「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

N-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

Moreover, the impurity concentration of an n^- layer 63 is made higher than that of the n^-- layer 73 for the purpose of reducing the parasitic resistance.例文帳に追加

また、Ｎ^−層６３の不純物濃度は、寄生抵抗低減を目的にＮ^−−層７３よりも高くする。 - 特許庁

Carrier lifetime of the n^- type base layer 13 is made longer than that of the n^- type base layer 14.例文帳に追加

上記ｎ^−型ベース層１４のキャリア寿命よりもｎ^−型ベース層１３のキャリア寿命を長くする。 - 特許庁

The n-well layer 25 is formed below a gate electrode 5 and spaced at only a predetermined distance from the n-well layer 26.例文帳に追加

Ｎウェル層２５は、ゲート電極５の下方に形成し、Ｎウェル層２６とは一定距離だけ離間させる。 - 特許庁

An n type layer 19 and an n type layer are formed by implanting ions using gate electrodes 6, 14 as masks.例文帳に追加

ゲート電極６、１４をマスクとしてイオン注入を行い、ｎ^-型層１９及びｎ^-型層を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a p-electrode 3 is formed on the p-type layer 2a, and an n-electrode 4 is formed on the n-type layer 2b.例文帳に追加

ｐ型層２ａ上にｐ電極３が形成され、ｎ型層２ａ上にｎ電極４が形成される。 - 特許庁

In an N well 206, a diode 207 is formed of a P+ diffusion layer 211 and an N+ diffusion layer 210.例文帳に追加

Ｎウェル２０６内には、Ｐ＋拡散層２１１とＮ＋拡散層２１０とでダイオード２０７が形成される。 - 特許庁

The element has an n-type GaN layer having 3 μm or less in the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、本発明の発光素子は、前記ｎ型窒化物半導体層は、３μｍ以下のｎ型ＧａＮ層を含む。 - 特許庁

A trench 8 is also formed in a depth reaching the n^- type drift layer 6 from the surface of the n^+ type semiconductor layer 7.例文帳に追加

そして、Ｎ^+型半導体層７の表面からＮ^-型ドリフト層６に至る深さのトレンチ８を形成する。 - 特許庁

A second N-type semiconductor layer 32 is formed so as to come into contact with a first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

Ｎ型の第１の半導体層30と接するようにＮ型の第２の半導体層32が形成されている。 - 特許庁

An undoped GaN layer 102 and an n-type AlGaN layer 103 are formed on a sapphire substrate 101 in order through epitaxial growth.例文帳に追加

サファイア基板101上にアンドープGaN層102およびn型AlGaN層103がエピタキシャル成長により順に形成されている。 - 特許庁

The thin-film resonator 10 is such that n layers (n is a natural number of 3 or above) of piezoelectric layers (first piezoelectric layer 111, second piezoelectric layer 112, third piezoelectric layer...) are provided between a first electrode 121 and a second electrode 122.例文帳に追加

薄膜共振子１０は、第１電極１２１と第２電極１２２の間にn層（nは3以上の自然数）の圧電体層（第１圧電体層１１１、第２圧電体層１１２、第３圧電体層. - 特許庁

An n-type GaAlAs buffer layer 14, an n-type GaAs substrate 16, an n-type GaAlAs clad layer 18, and a GaAs active layer 20 (emission region) are formed on an n-type electrode 12.例文帳に追加

ｎ形電極１２上にｎ型ＧａＡｌＡｓバッファ層１４、ｎ形ＧａＡｓ基板１６、ｎ形ＧａＡｌＡｓクラッド層１８、ＧａＡｓ活性層２０（発光領域）が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor mesa 14 includes: an n-ty pe first clad layer 18 provided on an n-type clad layer 18 provided on the n-type InP substrate 12; an n-type second clad layer 24 provided on the first clad layer 18; an active layer 20 provided between the first clad layer 18 and second clad layer 24; and a tunnel junction layer 22.例文帳に追加

