「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the first functional organic thin film layer makes contact with the anode, the n-th functional organic thin film layer makes contact with the cathode.例文帳に追加

また、１番目の機能性有機薄膜層は陽極に接し、前記ｎ番目の機能性有機薄膜層は陰極に接している。 - 特許庁

And also, the first functional organic thin film layer contacts to the cathode, the n-th functional organic thin film layer contacts to the anode.例文帳に追加

また、１番目の機能性有機薄膜層は陽極に接し、前記ｎ番目の機能性有機薄膜層は陰極に接している。 - 特許庁

An n^+ collector withdrawal layer 107 is formed in a region separated from a collector layer 102 in the substrate 100 by the STI103.例文帳に追加

ＳＴＩ１０３によって基板１００内のコレクタ層１０２から分離された領域にＮ^＋コレクタ引き出し層１０７を形成する。 - 特許庁

An n-type GaN layer 12 is grown on a sapphire substrate 11, and a grown mask 14 is formed on the layer 12 by an SiN film or the like.例文帳に追加

サファイア基板１１上にｎ型ＧａＮ層１２を成長させ、その上にＳｉＮ膜などにより成長マスク１４を形成する。 - 特許庁

Furthermore, an n- layer 28 and a p- layer 30 for serving as a source and a drain, respectively, are made within the semiconductor substrate 2 on both sides of the gate electrode 22.例文帳に追加

さらに、ゲート電極２２の両側の半導体基板２内にソース、ドレインとなるｎ^−層２８、ｐ^−層３０を形成する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 30i of the ip junction 30 covers one end in a second direction of an n-type amorphous silicon layer 20n.例文帳に追加

ｉｐ接合３０のｉ型アモルファスシリコン層３０ｉは、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎの第２方向における一端部を覆う。 - 特許庁

The N side electrode 21 is connected with the second diffusion layer 10 and the P side electrode 22 is connected with the first diffusion layer 8.例文帳に追加

Ｎ側電極２１は第２拡散層１０に接続されており、Ｐ側電極２２は第１拡散層８に接続されている。 - 特許庁

P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁

A field insulating film 70 is formed on an n-type SiC epitaxial layer 20, and a part on the surface of the epitaxial layer 20 is exposed.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層２０上に、フィールド絶縁膜７０を形成し、エピタキシャル層の表面の一部が露出するようにする。 - 特許庁

The optical carrier recombination region is formed in a doping dipole structure having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent to each other.例文帳に追加

光キャリア再結合領域は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。 - 特許庁

When the collector P+ layer 5 is replaced with the cathode N+ layer 4, the featured part of this structure can be applied even to a power MOSFET.例文帳に追加

尚、コレクタＰ＋層５をカソードＮ＋層４で置き換えるならば、本構造の特徴部は、パワーＭＯＳＦＥＴにも適用可能である。 - 特許庁

The low-speed operation circuit region portion 100nL is formed as a planar ground supply pattern wiring layer in an n-th wiring layer 200n.例文帳に追加

第ｎ配線層２００ｎに低速動作回路領域部分１００ｎＬを面状グランド供給パターン配線層として形成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 102 is stacked on a semi-insulating semiconductor substrate 101, on which an optical waveguide layer 103 is formed.例文帳に追加

半絶縁性の半導体基板１０１上にｎ型クラッド層１０２を積層し、この上に光導波路層１０３を形成する。 - 特許庁

In addition, the imaging portion 10A has a second impurity layer at a position deeper from the imaging surface rather than the first n-type impurity layer.例文帳に追加

また、撮像部１０Ａは、第１のｎ型不純物層よりも撮像面から深い位置に第２のｎ型不純物層を有する。 - 特許庁

The n-type waveguide 101c which is the uppermost layer of the waveguide region 101 and the clad layer 102a are electrically connected.例文帳に追加

導波路領域１０１の最上層であるｎ型導波路１０１ｃと、クラッド層１０２ａとは電気的に接続されている。 - 特許庁

As the result, a p-type region 14 is formed on the region of the n^--GaN layer 11 over the p-GaN layer 13 (Fig. 1d).例文帳に追加

その結果、ｐ−ＧａＮ層１３上層のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域には、ｐ型領域１４が形成される（図１ｄ）。 - 特許庁

