「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

On the base 10, a first electrode 111, a p-type polysilicon layer 112, an i-type intermediate layer 113, an n-type amorphous silicon layer 114, and a second electrode 12 are laminated in order.例文帳に追加

基材１０上に、第１電極１１１、ｐ型ポリシリコン層１１２、ｉ型中間層１１３、ｎ型アモルファスシリコン層１１４、第２電極１２を順に積層する。 - 特許庁

A P-type body region 5 is formed in an epitaxial layer 3, and an N+ type source region 9 which contacts the body region 5 is formed in a surface layer portion of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

エピタキシャル層３にＰ型のボディ領域５を形成し、エピタキシャル層３の表層部にボディ領域５に接するＮ^+型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

Thus, an N-type impurity high concentration layer 36 is formed on a layer insulating film 21 provided with a high resistance layer 35 formed on a second storage node contact plug.例文帳に追加

これにより、第２のストレージノードコンタクトプラグに形成された高抵抗層３５を含めた層間絶縁膜２１にＮ型不純物高濃度層３６が形成される。 - 特許庁

The solar cell 10 includes a crystal Si layer 50 having p-n junction, and a semiconductor layer 60 formed on a first principal plane 50as of the crystal Si layer 50.例文帳に追加

、太陽電池１０は、ｐｎ接合を有する結晶Ｓｉ層５０と、結晶Ｓｉ層５０の第１主面５０ａｓ上に形成された半導体層６０とを備える。 - 特許庁

A reversely conductive (P-type) P+W layer 4 is formed the surface of an n-type epitaxial layer 2, and the DMOS transistor 70 is formed in the (P+W) layer 4.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層２の表面に逆導電型（Ｐ型）のＰ＋Ｗ層４を形成し、当該Ｐ＋Ｗ層４内にＤＭＯＳトランジスタ７０を形成する。 - 特許庁

An n-type AlGaInP block layer 13 having approximately the same refractive index as the p-type AlGaInP clad layer 8 is formed on the side of a ridge formed on the p-type AlGaInP clad layer 8.例文帳に追加

また、Ｐ型AlGaInPクラッド層８上に形成されたリッジ部の側方に、Ｐ型AlGaInPクラッド層８と略同等の屈折率を有するＮ型AlGaInPブロック層１３を形成する。 - 特許庁

In contrast, the metal silicide layer is not formed on a P+ diffusion layer 14 whose junction surface with the N-epitaxial layer 4 is a pn junction surface and which is used as a collector region.例文帳に追加

一方、Ｎ-エピタキシャル層４との接合面がｐｎ接合面となるコレクタ領域としてのＰ+拡散層１４には、金属シリサイド層は形成されていない。 - 特許庁

A first electrode 2 is arranged to one principal surface 17 of a semiconductor region 1 for light emission including a p-type semiconductor layer 13, an active layer 14, and an n-type semiconductor layer 15.例文帳に追加

ｐ型半導体層１３、活性層１４、ｎ型半導体層１５を含む発光用半導体領域１の一方の主面１７に第１の電極２を配置する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layr 15, and a p-type semiconductor layer are laminated on a substrate 11; and a p-side main electrode 21 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１５およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側主電極２１が設けられている。 - 特許庁

A part of P-type type substrate 2 is etched to form a P-type layer 1 comprising an insulation region 3, over which an element formation layer comprising an N-type operation layer 5 is formed.例文帳に追加

Ｐ型基板２の一部にエッチングを施して絶縁領域３を備えたＰ型層１を形成し、その上にＮ型の動作層５を含む素子形成層を形成する。 - 特許庁

By forming the 2nd emitter n^+-type source layer 6 after forming a body p-type layer 4 with high density, the resistance of the body p-type layer 4 is enhanced and the surge tolerance is secured.例文帳に追加

