「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

At a side of the n-GaN layer 12 on an interface of the AlN film 13 and the n-GaN layer 12, a two-dimensional (2D) electron gas layer 15 is formed.例文帳に追加

ＡｌＮ膜１３とｎ−ＧａＮ層１２との界面のｎ−ＧａＮ層１２側には、２次元電子ガス層１５が形成されている。 - 特許庁

The second n-side wiring layer has an n-side external terminal which is exposed from the first insulating layer and second insulting layer on the third surface.例文帳に追加

第２のｎ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。 - 特許庁

The diode DI is made up of a multilayer structure of a p+ type layer D1, an n+ type layer D3, and an n- type layer D2 sandwiched by these.例文帳に追加

ダイオードＤＩは、ｐ＋型層Ｄ１と、ｎ＋型層Ｄ３と、これに挟まれたｎ−型層Ｄ２の積層構造により構成される。 - 特許庁

In this way, the low-density N type embedded drift layer 5 extending from the N+ type drift layer 11 to the bottom of the P type body layer 3 is ensured.例文帳に追加

これによりＮ＋型ドリフト層１１からＰ型ボディ層３底部まで延在する低濃度のＮ型埋め込みドリフト層５を確保する。 - 特許庁

The total thickness of the buffer layer 2 and the n-type clad layer 3 is reduced to make transposition on the surface of the n-type clad layer 3.例文帳に追加

バッファ層２とｎ型クラッド層３との合計の厚みを薄くすることによってｎ型クラッド層３の表面に転位を生じさせる。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 107, together with the n-type diffusion layer 106, functions as a signal charge accumulating layer in the pixels of Red.例文帳に追加

ｎ型拡散層１０７はｎ型拡散層１０６と一体となってＲｅｄの画素における信号電荷蓄積層として機能する。 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded electrode 4.例文帳に追加

埋め込み電極４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

The impurity concentration of the N-type impurity layer 30 is higher than the impurity concentration of the collector layer 3 under the N-type impurity layer 30.例文帳に追加

Ｎ型不純物層３０の不純物濃度は、Ｎ型不純物層３０の下方におけるコレクタ層３の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

An n- epitaxial layer 12A is formed on a n+ semiconductor substrate 1a and a (p) buried layer 13A is formed in the epitaxial layer 12A.例文帳に追加

ｎ^＋半導体基板１１には、ｎ^−エピタキシャル層１２Ａが形成され、エピタキシャル層１２Ａにはｐ埋め込み層１３Ａが形成されている。 - 特許庁

An In composition ratio of the first n-side intermediate layer decreases along a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。 - 特許庁

The nitride semiconductor element includes a nitride semiconductor laminate structure portion 2 having an n-type layer 3, a p-type layer 4, and an n-type layer 5.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

An N-type GaN layer 12 is formed on a sapphire substrate 10, over which an N-type superlattice layer 14 and a P-type superlattice layer 16 are formed.例文帳に追加

サファイア基板１０上にＮ型ＧａＮ層１２を形成し、さらにＮ型超格子層１４及びＰ型超格子層１６を形成する。 - 特許庁

The thickness of the n-type diffusion layer 11 is 30 to 45 μm.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１１の厚みは３０〜４５μｍである。 - 特許庁

Then, an n^+-type polysilicon layer 11 is deposited, and etched back.例文帳に追加

次に、Ｎ^+型ポリシリコン層１１を堆積し、エッチバックを行う。 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁

A trench 14 is formed on an N-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−型半導体層１２にトレンチ１４を形成する。 - 特許庁

A drain electrode 13 is connected to the n-GaN layer 10.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ層１０にドレイン電極１３を接続する。 - 特許庁

On the n^+-layer, electrodes for extracting signals are formed.例文帳に追加

ｎ＋層には信号を取り出すための電極を設ける。 - 特許庁

The semiconductor laser further comprises an N-type InGaAsP layer 21.例文帳に追加

半導体レーザが、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１を備える。 - 特許庁

An n^- silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

ｎ”シリコンカーバイド層が、シリコンカーバイド基板上に設けられる。 - 特許庁

A Ti/Al electrode 105 is formed on the AlGaN layer 103.例文帳に追加

またn型AlGaN層103上にはTi/Al電極105が形成されている。 - 特許庁

Using the second mask 9, an n+ diffused layer 11 and n+ diffused layer 14 are formed for determining the threshold of the transistor.例文帳に追加

第２のマスク９を用いて、トランジスタのしきい値を決定するＮ^+ 拡散層１１とＮ^+ 拡散層１４を形成する。 - 特許庁

The low refractive index layer 1121 is made of n-AlAs, and the high refractive index layer 1122 is made of n-Ga_0.5In_0.5P.例文帳に追加

低屈折率層１１２１は、ｎ−ＡｌＡｓからなり、高屈折率層１１２２は、ｎ−Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 - 特許庁

In the plurality of P-type body layers 6, an N^+-type first source layer 7 and an N^+-type second source layer 9 are alternately formed.例文帳に追加

複数のＰ型ボディ層６にはＮ＋型第１ソース層７とＮ＋型第２ソース層９を交互に形成する。 - 特許庁

The N--type layer 5 and a source 10 are nearly identical in depth and the N+-type layer 4, and the body region 9 are nearly identical in depth.例文帳に追加

Ｎ^-層５は、ソース１０とほぼ同じ深さであり、Ｎ^+型層４は、Ｐボディ領域９とほぼ同じ深さである。 - 特許庁

A body layer 2 made of a p-type impurity region is formed on an n^- layer 6 made of an n-type impurity region.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域からなるＮ^-層６には、Ｐ型不純物領域からなるボディ層２が形成されている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 7 is formed as a drain region so that it faces the N-type diffusion layer 6.例文帳に追加

