetero rings obtained by substituting one or two of the carbon atoms of a phenanthridine ring for nitrogen atoms.例文帳に追加

陽極と陰極により挟まれた少なくとも１層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層がリン光発光性ドーパントを少なくとも１種含有し、且つ、分子内に１つ以上のフェナントリジン環あるいはフェナントリジン環の炭素原子を一つあるいは二つ窒素原子で置き換えた含Ｎ複素環から構成された部分構造を含む化合物を少なくとも１種含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

Time variation (interferogram) of light intensity of primary diffracted light is obtained from the intensity of laser beams incident on a surface of a wafer 2 and the intensity of the detected primary diffracted light, thereby calculating an etching rate of an n-type aluminum-gallium (AlGaAs) layer in a chemical solution 4 (S105).例文帳に追加

ウエハ表面に入射するレーザ光の光強度と、検出された１次回折光の光強度とより、１次回折光の光強度の時間変化（干渉波形）が得られ、薬液４におけるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートが算出される（Ｓ１０５）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

The intermediate layer 16 of the low-hardness elastomer having 30 or below in Asker C hardness and 10 N/cm^2 or below in 20% compressive load is set between the substrate 12 molded in a required shape and the skin 14 forming the decorative surface of the substrate 12.例文帳に追加

所要形状に成形した基材１２と、この基材１２の化粧面をなす表皮１４との間に、アスカーＣ硬度が３０以下で、２０％圧縮荷重が１０Ｎ／ｃｍ^2以下である低硬度エラストマを材質とする中間層１６を介在させるようにする。 - 特許庁

Additionally, a silicide layer 19 whose one end and the other come into contact with the n^+- and p-type semiconductor regions 13 and 12, respectively, is formed on the surface of the semiconductor substrate 11 opposite to a contact hole 18 along the thickness direction of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

さらに、半導体基板１１の厚さ方向に沿って、一端部がｎ＋型半導体領域１３に接触し、他端部がｐ型半導体領域１２に接触するシリサイド層１９がコンタクト孔１８に対向する半導体基板１１表面に形成されている。 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられた下部ＤＢＲ部３と、下部ＤＢＲ部３上に設けられた上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と上部ＤＢＲ部７との間に設けられた活性層５とを備える。 - 特許庁

To provide a hologram type optical recording medium with improved sensitivity of the recording layer, increase in multiplicity, and improvement in the S/N ratio of the optical signal, and is capable of high-density image recording, and to provide a manufacturing method by which the optical recording medium can be efficiently manufactured.例文帳に追加

記録層の感度が向上し、多重度の増大及び光信号のＳ／Ｎ比の向上を図れ、高密度画像記録が可能なホログラム型の光記録媒体及び該光記録媒体を効率よく製造することができる光記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁

This makes a difference in the magnitude of magnetization between the reproducing light incident side surface of the reproducing layer and the surface on the side opposite to the reproducing light incident side small in information reproduction, smoothes an expansion operation of the magnetic domain and reduces jitter of the reproduced signal to improve the S/N of the reproduced signal.例文帳に追加

これにより、情報再生時に再生層の再生光入射側表面及びその反対側の表面における磁化の大きさの差を小さくして、磁区の拡大動作をスムーズにし、再生信号のジッタを低減して再生信号のＳ／Ｎを向上させる。 - 特許庁

First, a center protective film 9 is formed at the center of the upper surface of the semiconductor film 8 made of true zinc oxide, ohmic contact layers 10 and 11 made of n-type zinc oxide and upper surface protective films 12 and 13 are formed thereon, and an upper layer insulation film 16 is formed thereon.例文帳に追加

まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面中央部に中央保護膜９を形成し、その上にｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層１０、１１および上面保護膜１２、１３を形成し、その上に上層絶縁膜１６を成膜する。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

A protective film, which is made of a dielectric film which is transparent with respect to the laser beam and having a film thickness within the range of 10 nm-λ/4n (λ is oscillation wavelength, n is refractive index), is provided on an upper multilayer reflection mirror directly or via another compound semiconductor layer.例文帳に追加

そして、レーザ光に対して透明で、かつ膜厚が１０ｎｍ以上λ／４ｎ（λ＝発振波長、ｎ＝屈折率）以下の範囲の誘電体膜からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 - 特許庁

The channel stopper 40 comprises a core 42, comprising phosphorus glass embedded in the channel formed deep near the separation wall 30 by etching, etc., and a channel-stop layer 44 in an N-type region formed by applying heat to the embedded phosphorus glass, and the phosphorus is diffused around the channel.例文帳に追加

