「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type epitaxial layer 2 is formed on the surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１の表面にＮ型のエピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

From a front surface of the semiconductor substrate, a trench reaching the n-type semiconductor layer is formed.例文帳に追加

その半導体基板表面から、Ｎ型の半導体層に達するトレンチを形成する。 - 特許庁

A diode is formed of an N+ diffusion layer 209 and a P-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２０９とＰ型の半導体基板２０１とで、ダイオードが形成される。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 8 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にＮ型のエピタキシャル層８が形成されている。 - 特許庁

The n-type layer contains a nitride semiconductor and has a thickness of 500 nanometers or less.例文帳に追加

前記ｎ形層は、窒化物半導体を含み５００ナノメートル以下の厚さを有する。 - 特許庁

N atoms 4 on the surface of the semiconductor layer 1 exposed by this step are removed.例文帳に追加

この工程によって露出した半導体層１の表面のＮ原子４を除去する。 - 特許庁

An n^--type semiconductor layer 2 is formed on a p^--type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-型の半導体基板１上にはｎ^-型の半導体層２が形成されている。 - 特許庁

After the accumulation layer 11 is formed, the n^- type semiconductor substrate 1 is heat-treated.例文帳に追加

アキュムレーション層１１を形成した後に、ｎ^−型半導体基板１を熱処理する。 - 特許庁

A semiconductor layer 12 is provided on an n-type GaN substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０（半導体基板）上に半導体層１２が設けられている。 - 特許庁

The n-type diamond layer 5 is formed selectively on the first crystalline plane 10.例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド層５は、第１の結晶面１０上に選択的に形成されている。 - 特許庁

A silicon nitride film 32 having apertures 32a and 32b is formed on an N- epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２上に開口部３２ａ、３２ｂを有するシリコン窒化膜３２を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 203 is formed in a Schottky junction with the n-AlGaN layer 104.例文帳に追加

ゲート電極２０３は、ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４とショットキー接合を形成している。 - 特許庁

An N^+ type source layer 26 is formed in the inner region of the P type well 23.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３の内方の領域にはＮ^+型ソース層２６が形成されている。 - 特許庁

An n^+-type region 24 is formed at the surface-layer section of the p^--type region 23.例文帳に追加

また、Ｐ^−型領域２３の表層部には、Ｎ^＋型領域２４が形成されている。 - 特許庁

An n^+-channel source region 37 is formed on the surface layer of a base region 35.例文帳に追加

そして、ベース領域３５の表面層にＮ^＋型ソース領域３７が形成される。 - 特許庁

An n-type current constriction layer 6 is formed on the side surfaces of the ridge stripe 30.例文帳に追加

リッジストライプ３０の側面には、ｎ型電流狭窄層６が形成されている。 - 特許庁

The silicon carbide MOSFET has an n-type silicon carbide drift layer, spaced-apart p-type silicon carbide regions existing in the n-type silicon carbide drift layer and having n-type silicon carbide regions therein, and a nitrided oxide layer.例文帳に追加

炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴは、ｎ型炭化ケイ素ドリフト層と、ｎ型炭化ケイ素ドリフト層内の間隔を置いて配置されたｐ型炭化ケイ素領域であって、内部にｎ型炭化ケイ素領域を有するｐ型炭化ケイ素領域と、窒化酸化物層とを有する。 - 特許庁

An N-type contact layer 21 is obtained by growing a second N-type GaN layer 212 under the condition of the V/III ratio being high, on a first N-type GaN layer 211 grown under the condition with the V/III ratio of the nitrogen material (molar ratio) to a gallium material being low.例文帳に追加

Ｎ型コンタクト層２１は、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が低い条件で成長した第１Ｎ型ＧａＮ層２１１上に、Ｖ／III比が高い条件で第２Ｎ型ＧａＮ層２１２を成長させて得られたものである。 - 特許庁

A light-emitting portion has a lower clad layer 12 grown in order on a n-type GaAs substrate, an active layer 13, and an upper clad layer 15.例文帳に追加

発光部は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に順次成長された下部クラッド層１２、活性層１３及び上部クラッド層１５を有している。 - 特許庁

