「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

On a drain layer 101 containing a high concentration n-type dopant, there is formed an interlayer 102 consisting of an n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101.例文帳に追加

高濃度のＮ型不純物を含むドレイン層１０１上には、ドレイン層１０１よりも不純物濃度の低いＮ型Ｓｉからなる中間層１０２が形成されている。 - 特許庁

After a recess 4 is formed by anisotropically etching an n^+-type layer 3, an n-type channel layer 5 is formed by epitaxially growing the interior of the recess 4.例文帳に追加

ｎ^+型層３に対して異方性エッチングを行うことによって凹部４を形成したのち、この凹部４内にエピタキシャル成長させることによってｎ型チャネル層５を形成する。 - 特許庁

The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region.例文帳に追加

本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

An n--type epitaxial silicon layer 3 for collector is formed on the surface of an n+-type silicon substrate 21 having a crystal plane azimuth of (100), and a silicon oxide layer 4 made by the LOCOS method is formed thereon.例文帳に追加

結晶の面方位が（１００）であるｎ^+ 型シリコン基板２１の表面にコレクタ用ｎ^- 型エピタキシャル・シリコン層３が、その上にロコス法からなるシリコン酸化膜４がある。 - 特許庁

The length L1 of a field oxide layer 18b is smaller than the length L2 of a field oxide layer 18c, so that an N-type region 14a is shorter than a N-type region 14b.例文帳に追加

フィールド酸化層１８ｂの長さＬ_1はフィールド酸化層１８ｃの長さＬ_2より小さいので、ｎ型領域１４ａの長さはｎ型領域１４ｂの長さより小さくなる。 - 特許庁

An n-type source/drain layer 40 is film-formed by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a in a shape of the gate electrode 32 of the n-type TFT region 12n.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって、ｎ型ソース・ドレイン層４０を成膜する。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5.例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド１は、ダイヤモンド｛１１０｝単結晶基板である基板３上に形成されており、第１のノンドープダイヤモンド層７及びｎ型ダイヤモンド層５を備えている。 - 特許庁

An n-electrode 140 is formed on a part with a part of an n-type contact layer 104 exposed, and a p-electrode 110 is formed on a p-type contact layer 108.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層１０４の一部露出された部分の上にｎ電極１４０が形成されており、ｐ型コンタクト層１０８の上にｐ電極１１０が形成されている。 - 特許庁

The n-type organic semiconductor film 6 compensates the lowering of an electron concentration at a 2DEG layer 14 based on the thin n-type electron supply layer 9, serving to prevent a decrease of ON-resistance.例文帳に追加

ｎ型の有機半導体膜６は、薄いｎ型電子供給層９に基づく２ＤＥＧ層１４の電子濃度の低下を補って、オン抵抗の低減を防ぐ働きを有する。 - 特許庁

The N type layer 20 on the deep side is made of an element (for example, phosphorus (P)) smaller in mass (atomic weight) than an element (for example, arsenic (As)) forming the N type layer 22 on the shallow side.例文帳に追加

深い方のＮ型層２０は、浅い方のＮ型層２２を構成する元素（例えば、砒素（Ａｓ））よりも質量（原子量）が小さい元素（例えば、燐（Ｐ））により構成される。 - 特許庁

Since Al and N are strongly joined with each other after annealing, electric conductivity is lowered, and a band gap is increased because of the crystal mixing effect of guide layers 3 and 5 and the quantum well layer 4 so as to form a current block layer.例文帳に追加

アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。 - 特許庁

Near the surface of the contact layer 18, similarly, the n-type carrier increases and the conductivity of the layer 18 changes to i- or n-type, resulting in the formation of a current constricting region 18a.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層１８の表面近傍においても同様にｎ型キャリアが増加し、伝導型がｉ型またはｎ型に変化して電流狭窄領域１８ａが形成される。 - 特許庁

Here, an insulating protection film 40 is inserted between the large-area portion 130p and n-type layer 11 to reduce the area of a junction portion between the large-area portion 130p and n-type layer 11.例文帳に追加

そこで、大面積部１３０ｐとｎ型層１１との間に、絶縁性保護膜４０を挿入して、大面積部１３０ｐとｎ型層１１との接合部の面積を減らす。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 away from the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型ウエル３とは間隔をもってＰ型半導体基板１に互いに間隔をもって形成されたＮ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

The first MOS capacitor 2 is formed on an N well layer 4 and the second MOS capacitor 105 is formed on a semiconductor substrate 3 where the N well layer 4 is not formed.例文帳に追加

