「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

An SiGe alloy layer 6 is formed on the active region 2a, and an Si film 7 and an n-type diffusion layer 13 are formed thereon.例文帳に追加

活性領域２ａ上にはＳｉＧｅ合金層６を形成し、この上にはＳｉ膜７およびｎ型拡散層１３を形成する。 - 特許庁

A voltage source 11a applies a potential higher than that of an n^+ diffusion layer 41c to the p^+ diffusion layer 43c of the cell to be driven.例文帳に追加

電圧源１１ａは、駆動対象のセル中のＰ^＋拡散層４３ｃに対して、Ｎ^＋拡散層４１ｃよりも高い電位を与える。 - 特許庁

The embedded layer 16 comprises an n-type (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP, and the p-type clad layer 14 comprises p-type Al_xGa_1-xAs.例文帳に追加

埋め込み層１６はｎ型（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｐにより構成され、ｐ型クラッド層１４は、ｐ型Ａｌ_z Ｇａ_1-z Ａｓにより構成されている。 - 特許庁

Thereby, a decoupling capacitance C1 connected parallelly with the power source is formed between the P^+-type silicon layer and the N^+-type silicon layer 4.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋型シリコン層とＮ^＋型シリコン層４との間に、電源に並列に接続されたデカップリング容量Ｃ１が形成される。 - 特許庁

The multiple stages of the substrate 11 are taken over to the buffer layer 12, the n-type semiconductor region 13, the active layer 14, and the p-type semiconductor region 15.例文帳に追加

基板１１の多段ステップをバッファ層１２、ｎ形半導体領域１３、活性層１４、ｐ形半導体領域１５に引き継がせる。 - 特許庁

A protecting layer 14 mainly composed of Si-O-N is formed at least on a heating part 12a of the heating resistor layer 12.例文帳に追加

そして、発熱抵抗体層１２の少なくとも発熱部１２ａ上に、Ｓｉ−Ｏ−Ｎを主成分とする保護層１４が形成される。 - 特許庁

Each transistor 6 has an n-type high-temperature buffer layer 8, and p-type clad layers 11a and 11b on both sides of the high-temperature buffer layer 8 in the direction of row.例文帳に追加

各トランジスタ６は、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。 - 特許庁

The HEMT has a nitride semiconductor multilayer structure portion 2 where an intrinsic GaN layer 3 and an n-type AlGaN layer 4 are laminated.例文帳に追加

このＨＥＭＴは、真性ＧａＮ層３およびｎ型ＡｌＧａＮ層４が積層された窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

The polyurethane resin constituting the surface layer has 100% modulus value of from 5 to 50 N/cm, and the surface layer has a degree of foaming of from 1.3 to 2.0 times.例文帳に追加

表皮層を構成するポリウレタン樹脂の１００％モジュラス値が５〜５０Ｎ／ｃｍ、表皮層の発泡度が１．３〜２．０倍である。 - 特許庁

On the P type SiGe layer 7, a P type Si layer 8 including N+ type emitter region 19 and the external base region is formed.例文帳に追加

そのＰ型ＳｉＧｅ層７上にＮ＋型エミッタ領域１９と外部ベース領域とを含むＰ型Ｓｉ層８が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, a light-emitting part, and a p-side electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層、ｐ形半導体層、発光部、ｐ側電極を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

Carrier extracting electrodes 11b and 11c are electrically connected to the p-type semiconductor layer 10b and the n-type semiconductor layer 10c.例文帳に追加

ｐ形半導体層１０ｂおよびｎ形半導体層１０ｃそれぞれにキャリア引抜用電極１１ｂ，１１ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁

Upon starting movement prediction processing (S10), a movement predicting section 5 performs movement prediction of the LL component of a deepest layer (N-th layer) (S12).例文帳に追加

動き予測部５は動き予測処理を開始すると（Ｓ１０）、一番深い階層（第Ｎ階層）のＬＬ成分の動き予測を行う（Ｓ１２）。 - 特許庁

An N-type epitaxial layer 12 is formed on a substrate 11 and an annular P+ guard ring region 15 is formed on the surface of the epitaxial layer 12.例文帳に追加

基板１１上にＮ—型エピタキシャル層１２を形成し、エピタキシャル層１２表面に環状のＰ＋ガードリング領域１５を形成する。 - 特許庁

A Zener diode by breakdown voltage of the laser diode 11 is composed of the p-type diffusion layer 9 and the n-type diffusion layer 10.例文帳に追加

