「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(131ページ目) - Weblio英語例文検索

This laminate 1 is composed of the nonwoven fabric 2 made of polypropylene and a polypropylene resin layer 3 and characterized in that the tensile elastic modulus in the MD direction of the polypropylene resin layer 3 is 200 MPa or above and the mutual seal strength of the propylene resin layers 3, when the propylene resin layers 3 are mutually heat-sealed, is 8 N/15 mm or above.例文帳に追加

ポリプロピレン系不織布２とポリプロピレン系樹脂層３からなる積層体であって、前記ポリプロピレン系樹脂層３のＭＤ方向の引張弾性率が２００ＭＰａ以上であって、かつ、前記ポリプロピレン系樹脂層３同士をヒートシールした場合における当該ポリプロピレン系樹脂層３同士のシール強度が８Ｎ／１５ｍｍ以上であることを特徴とする積層体１。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, an alcohol solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A, and a solvent C made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｃとを含む。 - 特許庁

The adhesive sheet for capturing the insects, having the adhesive layer containing a polyolefin-based polymer elastomer and a hydrogenated adhesiveness-imparting agent having ≥85°C softening point on one surface of a base material sheet has 12-80 N/35 mm×35 mm shear force of the adhesive layer when the adhesive layers of the adhesive sheets are superposed on each other.例文帳に追加

基材シートの一方の面に、ポリオレフィン系高分子エラストマーと軟化点が８５℃以上の水素添加処理された粘着付与剤を含む粘着剤層を有する粘着シートであって、当該粘着シートの粘着剤層面同士を重ね合わせた場合の粘着剤層のせん断力が、１２〜８０Ｎ／３５ｍｍ×３５ｍｍであることを特徴とする捕虫用粘着シートである。 - 特許庁

The N layer (emitter layer) of the solar cell 16 is formed as thick as 0.6 to 10 μm, so that sunlight where a light component of short wavelengths is removed is lengthened in absorption distance, and a photovoltaic power generating device of this constitution can be prevented well from deteriorating in generation efficiency even if a light component of shorter wavelengths than 450 nm is removed through the filter 18.例文帳に追加

また、太陽発電セル１６のＮ層（エミッタ層）２８の厚みが０．６乃至１０μｍとされていることから、短波長成分が除去された太陽光の吸収距離が長くされているので、フィルタ１８によって太陽発電セル１６に対する入射光から４５０ｎｍ以下の短波長成分が除去されているにも拘らず、発電効率の低下が好適に防止される。 - 特許庁

The vertical IGBT 10 includes a p-type collector region 21 provided on a rear layer part of a semiconductor substrate 20 and electrically connected with a collector electrode, an n-type emitter region 26 provided on a front layer part of the substrate 20 and electrically connected with an emitter electrode, and an insulative insulation wall 36 provided around an element part.例文帳に追加

縦型ＩＧＢＴ１０は、半導体基板２０の裏層部に設けられているとともにコレクタ電極に電気的に接続されているｐ型のコレクタ領域２１と、半導体基板２０の表層部に設けられているとともにエミッタ電極に電気的に接続されているｎ型のエミッタ領域２６と、素子部の周縁に設けられている絶縁体の絶縁壁３６を備えている。 - 特許庁

The wiring board 5 provided with an insulating base material 6 and a conductor pattern 7 formed on the insulating base material 6 has a heat dissipation layer 8 for covering one or whole part of the surface where conductor pattern 7 is formed and the heat dissipation layer 8 contains N-type semiconductor particles of 5.0 vol% or more.例文帳に追加

この目的を達成する為本発明は、絶縁基材６と、この絶縁基材６上に形成された導体パターン７とを備えた配線基板５において、この配線基板５は、導体パターン７が形成された面の一部または全部を被覆する熱放射層８を有し、この熱放射層８は、５．０ｖｏｌ％以上のＮ型半導体粒子を含有するものとした。 - 特許庁

This easily tearable biaxially stretched polyester film is composed of both outer layers being molecular oriented layers and an inner layer being a substantially non-molecular oriented layer and characterized in that an edge tear resistance value is 70 N or below, the three-dimensional average roughness of at least one side of the film is 20 nm or above and the surface glossiness of the film is 150% or more.例文帳に追加