半導体メサ１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１２上に設けられたｎ型の第１クラッド層１８と、第１クラッド層１８上に設けられたｎ型の第２クラッド層２４と、第１クラッド層１８及び第２クラッド層２４の間に設けられた活性層２０と、トンネル接合層２２とを備える。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

A direction toward the second n-type diffusion layer 22 from the first n-type diffusion layer 21 is a crystal orientation <100> of the p-type silicon layer 20.例文帳に追加

第１Ｎ型拡散層２１から第２Ｎ型拡散層２２へ向かう方向は、Ｐ型シリコン層２０の結晶方位＜１００＞である。 - 特許庁

A further feature of the structure includes an n-type semiconductor multiplication layer, an n-type semiconductor absorption layer, and a p-type contact layer.例文帳に追加

本発明の構造のさらなる特徴は、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層とを備える。 - 特許庁

In a laser element part 10A, a light control layer 22 is formed between a first n-type clad layer 21 and a second n-type clad layer 23.例文帳に追加

レーザ素子部１０Ａでは第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３との間に光コントロール層２２が形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure section 2 comprises: an n-type GaN layer 5; a p-type GaN layer 6; and an n-type GaN layer 7.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２は、Ｎ型ＧａＮ層５、Ｐ型ＧａＮ層６、およびＮ型ＧａＮ層７を有している。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 7 is so provided in frame as to be continuous to the N+ channel stop layer 6 outside the array of the P+ diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層５の配列の外側にＮ^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

An n^+-type source layer 14 having the impurity concentration higher than the n^--type offset layer 13 is formed at the p-type body layer 12.例文帳に追加

ｐ-型ボディ層１２には、ｎ-型オフセット層１３より高い不純物濃度を有するｎ+型ソース層１４が形成されている。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser device 1A includes: an n-type semiconductor substrate 3; an active layer 12; a diffraction lattice layer 15; and an n-type clad layer 18.例文帳に追加

半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型半導体基板３、活性層１２、回折格子層１５、及びｎ型クラッド層１８を備える。 - 特許庁

An N+ type drain layer 1 is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 in a region separated from the P+ type gate layer 2b.例文帳に追加

前記Ｐ＋型ゲート層２ｂから離間した領域の前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser wherein an n-n connection is prevented from being made between an n-type InP clad layer or an n-type InP contact layer and an n-type InP block layer so as to reduce a leakage current.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰクラッド層またはｎ型ＩｎＰコンタクト層と、ｎ型ＩｎＰブロック層との間でｎ−ｎ接続が起こるのを防いで、リーク電流を低減することのできる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type clad layer, a first guide layer, an active layer, a second guide layer, a p-type clad layer, a ZnSSe cap layer, a ZnSe cap layer 19, a graded composition superlattice layer 20 and a low defect contact layer 21 are laminated sequentially on an n-type substrate.例文帳に追加

ｎ型基板の上にｎ型クラッド層，第１のガイド層，活性層，第２のガイド層，ｐ型クラッド層，ＺｎＳＳｅキャップ層，ＺｎＳｅキャップ層１９，組成傾斜超格子層２０および低欠陥コンタクト層２１を順次積層する。 - 特許庁

Further, a process forming the n-type diamond layer on the surface of the substrate and a process containing a transition metal element from a surface layer side of the n-type diamond layer to the surface layer part of the n-type diamond layer are included.例文帳に追加

また、基体の表面上にｎ型ダイヤモンド層を形成する工程と、前記ｎ型ダイヤモンド層の表層部に、該ｎ型ダイヤモンド層の表層側から遷移金属元素を含有させる工程と、を含むこと。 - 特許庁

An n^+-layer 15 is formed partially on the upper surface of the n-type embedded layer 11 while enclosing the p-type well layer 14 in the n^--layer 12 on the part enclosed by the p-type separation layer 13.例文帳に追加

ｎ^+層１５は、ｐ型分離層１３によって取り囲まれた部分のｎ^-層１２内において、ｐ型ウェル層１４を取り囲んで、ｎ型埋め込み層１１の上面上に部分的に形成されている。 - 特許庁

