「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type SiGe alloy layer 6a and a p-type silicon film 7a of a protruding cross-sectional shape are formed on the active region of an n-type collector layer 2, wherein an n-type emitter diffused layer 13 which functions as an emitter layer, is formed inside the upper part of the silicon film 7a.例文帳に追加

ｎ型のコレクタ層２の活性領域上にｐ型のＳｉＧｅ合金層６ａと断面凸状のｐ型のシリコン膜７ａとが形成され、シリコン膜７ａ内の上部にはエミッタ層として機能するｎ型のエミッタ拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

According to this structure, a depletion layer at the PN junction between the p-type deep layer 10 and an n^--type drift layer 2 is significantly extended to the side of the n^--type drift layer 2 and thereby a high voltage caused by a drain voltage is hardly input into a gate oxide film 8.例文帳に追加

このような構造によれば、ｐ型ディープ層１０とｎ^-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ^-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜８に入り込み難くなる。 - 特許庁

A VCSEL 20 is constituted by stacking a semiconductor layer, including an n-type buffer layer 104, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a current constriction layer 110, a p-type upper DBR 112, and a p-type GaAs contact layer 114 on a substrate 102.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ２０は、基板１０２上に、ｎ型のバッファ層１０４、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型の上部ＤＢＲ１１２、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を積層する。 - 特許庁

An n-type AlGaInP first clad layer 104, an undoped GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 105, a p-type AlGaInP second clad layer 106 and a p-type GaAs cap layer 108 are arranged in this order from an n-type GaAs substrate 101 upward.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer containing a nitride semiconductor, a p-type semiconductor layer containing the nitride semiconductor, and a light-emitting part provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。 - 特許庁

At 23°C, it is preferable to have 5 to 20 N/25 mm sticking power of the adhesive layer.例文帳に追加

２３℃において、前記粘着剤層の粘着力が５〜２０Ｎ／２５ｍｍであるのが好ましい。 - 特許庁

The n-side electrode is provided in the region not including the light-emitting layer on the second surface.例文帳に追加

ｎ側電極は、第２の面における発光層を含まない領域に設けられている。 - 特許庁

An n^+ high-concentration region 10 is provided at a part of a surface layer of the p collector region 9.例文帳に追加

ｐコレクタ領域９の表面層の一部には、ｎ^+高濃度領域１０が設けられている。 - 特許庁

The method also comprises the steps of increasing an amount of the nitrogen in the carrier gas to 50%, and growing an n+-type SIC contact layer 107.例文帳に追加

キャリアガス中の窒素の量を50%に増加させ、ｎ^+-SiCコンタクト層１０７を成長する。 - 特許庁

N-type diffusion layers 7, 8 as source regions are formed on the p-type diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５には、ソース領域としてのＮ型の拡散層７、８が形成されている。 - 特許庁

The active layer 16 is formed of In_xGa_yAl_1-(x+y)N (0≤x, y≤1, 0≤x+y≤1).例文帳に追加

活性層１６は、Ｉｎ_ｘＧａ_yＡｌ_１−（x＋y）Ｎ（０≦x，y≦１、０≦x＋y≦１）から構成されている。 - 特許庁

More specifically, the depletion layer 15 and the N+ type silicon substrate 2 do not touch each other but are separated from each other.例文帳に追加

すなわち、空乏層１５とＮ^+型シリコン基板２とは接触せず、分離しているようにした。 - 特許庁

In addition, a buried emitter is formed with little dimensional fluctuation on the single-crystal structure section 111a positioned in the emitter opening 114 by forming an n-type semiconductor layer.例文帳に追加

またこの上にＮ型半導体層で埋めエミッタ寸法バラツキを少なく形成する。 - 特許庁

The second-conductive-type diffusion layer 130 is formed in the substrate 10 and is, for example, n type.例文帳に追加

第２導電型拡散層１３０は基板１０に形成されており、例えばｎ型である。 - 特許庁

Then, a floor on the (n+1)th layer is constructed by arranging reinforcements in the form and placing concrete therein.例文帳に追加

次に、型枠内に配筋してコンクリートを打設することで、第（ｎ＋１）層の床を構築する。 - 特許庁

An n-type GaN-based semiconductor layer 15 is disposed on the principal plane 13a of the support 13.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。 - 特許庁

To diffuse an n-type dopant deep into a photoelectric conversion layer, concerning a method of manufacturing a photoelectric conversion device.例文帳に追加

光電変換素子の製造において、ｎ型ドーパントを光電変換層に深く拡散させる。 - 特許庁

The N-type drain layer 11a is turned to a current route where an on-state current of the bidirectional switch flows.例文帳に追加

該Ｎ型ドレイン層１１ａを双方向スイッチのオン電流の流れる電流経路とする。 - 特許庁

An AlN epitaxial layer 15 is provided on the n surface area of the AlN support body 13.例文帳に追加

ＡｌＮエピタキシャル層１５は、ＡｌＮ支持基体１３のＮ面エリア上に設けられている。 - 特許庁

The filament 2001 is prepared, and an n-type semiconductor layer 2004 is formed on its end surface.例文帳に追加