両外層が分子配向を有している層であり、内層が実質的に分子配向がない層である積層フィルムに於いて、端裂抵抗値が７０Ｎ以下であり、且つ少なくとも片方の表面の三次元平均粗さが２０ｎｍ以上であり、且つ表面光沢度が１５０％以上であることを特徴とする巻き品質に優れた易引き裂き性２軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

In a step S10, image information or the low frequency component of the image is divided into a plurality of tiles, and wavelet transform is performed for the image information or the low frequency component present in each tile without utilizing the image information or the low frequency component present in the other tiles in the wavelet transform applied to layers from a first layer to a layer under the Th (N in step S9).例文帳に追加

第一階層からＴｈより下までの階層（ステップＳ９のＮ）のウェーブレット変換においては、画像情報または低周波成分を複数のタイルに分割し、当該各タイル内に存在する画像情報または低周波成分に対し、他のタイル内に存在する画像情報または低周波成分を利用することなくウェーブレット変換を実行する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

After forming a metal thin film 110 on the rear surface 1b where the amorphous layer 12 is formed, the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1 is irradiated with laser light under the condition that the product of photon energy and laser output is 1000-8000 eV mJ/cm^2, thereby forming a drain electrode 11 containing a silicide layer 111.例文帳に追加

そして、アモルファス層１２が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 10 constituted of a group III-V nitride semiconductor; a semiconductor laminate 11 formed on a principal surface of the substrate 10, and including an n-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer 14; and a first insulating film 15 which is formed on the semiconductor laminate 10, and of which heat conductivity is high in comparison with the semiconductor laminate 11.例文帳に追加

半導体装置は、III−Ｖ族窒化物半導体からなる基板１０と、基板１０の主面上に形成され、ｎ型半導体層１２及びｐ型半導体層１４を含む半導体積層体１１と、半導体積層体１０の上に形成され、半導体積層体１１と比べて熱伝導率が高い第１の絶縁膜１５とを備えている。 - 特許庁

A Shottky diode 10 comprises a semiconductor substrate 11 of n-type 4H-SiC, a first SiC layer 12 of 4H-SiC provided on the semiconductor substrate 11, a Schottky electrode 14 of nickel provided on the first SiC layer 12, and an ohmic electrode 15 of nickel provided on the lower surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明のショットキーダイオード１０は、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の上に設けられた４Ｈ−ＳｉＣからなる第１ＳｉＣ層１２と、第１ＳｉＣ層１２の上に設けられ、ニッケルからなるショットキー電極１４と、半導体基板１１の下面上に設けられ、ニッケルからなるオーミック電極１５とから構成されている。 - 特許庁

Next, a first metal layer 112 is formed in an N-channel MOSFET forming region 106 and the P-channel MOSFET forming region 107 and the first metal layer 112 and the first mask 111 are removed from the P-channel MOSFET forming region 107, thereby exposing the gate insulating film 110B formed in the P-channel MOSFET forming region 107.例文帳に追加

次に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０６およびＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に第一金属層１１２を形成し、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７から第一金属層１１２および第一マスク１１１を除去することにより、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に形成されたゲート絶縁膜１１０Ｂを露出させる。 - 特許庁

(1) In a stacked film including a hard film consisting of a compound of metallic components essentially consisting of Al and Ti with B, C, N, O or the like, the hard film is oxidized to form an oxide-containing layer, and an alumina film essentially consisting of an α type crystal structure is formed on the oxide-containing layer so as to be the stacked film.例文帳に追加

▲１▼ＡｌとＴｉを必須とする金属成分とＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ等との化合物をからなる硬質皮膜を有する積層皮膜において、該硬質皮膜を酸化することによって形成される酸化物含有層と、該酸化物含有層上に形成されるα型結晶構造を主体とするアルミナ膜を有することを特徴とする積層皮膜とする。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte battery provided with n electrode consisting of a cathode with a cathode active material layer containing a cathode active material, an anode with an anode active material, and a separator intercalated between these electrodes, and nonaqueous electrolyte impregnated in the electrode, the cathode active material contains at least cobalt or manganese, and a coating layer containing filler particles and a binder is formed on the surface of the cathode active material layer.例文帳に追加