このｐ型拡散層９およびｎ型拡散層１０により、レーザダイオード１１のブレークダウン電圧によるツェナーダイオードを構成している。 - 特許庁

A lower layer silicon nitride film is formed by a CVD method by using NH_3 as the nitrogen source gas and contains more N-H bondings than that in the upper layer.例文帳に追加

下層の窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにＮＨ_３を用いてＣＶＤ法で形成され、Ｎ−Ｈ結合を上層よりも多く含む。 - 特許庁

This electron emission device 10 includes a metal electrode 12, an electron injection layer 14, and an electron emission layer 16 made from n-type diamond.例文帳に追加

電子放出デバイス１０は、金属電極１２と、電子注入層１４と、ｎ型ダイヤモンドからなる電子放出層１６とを有する。 - 特許庁

The barrier layer 24 N of the fuel tank body 14 is exposed at the inner edge of an annular part 40, so that the exposed part 28 of the barrier layer is constituted.例文帳に追加

環状部４０の内縁では燃料タンク本体１４のバリアー層２４Ｎが露出しておりバリアー層露出２８が構成される。 - 特許庁

The P^+-type silicon layer 3 is connected to a ground potential interconnection GND, and the N^+-type silicon layer 4 is connected to a power source potential interconnection VDD.例文帳に追加

そして、Ｐ^＋型シリコン層３を接地電位配線ＧＮＤに接続し、Ｎ^＋型シリコン層４を電源電位配線ＶＤＤに接続する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses degradation of a withstand voltage caused by charge unbalance between a p-type pillar layer and an n-type pillar layer.例文帳に追加

ｐ型ピラー層とｎ型ピラー層とのチャージアンバランスに起因する耐圧低下を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 20 is formed, which has an N-silicon region 21 in a region neighboring a vertical P-channel power MOSFET and demarcated by an insulating layer, a Schottky electrode 23 Schottky-connected with the N-silicon region 21, an N+silicon region 22 formed in the surface layer part of the N-silicon region 21, and a diode electrode 24 electrically connected with the N+silicon region 22.例文帳に追加

縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴに隣接し、絶縁層により区画された領域にＮ−シリコン領域２１と、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続されるショットキー電極２３と、Ｎ−シリコン領域２１の表層部に形成されたＮ＋シリコン領域２２と、Ｎ＋シリコン領域２２と電気的に接続されたダイオード電極２４と、を有するショットキーバリアダイオード２０を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes: an n-type epitaxial layer 8; body regions 12 formed in a surface portion of the n-type epitaxial layer 8; n-type source regions 16 formed in a surface portion of the body regions 12; a gate insulating film 19 formed on the n-type epitaxial layer 8; and gate electrodes 20 and a gate protection diode 30 formed on the gate insulating film 19.例文帳に追加

半導体素子１は、ｎ型エピタキシャル層８と、ｎ型エピタキシャル層８の表層部に形成されたボディ領域１２と、ボディ領域１２の表層部に形成されたｎ型ソース領域１６と、ｎ型エピタキシャル層８上に形成されたゲート絶縁膜１９と、ゲート絶縁膜１９上に形成されたゲート電極２０およびゲート保護ダイオード３０とを含む。 - 特許庁

This photoelectric conversion function element is provided with electrodes on the front and rear surfaces of a II-VI group compound semiconductor crystal having at least pn junction, and it is also provided with a contact layer between an n-type semiconductor layer and an n-type electrode, and furthermore at least a part of the contact layer is made of n-type semiconductor containing an In element as an n-type impurity.例文帳に追加

ｐｎ接合を少なくとも有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、ｎ型半導体層とｎ型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、Ｉｎ元素をｎ型不純物として含むｎ型半導体で構成されるようにした。 - 特許庁

A carrier storage preventive layer 8 having a striped opening section in the top face of a ridge section, a low carrier concentration layer 9 and an N-current block layer 10 are formed successively on a P-clad layer 6 with a ridge section.例文帳に追加

リッジ部を有するｐ−クラッド層６上に、リッジ部の上面にストライプ状開口部を有するキャリア蓄積防止層８、低キャリア濃度層９およびｎ−電流ブロック層１０が順に形成されている。 - 特許庁

Then, an N-type epitaxial growth layer 15 is formed on the surface of the P-type substrate, and a P-type diffusion layer 16 is diffused and formed on the P-type first embedded diffusion layer and the P-type second embedded diffusion layer.例文帳に追加