第１のＭＯＳ容量２はＮウェル層４上に形成され、第２のＭＯＳ容量１０５はＮウェル層４が形成されていない半導体基板３上に形成されている。 - 特許庁

Screen printing is used to form on a passivation film 5, an N electrode 10 which is electrically connected to an N+ layer 4 and a P electrode contact 8 which is electrically connected to a P+ layer 3.例文帳に追加

スクリーン印刷によって、パッシベーション膜５上にＮ＋層４と電気的に接続されるＮ電極１０と、Ｐ＋層３に電気的に接続されるＰ電極コンタクト８が形成される。 - 特許庁

The method has a process for roughening up an exposed face of an n^+ type SiC layer 1 and a process for forming an electrode 9 on the roughened up exposed face of the n^+ type SiC layer 1.例文帳に追加

ｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面の状態を荒らす工程と、荒らされたｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面に電極９を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

There is formed a photocatalyst layer 14 having a structure of a N-substituted oxygen site such as Ti-O-N and the like via an intermediate layer 12 such as silica on a surface of a base material 10.例文帳に追加

基材１０の表面には、シリカなどの中間層１２を介し、酸素サイトにＮが置換した構造を有するＴｉ−Ｏ−Ｎなどの光触媒層１４が形成されている。 - 特許庁

The active layer 5 comprises InGaAsP which lattice-matches with the n-type GaAs substrate 2 while the p-type clad layer 7 comprises AlGaInP which lattice-matches with the n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

活性層５は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と格子整合するＩｎＧａＡｓＰより成り、また、ｐ型クラッド層７は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と格子整合するＡｌＧａＩｎＰより成る。 - 特許庁

The optical multilayer film has both of a layer having a thickness of substantially 1/4 wavelength of the input light and a layer having a thickness of substantially n/4 wavelength of the input light, wherein n is an odd number of 3 or more.例文帳に追加

光学多層膜は、入力光の略１／４波長の厚さの層と、入力光の略ｎ／４波長の厚さ（ただし、ｎは３以上の奇数）の層の両方を有する。 - 特許庁

In the organic transistor having an organic semiconductor layer, at least one of [n]phenacene compounds (n: an integer of 5 to 11) is contained in the organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に［ｎ］フェナセン化合物（但し、ｎは５〜１１の整数を表す）を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 - 特許庁

The doping of N-type region 111a and P-type region 112a respectively are executed, independent of the doping of N type diffusion layer of NMOS and the doping of P type diffusion layer of PMOS.例文帳に追加

Ｎ型領域１１１ａ，Ｐ型領域１１２ａのドーピングは、それぞれＮＭＯＳのＮ型拡散層のドーピング，ＰＭＯＳのＰ型拡散層のドーピングと独立に行なわれる。 - 特許庁

To provide a technology for reducing a forward voltage drop across a diode having both p-type semiconductor regions and an n-type semiconductor region at a surface layer portion of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の表層部にp型半導体領域とn型半導体領域の両者を有するダイオードにおいて、ダイオードの順方向電圧降下を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

On the n-type InAlGaN cap layer 4, Ti/Al ohmic electrodes 5 serve as a source electrode and a drain electrode, and are formed in contact with the n-type InAlGaN cap layer 4.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４の上には、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４と接し且つソース電極及びドレイン電極となるＴｉ／Ａｌオーミック電極５が形成されている。 - 特許庁

The ratio of a flow rate of the N_2 to the inert gas is set at 0.06 to 0.13, or the concentration of N in the TaCN barrier layer is set at 12 to 30%, and the resistance and the copper diffusion preventive effect of the barrier layer are improved.例文帳に追加

Ｎ_２と不活性ガスの流量比率を0.06—0.13とし、または、TaCNバリア層におけるNの濃度を12％—30％にすることにより、バリア層の抵抗と銅拡散防止効果を改善する。 - 特許庁

The p-type layer 127 having small impurity concentration, and n-type layer 128 having small impurity concentration are as thick as 40 nm or less.例文帳に追加

Ｐ型の不純物濃度の薄い層１２７とＮ型の不純物濃度の薄い層１２８の厚さは４０ｎｍ以下である。 - 特許庁

Further, an n-type FN layer 20 is formed on the surface region of the (P+W) layer 4 in a lower part of a gate electrode 6.例文帳に追加

また、ゲート電極６の下方におけるＰ＋Ｗ層４の表面領域にＮ型のＦＮ層２０を形成する。 - 特許庁

On the other hand, a depletion layer is formed on the interface 4a of the channel layer 2 composed of n-GaN and a p-GaN region 4.例文帳に追加

一方、ｎ−ＧａＮから成るチャネル層２とｐ−ＧａＮ領域４との界面４ａには空乏層が形成される。 - 特許庁

In three kinds of photosensitive parts 202B, 202G, 202R, a p^+-type layer and an n-type layer are formed inside a p-type well.例文帳に追加