また、ボディＰ型層４を高濃度で形成した後、２ｎｄエミッタＮ^＋型ソース層６を形成することで、ボディＰ型層４の抵抗を高め、サージ耐量を確保する。 - 特許庁

Further, a p-type diffusion layer 8 is provided on the p-type layer 3', and the protective resistor 9 is provided on the n-type diffusion layer 6' via a separation insulation film 7.例文帳に追加

さらに、ｐ型埋め込み層３´の上にはｐ型拡散層８が、ｎ型拡散層６´の上には分離絶縁膜７を介して保護抵抗９が設けられている。 - 特許庁

Each of the underlayer 3 and the (p) layer 4 has a film thickness of 10 nm, the (i) layer 5 has a film thickness of 300-1,000 nm and the (n) layer 6 has a film thickness of 20 nm.例文帳に追加

下地層３およびｐ層４は、１０ｎｍの膜厚を有し、ｉ層５は、３００〜１０００ｎｍの膜厚を有し、ｎ層６は、２０ｎｍの膜厚を有する。 - 特許庁

A tunnel barrier layer 6 is provided at an n-electrode 15 side of the quantum well layer 7, while a tunnel barrier layer 8 provided at a p-electrode 14 side, with the thickness of the former and the latter being different.例文帳に追加

また、量子井戸層７のｎ電極１５側にトンネルバリア層６、ｐ電極１４側にトンネルバリア層８を配し、前者と後者の厚みを相異ならせる。 - 特許庁

An n-type turn-off channel layer 8 is formed inside the p-type base layer 4 in such a manner that it contacts the side surface of the groove 5, and a p-type drain layer 9 is formed on its surface.例文帳に追加

ｐ型ベース層４内には、溝５の側面に接してｎ型ターンオフ用チャネル層８が形成され、その表面にｐ型ドレイン層９が形成される。 - 特許庁

In the center of the upper surface of a substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type semiconductor layer 4 are laminated in this order to constitute a light emitting portion 60.例文帳に追加

基板１の上面中央部には、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４がこの順に積層され、発光部６０を構成してある。 - 特許庁

As a result, the number of photons which pass through a power generating region having an active layer, an N-type layer 30 or a P-type layer 30b is increased, and hence a power generating efficiency of the battery is enhanced.例文帳に追加

結果、活性層と、Ｎ型層３０ａまたはＰ型層３０ｂとからなる発電領域部を通過する光子の数が増え、太陽電池の発電効率が高まる。 - 特許庁

A guard ring 6 is a circular diffusion layer formed to surround a periphery of the P+ type layer 4 and the N+ type layer 5, and the ring mainly improves breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング６は、Ｐ＋型層４とＮ＋型層５との周囲を取り囲むように形成した環状の拡散層であり、主に耐圧を向上させるためのものである。 - 特許庁

The well layer includes a nitride semiconductor containing indium and has hydrogen concentration higher than that of the n-type clad layer 102 and lower hydrogen concentration which is lower than that of the p-type clad layer 109.例文帳に追加

井戸層は、インジウムを含む窒化物半導体からなり、ｎ型クラッド層１０２よりも水素濃度が高く且つｐ型クラッド層１０９よりも水素濃度が低い。 - 特許庁

By forming such a structure, a path of a surge current is set to n-type drift layer 2 → p-type layer 3a → p-type base region 3a → body p-type layer 5.例文帳に追加

このような構造とすることで、サージ電流の経路をｎ型ドリフト層２→ｐ型層３ａ→ｐ型ベース領域３ａ→ボディｐ型層５とすることが可能となる。 - 特許庁

When a beacon (n-1) transmitted from a PNC is detected by the MAC layer of the PNC and the MAC layer of a DEV, a detection signal is transmitted immediately to an LINK layer.例文帳に追加

ＰＮＣから送信されたビーコン（ｎ−１）がＰＮＣのＭＡＣ層とＤＥＶのＭＡＣ層とで検出されると、検出信号は直ちにＬＩＮＫ層に伝えられる。 - 特許庁

The active layer 15 is formed on the first n-type semiconductor layer 13 and includes a III-V group compound semiconductor layer including nitrogen and arsenic as V group elements.例文帳に追加

