「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

Since a collector electrode film 21 is connected with the N+ buffer layer 15 and an N- base layer 12, the semiconductor device 10 has both constitution of an IGBT and constitution of a MOSFET.例文帳に追加

コレクタ電極膜２１は、Ｎ^＋型バッファ層１５およびＮ^−型ベース層１２と接続されるので、半導体装置１０はＩＧＢＴの構成とＭＯＳＦＥＴの構成との双方を併せ持つ。 - 特許庁

In an n-GaN layer 2d, two openings that expose the n-AlGaN layer 2c are formed and in each opening, an ohmic electrode is formed as a source electrode 4 or a drain electrode 5.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ層２ｄには、ｎ−ＡｌＧａＮ層２ｃを露出する２個の開口部が形成されており、開口部の各々に、オーミック電極がソース電極４又はドレイン電極５として形成されている。 - 特許庁

A P-type well region 2 is selectively formed in a surface layer under the main surface on one side of the main surfaces of an N-type semiconductor substrate 1, and an N-type source region 3 is formed in the surface layer of this region 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１の一方の主面の表面層にｐ形のウエル領域２を選択的に形成し、このウエル領域２の表面層にｎ形のソース領域３を形成する。 - 特許庁

The smoothing layer 54 is preferably formed of SiN or SiO_2, on the other hand, the binder layer 56 is formed of an N-rich TaN compound which has an N/Ta ratio of 1 or above or an amorphous TaN compound.例文帳に追加

平滑化層５４は、好ましくはＳｉＮ又はＳｉＯ_2からなり、一方、バインダ層５６は、Ｎ／Ｔａが１を超えるＮリッチなＴａＮ化合物、又は、アモルファスＴａＮ化合物からなる。 - 特許庁

An n-type AlGaN clad layer 2a on the LD1 side comprises a plane A which reflects a C-surface of the substrate, while an n-type AlGaN clad layer 2b on the LD2 side comprises a slope B.例文帳に追加

ＬＤ１側のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２ａは、基板のｃ面を反映した平面Ａを有し、ＬＤ２側のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２ｂは、傾斜面Ｂをもって形成される。 - 特許庁

An n-type GaN epitaxial layer 2, n-type GaN nano-columns 3, multiple quantum well nano-columns 4, and p-type GaN nano-columns 5, are successively grown in lamination on a sapphire substrate 1 through the intermediary of a low-temperature buffer layer (Figure 1 (a)).例文帳に追加

サファイア基板１上に、低温バッファ層を介して、ｎ型ＧａＮエピ層２、ｎ型ＧａＮナノコラム３、多重量子井戸ナノコラム４、ｐ型ＧａＮナノコラム５を、順次積層成長させる（図１（ａ））。 - 特許庁

N-2 pieces of coils out of n pieces of coils are outer-inner coils 32c which form the outer peripheral layer of one hand out of, for example, a pair of slots 22a and 30a and form the inner peripheral layer of the other hand.例文帳に追加

ｎ個のコイルのうちｎ−２個のコイルは、例えば、一対のスロット２２ａ、３０ａのうち一方の外周層を形成しかつ他方の内周層を形成する外−内コイル３２ｃである。 - 特許庁

After an n-type Si layer is epitaxially grown, the silicon oxide film 3 is first evaporated in the formation area A of the high-speed HBT and it is removed therefrom, and then the n-type Si layer is grown.例文帳に追加

その後Ｎ型Ｓｉ層をエピタキシャル成長させると、高速用ＨＢＴの形成領域Ａではまずシリコン酸化膜３の蒸発が起こり除去されてからＮ型Ｓｉ層が成長する。 - 特許庁

In an n-layer 102, an n-side crystal defect layer 107 formed by ion implantation of a light element is locally formed in stripes extending in a vertical direction in Fig.1(b).例文帳に追加

ｎ^−層１０２中には、軽元素のイオン注入によって形成されたｎ側結晶欠陥層１０７が、図１（ｂ）における上下方向に延びたストライプ状に局所的に形成されている。 - 特許庁

Band offset is substantially eliminated by interposing a conductor layer 11 of metal between an n^+-type low resistance layer 3 and an n^+-type Si substrate 1 comprising SiC.例文帳に追加

ＳｉＣで構成されるＮ^+型低抵抗層３とＮ^+型Ｓｉ基板１との間に、金属で構成された導体層１１を介在させることで、実質的にバンドオフセットを消滅させられるようにする。 - 特許庁

