「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

The nitride-based light emitting element has such a structure that a substrate 110, n-type clad layer 130, active layer 140, p-type clad layer 150, lattice cell layer 160, and ohmic contact layer are laminated in order.例文帳に追加

窒素物系発光素子は、基板１１０、ｎ型クラッド層１３０、活性層１４０、ｐ型クラッド層１５０、格子セル層１６０及びオーミック接触層が順次に積層された構造よりなっている。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type first clad layer 4, a p-type second clad layer 5 and a p-type contact layer 6 are laminated in this order on a principal plane of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の主面上には、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型第１クラッド層４、ｐ型第２クラッド層５およびｐ型コンタクト層６がこの順に積層されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 12 (a first conductivity type semiconductor layer), an active layer 14, a p-type clad layer 16 (a second conductivity type semiconductor layer) are stacked in this order on a GaAs substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型クラッド層１２（第１導電型半導体層）、活性層１４、ｐ型クラッド層１６（第２導電型半導体層）を順番に積層する。 - 特許庁

A first set of breakdown voltage structure counted from the side of an n-type contact layer 130 is constituted with a double-layer semiconductor layer formed of non-doped semiconductor layer 141, and doped semiconductor layer 142.例文帳に追加

なお、この無添加半導体層１４１と添加半導体層１４２の２層の半導体層によって、ｎ形コンタクト層１３０の側から数えて１組目の本発明の耐電圧構造が構成される。 - 特許庁

The mach-zehnder optical modulators 2 and 3 each includes an undoped layer 20 which includes an active layer 12, an n-type InP clad layer 11 and a p-type InP clad layer 14 which include the undoped layer 20 therebetween.例文帳に追加

マッハツェンダ型光変調器２，３の各々は、活性層１２を含むアンドープ層２０と、アンドープ層２０を挟むｎ型ＩｎＰクラッド層１１及びｐ型ＩｎＰクラッド層１４とを有する。 - 特許庁

A light-emitting layer forming section 9, in which at least an n-type clad layer 2 and a p-type clad layer 4 are laminated so as to form a light-emitting layer, and a window layer 5 are provided on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、発光層を形成するように少なくともｎ形クラッド層２およびｐ形クラッド層４が積層される発光層形成部９とウインドウ層５とが設けられている。 - 特許庁

The device has a semiconductor film including an active layer made of AlGaInP, and an n-type clad layer and a p-type clad layer disposed to sandwich the active layer and having a bandgap larger than that of the active layer.例文帳に追加

AlGaInPからなる活性層と、活性層を挟むように設けられ活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層と、を含む半導体膜を有する。 - 特許庁

An i-GaAs buffer layer 2, an i-AlGaAs buffer layer 3, a disorder GaInP layer 4, an order GaInP layer 5, and an n-type dope GaInP 6 layer are successively formed on a GaAs board 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に、ｉ−ＧａＡｓバッファ層２、ｉ−ＡｌＧａＡｓバッファ層３、ディスオーダＧａＩｎＰ層４、オーダＧａＩｎＰ層５及びｎ型ドープＧａＩｎＰ層６を順次形成する。 - 特許庁

A grating 30, constituted of an n-type AlGaN layer, is formed by a selective growth method using lateral growth via a selective growth mask 32 formed of a dielectric film on the n-type AlGaN clad layer 18, and embedded by the n-type GaN optical waveguide layer 20 whose index of refraction is different from that of the n-type AlGaN layer.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＮ層からなる回折格子３０は、誘電体膜で形成された選択成長マスク３２を介してｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８上にＡｌＧａＮの横方向成長性を利用した選択成長法により設けられ、ｎ型ＡｌＧａＮ層とは屈折率の異なるｎ型ＧａＮ光導波層２０で埋め込まれている。 - 特許庁

In a SiC pin diode 20, an n-type minority carrier elimination layer 31, which is formed between an n-type SiC substrate 21 and an n-type buffer layer 22, has a higher concentration of carbon hole defects than the n-type buffer layer 22, and a carbon hole defect of the minority carrier elimination layer 31 serves as a trap for holes from p-type anode layers 24 and 25.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型バッファ層２２との間に形成したｎ型少数キャリア消滅層３１は、ｎ型バッファ層２２よりも炭素空孔欠陥の濃度が高く、少数キャリア消滅層３１の炭素空孔欠陥はｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働く。 - 特許庁

An n-type GaN layer 103 is heated at a temperature above the boiling point of a chloride of an element contained in the n-type GaN layer 103, and then the surface of the n-type GaN layer 103 is processed, by making the radicals in the plasma come into contact with the surface of the n-type GaN layer 103 which touches a metal electrode 104.例文帳に追加

そして、ｎ型ＧａＮ層１０３を、このｎ型ＧａＮ層１０３に含まれる元素の塩化物の沸点以上の温度に加熱すると共に、上記プラズマ中のラジカルを、上記ｎ型ＧａＮ層１０３における金属電極１０４と接する表面に接触させて、このｎ型ＧａＮ層１０３の表面を加工する。 - 特許庁

A fabrication process of a Schottky barrier diode comprises a step for forming an n-type SiC layer 10, a step for forming a trench 30 on the surface of the n-type SiC layer 10, and a step for heat treating the n-type SiC layer 10 while supplying silicon and nitrogen to the surface of the n-type SiC layer 10 after the step for forming a trench 30.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 - 特許庁