次に、Ｐ型基板の表面上にＮ型エピタキシャル成長層１５を形成し、Ｐ型第一埋込み拡散層とＰ型第二埋込み拡散層との上にＰ型拡散層１６を拡散形成する。 - 特許庁

The optical semiconductor element B comprises an n-type Zn_1-zMg_zO (barrier layer) 11/Zn_1-xMg_xO (active layer) 15/p-type Zn_1-yMg_yO (barrier layer) 17, and has a structure for emitting light from the active layer 15.例文帳に追加

光半導体素子Ｂは、ｎ型Ｚｎ_１−ｚＭｇ_ｚＯ（バリア層）１１/Ｚｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ（活性層）１５/ｐ型Ｚｎ_１−ｙＭｇ_ｙＯ（バリア層）１７からなり、活性層１５から発光する構造である。 - 特許庁

This semiconductor leaser is provided with an n-type Al_xGa_xAs clad layer 2 below an active layer 4, and a p-type (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP clad layer 6 for controlling barrier height above the active layer 4.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。 - 特許庁

On the surface of the silicon substrate 40, a p-side electrode layer 42 is formed via an insulating layer 46 so as to surround the recessed portion 40a, and on the backside of the silicon substrate layer 40, an n-side electrode layer 44 is formed.例文帳に追加

シリコン基板４０の表面には、凹部４０ａを取り囲むように絶縁層４６を介してｐ側電極層４２が形成され、シリコン基板４０の裏面には、ｎ側電極層４４が形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 43, a non-doped InGaAs channel layer 44, a barrier layer 45 composed of a plurality of layers, and an n^+-type contact layer 46 of thickness 50 nm are formed on a semi-insulating GaAs substrate 42.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板４２上にバッファ層４３、ノンドープＩｎＧａＡｓのチャネル層４４、複数層からなる障壁層４５、ｎ＋型ＧａＡｓからなる膜厚５０ｎｍのコンタクト層４６が形成される。 - 特許庁

A p-InGaAs clad layer 2, an AlInGaP-MQW active layer 3, a n-InGaAs clad layer 4 and an InGaP adhesion layer 5 are sequentially crystal-grown on a GaAs substrate 1 of a growth substrate.例文帳に追加

成長基板のＧａＡｓ基板１上にｐ−ＩｎＧａＡｓクラッド層２、ＡｌＩｎＧａＰ−ＭＱＷ活性層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓクラッド層４及びＩｎＧａＰ接着層５を順次結晶成長させる。 - 特許庁

The conduction band energy Ecp in the p-type clad layer is set to be higher than the conduction band energy Ecn in the n-type clad layer (Ecp>Ecn) so that the electrons in the active layer do not go out to the clad layer.例文帳に追加

活性層から電子がｐ型クラッド層へ出て行かないようにｐ型クラッド層での伝導帯エネルギーＥｃｐを、ｎ型クラッド層での伝導帯エネルギーＥｃｎより高くなるようにした（Ｅｃｐ＞Ｅｃｎ）。 - 特許庁

The transparent layer 20 is formed by depositing AlGaN and GaN periodically and the effective gap thereof is set wider than the band gap of an emission layer comprising the N type layer 14 and the P type layer 16.例文帳に追加

透明層２０は、ＡｌＧａＮとＧａＮとを周期的に積層したものであり、その実効バンドギャップがＮ型層１４とＰ型層１６とで構成される発光層のバンドギャップよりも広く設定されている。 - 特許庁

An upper semiconductor reflection mirror is constituted by the p-type multilayer-film reflective layer 10, and a lower semiconductor reflection mirror is constituted by the p-type multilayer-film reflective layer 2, the i-type multilayer-film reflective layer 3, and the n-type multilayer-film reflective layer 4.例文帳に追加

上部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層１０で、下部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層２とｉ型多層膜反射層３とｎ型多層膜反射層４で構成されている。 - 特許庁

A plurality of stripe shape grooves 5 are formed at a p-type base layer 4 side which has a p-type emitter layer 3, a n-type base layer 1 and a p-type base layer 4, and an insulated gate electrode 7 is embedded/formed in the groove 5.例文帳に追加

ｐ型エミッタ層３，ｎ型ベース層１，ｐ型ベース層４を持つｐ型ベース層４側に複数のストライプ状の溝５が形成され、この溝５に絶縁ゲート電極７が埋込み形成される。 - 特許庁