正極活物質を含む正極活物質層を有する正極、負極活物質を有する負極、及びこれら両極間に介装されたセパレータから成る電極体と、この電極体に含浸された非水電解質とを備えた非水電解質電池において、上記正極活物質には少なくともコバルト又はマンガンが含まれると共に、正極活物質層の表面にはフィラー粒子とバインダーとが含まれている被覆層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element includes at least one luminescent layer sandwiched between an anode and a cathode, wherein the luminescent layer contains at least one phosphorescent dopant and has an organic layer containing at least one compound containing within a molecule a partial structure comprising one or more phenanthridine rings or N-containing hetero rings obtained by substituting one or two of the carbon atoms of a phenanthridine ring for nitrogen atoms.例文帳に追加

陽極と陰極により挟まれた少なくとも１層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層がリン光発光性ドーパントを少なくとも１種含有し、且つ、分子内に１つ以上のフェナントリジン環あるいはフェナントリジン環の炭素原子を一つあるいは二つ窒素原子で置き換えた含Ｎ複素環から構成された部分構造を含む化合物を少なくとも１種含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

Time variation (interferogram) of light intensity of primary diffracted light is obtained from the intensity of laser beams incident on a surface of a wafer 2 and the intensity of the detected primary diffracted light, thereby calculating an etching rate of an n-type aluminum-gallium (AlGaAs) layer in a chemical solution 4 (S105).例文帳に追加

ウエハ表面に入射するレーザ光の光強度と、検出された１次回折光の光強度とより、１次回折光の光強度の時間変化（干渉波形）が得られ、薬液４におけるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートが算出される（Ｓ１０５）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

The intermediate layer 16 of the low-hardness elastomer having 30 or below in Asker C hardness and 10 N/cm^2 or below in 20% compressive load is set between the substrate 12 molded in a required shape and the skin 14 forming the decorative surface of the substrate 12.例文帳に追加

所要形状に成形した基材１２と、この基材１２の化粧面をなす表皮１４との間に、アスカーＣ硬度が３０以下で、２０％圧縮荷重が１０Ｎ／ｃｍ^2以下である低硬度エラストマを材質とする中間層１６を介在させるようにする。 - 特許庁

Additionally, a silicide layer 19 whose one end and the other come into contact with the n^+- and p-type semiconductor regions 13 and 12, respectively, is formed on the surface of the semiconductor substrate 11 opposite to a contact hole 18 along the thickness direction of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

さらに、半導体基板１１の厚さ方向に沿って、一端部がｎ＋型半導体領域１３に接触し、他端部がｐ型半導体領域１２に接触するシリサイド層１９がコンタクト孔１８に対向する半導体基板１１表面に形成されている。 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられた下部ＤＢＲ部３と、下部ＤＢＲ部３上に設けられた上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と上部ＤＢＲ部７との間に設けられた活性層５とを備える。 - 特許庁

To provide a hologram type optical recording medium with improved sensitivity of the recording layer, increase in multiplicity, and improvement in the S/N ratio of the optical signal, and is capable of high-density image recording, and to provide a manufacturing method by which the optical recording medium can be efficiently manufactured.例文帳に追加

記録層の感度が向上し、多重度の増大及び光信号のＳ／Ｎ比の向上を図れ、高密度画像記録が可能なホログラム型の光記録媒体及び該光記録媒体を効率よく製造することができる光記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁

This makes a difference in the magnitude of magnetization between the reproducing light incident side surface of the reproducing layer and the surface on the side opposite to the reproducing light incident side small in information reproduction, smoothes an expansion operation of the magnetic domain and reduces jitter of the reproduced signal to improve the S/N of the reproduced signal.例文帳に追加

これにより、情報再生時に再生層の再生光入射側表面及びその反対側の表面における磁化の大きさの差を小さくして、磁区の拡大動作をスムーズにし、再生信号のジッタを低減して再生信号のＳ／Ｎを向上させる。 - 特許庁

First, a center protective film 9 is formed at the center of the upper surface of the semiconductor film 8 made of true zinc oxide, ohmic contact layers 10 and 11 made of n-type zinc oxide and upper surface protective films 12 and 13 are formed thereon, and an upper layer insulation film 16 is formed thereon.例文帳に追加

まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面中央部に中央保護膜９を形成し、その上にｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層１０、１１および上面保護膜１２、１３を形成し、その上に上層絶縁膜１６を成膜する。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

A protective film, which is made of a dielectric film which is transparent with respect to the laser beam and having a film thickness within the range of 10 nm-λ/4n (λ is oscillation wavelength, n is refractive index), is provided on an upper multilayer reflection mirror directly or via another compound semiconductor layer.例文帳に追加

