「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

An N^+-type impurity is embedded to form an N^+-type embedded diffusion layer 11 on a P-type substrate 10 via an oxide film 30 formed in a predetermined thickness.例文帳に追加

Ｐ型基板１０上に所定の厚さで形成した酸化膜３０を介して、Ｎ^^+型埋め込み拡散層１１を形成するＮ^+型不純物を埋め込む。 - 特許庁

A semiconductor structure has an n-type region, a p-type region, and a group III-nitride light-emitting layer arranged between the n-type region and the p-type region.例文帳に追加

半導体構造体は、ｎ型領域、ｐ型領域、及びｎ型領域とｐ型領域の間に配置されるＩＩＩ族窒化物発光層を有する。 - 特許庁

An n-type ohmic electrode 20 is formed on the rear surface of the n-type SiC substrate 10 while forming a p-type ohmic electrode 21 on the front surface of the p-type GaN layer 16.例文帳に追加

さらに、ｎ型ＳｉＣ基板１０の裏面にｎ型オーミック電極２０、ｐ型ＧａＮ層１６の表面にｐ型オーミック電極２１を形成する。 - 特許庁

The p-type thick film CdTe layer (100 to 500 mm) made as a radiation detector is grown by introducing a minute amount of n-type impurity at a growing temperature of 400°C or above.例文帳に追加

放射線検出部とするｐ型厚膜CdTe層（100〜500mm）の形成を、成長温度400℃以上で微量のn型不純物を導入しながら成長する。 - 特許庁

The lubricant of the lubricating layer 53 of the head slider 50 is represented by -(CF2-CF20)n-(CF2-0)m- in its main chain structure and has a structure whose end group is AM system.例文帳に追加

ヘッドスライダ５０の潤滑層５３の潤滑剤は、主鎖構造が -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m- であり、末端基がＡＭ系である構造を有するものである。 - 特許庁

The refractive index n and the extinction coefficient k of the recording layer 2 satisfy the conditions of 3.9<n<5.6 and k>0.4 in the range of 380 nm-430 nm wavelength.例文帳に追加

記録層２の屈折率ｎ及び消衰係数ｋが、波長３８０〜４３０ｎｍの範囲において、３．９＜ｎ＜５．６、かつ、ｋ＞０．４の条件を満たす。 - 特許庁

The N-type diffusion layer 5 is formed into an annular shape so as to surround the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５は、Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１の周囲を取り囲んで環状に形成されている。 - 特許庁

The n type well wiring 129 connected to the n type well layer 122 being a back gate is connected to a voltage supply node 112 through an inductor 103.例文帳に追加

バックゲートとなるｎ型ウェル層１２２に接続されるｎ型ウェル配線１２９は、インダクタ１０３を介して電圧供給ノード１１２に接続されている。 - 特許庁

The lubricant of the lubricating layer 43 of the hard disk 40 is represented by -(CF2-CF20)n-(CF2-0)m- in its main chain structure and has a structure whose end group is Zdol system.例文帳に追加

ハードディスク４０の潤滑層４３の潤滑剤は、主鎖構造が -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m- であり、末端基がＺｄｏｌ系である構造を有するものである。 - 特許庁

A protective film 10 is formed on the N-type silicon substrate 1 where an isolated region 3 and an N-type diffusion layer 4, which becomes a channel region, are formed.例文帳に追加

分離領域３及びチャネル領域となるＮ型拡散層４が形成されたＮ型のシリコン基板１上に、保護膜１０を形成する。 - 特許庁

Alternatively, a refractive index (n) of the light transmission dielectric layer 6 is selected to satisfy a relationship of n0×0.8≤n, where n0 is the refractive index of the focusing lens 1.例文帳に追加

または、上記光透過性誘電体層６の屈折率ｎが、上記収束レンズ１の屈折率ｎ__0 と、ｎ_0 ×０．８≦ｎの関係に選定する。 - 特許庁

An n-side electrode 11 is formed on an n-type layer 4 which is exposed by removing a part of the semiconductor layers 4 to 8 through etching.例文帳に追加