The photodetector comprises a photodetectro section having a p-type diffused layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 sequentially formed on a silicon substrate 100, and an n-type diffused layer 103 provided near a surface of the layer 102.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、順に、Ｐ型拡散層１０１と、Ｐ型半導体層１０２とを備え、このＰ型半導体層１０２の表面付近に、Ｎ型拡散層１０３を設けて受光部を構成する。 - 特許庁

An n-type AlGaN clad layer 18, an active layer 24, a p-type AlGaN clad layer 34, and a p-type GaN contact layer 36 are sequentially formed on a GaN substrate 14 as a semiconductor laminated structure 16.例文帳に追加

ＧａＮ基板１４上に、半導体積層構造１６として、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層３６が順次形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 100 including an n-type cladding layer 103, an active layer 105 and a p-type cladding layer 108 which are sequentially laminated on a substrate 101, and forming a resonator.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１０１の上に順次積層されたｎ型クラッド層１０３、活性層１０５及びｐ型クラッド層１０８を含み、共振器を構成する半導体層積層体１００を備えている。 - 特許庁

The n-type layer 12 is exposed partially by removing a part of the p-type layer 14 and the light emitting layer 13 from the GaN-based semiconductor layer L by etching, and a negative electrode 15 is formed on the exposed surface.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層Ｌからｐ型層１４と発光層１３の一部をエッチング除去することにより、ｎ型層１２が部分的に露出しており、その露出面上に負電極１５が形成されている。 - 特許庁

In this absorption type semiconductor quantum well optical modulator, thickness of semiconductor well layers 27p to 27n are made to become successively thinner from the semiconductor well layer 27p being the closest to a p-InP clad layer 25 toward the semiconductor well layer 27n being the closest to n-InP clad layer 21.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰクラッド層２５に最も近接する半導体井戸層２７_p から、ｎ−ＩｎＰクラッド層２１に最も近接する半導体井戸層２７_n に向かって、それら層厚を順次薄くなるようにした。 - 特許庁

On a GaN substrate 10, a first clad layer 14 of n-type AlGaN, an active layer 18, a second clad layer 24 of p-type AlGaN, and a contact layer 26 of p-type GaN are sequentially formed.例文帳に追加

ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層１４、活性層１８、ｐ型ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層２４及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２６が順次形成されている。 - 特許庁

In the surface of each portion of the p-type base layer 12 which is surrounded by each main trench 25 and each transverse trench 26, each n-type emitter layer 15 is so formed, that each central exposed portion 12a of the p-type base layer 12 is left in each layer 15.例文帳に追加

主及び横断トレンチ２５、２６で包囲されたｐ型ベース層１２の各部分の表面において、ｐ型ベース層１２の中心露出部分１２ａを残すようにｎ型エミッタ層１５が形成される。 - 特許庁

Then, the liquid-like films are successively dried/baked or dried, so as to form a transparent electrode 5, an N-type semiconductor layer 7, an I-type semiconductor layer 9, a P-type semiconductor layer 11 and a reflecting layer 13.例文帳に追加

そして、これら各液状膜を順次乾燥・焼成又は乾燥して、透明電極５、Ｎ型半導体層７、Ｉ型半導体層９、Ｐ型半導体層１１及び反射電極１３を形成するようにした。 - 特許庁

The N^+ layer 10 is provided at the left side end part of the element formation region 20 so as to be surrounded by the element isolation region, the P^+ source layer 9, and the P^+ source layer 11 and also provided at the bottom of the P^+ source layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０は、素子分離領域、Ｐ^＋ソース層９、及びＰ^＋ソース層１１に取り囲まれるように素子形成領域２０の左側端部に設けられ、Ｐ^＋ソース層１１の底部にも設けられる。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laminated-layer structure 2 has the m surface as a main surface of crystal growth and constructed so that an n type semiconductor layer 11, light emitting layer 10, and p type semiconductor layer 12 are laminated in the m axis direction.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ軸を結晶成長の主面としており、ｍ軸方向に、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

At least one of an n-type nitride semiconductor layer or a p-type nitride semiconductor layer further has a clad layer made of a nitride semiconductor containing Al, and the thickness of the clad layer is 10 nm or less.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層またはｐ型窒化物半導体層の少なくとも一方が、Ａｌを含む窒化物半導体からなるクラッド層をさらに有し、前記クラッド層の膜厚を５０ｎｍ以下とする。 - 特許庁