「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The junction diode 11 comprises an n-type gallium nitride-based semiconductor layer 13, and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 15.例文帳に追加

接合ダイオード１１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３と、ｐ型窒化ガリウム系半導体層１５とを備える。 - 特許庁

An n-type amorphous silicon layer 33 is formed on the upper face of an intrinsic amorphous silicon layer 31 including a channel protection film 5.例文帳に追加

チャネル保護膜５を含む真性アモルファスシリコン層３１の上面にｎ型アモルファスシリコン層３３を成膜する。 - 特許庁

The other N^- layer or the insulting oxide layer can be arranged between the P^-- substrate 11 and the P^- region 13.例文帳に追加

他のＮ^−層または絶縁酸化物層を、Ｐ^−−基板１１とＰ^−領域１３の間に配置することができる。 - 特許庁

Two trench grooves 29 are formed so as to reach the high-resistance layer 15 but not to reach the n-type buffer layer 13.例文帳に追加

２つのトレンチ溝２９は、高抵抗層１５に達するとともにｎ型バッファ層１３に達しないように設けられる。 - 特許庁

Then RIE is performed on the surface of the n-type contact layer 12 and p-type contact layer 18 by using a chlorine gas.例文帳に追加

その後、ｎ型コンタクト層１２およびｐ型コンタクト層１８の表面に対して塩素ガスを用いたＲＩＥを施す。 - 特許庁

An N^+ contact layer 10 is formed spaced and substantially parallel to the P base layer 5 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面にPベース層５と離間して概略平行にＮ^＋コンタクト層１０が形成されている。 - 特許庁

Then an n-type current blocking layer 7 having a stripe-like opening 8 is formed on the clad layer 6a.例文帳に追加

ｐ−第１クラッド層６ａ上にはストライプ状開口部８を有するｎ−電流ブロック層７が形成される。 - 特許庁

(2) This nitride compound semiconductor is characterized so that the second layer can be constituted as an n-type impurity dope layer.例文帳に追加

（２）第２の層がｎ型不純物ドープ層であることを特徴とする上記（１）の窒化物系化合物半導体。 - 特許庁

On the central area of the quantum dot active layer 3, an n-type AlGaAs clad layer 4 is formed selectively.例文帳に追加

そして、量子ドット活性層３の中央部上に選択的にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４が形成されている。 - 特許庁

A light-emitting layer 17 is formed on the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15, and has a quantum well structure 23.例文帳に追加

発光層１７は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５上に設けられ、また量子井戸構造２３を有する。 - 特許庁

The impurity concentration of the p anode layer 8 is relatively rapidly decreased from a first main surface toward the n- drift layer 6.例文帳に追加

ｐアノード層８の不純物濃度は、第１主表面からｎ-ドリフト層６にかけて比較的急峻に減少する。 - 特許庁

An electrode is formed which contacts with the p^+diffusion layer or n^+diffusion layer through the removed part.例文帳に追加

この除去された箇所を介して前記Ｐ＋拡散層またはＮ＋拡散層に接触する電極を形成する。 - 特許庁

A high concentration n^+-emitter layer 10 is selectively formed at the boundary of the p-base layer 4 and the recessed part 6.例文帳に追加

ｐベース層４における凹部６との境界部には高濃度ｎ^+エミッタ層１０が選択的に形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N type buried diffusion layer 4 is formed over a substrate 2 and an epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、基板２とエピタキシャル層３とに渡りＮ型の埋込拡散層４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 20 is provided with a source/drain 21, 22 that is the N+ type semiconductor layer, and thus a NMOS transistor 2 is formed.例文帳に追加

半導体層２０にはＮ^+型半導体層であるソース／ドレイン２１，２２が設けられ、ＮＭＯＳトランジスタ２を形成する。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer in a desired form at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を、所望の形状に形成可能であるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided in a surface layer of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

A p-channelMOS transistor 30 is formed on the high resistance n-type base layer.例文帳に追加

この高抵抗ｎ型ベース層にはｐ−ｃｈＭＯＳトランジスタ３０が形成されている。 - 特許庁

At a surface layer section of the body region 10, an N^+-type source region 12 is formed.例文帳に追加

ボディ領域１０の表層部には、Ｎ^＋型のソース領域１２が形成されている。 - 特許庁

By lowering the impurity concentration of the n^--GaN layer 14, the normally-off is made easy.例文帳に追加

ｎ^- −ＧａＮ層１４の不純物濃度を低くすることで、ノーマリオフを容易にしている。 - 特許庁

A Ge-concentration in an n-type GaAlAs layer is set to 3×1016 cm-3 or lower.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｌＡｓ層中のＧｅ濃度を３×１０^16ｃｍ<SP>ー</SP><SP>3</SP>以下とする。 - 特許庁

