「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The nitride semiconductor element comprises a substrate 1, and a nitride semiconductor laminate structure portion 2 formed by laminating an n^+-type GaN layer 3, an n^--type GaN layer 4, a p-type GaN layer 5, and an n^+-type GaN layer 6 in order.例文帳に追加

窒化物半導体素子は、基板１と、ｎ^＋型ＧａＮ層３、ｎ^−型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮ層５およびｎ^＋型ＧａＮ層６が順に積層されてなる窒化物半導体積層構造部２とを備えている。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer (third layer) and a p-type GaN layer (fourth layer) are further formed on the p-type GaN layer (second layer) without conducting p-type annealing to the p-type GaN layer (second layer) a p-type region.例文帳に追加

次いで、このｐ型ＧａＮ層（第２層）に対してｐ型化アニール処理をせずに、ｐ型ＧａＮ層（第２層）の上に、さらにｎ型ＧａＮ層（第３層）およびｐ型ＧａＮ層（第４層）が形成される。 - 特許庁

The protection circuit 25 includes an n^- layer 26 laminated on a p^- layer 27, a p^+ base region 29 formed on an n^- layer, an n^+ collector region 33 etc. formed on the p+ base region, and an npn transistor 30 etc. which is formed on the n^- layer and is formed on an n+ emitter region 37 etc. overlapped with the p+ base region.例文帳に追加

保護回路２５は、ｐ^−層２７上に積層されたｎ^−層２６、ｎ^−層に形成されたｐ^＋ベース領域２９、ｐ^＋ベース領域に形成されたｎ^＋コレクタ領域３３等、及びｎ^−層に形成されｐ^＋ベース領域とオーバラップしたｎ^＋エミッタ領域３７等で形成されたｎｐｎトランジスタ３０等を含む。 - 特許庁

On the bottom face of an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate), an n-type first multilayer reflection layer 12, an n-type first optical resonance layer 14, an n-type second multilayer reflection layer 16, an i-type InGaAs light absorption layer 18, and an anode electrode 22 (reflection film) are formed in order from the n-type InP substrate 10 side.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。 - 特許庁

At the time of connecting an n-type polycrystalline silicon film(storage node electrode) 12 through an n-type polycrystalline silicon film 15 to an n-type source/drain diffusion layer 23 of an MOS transistor, a WSiN layer 14 is interposed between the n-type polycrystalline silicon film 15 and the n-type source/drain diffusion layer 23.例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコン膜（ストレージノード電極）１２をｎ型多結晶シリコン膜１５を介してＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層２３に接続させる際に、ｎ型多結晶シリコン膜１５とｎ型ソース／ドレイン拡散層２３との間にＷＳｉＮ層１４を介在させる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer and an active layer, has a first p-type semiconductor layer between the n-type semiconductor layer and the active layer, and has a second p-type semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type semiconductor layer when viewed from the active layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device 10 is provided with a multilayer structure comprising an n-AlGaN cladding layer 14, an n-GaN optical guide layer 16, a quantum well activating layer 18, a p-GaN optical guide layer 20, a p-AlGaN cladding layer 22 and a p-GaN contact layer 24 on an n-GaN contact layer 12.例文帳に追加

本窒化物系半導体レーザ素子１０は、ｎ−ＧａＮコンタクト層１２上に、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１４、ｎ−ＧａＮ光ガイド層１６、量子井戸活性層１８、ｐ−ＧａＮ光ガイド層２０、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、及びｐ−ＧａＮコンタクト層２４の積層構造を備えている。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

In the extraction region, a P-type layer 11 is provided on an N^- drift layer 1.例文帳に追加

抜き取り領域において、Ｎ^−型ドリフト層１上にＰ型層１１が設けられている。 - 特許庁

This buried layer 7 lowers the resistance of a region under an n+-type source layer 12.例文帳に追加

