「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

The distributed feedback type semiconductor laser element has at least an n-conductivity type clad layer 3, an active layer 5 and a p-conductivity type clad layer 12 on a semiconductor substrate 1, and has the diffraction-grating structure 10 composed of an n-conductivity type diffraction grating layer 8 in the clad layer 12.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、半導体基板１上に少なくともｎ導電型のクラッド層３と活性層５とｐ導電型のクラッド層１２とを有し、ｐ導電型のクラッド層１２中にｎ導電型の回折格子層８からなる回折格子構造１０を備えている。 - 特許庁

The intermediate layer 2 containing P or N-type impurities is sandwiched between a silicon layer 1 and a base substrate 3, and the impurities are diffused by a heat treatment in the silicon layer 1 to form the P or N-type impurity layer 4 in the silicon layer 1.例文帳に追加

Ｐ型またはＮ型の不純物を含む中間層２をシリコン層１と支持基板３との間にはさみ、熱処理によって前記不純物を前記シリコン層１に拡散させて、前記シリコン層１中にＰ型またはＮ型の不純物層４を形成するようにした。 - 特許庁

The element is provided with a p-type semiconductor substrate 1, a p-type well layer 3 formed above the substrate, an n-type photoelectric conversion layer formed within a p-type well layer 3 as a light receiving portion 4, and a floating n-type accumulation layer 2 between the p-type semiconductor substrate and the p-type well layer 3.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１とその上部に形成されたｐ型ウエル層３と、ｐ型ウエル層３内に受光部４として形成されたｎ型光電変換層を有し、ｐ型半導体基板１とｐ型ウエル層３との間にフローテイングＮ型蓄積層２を有している。 - 特許庁

A first metal layer 51 and a high-resistance conductive layer 60 are each connected to an input pad INP and the first N-type high-concentration diffusion layer 21, and a second metal layer 52 is connected to a reference voltage pad VSP and the second N-type high-concentration diffused layer 22.例文帳に追加

第１の金属層５１及び高抵抗導電層６０は入力パッドＩＮＰと第１のｎ型高濃度拡散層２１とを接続し、第２の金属層５２は、基準電圧Ｖ_SSを供給する基準電圧パッドＶＳＰと第２のｎ型高濃度拡散層５２とを接続している。 - 特許庁

In an UV-LED, on a substrate 10, an n-type GaN layer 12, an AlGaN cladding layer 14, a GaN light emission layer 16, an AlGaN cladding layer 18, and a p-type GaN electrode formation layer 20 are successively formed, and a p-type ohmic electrode 22 and an n-type ohmic electrode 24 are formed.例文帳に追加

ＵＶ−ＬＥＤは基板１０上に順次ｎ型ＧａＮ層１２、ＡｌＧａＮクラッド層１４、ＧａＮ発光層１６、ＡｌＧａＮクラッド層１８、ｐ型ＧａＮ電極形成層２０を形成し、ｐ型オーミック電極２２、ｎ型オーミック電極２４を形成して構成される。 - 特許庁

By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型拡散層との接合面、およびＮ型埋込み拡散層と高不純物濃度のＰ型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のＰ型第二埋込み拡散層を介在させることにより、Ｃ−ＥＰＩ容量が減少する。 - 特許庁

On the top surface of the clad layer 13-1, a p-type layer 15 and an n-type layer 16 are laminated in order, and in the range of an applied voltage used in an operation state, the entire area of the p-type layer 15 and a partial or the entire area of the n-type layer 16 are depleted.例文帳に追加

クラッド層１３−１の上面には、ｐ型層１５とｎ型層１６とが順次積層されており、動作状態で使用する印加電圧範囲において、ｐ型層１５の全領域とｎ型層１６の一部領域または全領域とが空乏化される。 - 特許庁

A base layer 8 of GaN containing n-type impurities, an embedding layer 10 of AlGaN containing p-type impurities, a coating layer 9 of undoped AlGaN and a surface layer 25 of a material same as that of the base layer 8 are laminated sequentially on the surface of the substrate 6 of GaN containing n-type impurities.例文帳に追加