また、積層された半導体層４〜８の一部がエッチングにより除去されて露出したｎ形層４にｎ側電極１１が形成されている。 - 特許庁

The binary image generating section 2 generates N binary images, associated with N kinds of identifiers, based on the transferred foreground layer of portion corresponding to one page.例文帳に追加

２値画像生成部２では、転送された１ページ分の前景レイヤに基づいてＮ種類の識別子に係るＮ枚の２値画像が生成される。 - 特許庁

On the p-type contact layer 17, a p-side ohmic electrode 18 is formed, while in the n-type semiconductor substrate side, an n-side ohmic electrode 19 is formed.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１７上にはｐ側オーミック電極１８、及びｎ型半導体基板側にはｎ側オーミック電極１９が形成されている。 - 特許庁

An n-type impurity is diffused into the n-type diffusion layer 17 with a concentration gradient provided in the direction connecting a source electrode 21 and a drain electrode 22.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７は、ソース電極２１とドレイン電極２２とを、結ぶ方向に濃度勾配を設けてＮ型不純物が拡散されている。 - 特許庁

An N-side electrode 16 of Ti/Al is formed on the exposed of the N- type semiconductor layer 12 by the side of the resonator forming part.例文帳に追加

共振器形成部の側方であって、ｎ型半導体層１２の露出部には、Ｔｉ／Ａｌからなるｎ側電極１６が形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element is a nitride semiconductor light emitting element having the n-type electrode at the predetermined position of the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層の所定の位置にｎ電極を備える窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

On a surface of an N-type semiconductor substrate 1, an epitaxial layer 2 containing N-type impurities at low concentration relative to the semiconductor substrate 1 is formed.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板１の表面上に、半導体基板１と比べてＮ型不純物を低濃度に含むエピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

A MOSFET cell of a semiconductor device is provided with a polysilicon gate electrode 6 and an n^+ source region 4 formed above an n^- drift layer 2.例文帳に追加

半導体装置のＭＯＳＦＥＴセルは、ポリシリコンのゲート電極６およびｎ^-ドリフト層２の上部に形成されたｎ^+ソース領域４を備える。 - 特許庁

The electric double layer capacitor uses a non-aqueous electrolyte that is formed of only an ionic fluid where N-methyl-N-propyl pyrrolidinium serves as a cation and bis(trifluoromethane sulfonyl)imido serves as an anion.例文帳に追加

非水電解液がＮ−メチル-Ｎ-プロピルピロリジニウムをカチオンとし、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドをアニオンとするイオン液体のみからなる電気二重層キャパシタ。 - 特許庁

An n+ contact area 7 and a p+ contact area 8 are formed on a first epitaxial layer which is piled up on a low-resistance n+ semiconductor substrate 1.例文帳に追加

低抵抗のｎ^＋半導体基板１上に堆積した第一エピタキシャル層に、ｎ^＋コンタクト領域７、ｐ^＋コンタクト領域８を形成する。 - 特許庁

Provided are a nitride semiconductor light emitting element containing a first n type nitride semiconductor layer, a light emitting layer, a p type nitride semiconductor layer and a second n type nitride semiconductor layer in this order, having a current preventing region formed at least by removing a part of the second n type nitride semiconductor layer, and a production thereof.例文帳に追加

第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することにより形成された電流阻止領域を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 - 特許庁

In the organic thin-film solar cell configured by laminating a p-type organic semiconductor layer 31 and an n-type organic semiconductor layer 32 between a pair of electrodes 1, 2, an exiton deactivation preventing layer (EBL) 4 constituted of a compound expressed by general expression (1) is formed between the n-type organic semiconductor layer 32 and a negative pole 2 adjoining the n-type organic semiconductor layer 32.例文帳に追加

一対の電極１，２間にｐ型有機半導体層３１およびｎ型有機半導体層３２が積層されている有機薄膜太陽電池において、前記ｎ型有機半導体層３２と負極２との間に前記ｎ型有機半導体層３２に隣接して、下記一般式（１）で表される化合物からなる励起子失活防止層（ＥＢＬ）４を形成する。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure.例文帳に追加

従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。 - 特許庁

Further, an insulation layer 9 is laminated on the other part of the p-Si layer 2, an n-GaN layer 10 and a p-GaN layer 11 are sequentially grown on the surface of the insulation layer 9 to produce a GaN pn diode which is used for a bulk region.例文帳に追加