このＰ＋型の埋め込み層７はＮ＋型のソース層１２の下の領域を低抗抗化する。 - 特許庁

As a result, an n-type extension layer 16 is formed on the front surface of the p-type pocket layer 14.例文帳に追加

この結果、Ｐ型ポケット層１４の表面にＮ型エクステンション層１６が形成される。 - 特許庁

In the p-type diffusion layer 5, an n-type diffusion layer 8 as a backgating region is formed.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５には、バックゲート領域としてのＮ型の拡散層８が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加

SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁

The n-layer 3 can be formed on the p-layer at a low temperature, resulting in preventing the interface from deteriorating.例文帳に追加

ｎ層３を低温にてｐ層上に形成することができ、界面の劣化が防止される。 - 特許庁

An N+ layer 104 is formed in the center of the second face by detaching it from the P+ layer 103.例文帳に追加

また、第２の面の中心部に、Ｐ^+層１０３と離隔してＮ^+層１０４を形成する。 - 特許庁

An edge-emitting semiconductor laser is provided with a periodic structure layer 13 between an active layer 16 and an n-side electrode 32.例文帳に追加

活性層１６とｎ側電極３２との間に周期構造層１３を設ける。 - 特許庁

In addition, an n^+-type extension diffusion layer 13 is formed within the high-concentration halogen diffusion layer 15.例文帳に追加

また、高濃度ハロ拡散層１５内に、ｎ＋型エクステンション拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

The current constitution layer of the upper-part laser 60 is an n-type GaAs current constriction layer 24.例文帳に追加

上部レーザ部６０の電流狭窄層は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２４である。 - 特許庁

An insulating layer covers an exposed surface of the n-type compound semiconductor layer and a side wall of the opening.例文帳に追加

絶縁層がｎ型化合物半導体層の露出面と開口部の側壁とを覆う。 - 特許庁

The n^- layer 6 directly contacts the p^- layer 7 and directly contacts the channel stopper region 14.例文帳に追加

ｎ^-層６は、ｐ^-層７と直接接触し、チャネルストッパ領域１４と直接接触する。 - 特許庁

As shown in Figure, a p-layer can be formed before doping an n-layer.例文帳に追加

また、図４中で示すように、ｎ層をドーピングする前にｐ層を作成することも考えられる。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 115 is so formed as to surround a p^+-type diffusion layer 114b.例文帳に追加

Ｐ^＋拡散層１１４ｂを取り囲むようにＮ型拡散層１１５が形成されている。 - 特許庁

A p-InP blocking layer 8 and an n-InP blocking layer 9 are formed contiguously thereto.例文帳に追加

これに隣接してｐ−ＩｎＰブロッキング層８、ｎ−ＩｎＰブロッキング層９が積層されている。 - 特許庁

The p-type extension layer 11p is formed thicker than an n-type extension layer 11n.例文帳に追加

ｐ型エクステンション層１１ｐは、ｎ型エクステンション層１１ｎに比べて厚く形成されている。 - 特許庁

A low resistance p-type emitter layer 2 is formed on the rear of a high resistance n-type base layer 1.例文帳に追加

高抵抗のｎ型ベース層１の裏面に低抵抗のｐ型エミッタ層２が形成される。 - 特許庁

To form an Ni silicide layer having excellent heat resistance on an n-type silicon layer.例文帳に追加

Ｎ型シリコン層上に優れた耐熱性を持つＮｉシリサイド層を形成できるようにする。 - 特許庁

The N+ type embedded layer 6B has an effect to reduce the resistance of the collector layer 4 of a bipolar transistor.例文帳に追加

Ｎ＋型の埋め込み層６Ｂはバイポーラトランジスタのコレクタ層４の抵抗を下げる効果がある。 - 特許庁

A PN junction is formed between a P+-InAsP window layer 6 and the N- InAsP window layer 4.例文帳に追加