This device comprises a first N-type epitaxial growth layer 112 on an N-type substrate 110, a P-type embedded layer 14 on the upper part of the layer 112 and further a second N-type epitaxial growth layer 116 over the l layer 114.例文帳に追加

Ｎ型基板１１０上に第１のＮ−型エピタキシャル成長層１１２を有し、この上層にＰ型埋め込み層１１４を有し、その上層に第２のＮ−型エピタキシャル成長層１１６を有する。 - 特許庁

By having n-type carriers included in the n-type layer 2b diffuse into the p-type layer 2a, a compensation region 2c is formed in the portion of the p-type layer 2a, which is present in the vicinity of the interface between the p-type layer 2a and the n-type layer 2b.例文帳に追加

ｎ型層２ｂ中のｎ型キャリアがｐ型層２ａ中に拡散することにより、ｐ型層２ａとｎ型層２ｂとの界面近傍のｐ型層２ａ中に補償領域２ｃが形成される。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 2, n-A1GaAs clad layer 3, AlGaAs active layer 4, p-AlGaAs clad layer 5 and p-GaAs cap layer 6 are laminated on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure section 2 comprises: a superlattice n-type layer 5; a p-type GaN layer 6 laminated on the superlattice n-type layer 5; and a superlattice n-type layer 7 laminated on the p-type GaN layer 6.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２は、超格子Ｎ型層５、この超格子Ｎ型層５に積層されたＰ型ＧａＮ層６、およびこのＰ型ＧａＮ層６に積層された超格子Ｎ型層７を有している。 - 特許庁

An n-type substrate 1, n-type buffer layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-type spacer layer 4, p-type clad layer 6, p-type contact layer 7, and p-side electrode 10 are successively laminated upon an n-side electrode 11 in this order.例文帳に追加

ｎ側電極１１の上にｎ−基板１、ｎ−バッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−スペーサ層４、ｐ−クラッド層６、ｐ−コンタクト層７、ｐ側電極１０の順に積層する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laminated structure section 2 is provided with an n-type layer 3, a p-type GaN layer 4 laminated and formed on the n-type layer 3, and an n^+type GaN layer 5 laminated and formed on the p-type GaN layer 4.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２は、ｎ型層３と、ｎ型層３上に積層形成されたｐ型ＧａＮ層４と、ｐ型ＧａＮ層４上に積層形成されたｎ^＋型ＧａＮ層５とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.例文帳に追加

基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁

Then n-type dopants are implanted only into the n-type diffused layer 13 via the contact hole.例文帳に追加

そして、コンタクトホールを介して、ｎ型拡散層１３にのみｎ型ドーパントを注入する。 - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

To form a contact electrode on an N-polar surface of an n-type layer through annealing at 350°C or lower.例文帳に追加

ｎ型層のＮ極性面に３５０℃以下のアニールでコンタクト電極を形成する。 - 特許庁

An n-type contact layer consisting of n-type GaN is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上にｎ型のＧａＮからなるｎ型コンタクト層２が形成されている。 - 特許庁

A region held between the n+ cathode and p+ anode layers 2 and 3 becomes an n- drift layer 1.例文帳に追加

ｎ^+ カソード層２とｐ^+ アノード層２に挟まれた領域がｎ^- ドリフト層１となる。 - 特許庁

The adhesion interfacial layer is formed from a Ge-N or Ge-O-N substance.例文帳に追加

前記粘着界面層は、Ｇｅ−ＮまたはＧｅ−Ｏ−Ｎ物質から形成される。 - 特許庁

The n-GaInN second clad layer 5 comprises n-GaInN in non-single crystal state.例文帳に追加

ｎ−ＧａＩｎＮ第２クラッド層５は、非単結晶状態のｎ−ＧａＩｎＮからなる。 - 特許庁

The first layer includes at least any of n-type GaN and n-type AlGaN.例文帳に追加

第１層は、ｎ形ＧａＮ及びｎ形ＡｌＧａＮの少なくともいずれかを含む。 - 特許庁