The opening 24 is formed above a spacing region, i.e. the region between the P type diffusion layer 16 and the N type diffusion layer 18.例文帳に追加

開口２４は、Ｐ型拡散層１６とＮ型拡散層１８との間の領域である間隔領域の上部に形成されている。 - 特許庁

The adhesion between the pressure sensitive adhesive layer and a recording layer is adjusted to 5-80 N/m according to JIS-Z-0237 (the 180° peeling method).例文帳に追加

粘着剤層と記録層とのＪＩＳ−Ｚ−０２３７（１８０°引き剥がし法）に準ずる粘着力が５〜８０Ｎ／ｍとする。 - 特許庁

The source 16c of the drive transistor comprises a p-type impurity layer, and the well contact region comprises an n-type impurity layer.例文帳に追加

駆動トランジスタのソース１６ｃは、ｐ型不純物層から構成され、ウエルコンタクト領域は、ｎ型不純物層から構成されている。 - 特許庁

Preferably, the first material layer 53 is made of a p-type thermoelectric material, and a second material layer 54 is made of a n-type thermoelectric material.例文帳に追加

第１材料層５３はｐ型熱電材料から成り、第２材料層５４はｎ型熱電材料から成ることが好ましい。 - 特許庁

To sufficiently ensure the isolation of the waveguide layer from n-type current block layer of a distributed feedback laser to improve the yield and quality of the laser.例文帳に追加

分布帰還型レーザの導波路層とｎ型電流ブロック層の分離を充分確保し、歩留まりと品質の向上を図る。 - 特許庁

A light-emitting element consisting of a p-semiconductor layer 5 and n-semiconductor layer 6 is formed in the crossing part of the one- dimensional structural bodies 2, 3.例文帳に追加

１次元構造体２、３の交差部にｐ型半導体層５およびｎ型半導体層６からなる発光素子を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 8 is formed like a "ladder" above striped n-pillar layer 3 and p-pillar layer 4 exhibiting a super-junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造をなすストライプ状のｎピラー層３及びｐピラー層４の上方に、ゲート電極８を「あみだ状」に形成する。 - 特許庁

Since the p-layer and the n-layer are formed by epitaxial growth technology, a heavily doped pn junction is formed with high accuracy.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長技術でｐ層、ｎ層を形成しているので高不純物濃度のｐｎ接合が精度よく形成される。 - 特許庁

At the time of forming the undoped AlGaN layer 16, Ga or Al droplets are formed on the n-type AlGaN layer 12.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１６を形成する際に、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２にＧａあるいはＡｌのドロップレット１４を形成する。 - 特許庁

A trench type MOSFET 30 is formed in a structure, comprising a P-type epitaxial layer 34 constituting the upper layer of an N+-substrate 32.例文帳に追加

トレンチ形ＭＯＳＦＥＴ３０は、Ｎ＋基板３２の上層をなすＰ型エピタキシャル層３４を含む構造体内に形成される。 - 特許庁

Also, a high-density n-type diffusion layer 10 surrounding the p-type diffusion layer 9 which is an anode region of the diode is formed.例文帳に追加

また、このダイオードのアノード領域であるｐ型拡散層９の周囲を囲むように高濃度のｎ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

P^+ diffusion areas 23, 24 and 25 of 14-20 μm in depth (design value) are selectively formed on the surface layer of an n^- semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２２の表面層に、１４〜２０μｍ（設計値）の深さのｐ^+拡散領域２３，２４，２５を選択的に形成する。 - 特許庁

Holes stored in an n- epitaxial layer 6 are discharged out to the emitter electrode 20 through the P base layer 4 at switching.例文帳に追加

ｎ^-エピタキシャル層６に蓄積された正孔は、スイッチング時等においてｐベース層４を介してエミッタ電極２０へ排出等される。 - 特許庁

A high concentration n type single-crystal silicon layer 18 from the first principal plane of the semiconductor layer 12 to the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

半導体層１２の第１主面から半導体基板１１に至る高濃度のｎ型単結晶シリコン層１８を形成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 12 is formed into a superlattice layer formed by alternately laminating first semiconductor layers 12A and second semiconductor layers 12B.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２は第１半導体層１２Ａと第２半導体層１２Ｂとを交互に積層してなる超格子層となっている。 - 特許庁