そして、Ｎ型の拡散層６と対向するように、ドレイン領域としてのＮ型の拡散層７が形成されている。 - 特許庁

An N^- drift layer 1 has at least one position where impurity concentration of the N^- drift layer 1 is maximum.例文帳に追加

Ｎ^-ドリフト層１には、当該Ｎ^-ドリフト層１の不純物濃度が極大となる箇所が少なくとも１か所ある。 - 特許庁

An n-type MOSFET is formed on an SOI substrate comprising a substrate 1, an insulation layer 2 and an n-type active layer 3.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳＦＥＴは、基板１、絶縁層２及びｎ^- 型活性層３からなるＳＯＩ基板上に形成される。 - 特許庁

An N+layer 13 for contact is formed on the N well layer 2 between the element separating and insulating film 3a and the same film 3b.例文帳に追加

素子分離絶縁膜３ａと３ｂとの間のＮウェル層２上にはコンタクト用のＮ＋層１３を形成する。 - 特許庁

An N+-type diffusion region 9 is formed around a P-type isolation layer 8 which is formed on an N-type epitaxial layer 4.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層４に形成されたＰ型アイソレーション層８の周囲にＮ＋型拡散領域９を形成する。 - 特許庁

A trench MIS device is formed in a semiconductor die that contains a P-epitaxial layer that overlies an N^+ substrate and an N-epitaxial layer.例文帳に追加

トレンチＭＩＳデバイスは、Ｎ^+基板およびＮエピタキシャル層を覆うＰエピタキシャル層を含む半導体ダイに形成される。 - 特許庁

The N-type TAOS layer constructs a portion of a P-N diode, and serves as a window layer and a front electrode.例文帳に追加

Ｎ型ＴＡＯＳ層がＰ−Ｎダイオードの一部を構成するとともに、ウインドウ層および前電極として供される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

An electron supply layer composed of N-type AlGaN or N-type AlN is formed on the electron transit layer.例文帳に追加

電子走行層の上に、Ｎ型のＡｌＧａＮまたはＮ型のＡｌＮからなる電子供給層が形成されている。 - 特許庁

Further, by raising the impurity concentration of the n-GaN layer 13 and the n-GaN layer 21, the on-resistance is made low.例文帳に追加

また、ｎ−ＧａＮ層１３とｎ−ＧａＮ層２１の不純物濃度を高くすることで、オン抵抗を低くしている。 - 特許庁

The electron source 9 can use a p-n junction or p-i-n junction 9a and the like, and a p-layer 6a or an n-layer 6b of the p-n junction 9a may have a protruded form.例文帳に追加

電子源９は、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合９ａ等を用いることができ、ｐｎ接合９ａｐ層６ａ又はｎ層６ｂが突起形状を有していてもよい。 - 特許庁

A BiYIG membrane 207 is filmed on a (SiO2/Ta2O5)n layer 210 and while cooling a heat non-resistant substrate 203 and the (SiO2/Ta2O5)n layer 210 via a substrate holder 201, the crystallizing heat treatment of the BiYIG membrane 207 is performed by infrared rays.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 の上にBiYIG 薄膜207 を成膜し、基板ホルダ201 を介して非耐熱性基板203 及び（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 を冷却しつつ赤外線によりBiYIG 薄膜207 の結晶化熱処理を行う。 - 特許庁

The film thickness (d) of the thermal diffusion layer 7 is controlled to satisfy 0<d≤(5/16)λ/n or (7/16)λ/n≤d≤(1/2)λ/n, wherein (n) is the refractive index of the thermal diffusion layer 7.例文帳に追加

熱拡散層７の屈折率をｎとするとき、熱拡散層７の膜厚ｄを０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎ又は（７／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（１／２）λ／ｎの範囲内に設定する。 - 特許庁

An SiO2 film 20 is formed on these layers and the SiO2 film 20 in a stripe region with about 3 μm width is removed, and the n-GaAs cap layer 19 and the n-Alx4Ga1-x4As current constriction layer 18 are etched with as a mask of the SiO2 film 20.例文帳に追加

この上に、SiO_2膜20を形成し、3μｍ程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜20を除去し、SiO_2膜20をマスクとしてn-GaAsキャップ層19およびn-Al_x4Ga_1_-x4As電流狭窄層18をエッチングする。 - 特許庁

An n diffusion region 70 is provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 at least between the p impurity region 3 and the n^+ impurity region 12, of the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２のうち少なくとｐ不純物領域３とｎ^+不純物領域１２との間のｎ^-半導体層２の上面内にはｎ拡散領域７０が設けられている。 - 特許庁

The contact layer includes a lower layer doped by an n-type impurity and a non-doped upper layer.例文帳に追加

このコンタクト層を、ｎ型不純物によりドープされた下層とノンドープの上層から成る構成とした。 - 特許庁

The light emitting element 20 comprises an n-type GaN layer 21, an MQW layer 22, and a p-type GaN layer 23.例文帳に追加

発光素子２０は、ｎ型ＧａＮ層２１、ＭＱＷ層２２、ｐ型ＧａＮ層２３からなる。 - 特許庁

The pin junction 100 is obtained by stacking an n-layer 13, an i-layer 14 and a p-layer 15 in this order.例文帳に追加

ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５をこの順に積層して得る。 - 特許庁

An n+-type drain layer 17 and a p-type reserve layer 19 are formed on the surface of the drift layer 13.例文帳に追加

ドリフト層１３の表面には、ｎ^+ 型のドレイン層１７とｐ型のリサーフ層１９とが形成される。 - 特許庁