ｎ型不純物を含むＧａＮの基板６の表面に、ｎ型不純物を含むＧａＮの基層８と、ｐ型不純物を含むＡｌＧａＮの埋め込み層１０と、アンドープドＡｌＧａＮの被覆層９と、基層８と同一材料の表面層２５を順に積層する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 has a semiconductor layer 11 in which an n-type clad layer 12, a light active layer 13, and a p-type clad layer 14 are formed on one main surface of an n-type substrate 10 in order, and p-type cap layers 21-23 are formed on the semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型基板１０の一方の主面上に、ｎ型クラッド層１２，光活性層１３およびｐ型クラッド層１４が順に形成された半導体層１１を有し、この半導体層１１の上にｐ型キャップ層２１〜２３が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor laminated structure including a p-type InP clad layer 12, an AlGaInAs lower optical confinement layer 13, an AlGaInAs-MQW active layer 14, an n-type AlGaInAs upper optical confinement layer 15, and an n-type InP clad layer 16 is formed on a p-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ＡｌＧａＩｎＡｓ下光閉込層１３、ＡｌＧａＩｎＡｓ—ＭＱＷ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ上光閉込層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６からなる半導体積層構造を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes a p-type semiconductive layer and an n-type semiconductive layer which are connected via an active layer, and emits light with an applied forward bias, wherein both of the p-type semiconductive layer and the n-type semiconductive layer are ferromagnetic members.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。 - 特許庁

While heating the metal film 3 and thereby heating the infrared transmission substrate 2 through heat conduction, an n-type buffer layer 21, an n-type clad layer 22, an active layer 23, a p-type clad layer 24 and a p-type contact layer 25 are formed by epitaxial growth, on the other side of the infrared transmission substrate 2.例文帳に追加

金属膜３を加熱し、それによって、熱伝導で赤外線透過基板２を加熱しながら、赤外線透過基板２の他方の面に、エピタキシャル成長により、ｎ型バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２５を形成する。 - 特許庁

An extension drain region 103 composed of an n--type impurity layer is formed in the semiconductor layer 1 so that the bottom of the region 103 may come into contact with the insulating layer 101 and, at the same time, a source region 104 composed of an n+-type impurity layer is formed in the surface section of the semiconductor layer 102.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０２には、底部が絶縁層１０１と接するようにｎ^- 型の不純物層からなる延長ドレイン領域１０３が形成されていると共に、ｐ型半導体層１０２の表面部にはｎ^+ 型の不純物層からなるソース領域１０４が形成されている。 - 特許庁

A carbon film 7 is formed on the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 through spattering method, and then, activating anneal is effected under a condition that the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 are covered by the carbon film 7 to change the ion implantation layer 6 into a p-type well region 8.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２及びイオン注入層６の上に、スパッタ法によりカーボン膜７を形成し、カーボン膜７でｎ型ドリフト層２及びイオン注入層６を覆った状態で、活性化アニールを行なって、イオン注入層６をｐ型ウェル領域８に変化させる。 - 特許庁

This surface-emitting laser has a resonator structure, constituted by stacking on a substrate 101, a 1st n-type semiconductor multilayered film mirror layer 103, a 1st active layer 105, a p-type spacer layer 109, a 2nd active layer 113, and a 2nd n-type semiconductor multilayered film mirror layer 115 respectively.例文帳に追加

面発光レーザ装置は、基板１０１上に、第１のｎ型半導体多層膜ミラー層１０３、第１の活性層１０５、ｐ型のスペーサ層１０９、第２の活性層１１３、第２のｎ型半導体多層膜ミラー層１１５、の各層を積層して成る共振器構造を有する。 - 特許庁

A gain combination DFB laser 20 is a laser of oscillation wavelength of about 1,550 nm, and comprises, on an n-InP substrate 1, an n-InP buffer layer 2, active layer 3, p-InP spacer layer 4, p-InP upper-part clad layer 6, and p-GaInAs contact layer 7.例文帳に追加

本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。 - 特許庁

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire.例文帳に追加

まず、サファイアよりなる基板１１上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１３、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層１４、ＩｎＧａＮよりなる活性層１５、ＡｌＧａＮよりなる第１のＭｇドープ層１６Ａ及びＧａＮよりなる第２のＭｇドープ層１７Ａを順次成長させる。 - 特許庁

A p+-type impurity-diffused high concentration buried layer 3 is formed on an n-type silicon substrate 10, a p-type first epitaxially grown layer 2 is formed on the layer 3, and an n-type impurity diffused layer 1 is formed on the layer 2.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１０に不純物を拡散したｐ＋型の高濃度の埋込層３を形成し、埋込層３上にｐ型の第１のエピタキシャル成長層２を形成し、第１のエピタキシャル成長層２にｎ型の不純物を拡散した拡散層１を形成する。 - 特許庁