活性層１５は、第１のｎ型半導体層１３上に設けられており、Ｖ族元素として窒素及び砒素を含むIII-V族化合物半導体層を有する。 - 特許庁

Then, an N-type buried semiconductor layer 31 contacting with the semiconductor layer 12 is formed in the upper layer portion of the semiconductor substrate 11, directly under the red filter 24R.例文帳に追加

そして、半導体基板１１の上層部分における赤色フィルタ２４Ｒの直下域に、半導体層１２に接触したＮ型の埋込半導体層３１を形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer are mutually joined while sandwiching a depletion layer of a thickness which an electron and positive hole can transmit by a direct tunnel phenomenon.例文帳に追加

電子及び正孔が、ダイレクトトンネル現象により透過可能な厚さの空乏層を挟んでｐ型半導体層及びｎ型半導体層が相互に接合されている。 - 特許庁

The insulating layer 32 is stacked on an n-side pad electrode 10b of the bluish violet semiconductor laser element 10, and a conductive layer 32a is formed on the insulating layer 32.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１０のｎ側パッド電極１０ｂ上に絶縁層３２が積層され、絶縁層３２上には導電層３２ａが形成されている。 - 特許庁

A trench gate 2 is formed so as to penetrate the p-type channel layer 103 from the surface of the p-type channel layer 103 and reach the n-type semiconductor layer 102.例文帳に追加

トレンチゲート２は、Ｐ型チャネル層１０３の表面からそのＰ型チャネル層１０３を貫いてＮ型半導体層１０２に達するように形成されている。 - 特許庁

An n-type first base layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1 having a first main face and second main face, and a p-type second base layer 3 is formed on its upper layer.例文帳に追加

第１主面及び第２主面を有する半導体基板１に、ｎ型の第１ベース層２が設けられ、その上層にｐ型の第２ベース層３が設けられている。 - 特許庁

An active layer 2 is provided on an n-type InP substrate 1 while a diffraction grating 5 and a p-type InP clad layer 4 are provided on the active layer 2.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の上には活性層２が設けられており、活性層２の上方には、回折格子５およびｐ型ＩｎＰクラッド層４が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor storage device 40 is selectively provided with an N^+ layer 2 as the source layer or the drain layer of a memory transistor having a laminated gate structure on the upper surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体記４０では、半導体基板１表面に、積層ゲート構造のメモリトランジスタのソース層或いはドレイン層としてのＮ^＋層２が選択的に設けられる。 - 特許庁

The ripple current alternating forward voltage with backward voltage is applied to a semiconductor LED including an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を含む半導体ＬＥＤに、順方向の電圧と逆方向の電圧とが交互する脈動電流を印加する。 - 特許庁

On a second main surface, an n^+ type buffer layer 3 is diffused and formed from the surface, and a p^+ type emitter layer 4 is diffused and formed more shallowly than the layer 3.例文帳に追加

第２の主面には、表面からｎ＋型バッファ層３が拡散形成され、その後ｎ＋型バッファ層３より浅くｐ＋型エミッタ層４が拡散形成されている。 - 特許庁

In a diode, having a function of a P-type layer and an N-type layer, the P-type layer has a main junction part a, and a junction part having density different from that at the main junction part a.例文帳に追加

Ｐ型層とＮ型層が接合されたダイオードにおいて、Ｐ型層は、メイン接合部ａ、及びメイン接合部ａとは濃度が異なる接合部を有する。 - 特許庁

A p-well layer 9 and an n-well layer 15 are provided in parallel on the main surface of a p-type silicon substrate 1, and an STI8 is provided selectively to the surface area of the well layer.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主面には、Ｐウエル層９及びＮウエル層１５が並設され、ウエル層の表面部分に選択的にＳＴＩ８が設けられている。 - 特許庁

The pinning layer 107 is a p^+ layer of a conductivity type opposite to the storage diode 104 which is an n^+ layer and plays the role of suppressing the surface recombination of the charges.例文帳に追加