チャンネルストッパ４０は、エッチングなどにより分離壁３０近傍に深く形成した溝に埋め込まれたリンガラスからなるコア４２と、埋め込んだリンガラスに熱を加えてリンを溝の周囲に拡散させて形成したＮ型領域のチャンネルストップ層４４とにより形成する。 - 特許庁

Even when a surge voltage is applied, since a pn junction is formed by the n-type semiconductor layer region 130 and the p type impurity diffusion region 170, the concentration of the surge voltage on a defect is prevented and the destruction of the dielectric separation membrane 120 is prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、ｎ−型半導体層領域１３０とｐ型不純物拡散領域１７０とによりｐｎ接合が形成されているため、サージ電圧が欠陥に集中することを防ぎ、誘電体分離膜１２０の破壊を防止することができる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 80 is provided with a semiconductor layered body 82 made of an AlGaInP group chemical compound semiconductor layer on an n type GaAg substrate 81 with a step structure 14 on a slope tilted by 10-degrees in the [0-1-1] orientation from the (100) plane.例文帳に追加

本半導体レーザ素子８０は、（１００）面より〔０−１−１〕方向に１０°傾斜した傾斜面にステップ状構造１４を備えたｎ型ＧａＡｓ基板８１上に、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体層からなる半導体積層体８２を備えている。 - 特許庁

First, a liquid material 2a for forming the inner layer 2 is sprayed from the spray nozzle N provided to the leading end part of the extrusion head H of an extruder almost simultaneously with the extrusion of a hose substrate 1 from the extrusion head H to be applied to the inner peripheral surface of the extruded hose substrate 1.例文帳に追加

まず、押出機の押出ヘッドＨからホース基体１を押し出すと略同時に、上記押出ヘッドＨの先端部の噴霧ノズルＮから内層２形成用の液状材料２ａを噴霧し、押し出されたホース基体１の内周面にその液状材料２ａを塗布する。 - 特許庁

A silicon nitride film 2 is provided on the surface of a silicon substrate 1, at least n-type and p-type layers 3 and 4 and 6 and 7 consisting of a ZnO-family compound semiconductor are provided on the silicon nitride film 2, and a semiconductor lamination part 11 is laminated, so that a light emission layer is formed.例文帳に追加

シリコン基板１の表面にシリコンチッ化膜２が設けられており、そのシリコンチッ化膜２上にＺｎＯ系化合物半導体からなるｎ形層３、４およびｐ形層６、７を少なくとも有し、発光層を形成するように半導体積層部１１が積層されている。 - 特許庁

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

ｐｎ接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層（Ｐ型拡散分離壁）１４および１４ａおよび１４ｂのｐｎ接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域（Ｎ^+層）１５ａ〜１５ｃを形成する。 - 特許庁

The adhesive property expression pressure is the minimum pressure at which adhesive power reaches ≥5.0 N/25 mm; wherein the adhesive power is the one measured under the condition of tension speed 300 mm/min on the basis of a 180-degree peeling method in JIS Z0237-2000 after copy paper is superimposed on the pressure-sensitive adhesive layer, and pressing is performed.例文帳に追加

ここで、前記粘着力は、感圧接着剤層にコピー用紙（株式会社リコー製、商品名「マイリサイクルペーパー１００」）を重ね、圧着させた後、ＪＩＳ Ｚ０２３７−２０００の１８０度引き剥がし法に基づき、引張速度３００ｍｍ／分の条件で測定した粘着力である。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording medium in which the orientation dispersion and crystal particle size can be reduced in a magnetic recording layer and, at the same time, the film thickness of nonmagnetic intermediate layers can be reduced so that performance improvements such as reduced noise, increased S/N ratio, and improved write-ability are achieved.例文帳に追加

磁気記録層の配向分散低減および結晶粒径微細化と同時に、非磁性中間層の膜厚の低減を可能とし、それによって低ノイズ化、Ｓ／Ｎ向上、記録容易性向上といった性能向上を可能とする垂直磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

A recess, having a trapezoidal plan shape, is provided on a gate 105a for forming an area which is likely to concentrate the electric field on a p-type base region 106a, a cut part of an n+-type source diffused layer 112a, is provided near the recess to suppress the increase of the diffusion resistance at this part.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａに平面形状で台形上の凹部を設けてＰ型ベース領域１０６ａに電界集中の生じ易い個所を形成し、この凹部近傍にＮ^+ 型ソース拡散層１１２ａの分断部を設けてこの部分での拡散抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