そして、レーザ光に対して透明で、かつ膜厚が１０ｎｍ以上λ／４ｎ（λ＝発振波長、ｎ＝屈折率）以下の範囲の誘電体膜からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 - 特許庁

The channel stopper 40 comprises a core 42, comprising phosphorus glass embedded in the channel formed deep near the separation wall 30 by etching, etc., and a channel-stop layer 44 in an N-type region formed by applying heat to the embedded phosphorus glass, and the phosphorus is diffused around the channel.例文帳に追加

チャンネルストッパ４０は、エッチングなどにより分離壁３０近傍に深く形成した溝に埋め込まれたリンガラスからなるコア４２と、埋め込んだリンガラスに熱を加えてリンを溝の周囲に拡散させて形成したＮ型領域のチャンネルストップ層４４とにより形成する。 - 特許庁

Even when a surge voltage is applied, since a pn junction is formed by the n-type semiconductor layer region 130 and the p type impurity diffusion region 170, the concentration of the surge voltage on a defect is prevented and the destruction of the dielectric separation membrane 120 is prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、ｎ−型半導体層領域１３０とｐ型不純物拡散領域１７０とによりｐｎ接合が形成されているため、サージ電圧が欠陥に集中することを防ぎ、誘電体分離膜１２０の破壊を防止することができる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 80 is provided with a semiconductor layered body 82 made of an AlGaInP group chemical compound semiconductor layer on an n type GaAg substrate 81 with a step structure 14 on a slope tilted by 10-degrees in the [0-1-1] orientation from the (100) plane.例文帳に追加

本半導体レーザ素子８０は、（１００）面より〔０−１−１〕方向に１０°傾斜した傾斜面にステップ状構造１４を備えたｎ型ＧａＡｓ基板８１上に、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体層からなる半導体積層体８２を備えている。 - 特許庁

A first trench 13 is made vertically from the surface side of an n-type semiconductor layer 1 to serve as a collector region, and p-type impurities are diffused laterally (around the first trench 13) from the first trench 13, whereby a p-type base region 2 is made laterally.例文帳に追加

コレクタ領域とするｎ形半導体層１の表面側から縦方向に形成される第１の溝１３が形成され、その第１の溝１３からｐ形不純物が横方向に（第１の溝１３の周囲に）拡散されることによりｐ形ベース領域２が横方向に形成されている。 - 特許庁

In the boundary region to the n-type layer 12, the p-type region 13 includes a low impurity region 13A having a conductivity type closer to p-type than a high impurity region 13B in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

Semiconductor layers of p-tpe and n-type first and second thin film transistors constructed on a driving circuit section and a pixel region are formed particularly through a first mask step, and a first storage electrode comprising the semiconductor layer and an auxiliary electrode laminated with each other is formed.例文帳に追加

本発明は、特に、第１マスク工程によって、駆動回路部と画素領域に構成するｐ型及びｎ型の第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの半導体層を形成して、半導体層と補助電極が積層された第１ストレージ電極を形成する。 - 特許庁

To manufacture a magnetic recording medium wherein fine magnetic crystal grains constituting a magnetic layer are made uniform, a grain boundary width between grains (the width W of a magnetization transition region) is accurately adjusted and an S/N can be enhanced by a manufacturing method having excellent operation efficiency at low costs.例文帳に追加

低コストで作業効率に優れた製造方法により、磁性層を構成する微細な磁性結晶粒の均一化を図り、結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整し、Ｓ／Ｎの向上を図ることが可能な磁気記録媒体を作製すること。 - 特許庁

Related to the BiCMOS, the upper surface of an N-type base 104a of the LPNP is shielded with a conductive layer 107 (gate electrode material) of the same material as a gate electrode of an MISFET through an insulating film 106 thicker than a gate insulating film 105 of the MISFET.例文帳に追加

本発明のＢｉＣＭＯＳでは、ＬＰＮＰのＮ型ベース１０４ａの上面が、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０５よりも膜厚の厚い絶縁膜１０６を介して、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と同一材質の導電層１０７（ゲート電極材料）でシールドされている。 - 特許庁