Current injection into the MQW active layer 22 is carried out by the first p-side electrode and the n-side electrode, and the current injection into the variable wavelength layer is carried out by the second p-side electrode and the n-side electrode.例文帳に追加

ＭＱＷ活性層への電流注入は第１ｐ側電極とｎ側電極とにより、波長可変層への電流注入は第２ｐ側電極とｎ側電極とにより行われる。 - 特許庁

Since an upper layer packet N+1 can not transmit its all fragmented packets within the time T, an interruption flag is written in the fragmented packets of the succeeding upper layer packet N+2.例文帳に追加

上位層パケットＮ＋１は、エラーにより、その全ての断片化パケットを時間Ｔ内に送信することができなかったので、次の上位層パケットＮ＋２の断片化パケットに中断フラグが書き込まれる。 - 特許庁

Thereby, without performing alloying by heat treatment, a p-type electrode 7 coming into ohmic contact with the p-type GaN layer 4 and n electrode 8 coming into ohmic contact with the n-type GaN layer 3 are formed.例文帳に追加

それにより、熱処理による合金化を行うことなくｐ型ＧａＮ層４にオーミック接触するｐ電極７およびｎ型ＧａＮ層３にオーミック接触するｎ電極８が形成される。 - 特許庁

A p-n tunnel junction 220 between a p-type semiconductor layer 216 and an n-type semiconductor layer 218 provides current injection for an edge-emitting nitride based semiconductor laser structure 200.例文帳に追加

ｐ型半導体層２１６とｎ型半導体層２１８との間のｐ−ｎトンネル接合２２０は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造２００のための電流注入を提供する。 - 特許庁

P Side electrodes 30 are formed on the contact layer 20 and n side electrodes 32 on the rear surface of the n-InP substrate 12, respectively, through windows 46 disposed in a self-alignment manner on the oxidized Al layer.例文帳に追加

Ａｌ酸化層に自己整合的に設けられた窓４６を介してｐ側電極３０がコンタクト層２０上に、また、ｎ側電極３２がｎ−ＩｎＰ基板１２の裏面にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type SiC drift layer 2 and an element forming region 17 formed on the surface of the n-type SiC drift layer 2 and forming an MOSFET having an electrode 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ｎ型ＳｉＣドリフト層２と、ｎ型ＳｉＣドリフト層２表面に設けられ、電極１０を有するＭＯＳＦＥＴを形成する素子形成領域１７とを備える。 - 特許庁

The first phosphorus ion implantation is performed to a p-type silicon substrate using a resist mask as the implantation mask to form a deep n-type well layer, and the n-type well layer is also formed simultaneously with the LOCOS oxidation.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板に深いＮ型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第１のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、Ｎ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

A third N-type semiconductor layer 18 having a large diffusion coefficient is diffused on and near one surface of a first N-type semiconductor layer 2, which is highly doped with an impurity having a small diffusion coefficient.例文帳に追加

拡散係数の小さい不純物が高濃度に有する第１Ｎ型半導体層２の一方の表面とその近傍に，拡散係数の大きい第３Ｎ型半導体層１８を拡散させる。 - 特許庁

A first n-type gallium nitride system semiconductor layer 17 is provided on the n-type gallium nitride system semiconductor drift layer 15 and has a carrier concentration n_17 of 0.5×10^17 cm^-3 or smaller.例文帳に追加

第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７は、ｎ型窒化ガリウム系半導体ドリフト層１５上に設けられており、また０．５×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度ｎ_１７を有する。 - 特許庁

Transaction processes of terminals 1a to 1n are divided by N through N sets of devices 3a to 3n in a function layer 3 and token packets are sent to a DB layer 5 over a fiber channel 4 without being waited for, and then held.例文帳に追加

端末１ａ〜１ｎのトランザクション処理を機能層３のＮ台の装置３ａ〜３ｎで１／Ｎに分割し、ファイバチャネル４でトークンパケットを待ち合わせることなくＤＢ層５に送信して保有する。 - 特許庁

The rear surface of an n-type silicon substrate NSub is connected to a power source terminal, a p-type epitaxial layer PEpi2 is formed all over the surface of the n-type silicon substrate NSub, and an element forming part 2 is arranged on the epitaxial layer PEpi2.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板ＮＳｕｂの裏面を電源端子に接続し、Ｎ型シリコン基板ＮＳｕｂ上の全面にＰ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２を形成し、その上に素子形成部２を設ける。 - 特許庁

After a gate groove 20 is formed on the n+diffusion layer 5 so that the n+diffusion layer 5 on the spot which will be a gate in elements region between the element isolation layers 2 may be separated, a gate insulation film 8 is formed.例文帳に追加