３種類の受光部２０２Ｂ，２０２Ｇ，２０２Ｒにおいて、Ｐ型ウェル内にＰ^+型層およびＮ型層が形成されている。 - 特許庁

A ratio between carrier amounts of p^+-type collector layer PCL and carrier amounts of n^+-type field stop layer NF is set between 4 to 16.例文帳に追加

ｐ^＋型コレクタ層ＰＣＬのキャリア量／ｎ^＋型フィールドストップ層ＮＦのキャリア量の比の値を４以上１６以下とする。 - 特許庁

In the IGBT, each main trench 25 and each transverse trench 26 are so formed that they pass through the p-type base layer 12 to reach the n-type base layer 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層１２を貫きｎ型ベース層１１に達するように、主トレンチ２５と横断トレンチ２６とが形成される。 - 特許庁

The P-side optical guide layer and the N-side optical guide layer are both represented by a formula GaN and as thick as 0.1 to 0.2 μm respectively.例文帳に追加

ｐおよびｎ側光ガイド層は一般式ＧａＮで表され、その膜厚をそれぞれ０．１μｍ〜０．２μｍとする。 - 特許庁

The openings 22 and 26 are formed above a P type diffusion layer 16 and an N type diffusion layer 18, respectively.例文帳に追加

開口２２および開口２６は、それぞれＰ型拡散層１６およびＮ型拡散層１８の上部に形成されている。 - 特許庁

On the reverse side of the semiconductor substrate 11, an (n) type buffer layer 19, a (p) type anode layer 20, and an anode electrode 21 are provided.例文帳に追加

半導体基板１１の裏面側にｎ型バッファ層１９、ｐ型アノード層２０およびアノード電極２１を設ける。 - 特許庁

A metal layer 48 contacting the n-type buried diffusion layer 18 is formed on the rear surface 47 side of the substrate 3.例文帳に追加

そして、基板３の裏面４７側には、Ｎ型の埋込拡散層１８とコンタクトする金属層４８が形成されている。 - 特許庁

An N type body region 13 is formed in the top layer of the epitaxial layer 5 while being spaced apart from the drift region 12.例文帳に追加

また、エピタキシャル層５の表層部には、ドリフト領域１２と間隔を空けて、Ｎ型のボディ領域１３が形成されている。 - 特許庁

An N-type well 22 is formed as a conductive layer in the surface layer of the residual region 20 of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０における残余領域２０の表層には、導電層としてＮ型ウエル２２が形成されている。 - 特許庁

A dummy oxide film 12 is formed in a trench 4 extending from a surface of a P type body layer 3 to the inside of an N type drift layer 2.例文帳に追加

Ｐ型ボディ層３の表面からＮ型ドリフト層２内に延在するトレンチ４にダミー酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

An opening 6 reaching the surface of an insulating board 1 is formed in a GaN layer 2 and an n-type AlGaN layer 3.例文帳に追加

ＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３に、絶縁性基板１の表面まで到達する開口部６を形成する。 - 特許庁

It is judged here whether or not a toner concentration difference between the character/line drawing layer 100t and the halftone layer 100i is not smaller than a threshold n.例文帳に追加

ここで、文字・線画層１００ｔと中間調層１００ｉのトナー濃度差が、閾値ｎ以上か否かを判断する。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 17 is formed deeper than an LDD diffusion layer 15a in a formation region of an ESD protection element, for example.例文帳に追加

たとえば、ＥＳＤ保護素子の形成領域に、ＬＤＤ拡散層１５ａよりも深く、Ｎ型拡散層１７を形成する。 - 特許庁

In the first region, an N type third impurity layer 18 is deeply dispersed from a surface of the semiconductor layer 16A in the first region.例文帳に追加

第１の領域において半導体層１６Ａの表面からＮ型の第３の不純物層１８が深く拡散される。 - 特許庁

The refractive index of the p-type AlGaInP upper cladding layer 40 is higher than that of an n-type AlGaInP lower cladding layer 36.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０の屈折率は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層３６の屈折率より高い。 - 特許庁

The stress between the n-type semiconductor layer 43 and the conformational active layer 44 therefore can be released with the recesses 431.例文帳に追加

したがって、ｎ型半導体層４３とコンフォーメーション活性層４４の間の応力はリセス４３１によって解放され得る。 - 特許庁

On the N- type Si layer 6, a P type SiGe layer 7 including intrinsic and external base regions is formed.例文帳に追加

そのＮ−型Ｓｉ層６上に真性ベース領域と外部ベース領域とを含むＰ型ＳｉＧｅ層７が形成されている。 - 特許庁