また、ｐ−Ｓｉ層２の他の一部の上に絶縁層９を積層し、その表面にｎ−ＧａＮ層１０とｐ−ＧａＮ層１１を順次、成長させてＧａＮのｐｎダイオードを作製し、そこをバルク領域とする。 - 特許庁

A section from the second intermediate layer 22 to an upper section (the p-type contact layer 37) is brought to the N polarity, and the active layer 34 has the indium composition ratio, and the crystal quality higher than the active layer 34 is formed on the layer having the Ga polarity.例文帳に追加

第２中間層２２より上部（ｐ側コンタクト層３７まで）がＮ極性となり、活性層３４は、Ｇａ極性の層上に形成された場合に比べて、インジウム組成比が高く結晶品質の高いものとなる。 - 特許庁

The fourth p-type layer is provided between the second p-type layer and the third p-type layer, and the concentration of the p-type impurity gradually decreases from the second concentration to the third concentration along the direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第４ｐ形層は第２ｐ形層と第３ｐ形層との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 - 特許庁

Masks 11 for selective growth and an AlN buffer layer 2 are formed on a substrate 1 for growth, and further a non-doped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order.例文帳に追加

成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 13 includes an N^- conductivity type drift layer 3 and a P^- conductivity type reduced surface layer 9 wherein the drift layer 3 and the reduced surface layer 9 are arranged to appear alternately in the direction parallel with the silicon substrate 2.例文帳に追加

半導体層１３は、導電型がＮ^-型のドリフト層３と導電型がＰ^-型のリサーフ層９とを含んでおり、ドリフト層３とリサーフ層９とは、シリコン基板２に平行な方向に交互に現れるように配列されている。 - 特許庁

The nitride light-emitting device is so constituted such that a substrate, a n-type clad layer, a light-emitting layer, p-type clad layer, an ohmic contact layer made of indium oxide with a doping element and a reflecting layer are laminated, in this order.例文帳に追加

基板、ｎ型クラッド層、発光層、ｐ型クラッド層、オーミックコンタクト層及び反射層が順次に積層されており、オーミックコンタクト層は、インジウム酸化物に添加元素が添加されて形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer is composed of a laminated Ge atom high-concentration layer and a Ge atom low-concentration layer on a substrate, where the low-concentration layer is laminated on the high-concentration layer.例文帳に追加

基板上に積層されたＧｅ原子高濃度層およびＧｅ原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物。 - 特許庁

The protection diode 10 is formed of a low concentration n-type conductive layer 2 and a high concentration p-type conductive layers 3, 4 which are joined by the pn-joining with the n-type conductive layer 2 on a semi-insulated semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性半導体基板１に低濃度ｎ型導電体層２と、ｎ型導電層２とｐｎ接合する高濃度ｐ型導電層３，４とから保護ダイオード１０を構成する。 - 特許庁

Additionally, the first gate electrode 236 containing metal is surrounded with the first n^+ type silicon layer 113, the second n^+ type silicon layer 157, the first insulating film 129, and the second insulating film 162.例文帳に追加

また、金属を含む第１のゲート電極２３６が、第１のｎ^＋型シリコン層１１３、第２のｎ^＋型シリコン層１５７、第１の絶縁膜１２９、および、第２の絶縁膜１６２に囲まれている。 - 特許庁

An n-type drain region 4 and a p-type well region 5 are formed apart from each other in a semiconductor layer 3 on an insulation layer 2, and an n-type source region 6 is formed in the p-type well region 5.例文帳に追加

絶縁層２上の半導体層３内に、ｎ形ドレイン領域４とｐ形ウェル領域５とが離間して形成され、ｐ形ウェル領域５にｎ形ソース領域６が形成される。 - 特許庁

Thus, a p-type active layer 2a, formed of p-type GaAs is formed on the flat parts 1a and 1c and an n-type active layer 2b formed of n-type GaAs, is formed on the inclination part 1b.例文帳に追加