This photovoltaic element 10 consists of a structure formed by laminating an underlayer 3, a (p) layer 4, an (i) layer 5, an (n) layer 6, and an electrode 7 one by one on the transparent conductive layer 2 of a substrate 1.例文帳に追加

光起電力素子１０は、下地層３、ｐ層４、ｉ層５、ｎ層６および電極７を基板１の透明導電膜２上に順次積層した構造からなる。 - 特許庁

In the transparent electrode layer 18, p-type GaN layer 16, InGaN/GaN active layer 14, and n-type GaN layer 12, many holes 24 which extend almost perpendicularly to those layers are formed periodically in two dimensions.例文帳に追加

透明電極層１８、ｐ型GaN層１６、InGaN/GaN活性層１４、ｎ型GaN層１２に、これらの層にほぼ垂直な方向に延びる多数の空孔２４を２次元周期的に形成する。 - 特許庁

Each of the plurality of LED chips 10 has a substrate 11, a seed layer 12, an n-type semiconductor layer 14, a light emitting layer 15, and a p-type semiconductor layer 16.例文帳に追加

複数のＬＥＤチップ１０を構成する各々のＬＥＤチップ１０は、基板１１、シード層１２、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を備えている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 comprises a buffer layer 14, an n-type GaN layer 16, an InGaN light emitting layer 18, and a p-type GaN layer 32 formed on a sapphire substrate 12.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、サファイア基板１２上に、バッファ層１４と、ｎ型ＧａＮ層１６と、ＩｎＧａＮ発光層１８と、ｐ型ＧａＮ層３２とが積層される。 - 特許庁

This element has a structure comprising a sapphire substrate 100 overlaid with a GaN buffer layer 101, a bonded polarity inverted layer 102, an Al_xGa_1-xN layer 103 and an n-GaN contact layer 104, as a basis.例文帳に追加

サファイア基板１００上に、ＧａＮバッファ層１０１，ボンド極性反転層１０２，Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層１０３，ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４からなる構造を基礎としている。 - 特許庁

Phosphorus (P) ions are implanted into a p-type GaN layer 14 formed on an n-type GaN layer 13 which is then heated to form a GaNP layer 15 serving as an active layer.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１３上に積層されたｐ型ＧａＮ層１４中にＰをイオン注入し、その後加熱することによって、活性層となるＧａＮＰ層１５を形成する。 - 特許庁

In a solid-state image pickup element, an overflow barrier layer 20 is formed on an n-type silicon substrate 10, which serves as the lower- layer substrate of the element and a high-resistance epitaxially grown layer 30, is formed on the barrier layer 20.例文帳に追加

下層基板となるｎ型シリコン基板１０の上に、オーバーフローバリア層２０が形成されており、その上層に高抵抗エピタキシャル成長層３０が形成されている。 - 特許庁

The first lamination part 110 includes a block insulating layer 113, a charge storage layer 114, and an n-type semiconductor layer 116 formed in contact with a sidewall of a tunnel insulating layer 115.例文帳に追加

第１積層部１１０は、ブロック絶縁層１１３、電荷蓄積層１１４、及びトンネル絶縁層１１５の側壁の側壁に接して設けられたｎ−型半導体層１１６を備える。 - 特許庁

The active layer 12 is an active layer 12 of a multi-quantum well structure including a plurality of well layers 34_1 to 34_M and a plurality of barrier layers 32_1 to 32_N, and is provided between the n-type cladding layer and the p-type cladding layer.例文帳に追加

活性層は、複数の井戸層と複数のバリア層とを含む多重量子井戸構造の活性層であり、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層の間に設けられている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 20, an active layer 30 and a p-type semiconductor layer 40 are laminated successively, and a current constriction region 50 is formed to the p-type semiconductor layer 40.例文帳に追加

ｎ型半導体層２０，活性層３０およびｐ型半導体層４０が順に積層され、ｐ型半導体層４０に電流狭窄領域５０が設けられている。 - 特許庁

A p-second clad layer 7 and a p-contact layer 8 are successively formed on the n-current block layer 6 and the p-first clad layer 5 within the opening part 20.例文帳に追加

ｎ−電流ブロック層６上およびストライプ状開口部２０内のｐ−第１クラッド層５上にはｐ−第２クラッド層７およびｐ−コンタクト層８が順に形成される。 - 特許庁

After forming the trench portion 111 on the substrate 110, by sequentially depositing the buffer layer 120, the n-contact layer 130, and the active layer 140 on the trench portion 111, the area of light emission of the active layer 140 is increased.例文帳に追加