A forbidden band width of the n-reverse conductivity layer 9 is larger than that of the luminous layer 8 and is smaller than that of the p-clad layer 10.例文帳に追加

ｎ−逆導電帯層９の禁制帯幅は、発光層８の禁制帯幅に比べて大きくかつｐ−クラッド層１０の禁制帯幅に比べて小さい。 - 特許庁

To provide a means for uniformly forming a p-type layer, an i-type layer, and an n-type layer each formed as a very thin film in organic semiconductor layers of a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換素子の有機半導体層の極めて薄い膜厚のＰ型層やＩ型層、Ｎ型層を均一に形成する手段を提供する。 - 特許庁

In addition, the p-type GaAs layer 210 is electrically connected with the n-type lower DBR mirror layer 103 of the VCSEL by an electrode layer 230.例文帳に追加

また、ｐ型のＧａＡｓ層２１０とＶＣＳＥＬのｎ型の下部ＤＢＲミラー層１０３とが電極層２３０によって電気的に接続される。 - 特許庁

By this setup, the p-AlGaAs window layer 6a, the p-GaAs layer 5a, and the n-AlInP lower clad layer 4a can be protected against abnormal side etching.例文帳に追加

これにより、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａ、ｐ‐ＧａＡｓ層５ａおよびｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層４ａにおいて、異常なサイドエッチの発生が阻止される。 - 特許庁

Consequently, a recess having a low potential for the holes is formed in the P type carrier blocking layer 4 between the P type base layer 5 and the N- type base layer 3.例文帳に追加

これによりＰ型ベース層５とＮ−型ベース層３の間のＰ型キャリア阻止層４に正孔に対して電位の低い窪み部を形成する。 - 特許庁

By the anisotropic etching, on the bottom oxide film layer 12, a second n^- layer 13 is exposed on an inner surface of a groove on the lower side of the p layer 14.例文帳に追加

この異方性エッチングによって、底部酸化膜層１２の上で、ｐ層１４の下側において第２ｎ^−層１３が溝の内面において露出する。 - 特許庁

A Ni silicide layer 13 is formed by performing heat treatment to react Ni of the Ni layer 12 and Si of the n-type SiC layer 11 (Fig. 1(b)).例文帳に追加

熱処理を行うことによってＮｉ層１２のＮｉとｎ型ＳｉＣ層１１のＳｉとを反応させ、Ｎｉシリサイド層１３を形成させる（図１（ｂ））。 - 特許庁

The first guide layer 17 is formed between the n-type clad layer 15 and the active layer 13, and consists of a second group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

第１のガイド層１７はｎ型クラッド層１５と活性層１３との間に設けられており、また第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

A boundary section 5a of a surface channel layer 5, which is the border with a surface section of an n^--type epitaxial layer 2 is formed of an epitaxial layer, having a relatively high impurity concentration.例文帳に追加

表面チャネル層５のうち、ｎ^-型エピ層２の表面部との境界部５ａを比較的高い不純物濃度のエピ層で形成する。 - 特許庁

The GaN compound semiconductor is constituted in a double heterostructure by successively laminating an n-type AlGaN layer 12, an undoped AlGaN layer 16, and a p-type AlGaN layer 18 upon a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上にｎ型ＡｌＧａＮ層１２、アンドープＡｌＧａＮ層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１８を積層してダブルヘテロ構造とする。 - 特許庁

An embedded layer 91 made of a material having a thermal conductivity higher than that of the etching stop layer 74 or the n-type clad layer 71, is provided to the peripheral section 90.例文帳に追加

周辺部９０には、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層９１を設ける。 - 特許庁

In the MEA 10, a linear thermal expansion coefficient becomes larger in an order of the solid electrolyte 16, the intermediate layer 18, and the first layer 20a through the n-th layer 20n.例文帳に追加

このＭＥＡ１０においては、線熱膨張係数が固体電解質１６、中間層１８、第１層２０ａ〜第ｎ層２０ｎの順序で大きくなる。 - 特許庁

In the region where the images are superposed, a resist mask for processing a (p) layer or an (n) layer of a top layer is selectively formed.例文帳に追加