それにより、平坦部１ａ，１ｃ上にｐ型ＧａＡｓからなるｐ型活性層２ａが形成され、傾斜部１ｂ上にｎ型ＧａＡｓからなるｎ型活性層２ｂが形成される。 - 特許庁

A solar cell includes a thin film n-layer containing Zn, Sn and O, and atomic ratio of Zn and Sn in the n-layer is from 20:80 or more to 80:20 or less.例文帳に追加

本発明は、Ｚｎ、Ｓｎ及びＯを含有する薄膜状のｎ層を備え、このｎ層におけるＺｎとＳｎとの原子数比が２０：８０以上８０：２０以下である太陽電池である。 - 特許庁

In a peripheral high voltage breakdown section, a pn junction section by a p^+-type contact region 22 electrically connected to an emitter electrode 11 and an n^--type layer 1B is formed in a surface section of an n^--type layer 1B.例文帳に追加

外周耐圧部において、ｎ^-型層１Ｂの表層部に、エミッタ電極１１に電気的に接続されたｐ^+型コンタクト領域２２とｎ^-型層１Ｂとによるｐｎ接合部を有する構造とする。 - 特許庁

The magnetic layer is applied after the nonmagnetic coating material has been dried, calendered and hardened, and the ultramicro hardness of the nonmagnetic layer is ≤30×10-5 N/μm2 before hardening and ≥40×10-5 N/μm2 after hardening.例文帳に追加

磁性層が、非磁性塗料を乾燥、カレンダー加工、硬化した後に塗布され、非磁性層の超微小硬度が硬化前３０×１０^-5Ｎ／μｍ^2以下、硬化後４０×１０^-5Ｎ／μｍ^2以上である。 - 特許庁

Data identifiers for a layer (N+1) or higher are retrieved in the layer N processing in a retrieval step 101, and whether or not a retrieved data identifier is a specific data identifier is decided in a decision step 102.例文帳に追加

レイヤ（Ｎ）処理において、レイヤ（Ｎ＋１）以上のデータ識別子を検索する検索ステップ101を行い、検索したデータ識別子について特定のデータ識別子か否か判定する判定ステップ102を行なう。 - 特許庁

The trenches are extended from the upper surface of the part of the n-type compound semiconductor layer in which mesa etching is carried out, or the lower surface of the substrate; and pass through a part of the depth of the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

上記トレンチは、メサ蝕刻された上記ｎ型化合物半導体層一部の上面または上記基板下面から延長され上記ｎ型化合物半導体層の深さの一部を通過する。 - 特許庁

A Frenkel defect of higher than heat balancing density is introduced in the N^- drift layer 1 and the sum of the lifetime of electrons and the lifetime of holes in the N^- drift layer 1 is 0.1 to 60 μs.例文帳に追加

Ｎ^-ドリフト層１には熱平衡密度以上のフレンケル欠陥が導入されており、Ｎ^-ドリフト層１における電子のライフタイムと正孔のライフタイムとの和が０．１μｓ以上６０μｓ以下となっている。 - 特許庁

As a result, the n-A1GaAs layer is made to be a bottom surface, and a recessed part which is provided with an inclined side surface composed of the n-GaAs layer having the expanding width of an opening toward the surface of the semiconductor substrate, is formed.例文帳に追加

その結果、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層を底面とし、半導体基板表面に向かって開口幅が広くなるｎ−ＧａＡｓ層からなる傾斜した側面を有するリセス部が形成される。 - 特許庁

A dielectric film of SiO2 is then deposited on the entire surface of the an n-type contact layer 13 followed by formation of a stripe mask pattern 25 extending in the (1-100) direction on the upper surface of n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上に全面にＳｉＯ_2 からなる誘電体膜を堆積し、ｎ型コンタクト層１３の上面の（１−１００）方向に延びるストライプ状のマスクパターン２５を形成する。 - 特許庁

Assuming a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element to be a light emitting diode 1000 which extracts light from the side of an n-type layer 11, a large-area portion 130p of an "n" contact electrode is a shield against light emitted from a light emitting layer 15.例文帳に追加

ｎ型層１１側から光取り出しを行う発光ダイオード１０００において、ｎコンタクト電極の大面積部１３０ｐは、発光層１５からの発光の遮蔽物となる。 - 特許庁