In the method for producing butadiene, a specific structure of the quenching tower is used in a quenching method of quenching, in the quenching tower, the reactant gas containing butadiene produced by bringing a catalyst into contact with n-butene in a fluidized layer reactor in which the catalyst in which a carrier carries an oxide, and oxygen are present inside.例文帳に追加

酸化物を担体に担持した触媒と、酸素とが内部に存在する流動層反応器内で、前記触媒にｎ−ブテンを接触させて製造したブタジエンを含む反応ガスを急冷塔において急冷する方法において、急冷塔を特定の構造とする、ブタジエンの製造方法。 - 特許庁

An SiO2 film 8 is formed on the substrate where the source and drain electrodes 6 and 7 are formed, the part between the source and drain electrodes 6 and 7 is opened, the n-type GaAs layer 5 is etched through the opening to form a recess groove 13, and a gate electrode 9 is provided.例文帳に追加

このソース電極６ドレイン電極７を形成した基板にＳｉＯ_2膜８を形成した後、ソース電極６とドレイン電極７の間を開口し、その開口を通してｎ型ＧａＡｓ層５をエッチングしてリセス溝１３を形成し、ゲート電極９を配設している。 - 特許庁

In the method for manufacturing a solar cell 100, a metal mask M3 has two openings H3 corresponding to a formation pattern of two island-shaped n-type amorphous semiconductor layers 12n_1, and an opening H4 corresponding to a formation pattern of a p-type amorphous semiconductor layer 12p.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池１００の製造方法において、メタルマスクＭ３は、２本の島状ｎ型非晶質半導体層１２ｎ_１の形成パターンに応じた２つの開口部Ｈ３と、ｐ型非晶質半導体層１２ｐの形成パターンに応じた開口部Ｈ４とを有する。 - 特許庁

An n-channel MISFET (Mn), a p-channel MISFET (Mp), an npn bipolar transistor (Bn) and a pnp bipolar transistor (Bp) are respectively formed on semiconductor insular regions, being electrically separated from each other by the grooves 11 and the layer 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｎ）、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｐ）、ｎｐｎ型バイポーラ・トランジスタ（Ｂｎ）およびｐｎｐ型バイポーラ・トランジスタ（Ｂｐ）のそれぞれは、上記Ｕ溝１１と酸化シリコン層３とによって互いに電気的に分離された半導体島領域に形成されている。 - 特許庁

To provide an adhesive composition suitable for adhesion of optical films such as adhesive sheets, laminates or polarizing plates, in which an urethane resin having a high refractive index of ≥1.500 is used and from which an adhesive layer having an adhesive force of ≥1.5 N/25 mm can be formed.例文帳に追加

１．５００以上の高屈折率を有するウレタン樹脂を用いてなり、１．５Ｎ／２５ｍｍ以上の粘着力を有する粘着剤層が形成可能で、粘着シート、積層体、又は偏光板などの光学フィルム接着用に適した粘着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁

To improve avalanche resistance in a super junction semiconductor device having such a parallel pn structure that a drift layer is formed by bonding alternately and repeatedly a drift area formed of an n-type semiconductor area with higher impurity concentration and a partitioning area formed of a p-type semiconductor area.例文帳に追加

ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型半導体領域よりなるドリフト領域とｐ型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

The cord 20 of the circumferential directional steel belt layer is formed by intertwisting a plurality of steel filaments 21 having a tensile strength of 2,700 N/mm^2 or more, and a cross-sectional shape of the cord when viewed from a cross section in the tire width direction, presents a C-shape having an opening part 22 in part between the steel filaments.例文帳に追加

周方向スチールベルト層のコード２０が、引張強さ２７００Ｎ／ｍｍ^２以上のスチールフィラメント２１の複数本を撚り合わせてなり、かつ、タイヤ幅方向断面から見たときのコードの断面形状が、スチールフィラメント間の一部に開口部２２を有するＣ形を呈する。 - 特許庁

By switching between connection and non-connection of the switches 133-1 to 133-n, an distance between the signal line 131 and the ground layer is pseudo adjusted to change an effective dielectric constant in a transmission line part 130, so that the frequency of the standing wave can be adjusted.例文帳に追加

スイッチ１３３−１〜１３３−ｎの接続及び非接続を切り替えることにより、擬似的に信号線１３１とグランド層の間の距離が調節され、伝送線路部１３０における実効誘電率が変化して、定在波の周波数を調整することができる。 - 特許庁