次に、素子分離層２に挟まれた素子領域のゲートとなる位置のｎ^+拡散層５を分断するようにｎ^+拡散層５にゲート溝２０を形成した後、ゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

Thus, since a step difference h2 between the gate electrode 10 and an N+-type source layer 11 and between the gate electrode 10 and an N+-type drain layer 12 becomes smaller than that of the conventional example, flatness of an interlayer insulating film 13 is improved.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１０とＮ＋ソース層１１、Ｎ＋ドレイン層１２との段差ｈ２は従来例のものに比べて小さくなるので、層間絶縁膜１３の平坦性が改善される。 - 特許庁

By forming a transparent electrode layer 22 on an ohmic control layer 307, a hole-blocking function and an electrode function which are functions of an n^+ film are separated in terms of functions into the function of the n^+ film and the function of a transparent conductive layers.例文帳に追加

オーミックコントロール層３０７上に透明電極層２２を形成することにより、ｎ^+膜の機能であるホールブロッキング機能と電極機能を、夫々、ｎ^+膜と透明導電層に機能分離する。 - 特許庁

The film has at least a polyamide resin layer and an easily peelable layer having an easy peel strength of 1.96 to 7.84 N/15 mm at 25°C and 0.8 to 4.90 N/15 mm at 95°C and showing cohesive failure.例文帳に追加

ポリアミド樹脂層と、２５℃で１．９６〜７．８４Ｎ／１５ｍｍ、９５℃で０．８〜４．９０Ｎ／１５ｍｍのイージーピール強度であり、かつ凝集破壊性を有するイージーピール層とを少なくとも有する。 - 特許庁

A solar cell of the present invention comprises a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and a light-absorbing semiconductor layer which is sandwiched between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer and has at least two energy levels in a forbidden band of the light-absorbing semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とに挟まれた光吸収半導体層とを備え、前記光吸収半導体層は、少なくとも２つ以上のエネルギー準位を前記光吸収半導体層の禁制帯中に備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The first laser structure section 3 has a laminate structure of an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33 and a p-type AlGaAs cladding layer 34, and the second laser structure section 4 has a laminate structure of an n-type InGaAlP cladding layer 42, an MQW active layer 43 and a p-type InGaAlP cladding layer 44.例文帳に追加

第１レーザ構造部３は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の積層構造を有し、第２レーザ構造部４は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の積層構造を有している。 - 特許庁

A semiconductor laser element 20 is provided with a laminated structure consisting of an n-type InP clad layer 22, an SCH-MQW active layer 23, a p-type first InP clad layer 24, an AlInAs layer 25, a p-type second InP clad layer 26 and a p-type GaInAs contact layer 27, which are formed in order on an n-type InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第一のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ＡｌＩｎＡｓ層２５、第二のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

The thickness t of the light transmission layer is set at a range of f(n)-tl≤t≤f(n)+t2 by using the constants t1 and t2 to be determined by using a permissible value of aberrations and a function f(n) of the refractive index n.例文帳に追加

更に収差が一定許容値以内となるように、光透過層の厚さｔが、収差の許容値に基づいて決定される定数ｔ１，ｔ２と、屈折率ｎの関数ｆ（ｎ）を用いて、ｆ（ｎ）−ｔ１≦ｔ≦ｆ（ｎ）＋ｔ２の範囲に設定される。 - 特許庁

To provide a process for producing III-N layer, wherein III denotes at least one element from group III of the periodic table selected from among Al, Ga and In, having suitable properties which is substantially free of impurities from uncontrolled incorporation, and to provide a free-standing III-N substrate.例文帳に追加

実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side.例文帳に追加

ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device comprises: an n-type clad layer of AlGaInP; a luminous layer of undoped AlGaInP formed on the n-type clad layer; a p-type clad layer of Mg-added AlGaInP formed on the luminous layer; and a current diffusion layer of Zn-added p-type GaInP formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、前記ｎ型クラッド層上に形成され、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、前記発光層上に形成され、Ｍｇを添加したＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、Ｚｎを添加したｐ型のＧａＩｎＰからなる電流拡散層とを有する。 - 特許庁

In NMISQN, an n-type semiconductor layer 5 is formed on the surface layer of the p-type semiconductor layer 2a under a gate electrode 8B, and in PMISQP, a p-type semiconductor layer 6 is formed on the n-type semiconductor layer 2b under a gate electrode 8C to form a buried channel.例文帳に追加