To detect a P type abnormal diffusion layer 103 produced on the interface of an N type epitaxial 8 and a P type high resistivity epitaxial layer 30.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル８とＰ型高比抵抗エピタキシャル層３０との界面に発生するＰ型異常拡散層１０３を検出する。 - 特許庁

The HEMT is provided with a main semiconductor area (1) including an electron traveling layer (9) and an n-type electron supply layer (10).例文帳に追加

本発明に従うＨＥＭＴは、電子走行層（９）とｎ型電子供給層（１０）とを含む主半導体領域（１）有する。 - 特許庁

Then an n-type epitaxial layer 4 is grown on the exposed surfaces of the semiconductor substrate 1 and p-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

ついで、ｎ型半導体基板１およびｐ型エピタキシャル層３の露出面上にｎ型エピタキシャル層４をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

For a luminous wavelength of the light emitting layer 4, a transparent second semiconductor substrate 8 is formed on a surface of the n-type semiconductor layer 7.例文帳に追加

ｎ型の半導体層７の表面に発光層４の発光波長に対して透明な第２の半導体基板８を形成する。 - 特許庁

A p++ type semiconductor layer 3 and an n-type semiconductor layer 1 are laminated, and an insulating region 2 is selectively disposed on their boundary.例文帳に追加

ｐ＋＋型半導体層３とｎ−型半導体層１を積層し、その境界に絶縁領域２を選択的に配置する。 - 特許庁

An N- type semiconductor layer 11 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, and a P type semiconductor layer 12 is formed thereon.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にＮ−型半導体層１１を形成し、その上層にＰ型半導体層１２を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the N layer may be a multi-layer structure consisting of several films in which films with low refraction indexes and films with high refraction indexes are stacked alternately.例文帳に追加

さらに、Ｎ層は、低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積み重ねた複数の膜から成る多層構造であってもよい。 - 特許庁

A source electrode 11d and a drain electrode 11e are formed on both sides of the semiconductor layer 11b via an n+Si layer 11c.例文帳に追加

半導体層１１ｂの両側には、ｎ＋Ｓｉ層１１ｃを介してソース電極１１ｄとドレイン電極１１ｅとが形成される。 - 特許庁

In the outer peripheral part of the base layer 2, a p-type RESURF layer 5 of low concentration is formed and relieves an electric field in a p-n junction part.例文帳に追加

ｐ型ベース層２の外周部には、低濃度のｐ型リサーフ層５が形成され、ｐｎ接合部での電界緩和を行っている。 - 特許庁

A photonic crystalline surface light-emitting laser 10a includes a group III-V compound semiconductor substrate, an n-type cladding layer 12, a light-emitting layer 15, a p-type cladding layer 16, and a photonic crystalline layer 13.例文帳に追加

フォトニック結晶面発光レーザ１０ａは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板と、ｎ型クラッド層１２と、発光層１５と、ｐ型クラッド層１６と、フォトニック結晶層１３とを備えている。 - 特許庁

There are provided a support substrate 2 composed of a P^--type silicon, a P^+-type silicon layer 3 on the support substrate 2, and thereon, an N^+-type silicon layer 4 and a P^+-type silicon layer 12 mutually as one layer.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

A side etch is formed on the channel stopper layer 150 to thereby expose the peripheral part of the poly-Si layer 107 from the channel stopper layer 150, and use this region as contact with an n+Si layer.例文帳に追加

チャネルストッパ層１５０にサイドエッチを形成することによって、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７の周辺部をチャネルストッパ層１５０から露出させ、この領域をｎ＋Ｓｉ層とのコンタクトに用いる。 - 特許庁

Reflection layers 50 and 52 are formed on the interface between the n-type GaN layer 12 and the AlGaN cladding layer 14, and on the interface between the AlGaN cladding layer 18 and the p-type GaN electrode formation layer 20 respectively.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１２とＡｌＧａＮクラッド層１４との界面及びＡｌＧａＮクラッド層１８とｐ型ＧａＮ電極形成層２０との界面に反射層５０、５２を形成する。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