基板110にトレンチ部111を形成した後、トレンチ部111にバッファ層120、ｎ−コンタクト層130、及び活性層140を順次に蒸着することによって、活性層140の発光面積が増大する。 - 特許庁

An n-type ZnO layer 2, a ZnO light-emitting layer 3 and a p-type ZnO layer 4 as an exemplary second conductive type semiconductor layer are successively stacked on a ZnO substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１上に、ｎ型ＺｎＯ層２、ＺｎＯ発光層３および第２導電型半導体層の一例としてのｐ型ＺｎＯ層４を順次積層している。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 6 is formed on the substrate 3, and an n-type buried diffusion layer 10 is formed on a p-type buried diffusion layer 7 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.例文帳に追加

基板３にはＰ型の埋込拡散層６が形成され、基板３とエピタキシャル層４には、Ｎ型の埋込拡散層１０がＰ型の埋込拡散層７上に形成されている。 - 特許庁

An active layer 5 and a current constriction layer 9 composed of a semiconductor, to which an oxygen element is added, are formed between the p-type semiconductor layer 2 and the n-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

ｐ型半導体層２とｎ型半導体層４との間には、活性層５と、酸素元素が添加された半導体からなる電流閉じ込め層９とが設けられている。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０１と、下部半導体層と、活性層１０６と、上部半導体層と、電流阻止層１１５とを備えている。 - 特許庁

If electrons injected from an n-type clad layer are leaked from an active layer into a p-type clad layer, the electrons make the dopant in the p-type clad layer move and deteriorate the life to be limited.例文帳に追加

ｎ型クラッド層から注入された電子が活性層からｐ型クラッド層へと漏れることによって電子がｐ型クラッド層のドーパントを移動させ劣化させ寿命が制限される。 - 特許庁

A control part 33 of a P-type diffusion layer which controls a signal read voltage and an isolation part 32 of the P-type diffusion layer which is used for layer isolation are formed on the side parts of the N-type diffusion layer 4.例文帳に追加

このｎ型拡散層４の側方に、信号読み出し電圧を制御するｐ型拡散層の制御部３３と、層分離用のｐ型拡散層の分離部３２を形成する。 - 特許庁

An avalanche multiplication layer 3, a p-type InP electric field relaxation layer 4, a light absorption layer 5 and an undoped InP window layer 6 are laminated on the principal plane of an n-type InP substrate 1 in that order.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。 - 特許庁

An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。 - 特許庁

On a surface of a semiconductor substrate 1, there are formed a P^- layer 7 and N^+ layer 8 which constitute a variable capacity diode, and a source layer 10 and a drain layer 11 which constitute an MOS transistor.例文帳に追加

半導体基板１の表面上に可変容量ダイオードを構成するＰ^−層７及びＮ^＋層８、ＭＯＳトランジスタを構成するソース層１０及びドレイン層１１を形成する。 - 特許庁

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12.例文帳に追加

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。 - 特許庁

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 12, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12.例文帳に追加

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウム インジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 20 including an n-type cladding layer 13B, an active layer 14, and a p-type cladding layer 15B, which are stacked in order on a substrate 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。 - 特許庁

An n+ type contact layer 7 made of GaSb is formed on the electron emission layer 6, and pn junction is formed with the contact layer 7 and the electron emission layer 6.例文帳に追加

電子放出層６の上には、ＧａＳｂからなるｎ^＋型のコンタクト層７が形成されており、このコンタクト層７と電子放出層６とでｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

An electrode 1 for wire bonding is formed on an N-type AlGaAs epitaxial layer 11 and is constituted of an AuGe-Ni-Au alloy layer 17, Ti layer 15, and Au layer 16.例文帳に追加

ワイヤボンド用電極１は，Ｎ型ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層１１上に形成され，ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金層１７，Ｔｉ層１５，およびＡｕ層１６から構成されている。 - 特許庁

Each of the light-receiving cells 14 is provided with a photoelectric conversion layer 17, an insulating layer 23, a metal layer 25, and a filter layer 33, on a substrate 15 formed of silicon to which n-type impurities are added as a base.例文帳に追加

各受光セル１４は、Ｎ型不純物が添加されたシリコンからなる基板１５を基礎として、光電変換層１７、絶縁層２３、金属層２５及びフィルタ層３３を備える。 - 特許庁