An n-channel MISFET (Mn), a p-channel MISFET (Mp), an npn bipolar transistor (Bn) and a pnp bipolar transistor (Bp) are respectively formed on semiconductor insular regions, being electrically separated from each other by the grooves 11 and the layer 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｎ）、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｐ）、ｎｐｎ型バイポーラ・トランジスタ（Ｂｎ）およびｐｎｐ型バイポーラ・トランジスタ（Ｂｐ）のそれぞれは、上記Ｕ溝１１と酸化シリコン層３とによって互いに電気的に分離された半導体島領域に形成されている。 - 特許庁

To provide an adhesive composition suitable for adhesion of optical films such as adhesive sheets, laminates or polarizing plates, in which an urethane resin having a high refractive index of ≥1.500 is used and from which an adhesive layer having an adhesive force of ≥1.5 N/25 mm can be formed.例文帳に追加

１．５００以上の高屈折率を有するウレタン樹脂を用いてなり、１．５Ｎ／２５ｍｍ以上の粘着力を有する粘着剤層が形成可能で、粘着シート、積層体、又は偏光板などの光学フィルム接着用に適した粘着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁

An organic EL element 10 has a dielectric lamination film 20 formed by alternately laminating each n-pieces of silicon oxide layers functioning as first dielectric 21 and second dielectric 22 between an anode layer and a substrate, and the dielectric lamination film functions as an optical resonator 30.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０は、陽極層１２と基板１１との間に、第１の誘電体２１としてのシリコン窒化膜と第２の誘電体２２としてのシリコン酸化膜がｎ層ずつ交互に積層された誘電体積層膜２０が形成され、誘電体積層膜２０が光共振器３０として機能する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device comprising a light-emitting layer, configured to emit a light of first wavelength, disposed in between an n-type region and a p-type region is combined with a cerium-doped garnet phosphor, having a wider excitation spectrum than conventional cerium-doped garnet phosphors.例文帳に追加

ｎ型領域とｐ型領域の間に配置されて第１の波長の光を放射するように構成された発光層を含む半導体発光装置は、従来のセリウムドープガーネット燐光体よりも広い励起スペクトルを有するセリウムドープガーネット燐光体と組み合される。 - 特許庁

An n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 of a Schottky barrier diode includes a substrate 11 having a principal surface 11a and a first semiconductor region 19a of a forward mesa shape having a side surface 19d and a top surface 19c and provided on the principal surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードのｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９は、主面１１ａを有する基板１１と、側面１９ｄと上面１９ｃを有しており順メサ形状の第１の半導体領域１９ａを含み基板１１の主面１１ａ上に設けられている。 - 特許庁

The electrophotographic light transmitting recording material 3 has a toner accepting layer 2 containing a thermoplastic resin, a N-substituted fatty acid amide having 130 to 190°C melting point and a fatty acid or fatty acid derivative having 50 to 130°C melting point on a transparent substrate 1.例文帳に追加

透明基材１上に、熱可塑性樹脂、融点１３０〜１９０℃のＮ-置換脂肪酸アミドおよび融点５０〜１３０℃の脂肪酸あるいは脂肪酸誘導体を含有するトナー受容層２を有することを特徴とする電子写真用光透過性被記録材３。 - 特許庁

The resistance change layer RW is made of an amorphous film including N, and includes Si and C as main components, which can reversibly change the resistive state among a plurality of different resistive states by an electrical signal flowing from the upper electrode film TE side to the lower electrode film BE side.例文帳に追加

前記抵抗変化層ＲＷは、前記上部電極膜ＴＥ側から前記下部電極膜ＢＥ側に流れる電気的信号によって、複数の異なる抵抗状態間を可逆的に変化させることが可能なＳｉ，Ｃを主成分とし、Ｎを含むアモルファスの膜からなる。 - 特許庁

To prevent a dielectric breakdown voltage BVDS between a source and a drain of a DMOS transistor from being lowered owing to occurrence of dielectric breakdown in a part of a high-concentration N-type drift layer 5 formed in an active region 14 in the vicinity of a field oxide film corner part 19 surrounding an end E in a gate width direction.例文帳に追加

ゲート幅方向端部Ｅを取り囲むフィールド酸化膜コーナー部１９近傍の活性領域１４に形成された、高濃度Ｎ型ドリフト層５の部分で絶縁破壊することにより、ＤＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間絶縁破壊電圧ＢＶＤＳが低下することを防止する。 - 特許庁