ｐｎ接合は、ｐ^+−ＩnＡsＰ窓層６とｎ−ＩnＡsＰ窓層４との間に形成される。 - 特許庁

An n+-type buffer layer 8 and a p+-type collector layer 9 satisfying the relation d2/d1>1.5 are made.例文帳に追加

ｄ２／ｄ１＞１．５を満たすｎ^+ 型バッファ層８およびｐ^+ 型コレクタ層９を形成する。 - 特許庁

The Schottky electrode 6 formed on an n-type GaN layer 3 has a WN_x layer 4.例文帳に追加

また、良好なショットキー特性を有するゲート電極を備えた電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

Each tunnel junction structure includes a p-type lower layer 20 and an n-type upper layer 21.例文帳に追加

各トンネル接合構造は、ｐ型の下部層２０とｎ型の上部層２１とを含んでいる。 - 特許庁

As a result, an N+-type buffer layer 20 and a P+-type anode layer 21 are formed on the rear face of the wafer.例文帳に追加

その結果、ウエハの裏面にｎ^+バッファ層２０及びＰ^+型のアノード層２１が形成される。 - 特許庁

Then, a resist layer 15 is formed which covers the exposed N^+ layer 8 in the contact hole 13.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１３内で露出したＮ^＋層８を被覆するレジスト層１５を形成する。 - 特許庁

A specimen consisting of a p-GaN layer 1, an n-GaN layer 2 and a mask 3 is formed (Fig. 1a).例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層１、ｎ−ＧａＮ層２、マスク３からなる試料を作製する（図１ａ）。 - 特許庁

The work functions of the n-type polysilicon layer 4 and the p-type polysilicon layer 5 are made different from each other.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコン層４及びＰ型ポリシリコン層５の仕事関数は相互に異なっている。 - 特許庁

A p+-type embedded layer 4 is formed on the region under the n+-type second drain layer 3.例文帳に追加

また、Ｎ＋型の第２ドレイン層３の下の領域にＰ＋型埋め込み層４を形成する。 - 特許庁

A P^+-type body region 4 is formed at the surface layer section of an N-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３の表層部には、Ｐ^＋型のボディ領域４が形成されている。 - 特許庁

The lower semiconductor layer is a first conductive layer formed on the n-type substrate 101.例文帳に追加

下部半導体層は、ｎ型基板１０１上に形成された第１導電型の層である。 - 特許庁

An n-type silicon carbide source layer 5 is formed on the p-type silicon carbide channel layer 4.例文帳に追加

そして、ｎ型炭化珪素ソース層５は、ｐ型炭化珪素チャネル層４上に形成される。 - 特許庁

A channel layer (n-GaN) 12 and an electron supply layer (AlGaN) 11 are formed thereon.例文帳に追加

それらの上には、チャネル層（ｎ−ＧａＮ）１２、電子供与層（ＡｌＧａＮ）１１が形成されている。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 13 is formed further on the surface of the P+-type semiconductor layer 8.例文帳に追加

Ｐ＋型半導体層８の表面には、さらにＮ型半導体層１３が形成されている。 - 特許庁

The N+ polysilicon layer 21a formed on the semiconductor substrate is covered with the silicide layer 27a.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＮ＋型ポリシリコン層２１ａはシリサイド層２７ａに覆われる。 - 特許庁

An emitter electrode 11 is formed such that it contacts the p-base layer 4 and the n^+-emitter layer 10.例文帳に追加

ｐベース層４とｎ^+エミッタ層１０に接するようにエミッタ電極１１が形成されている。 - 特許庁

In an epitaxial layer 4, a trench 9 that reaches the N-type embedded diffusion layer 6 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル層４には、Ｎ型の埋め込み拡散層６に達するトレンチ９が形成されている。 - 特許庁

The n-type ZnO-based semiconductor layer 2 and the Pd layer 4a constitute a Schottky-barrier structure.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ系半導体層２とＰｄ層４ａでショットキーバリア構造を構成している。 - 特許庁