「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

PROCESS FOR PRODUCING FREE-STANDING III-N LAYER, AND FREE-STANDING III-N SUBSTRATE例文帳に追加

自立ＩＩＩ−Ｎ層の製造方法および自立ＩＩＩ−Ｎ基板 - 特許庁

An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。 - 特許庁

An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。 - 特許庁

A growing layer 102 whose impurity concentration is lower than that of an n^+-layer 101 is formed on the n^+-layer 101.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０１上には、Ｎ^＋層１０１よりも不純物濃度の低い成長層１０２が形成されている。 - 特許庁

An n-electrode 30 composed of a Ti layer 31 and an Al layer 32 is formed on the n-type GaN layer 11.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１１には、Ｔｉ層３１とＡｌ層３２とから成るｎ電極３０が形成されている。 - 特許庁

In the P-diffusion layer 7, an N--diffusion layer 8b and an N+-diffusion layer 9b which serve as an emitter region are formed.例文帳に追加

そのｐ拡散層７にエミッタ領域としてのｎ^-拡散層８ｂおよびｎ^+拡散層９ｂが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 is doped into an n-type.例文帳に追加

半導体層３は、ｎ型にドーピングされている。 - 特許庁

The n-type clad layer consists of a first semiconductor.例文帳に追加

ｎ型クラッド層は第１の半導体からなる。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

The N- diffusion layer 17b does not cover the N+ diffusion layer 17a at a junction part (2), and the N+ diffusion layer 17a is joined to the P+- well 9 at the junction part (2).例文帳に追加

Ｎ^-拡散層１７ｂは接合部分 でＮ^+拡散層１７ａを覆っておらず、Ｎ^+拡散層１７ａは接合部分 でＰ^+-ウエル９と接合している。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING N-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF COMPOSITION FOR FORMING N-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF N-TYPE DIFFUSION LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層形成組成物の製造方法、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on a second main surface of the n-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

前記ｎ側電極は、前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

An N^+ type collector embedded layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and after an N^- type epitaxial layer 3 is caused to grow, an N^+ type collector layer 4 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上にＮ＋型のコレクタ埋め込み層２を形成し、Ｎ−型のエピタキシャル層３を成長させた後、Ｎ＋型のコレクタ層４を形成する。 - 特許庁

Partial region from the p-contact layer 10 to the n-clad layer 4 is etched and an n-electrode 21 is formed on the exposed n-clad layer 4.例文帳に追加

ｐ−コンタクト層１０からｎ−クラッド層４までの一部領域がエッチングされ、露出したｎ−クラッド層４にｎ電極２１が形成される。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor layer 2 is formed on an n-type semiconductor substrate 1, and a p-type epitaxial layer 3 is formed on the n^+-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１上には、ｎ^＋半導体層２が形成されており、ｎ^＋半導体層２上にｐ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

The GaP light emitting device 1 has a structure of laminating an n-type GaP buffer layer 11, an n-type GaP layer 12, an N dope n-type GaP layer 13, and a p-type GaP layer 14 on an n-type GaP mono-crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。 - 特許庁

The active layer 25 is provided between the n-type clad layer 21 and the p-type clad layer 23.例文帳に追加

活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。 - 特許庁

A source layer including an N- type layer 23 is provided in a surface of the body layer 19.例文帳に追加

ボディ層１９の表面にはＮ−型層２３を含むソース層が配置されている。 - 特許庁

The n-type multilayer reflection layer 12 and the absorption layer 13 are in contact with each other without some layer interposed therebetween.例文帳に追加

ｎ型多層反射層１２と吸収層１３は他層を介さずに接している。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

In addition, the nitride semiconductor layer formed on the group III nitride substrate has at least the active layer, an n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

An n^- drift layer 2, a first gate layer (p^+ layer) 3, and a p-type source layer 4 are formed on an n^+SiC substrate 1 successively, and at the same time a second gate layer (p^+ layer) 8 is formed in a trench 6 via an n^- channel layer 7.例文帳に追加

ｎ^+ＳｉＣ基板１の上にｎ^-ドリフト層２と第１のゲート層（ｐ^+層）３とｐ型ソース層４とが順に形成されるとともに、トレンチ６内においてｎ^-チャネル層７を介して第２のゲート層（ｐ^+層）８が形成されている。 - 特許庁

