「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a well layer 5 made of an n-type impurity region is formed between the body layer 2 and the n^- layer 6 in a region included in the body layer 2 in a plan view.例文帳に追加

そして、平面視においてボディ層２に含まれる領域内の、ボディ層２とＮ^-層６との間には、Ｎ型不純物領域からなるウエル層５が形成されている。 - 特許庁

A first semiconductor laser structure 110 consists of an n-type clad layer 111, an active layer 112, a p-type clad layer 113 and an n-type current blocking layer 114.例文帳に追加

第１の半導体レーザ構造１１０は、ｎ型クラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｎ型電流ブロック層１１４により構成されている。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

A plurality of trenches 17 that penetrate the p-type base layer 3 and reach the midway of the n-type base layer 1 are formed within the p-type base layer 3 and n-type base layer 1.例文帳に追加

ｐ型ベース層３及びｎ型ベース層１内には、ｐ型ベース層３を貫通し、ｎ型ベース層１の途中まで達する深さの複数のトレンチ１７が形成される。 - 特許庁

An n-type low concentration diffusion layer 9 is formed in facing to the p-type low concentration diffusion layer 7 and the p-type high concentration diffusion layer 8 through the n-type epitaxial layer 5.例文帳に追加

ｎ型低濃度拡散層９は、ｎ型エピタキシャル層５を介してｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８と対向して形成される。 - 特許庁

The sum of the optical layer thickness of one n-type InP layer 12a and the optical layer thickness of one n-type InGaAsP layer 12b is roughly a half of the wavelength of the incident light.例文帳に追加

１層のｎ型ＩｎＰ層１２ａの光学層厚と１層のｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂの光学層厚の和は、入射光の波長の概ね半分である。 - 特許庁

The GaAs chip 14 includes a p-type GaAs base layer 34 (p-type GaAs layer) and an n-type GaAs emitter layer 36 (n-type GaAs layer) formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４は、ｐ型ＧａＡｓベース層３４（ｐ型ＧａＡｓ層）と、その上に形成されたｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６（ｎ型ＧａＡｓ層）を有する。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 includes a first n-type semiconductor layer 13, the active layer 15, a p-type semiconductor layer 17, and a second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１のｎ型半導体層１３と、活性層１５と、ｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１９とを備える。 - 特許庁

The chip 10 is constituted by stacking an n-type clad layer 22, an active layer 24, a p-type clad layer 26, and a p-type contact layer 28 in this order on an n-type GaN substrate 20.例文帳に追加

チップ１０は、ｎ型クラッド層２２、活性層２４、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２８がこの順にｎ型ＧａＮ基板２０に積層して構成される。 - 特許庁

A current constriction layer 24 which limits the current injection region of the active layer 30 is interposed between the N-type contact layer 21 and the N-type guide layer 23.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１とｎ型ガイド層２３との間には、活性層３０の電流注入領域を制限する電流狭窄層２４が設けられている。 - 特許庁

Further, an n-type GaN layer 26 is formed on the i-type AlGaN layer 24.例文帳に追加

さらに、ｉ型ＡｌＧａＮ層２４の上にｎ型ＧａＮ層２６を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a body layer 19 is provided in a surface of an N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−−型の半導体層１２の表面にボディ層１９が配置されている。 - 特許庁

LED epitaxial layer (n-type, p-type, and activation layer) grows on a substrate.例文帳に追加

ＬＥＤエピタキシャル層（ｎ−型、ｐ−型、及び活性層）が基板上に成長する。 - 特許庁

Further, the p^+-type diffusion layer 3p is in contact with the n^+-type diffusion layer 4n.例文帳に追加

また、ｐ^＋型拡散層３ｐがｎ^＋型拡散層４ｎと接触している。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion layers 3 are formed on the surface layer of an n^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^-型エピ層２の表層部に複数のｐ型拡散層３を形成する。 - 特許庁

A part of the n-type layer is etched to expose the surface of the p-type layer.例文帳に追加

ｎ型層の一部は、ｐ型層の表面を露出させるためにエッチングされる。 - 特許庁

An n+-type layer 4 is formed to fill up the recessed part of the p-type layer 3.例文帳に追加

さらにｐ型層３の凹部内を埋め込むようにｎ^+型層４を成膜する。 - 特許庁

The silicide layer 7 and the low-concentration n-type SOI layer 12 form a Schottky junction.例文帳に追加

シリサイド層７と低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２はショットキー接合を形成する。 - 特許庁