そして、上記像が重ね合わされた領域に、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクを選択的に形成する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laminate structure 2 is formed by laminating an n-type semiconductor layer 11, a luminescent layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

On the buffer layer 12, an electron transit layer 13 formed of semi-insulating GaN and an electron supply layer 14 formed of n-AlGaN are sequentially formed.例文帳に追加

緩衝層１２上には、半絶縁性ＧａＮからなる電子走行層１３、ｎ−ＡｌＧａＮからなる電子供給層１４が順次形成される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an anode region, a cathode region and a trench-type insulation layer formed between a p-type layer and an n-type layer on a chip surface.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、アノード領域と、カソード領域と、チップ表面のｐ層とｎ層間に形成したトレンチ型絶縁層を有する。 - 特許庁

A p-type low concentration diffusion layer 7 and a p-type high concentration diffusion layer 8 penetrating through the n-type epitaxial layer 5 to get the semiconductor substrate 20 are formed.例文帳に追加

また、ｎ型エピタキシャル層５を貫通して半導体基板２０に至るｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８が形成される。 - 特許庁

The n-type GaN-based semiconductor layer 15, an active layer 19 and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 are arrayed in a direction of a normal axis Nx.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。 - 特許庁

The p-type junction layer 250 having sphere surface, the n-type junction layer 260 and the transparent layer 270 can be formed by an inkjet print process.例文帳に追加

球形表面を有するＰ接合層２５０、Ｎ接合層２６０、および透明電極層２７０は、インクジェットプリント工程によって形成することができる。 - 特許庁

Side surfaces of the n^+ regions 5, 6 are covered with the insulating layer 9 so as to come into contact with the epitaxial layer 2 at the bottom exposed from the insulating layer 9.例文帳に追加

Ｎ^+領域５，６の側面が絶縁層９で被覆され、絶縁層９から露出する底面でエピタキシャル層２とのコンタクトがとられている。 - 特許庁

The converted electric signal is subjected to layer 1 and layer 2 processing in layer processing sections 12-1 to 12-n and the processed signal is transferred to an MPLS switch section 13.例文帳に追加

この変換された電気信号はレイヤ処理部１２−１〜１２−ｎでレイヤ１及びレイヤ２の処理が行われ、ＭＰＬＳスイッチ部１３へと転送される。 - 特許庁

The concentration of carbon contained near the interface of an n-type AlGaAs layer against a p-type AlGaAs layer is made lower than that for forming a p-type inversion layer.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＡｓ層の、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層との界面の近傍に含有する炭素の濃度を、ｐ型反転層を形成する濃度より低くする。 - 特許庁

For a light emitting diode 100, an n-GaN layer 2, a light emitting layer 3, and a p-GaN layer 4 are stacked in order on a sapphire board.例文帳に追加

発光ダイオード素子１００は、サファイア基板１上に、ｎ−ＧａＮ層２、発光層３およびｐ−ＧａＮ層４が順に積層されてなる。 - 特許庁

Impurity concentration of the N^- drift layer 1 is reduced from a location where the impurity concentration is maximum toward a P base layer 2 and a P collector layer 4.例文帳に追加

また、Ｎ^-ドリフト層１の不純物濃度は、不純物濃度が極大となる箇所からＰベース層２およびＰコレクタ層４の方向に向かって低くなる。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 6 is formed on a crust part of a p^--type substrate 5, and an n^--type epitaxial layer 7 is formed on the p^+-type diffusion layer 6.例文帳に追加

Ｐ^-型の基板５の表層部にＰ^+型拡散層６が形成され、このＰ^+型拡散層６上にＮ^-型エピタキシャル層７が形成されている。 - 特許庁

In the p-type base layer 4, a n-type turn-off channel layer 8 contacting the sides of the grooves 5 is formed, and a p-type drain layer 9 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

ｐ型ベース層４内には、溝５の側面に接してｎ型ターンオフ用チャネル層８が形成され、その表面にｐ型ドレイン層９が形成される。 - 特許庁