ピニング層１０７は、ｎ^＋層である蓄積ダイオード１０４とは反対の導電型であるｐ^＋層であって、電荷の表面再結合を抑制する役割を果たす。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element has a plurality of nonocolumns 13 each formed by stacking an n-type layer 14, a light emission layer 15, and a p-type layer 16 in order on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上にｎ型層１４、発光層１５、ｐ型層１６の順番で積層された複数のナノコラム１３を有する半導体発光素子である。 - 特許庁

A first N+ gallium arsenide layer 3 is provided on a germanium substrate 1, an N-type gallium arsenide layer 4 and a second N+ gallium arsenide layer 5 are laminated on this layer 3 in such a way that this layer 3 is exposed, an anode electrode 7 is connected on the exposed part of the above layer 3, and a cathode electrode 6 is connected on the layer 5.例文帳に追加

ゲルマニウム基板１上に、第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３を設け、この第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３上に、この第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３が露出するようにｎ型ガリウム砒素層４、第二のｎ^+ 型ガリウム砒素層５を積層して設け、前記第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３の露出部分にアノード電極７を接続して設けると共に、第二のｎ^+ 型ガリウム砒素層５上にカソード電極６を接続して設ける。 - 特許庁

The n-type clad layer 21 has a thickness Dn of 2 μm or more, and the p-type clad layer 23 has a thickness Dp of 500 nm or more.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 - 特許庁

The surface of the n-GaN layer is exposed by the etching in the first stage, and a B(boron) contaminated layer is removed by the etching in the second stage.例文帳に追加

１段目のエッチングによりｎ−ＧａＮ層の表面を露出させ、２段目のエッチングによりＢ（ボロン）汚染層を除去する。 - 特許庁

A p^+-type body contact region 6 and an n^+-type source region 7 are formed separately on a surface layer of the p-type base layer 5.例文帳に追加

ｐ型ベース層５の表面層には、ｐ^+型ボディコンタクト領域６とｎ^+型ソース領域７が互いに離れて設けられている。 - 特許庁

The n buffer layer 23 can prevent vibration from being generated in current and voltage, without abruptly stopping the growth of a depletion layer in turn-off.例文帳に追加

ｎバッファ層２３はターンオフ時に空乏層の伸びを急激に止めず、電流、電圧に振動が発生することを防止できる。 - 特許庁

As a result, a strain SiGe layer 6 is formed based on the reference between the lattice constant of the n^- well 3n and that of the SiGe layer.例文帳に追加

この結果、Ｎ^−ウェル３ｎの格子定数とＳｉＧｅ層の格子定数との相違から、歪ＳｉＧｅ層６が形成される。 - 特許庁

An N-type edge face current block layer 7 is formed on the edge face of a resonator and an active layer disordered region 14 located in the vicinity of the resonator.例文帳に追加

共振器端面およびその近傍の活性層無秩序化領域１４上にｎ型端面電流阻止層７を形成する。 - 特許庁

To know the effective concentration of a p-layer and an n-lyer of a striped parallel pn layer provided in a vertical super junction semiconductor element.例文帳に追加

縦型超接合半導体素子に設けられたストライプ状の並列ｐｎ層の各ｐ層およびｎ層の実効濃度を知ること。 - 特許庁

However, λr is wavelength of reproduced light with which the recording layer is irradiated in reproduction, and N is an average refractive index of the recording layer.例文帳に追加

但し、λｒは再生時に上記記録層に照射される再生光の波長、Ｎは上記記録層の平均屈折率である。 - 特許庁

The adhesive layer 3 has an adhesively of 0.24-1.6 N/10 mm to SUS304 and a layer thickness of 6.0 μm or more.例文帳に追加

粘着層３の粘着力はＳＵＳ３０４に対して０．２４〜１．６Ｎ／１０ｍｍであり、且つ層厚は６．０μｍ以上である。 - 特許庁