An epitaxial layer, including a plurality of p-n junctions, is formed on the surface of a Ge substrate.例文帳に追加

Ｇｅ基板の表面に、複数のｐｎ接合を含むエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁

Thus, both the semiconductor layers and the metal layer are made to woke a constituent element (N) the same.例文帳に追加

こうして、両半導体層と金属層との一つの構成元素(Ｎ)を同じにする。 - 特許庁

An n-type drift layer 3 is formed through an insulating film 2 on a support substrate 1.例文帳に追加

支持基板１上に絶縁膜２を介してｎ型ドリフト層３が設けられている。 - 特許庁

At a surface layer of the body region 6, an N-type source region 13 is formed.例文帳に追加

ボディ領域６の表層部には、Ｎ型のソース領域１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is etched while being conveyed and then an unnecessary n layer is removed.例文帳に追加

半導体基板１は搬送されながらエッチングされ、不要なｎ層が除去される。 - 特許庁

A floating-current blocking region 8 is formed in a part of the n^- type GaN layer 6.例文帳に追加

ｎ型のＧａＮ層６の一部に浮遊電流ブロック領域８が形成されている。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided on a surface layer of an n^-type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

After the accumulation layer 11 is formed, the n^- type semiconductor substrate 1 is heat treated.例文帳に追加

アキュムレーション層１１を形成した後に、ｎ^−型半導体基板１を熱処理する。 - 特許庁

An N+ type drain layer 25 is formed in a surface of the second region 21B.例文帳に追加

第２の領域２１Ｂの表面にはＮ＋型のドレイン層２５が形成されている。 - 特許庁

A plurality of n type diffusion layers 24 are formed on the surface of a p type semiconductor layer 23.例文帳に追加

ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散層２４を形成する。 - 特許庁

The GaN buffer layer may also have an N polarity ((000-1) surface, -c surface).例文帳に追加

またＧａＮバッファ層の極性がＮ極性（（０００−１）面、−ｃ面）であってもよい。 - 特許庁

A photonic crystal structure is formed in an n-type layer of a III-nitride light emitting device.例文帳に追加

フォトニック結晶構造は、ＩＩＩ窒化物発光デバイスのｎ型層内に形成される。 - 特許庁

An anode electrode 5 is formed on the o-type anode region 3 and on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｐアノード領域３上とｎドリフト層２上にアノード電極５を形成する。 - 特許庁

In the internal region of the P-type well 23, an N^+-type source layer 26 is formed.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３の内方の領域にはＮ^+型ソース層２６が形成されている。 - 特許庁

The n-type electron supply layer 9 is made to be thin so that a normally-off characteristic can be obtained.例文帳に追加

ノーマリオフ特性が得られるようにｎ型電子供給層９を薄く形成する。 - 特許庁

A p-well layer for electrical isolation is formed between the n-well layers 103.例文帳に追加

ｎウェル層１０３間には電気的な分離のためのｐウェル層が形成されている。 - 特許庁

Further, each layer contains at least one element from among Ag, Bi, O, or N.例文帳に追加

さらに、各々の層は、Ａｇ、Ｂｉ、Ｏ及びＮの少なくとも一つの元素を含有する。 - 特許庁

The Ge concentration in an n-type GaAlAs layer is set to 3×1016 cm-3 or less.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｌＡｓ層中のＧｅ濃度を３×１０^16ｃｍ<SP>ー</SP><SP>3</SP>以下とする。 - 特許庁

A group III nitride light emitting layer is disposed between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

ＩＩＩ族発光層は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置される。 - 特許庁

The reflectance peak wavelength of the n-type DBR layer 12 is 1.20 to 1.35 μm.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２の反射率ピーク波長は１．２０μｍ〜１．３５μｍである。 - 特許庁

The band gap wavelength of the n-type InGaAsP layer 12b is 1.30 to 1.55 μm.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂのバンドギャップ波長は１．３０μｍ〜１．５５μｍである。 - 特許庁

At a surface layer section of the drift region 11, an N^+-type drain region 14 is formed.例文帳に追加

ドリフト領域１１の表層部には、Ｎ^＋型のドレイン領域１４が形成されている。 - 特許庁

Here, λ denotes a resonant wavelength and n denotes a refraction index of a matter constituting the buffer layer 17.例文帳に追加

ここでλは共振波長、ｎはバッファ層17を構成する物質の屈折率である。 - 特許庁

To achieve a low contact resistance to an n-type semiconductor layer that contains Ga.例文帳に追加

Ｇａを含有するｎ型半導体層に対して低いコンタクト抵抗を実現する。 - 特許庁