上記線状体２００１を用意し、その端面にｎ型半導体層２００４を形成する。 - 特許庁

In a certain embodiment, the n-type layer of a photonic crystal is formed on a tunnel junction.例文帳に追加

或る種の実施形態では、フォトニック結晶のｎ型層は、トンネル接合上に形成されている。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域ＢＧはエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

This semiconductor substrate (a) has the function of an n-type contact layer in a light-emitting diode 10.例文帳に追加

この半導体基板ａは、発光ダイオード１０におけるｎ型コンタクト層の機能を有する。 - 特許庁

A direction toward the drain 22 from the source 21 is a crystal orientation <100> of the n-type silicon layer 20.例文帳に追加

ソース２１からドレイン２２へ向かう方向は、Ｎ型シリコン層２０の結晶方位＜１００＞である。 - 特許庁

An n-epitaxial layer 3 is formed on the side of the Si substrate 1 opposite to the recessed side.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１のうち凹の形成された面の裏面上にｎ−エピタキシャル層３を形成する。 - 特許庁

The n-paraffine of ≥12 wt.% is contained per total solid volume of the coating layer.例文帳に追加

ｎ−パラフィンを塗工層全固形分あたり１２重量％以上含有する前記積層シート。 - 特許庁

The N--InGaAs light absorbing layer 3 generates light generation carriers while absorbing infrared rays.例文帳に追加

ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３は、赤外光を光吸収し光生成キャリアを発生する。 - 特許庁

By this constitution, the backing layer 26 can be made thin without lowering S/N and damaging user's convenience.例文帳に追加

これによって、Ｓ／Ｎを下げずに、また使い勝手を損なわずに、バッキング層２６を薄くできる。 - 特許庁

The diffusion-stop layer 16 is strongly n-doped and comprises a bias loaded over grid.例文帳に追加

この拡散ストップ層１６は実施例では、強くｎドープされ、バイアス負荷されたオーバーグリッドからなる。 - 特許庁

On the surface of the undercoating layer 15, a masking member having the same shape as a N-shape pattern 13 is pasted.例文帳に追加

アンダーコート層１５の表面にＮ字模様１３と同じ形状のマスク部材を貼り付ける。 - 特許庁

A p-type GaAs layer 2 in a thickness of 300 nm is formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上へ厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＡｓ層２を形成する。 - 特許庁

The band gap wavelength of the n-type InP layer 12a is smaller than the wavelength λ of the incident light.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層１２ａのバンドギャップ波長は、入射光の波長λより小さい。 - 特許庁

The band gap wavelength of the n-type InGaAsP layer 12b is larger than the wavelength λ of the incident light.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂのバンドギャップ波長は、入射光の波長λより大きい。 - 特許庁

The intermediate layer 2 consists of a crosslinked material of N-alkoxy methylated polyamide and contains an inorganic pigment.例文帳に追加

中間層２は、Ｎ−アルコキシメチル化ポリアミドの架橋体で構成され、無機顔料を含有する。 - 特許庁

A Schottky electrode 19 forms a Schottky junction in the first n-type gallium nitride system semiconductor layer 17.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７にショットキ接合を成す。 - 特許庁

The device includes a drain-drift region extending from the bottom of the trench to the N-epitaxial layer.例文帳に追加

一実施例では、デバイスは、トレンチ底部からＮエピタキシャル層まで延びるドレイン・ドリフト領域を含む。 - 特許庁

ENHANCEMENT OF SHORT-CIRCUIT CURRENT BY USE OF WIDE BAND GAP N LAYER IN PIN AMORPHOUS SILICON PHOTOCELL例文帳に追加

ｐｉｎアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップｎ層を使用した短絡電流の強化 - 特許庁

The N type diffusion layer 8 is diffused in a γ-shape at least under a gate electrode 9.例文帳に追加

Ｎ型の拡散層８は、少なくともゲート電極９下方で、γ形状に拡散している。 - 特許庁

A metal 312 supplying n-well voltage VDDB is provided on a first metal wiring layer.例文帳に追加

第１の金属配線層に、Ｎウェル電圧ＶＤＤＢを供給するメタル３１２を設ける。 - 特許庁

An N+ diffusion layer 17a of the drain 17 is arranged with a gap to the gate electrode 12.例文帳に追加

ドレイン１７のＮ^+拡散層１７ａは、ゲート電極１２と間隔をもって配置されている。 - 特許庁

On the surface of an n-type epitaxial growth layer 12, a mask 13M for ion implantation is formed.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル成長層１２の表面にイオン注入用マスク１３Ｍを形成する。 - 特許庁

A P-type layer 14 is formed on the surface of a semiconductor substrate 12 of N type silicon.例文帳に追加

Ｎ型シリコンの半導体基板１２の表面にはＰ−型層１４が形成されている。 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type diffusion layer 4a for low-concentration drain is formed.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に、ｎ型の低濃度ドレイン用拡散層４ａを形成する。 - 特許庁

The thickness of the transparent resin layer 16 is specified by a geometric distance and a refraction factor (n).例文帳に追加

透明樹脂層１６の厚みは図２中の幾何学距離と屈折率ｎで規定される。 - 特許庁