An electrode is formed on the n-type ZnO layer and the p-type ZnO layer (g).例文帳に追加

（ｇ）ｎ型ＺｎＯ層及びｐ型ＺｎＯ層上に電極を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。 - 特許庁

A deep n+-type second drain layer 3 is formed on a region under an n+-type first drain layer 11 so that N--type drain layers 2A, 2B are not formed under the n+-type first drain layer 11.例文帳に追加

Ｎ＋型の第１ドレイン層１１の下にはＮ−型ドレイン層２Ａ，２Ｂが形成されないようにし、かつＮ＋型の第１ドレイン層１１の下の領域に深いＮ＋型の第２ドレイン層３を形成した。 - 特許庁

Furthermore, a base electrode 5 is provided on the p-type base layer 3 located adjacent to the n-type emitter layer 4, a collector layer 6 is provided on the n-type collector layer 2, and an emitter electrode 7 is provided on the n-type emitter layer 4.例文帳に追加

さらに、ｐ型ベース層３上にはｎ型エミッタ層４に隣接してベース電極５が設けられ、ｎ型コレクタ層２上にはコレクタ電極６が設けられ、ｎ型エミッタ層４上にはエミッタ電極７が設けられている。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, an n-type GaN contact layer 2, an n-type AlInGaN/AlGaN super lattice layer 3, an active layer 4, a p-type AlGaN block layer 8, and a p-type GaN contact layer 5 are formed, and an n-type electrode 7 and a p-type electrode 6 are provided.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型のＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層され、ｎ電極７とｐ電極６が設けられている。 - 特許庁

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed.例文帳に追加

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁

This photodiode includes an N+ silicon substrate, a silicon nitride layer formed on the N+ substrate, re-oxidized nitride layer formed on the silicon nitride layer, N+ polysilicon layer formed at least on a part of the re-oxidized nitride layer.例文帳に追加

このホトダイオードは、Ｎ^+シリコン基板、Ｎ^+シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に形成された再酸化窒化物層、および再酸化窒化物層の少なくとも一部分上に形成されたＮ^+ポリシリコン層を含む。 - 特許庁

In the GaN-based light emitting element, an n-type GaN layer 12, n-type SLS layer 14, light emitting layer 16, p-type SLS layer 17, p-type GaN layer 18, p-type electrode pad 20, n-type electrode pad 22, and transparent electrode 24 are successively formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型ＳＬＳ層１４、発光層１６、ｐ型ＳＬＳ層１７、ｐ型ＧａＮ層１８、ｐ型電極パッド２０、ｎ型電極パッド２２、透明電極２４を形成する。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

The lamination of the organic layer is formed of an organic substrate of n (n≤k+2) layers and the organic substrate of n layers includes the organic substrate of k layer(s) of the light-emitting layer.例文帳に追加

上記有機層の積層は、ｎ（ｎ≦ｋ＋２）層の有機基材によって形成され、上記ｎ層の有機基材は、上記発光層のｋ層の有機基材を含んでいる。 - 特許庁

In the semiconductor device, an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁

An n-clad layer 104, comprising AlxGa1-xN, is not formed directly at a high carrier-density n+-type GaN layer 103 forming a negative electrode but through a low carrier-density n-type GaN layer 103L.例文帳に追加

負電極を形成する高キャリア密度のｎ^+型GaN層１０３に直接Al_xGa_1-xNから成るｎクラッド層１０４を形成するのではなく、低キャリア密度のｎ型GaN層１０３Ｌを介在させる。 - 特許庁

The lamination of the organic layer is formed of an organic substrate of n (n≤k+2) layers and the organic substrate of n layers includes the organic substrate of k layer(s) of the light emitting layer.例文帳に追加

上記有機層の積層は、ｎ（ｎ≦ｋ＋２）層の有機基材によって形成され、上記ｎ層の有機基材は、上記発光層のｋ層の有機基材を含んでいる。 - 特許庁

On an n-type low-resistance substrate which becomes an n+-type drain layer 31 and an n--type high-resistance layer 32 is formed by the epitaxial method and, at the same time, boron and phosphorus are selectively injected into the layer 32.例文帳に追加

ｎ^+ドレイン層３１となる低抵抗のｎ型サブストレート上に、エピタキシャル法によりｎ^-高抵抗層３２を形成すると同時に、選択的にボロンおよびリンを注入する。 - 特許庁

A semiconductor substrate in which an n-AlGaAs layer and an n-GaAs layer are laminated on an n+GaAs layer constituting a channel area and whose main surface has a (100) plane, is prepared.例文帳に追加