ＮＭＩＳＱＮにおいては、ゲート電極８Ｂの直下のＰ型半導体層２ａの表層にＮ型半導体層５を形成し、ＰＭＩＳＱＰにおいては、ゲート電極８Ｃの直下のＮ型半導体層２ｂにＰ型半導体層６を形成することで埋込チャネルが形成されるようにした。 - 特許庁

Thereafter, the first photoresist layer 6 is removed, a second photoresist layer 7 having an opening on the n-type well 3 is formed by using the n-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to a p-type by implanting the ion of a p-type impurity, such as the boron etc., into the layer 5 by using the second photoresist layer 7 as an ion implanting mask.例文帳に追加

次に、第１のフォトレジスト層６を除去し、Ｎウエルマスクを用いて、Ｎウエル３上に開口部を有する第２のフォトレジスト層７を形成し、この第１のフォトレジスト層６をイオン注入マスクとしてボロン等のＰ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＰ型化する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the photoelectric conversion device formed by sequentially laminating an n-type charge transfer layer, an interface layer, and a p-type charge transfer layer, the n-type charge transfer layer is formed by growing a needle crystal of zinc oxide, and the p-type charge transfer layer is formed by growing Cu_2O by electrolytic deposition.例文帳に追加

ｎ型の電荷輸送層、界面層、ｐ型の電荷輸送層を順次に積層形成した光電変換装置の製造方法であって、ｎ型の電荷輸送層は酸化亜鉛針状結晶を成長させることによって形成し、ｐ型の電荷輸送層は電着でＣｕ_2Ｏを成長させることによって形成する。 - 特許庁

The photoelectrically converting device is configured to include a p-type monocrystal silicon layer 100, an n-type semiconductor layer 120, a porous silicon layer 110 which is formed between the p-type monocrystal silicon layer 100 and the n-type semiconductor layer 120, and contains a plurality of quantum dots 112 in a hole 111.例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、ｐ型単結晶シリコン層１００と、ｎ型半導体層１２０と、ｐ型単結晶シリコン層１００とｎ型半導体層１２０との間に形成された、孔１１１に複数の量子ドット１１２を含有する多孔質シリコン層１１０と、を備える構成としている。 - 特許庁

In a purple-blue semiconductor laser device 100, an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 are formed on one surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 is formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１００においては、ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type semiconductor layer 2 comprising an n-type GaN layer is laminated, then first, second, and third active layers 3a, 3b, and 3c of InGa1-xN are sequentially laminated, and a p-type semiconductor layer 4 comprising a p-type GaN layer is laminated on the third active layer 3c.例文帳に追加

基板１上にｎ形ＧａＮ層よりなるｎ形半導体層２が積層され、続いてＩｎＧａ_1-XＮよりなる第１の活性層３ａ、第２の活性層３ｂ，第３の活性層３ｃが順次積層され、第３の活性層３ｃ上にｐ形ＧａＮ層よりなるｐ形半導体層４が積層されている。 - 特許庁

The light-emitting device comprises: a substrate; and a multilayer structure including an n-type semiconductor layer formed on the substrate in a light-emitting region and a non-light-emitting region, an active layer formed on the n-type semiconductor layer in the light-emitting region and a p-type semiconductor layer formed on the active layer in the light-emitting region.例文帳に追加

発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域及び非発光領域に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上の前記発光領域に形成された活性層と、前記活性層上の前記発光領域に形成されたｐ型半導体層と、を有する多層構造と、を備える。 - 特許庁

A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ型である複数の第１拡散層２５、導電型がＰ^＋型である複数の第２拡散層２６、導電型がＮ型である第３拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第４拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

A light emitting diode is provided with: a p-type GaP substrate 12; a p-type GaP contact layer 13 stacked on this p-type GaP substrate 12; a p-type AlInP second clad layer 14; a p-type AlGaInP active layer 15; an n-type AlInP first clad layer 16; and an n-type AlGaAs current diffusion layer 17.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１２と、このｐ型ＧａＰ基板１２上に積層されたｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７とを備えている。 - 特許庁

A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

Thus, holes formed in the end of an n-type first drain layer 4 are rapidly absorbed by the layer 12 formed on the surface of a body layer 3 adjacent to the layer 7 and an n+-type source layer, and radiated out of the high breakdown transistor through a source electrode 16.例文帳に追加

このため、Ｎ型の第１ドレイン層４の端部で生成された正孔は、このＰ＋型の埋め込み層７及びＮ＋型のソース層に隣接するボディ層３の表面に形成されたＰ＋型層１２によってすみやかに吸収され、ソース電極１６を通って高耐圧トランジスタの外部に放出される。 - 特許庁