Also, the n+ stopper layer 4 is not electrically connected to the n+ cathode layer 2, and is being floated.例文帳に追加

また、このｎ^+ ストッパ層４はｎ^+ カソード層２とは電気的に接続せず、浮遊状態となっている。 - 特許庁

An embedded n-type impurity region is provided in the vicinity of a boundary of a channel layer and an n^--type semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル層とｎ−型半導体層の境界付近に埋め込みｎ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

An n-type low-concentration layer 11 is formed on a principal surface 10a of an n-type high-concentration layer 10.例文帳に追加

Ｎ型高濃度層１０の主面１０ａ上には、Ｎ型低濃度層１１が形成されている。 - 特許庁

The n-type high concentration diffusion layer 10 has an impurity concentration higher than that of the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型低濃度拡散層９よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

After that, on the distortion inhibition layer 13, an n-type cladding layer 15 made of n-type Al_0.07Ga_0.9.3N is grown.例文帳に追加

続いて、歪抑制層１３の上に、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｎ型クラッド層１５を成長する。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The impurity concentration of the n^- type buffer layer is made lower than the impurity concentration of the n type buffer layer 3.例文帳に追加

ｎ^−型バッファー層の不純物濃度はｎ型バッファー層３の不純物濃度よりも低くする。 - 特許庁

A side of the n-side electrode in contact with the n-type layer is composed of an Al layer 11a.例文帳に追加

このｎ側電極のｎ形層との接触面側が、Ａｌ層１１ａにより形成されている。 - 特許庁

The N^+ diffused layer 2 is provided between the floating gates while the N^+ diffused layer 4 is provided between the access gates.例文帳に追加

Ｎ^+拡散層２はフローティングゲート間に設けられ、Ｎ^+拡散層４はアクセスゲート間に設けられる。 - 特許庁

The N-InAsP window layer 4 has larger band gap energy Eg than the N--InGaAs light absorbing layer 3.例文帳に追加

ｎ−ＩnＡsＰ窓層４は、ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３に比してバンドギャップエネルギーＥ_gが大きい。 - 特許庁

Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加

これにより、ｎ型低濃度ベース層１４およびｎ型極低濃度ベース層１５が形成される。 - 特許庁

The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

第２の半導体層32の不純物濃度は、第１の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

N TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD OF N TYPE DIFFUSION LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

An n-type embedding layer 101 and an n-type epitaxial layer 102 are formed on the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上にＮ型埋め込み層１０１及びＮ型エピタキシャル層１０２を形成する。 - 特許庁

On the surface of an N type layer 22, a P+ type layer 26 is formed.例文帳に追加

Ｎ型層２２の表面にはＰ＋型層２６が形成されている。 - 特許庁

An N-channel MOSFET has a p-type well layer (base layer) 2 and an n-type drift layer 3, which are formed on the surface of a semiconductor layer 1.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳＦＥＴは、半導体層１の表面に形成されたｐ型ウエル層（ベース層）２とｎ型ドリフト層３とを有する。 - 特許庁

A supply layer 5 is an n-type InAlAs layer with a thickness of 4 nm.例文帳に追加

供給層５は、厚さが４ｎｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓ層である。 - 特許庁

A P-type body layer 6 is formed on a surface of an N-type drift layer 2, and an N+type source layer 7 is formed on a surface of the P-type body layer 6.例文帳に追加

Ｎ型ドリフト層２の表面にＰ型ボディ層６を形成し、該Ｐ型ボディ層６の表面にＮ＋型ソース層７を形成する。 - 特許庁

An Si dope GaN layer (n-type GaN layer) 84 is grown thereon.例文帳に追加

その上に、ＳｉドープＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層）８４を成長した。 - 特許庁

A p base layer 5 is arranged on a surface of an n^- drift layer 1.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層１の表面にはｐベース層５が備えられている。 - 特許庁

An N- type Si layer 6 that becomes a collector layer is formed while the layer 6 contacts an exposed N- type collector layer 4 on a P- type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型基板１上の露出したＮ−型コレクタ層４に接するようにコレクタ層となるＮ−型Ｓｉ層６が形成されている。 - 特許庁