チャネル領域を構成するｎ＋ＧａＡｓ層上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層及びｎ−ＧａＡｓ層が積層された、主表面が（１００）面の半導体基板を用意する。 - 特許庁

In addition, an n-type diffusion layer 107 is formed, such that it runs out from the bottom of the n-type diffusion layer 106 of the pixels of Red to underneath the n-type diffusion layer 104 for the pixels of Blue.例文帳に追加

また、Ｒｅｄの画素のｎ型拡散層１０６の底部からＢｌｕｅの画素のｎ型拡散層１０４の下に延びるようにｎ型拡散層１０７が形成されている。 - 特許庁

An n-type light absorption recombination layer 12, an n-type multilayer reflection film 14, a light absorption layer 16, and a window layer 18 are sequentially stacked on an n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型の光吸収再結合層１２、ｎ型の多層反射膜１４、光吸収層１６、及び窓層１８が順に積載されている。 - 特許庁

Then a third N^+ type diffusion layer 14 is made to grow by diffusion from the surface side of an N type epitaxial growth layer 13, and is joined to the second N^+ type embedded diffusion layer 12.例文帳に追加

この後、Ｎ型エピタキシャル成長層１３の表面側から第３のＮ^＋型拡散層１４を拡散成長させて、第２のＮ^＋型埋め込み拡散層１２と接合する。 - 特許庁

An MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) of the semiconductor device includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁

The semiconductor film includes a current diffusion layer 42, a first p-clad layer 44a, a second p-clad layer 44b, an active layer 46, a first n-clad layer 48a, and a second n-clad layer 48b, which are stacked from the light reflection layer side.例文帳に追加

半導体膜は、光反射層側から電流拡散層４２、第１のｐクラッド層４４ａ、第２のｐクラッド層４４ｂ、活性層４６、第１のｎクラッド層４８ａ、第２のｎクラッド層４８ｂを積層して構成される。 - 特許庁

A layer (n-th layer) other than the N-th layer determines the difference Δdn between the movement vector of that high frequency component nHL and the value obtained by doubling the movement vector of high frequency component (n+1)HL of the (n+1)th layer and encodes the difference Δdn (S16).例文帳に追加

第Ｎ階層以外の階層（第ｎ階層）は、その高周波成分ｎＨＬの動きベクトルと、第（ｎ＋１）階層の高周波成分（ｎ＋１）ＨＬの動きベクトルを２倍したものとの差分Δｄｎを求め、これを符号化する（Ｓ１６）。 - 特許庁

A pin photodiode is formed by laminating an n-InP layer 22, an I-InGaAs layer 24, and an n-InP layer 26 on an n-InP substrate 20 and forming p-type diffusion areas 28 by diffusing Zn in the n-InP layer 26.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰ層２２，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層２４，ｎ−ＩｎＰ層２６が積層され、ｎ−ＩｎＰ層２６内にＺｎが拡散されてｐ型拡散領域２８が形成され、ｐｉｎフォトダイオードが作られている。 - 特許庁

An n-type metal electrode layer 107 made of Al is formed on one portion of the surface of an n-type ZnO contact layer 102, and an n-type oxide electrode layer 108 made of TiO_2 is formed on the n-type metal electrode layer 107.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯコンタクト層１０２の表面の一部上にＡｌから成るｎ型金属電極層１０７が形成され、ｎ型金属電極層１０７上にＴｉＯ_２から成るｎ型酸化物電極層１０８が形成されている。 - 特許庁

An Al/Ti/Pt/Au multiple metal layer 32, an AuSn solder layer 33, an Au/Ni/Al/Ti multiple metal layer 15, an n^+ contact layer (n^+-GaN) 14, and a drift part (n-GaN) 13 are formed on an n-type Si substrate 31.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板３１上に、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ多重金属層３２、ＡｕＳｎはんだ層３３、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｔｉ多重金属層１５、ｎ^+コンタクト層（ｎ^+−ＧａＮ）１４、ドリフト部（ｎ−ＧａＮ）１３が形成されている。 - 特許庁

The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

受光素子は、Ｐ^＋層２と、Ｐ^＋層上に形成されるＰ型エピタキシャル成長層３と、Ｐ型エピタキシャル成長層３上に形成されたＮ型エピタキシャル成長層４と、Ｎ型エピタキシャル成長層４上に形成されるＮ^＋拡散層５から構成されるＰＩＮ構造を有する。 - 特許庁