As for the layer containing the semiconductor film formed on the substrate, it is formed so that the total stress of the layer may be no less than -500 N/m and no more than +50 N/m, or preferably no less than -150 N/m and no more than 0 N/m after the heating mentioned above.例文帳に追加

基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後においては、半導体膜を含む層の全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 - 特許庁

As shown in Fig. 1a, an n-GaN layer 11 is formed on a p-GaN layer 10 whose C face is made as the surface.例文帳に追加

図１ａのように、Ｃ面を表面とするｐ−ＧａＮ層１０上にｎ−ＧａＮ層１１を形成する。 - 特許庁

The life time of a carrier injected from the p-type diffusion layer 12 to the n-type low-concentration layer 11 is 1 to 20 μs.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１２からＮ型低濃度層１１に注入されるキャリアのライフタイムは１〜２０μｓである。 - 特許庁

A pair of main trenches 13 are formed in such a way that they pass the p-type base layer 12 so as to reach the n-type base layer 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層１２を貫きｎ型ベース層１１に達するように、一対の主トレンチ１３が形成される。 - 特許庁

In another embodiment, a surface of a p-type layer of an acceptor-doped III to V group is covered with a n-type layer positioned over.例文帳に追加

別の実施形態では、アクセプタドーピングIII-Ｖ族ｐ型層の表面は、上に位置するｎ型層によって覆われる。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 18 is formed so as to cover the bottom surface side of the first p-channel diffusion layer 16.例文帳に追加

そして、第１のＰ型チャネル拡散層１６の底面側を覆うように、Ｎ型拡散層１８が形成されている。 - 特許庁

Since the distance is shortened between the silicide layer 7 and the high-concentration n-type SOI layer 13, a resistance can be reduced.例文帳に追加

シリサイド層７と高濃度Ｎ型ＳＯＩ層１３間の距離を短くできるので、抵抗を下げることができる。 - 特許庁

The p-type clad region 15, the first i-type buried layer 35 and the n-type buried layer 33 form a pin structure.例文帳に追加

ｐ型クラッド領域１５、第１のｉ型埋め込み層３５及びｎ型埋め込み層３３がｐｉｎ構造を成す。 - 特許庁

The band gap of the n-side guide layer 14 and the p-side guide layer 18 is in the range from 1.77 to 1.88 eV at room temperature.例文帳に追加

ｎ側ガイド層１４及びｐ側ガイド層１８の室温におけるバンドギャップは１．７７〜１．８８ｅＶである。 - 特許庁

A depletion layer extends also from the interface between the n-type drift layer 7 and the p-type line-shaped resurf 15.例文帳に追加

これにより、オフ状態で、ｎ型ドリフト層７とｐ型ライン状リサーフ部１５との界面からも空乏層が拡がる。 - 特許庁

The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.例文帳に追加

又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁

Then, a P-type body layer 6 is formed in every other line in the N-type well layer 2 held between the plurality of trenches 3.例文帳に追加

次に前記複数のトレンチ３に挟まれたＮ型ウエル層２に１列おきにＰ型ボディ層６を形成する。 - 特許庁

A depletion layer formed between the N+-type layer 4 and the body region 9 extends to the body region 9.例文帳に追加

また、Ｎ^+型層４とＰボディ領域９との間に形成される空乏層は、Ｐボディ領域９側に延びている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 43 includes a first surface and a second surface, and the first surface directly contacts the buffer layer 42.例文帳に追加

ｎ型半導体層４３は第１の面及び第２の面を有し、第１の面はバッファ層４２に直接に接する。 - 特許庁

A metal layer 57 contacting the n-type buried diffusion layer 21 is formed on the rear surface 56 side of the substrate.例文帳に追加

そして、基板の裏面５６側には、Ｎ型の埋込拡散層２１とコンタクトする金属層５７が形成されている。 - 特許庁

A metal layer 55 contacting the n-type buried diffusion layer 19 is formed on the rear surface 54 side of the substrate.例文帳に追加

そして、基板の裏面５４側には、Ｎ型の埋込拡散層１９とコンタクトする金属層５５が形成されている。 - 特許庁

Then, the n^--GaN layer 17 is selectively grown by using the plasma-damaged layer 13 as a selective growth mask (fig. 1d).例文帳に追加

次に、プラズマ損傷層１３を選択成長マスクとしてｎ^- −ＧａＮ層１７を選択成長させる（図１ｄ）。 - 特許庁

The sintered body 1 in which an n^+ type SiC layer 2 is joined can be obtained by peeling at the damage layer 12.例文帳に追加

また、ダメージ層１２で剥離させることで、ｎ^+型ＳｉＣ層２が接合された焼結体１を得ることができる。 - 特許庁

This constitution can be realized by forming an N+ layer as a drain and a P+ layer for contact with a well to be overlapped pertially.例文帳に追加

これはドレインであるＮ^+層と、ウェルとのコンタクトをとるためのＰ^+層を、一部重ねて形成することで実現できる。 - 特許庁

In a thinning type IGBT element, an N-type hole stopper layer 19 is formed on a P-type float layer 18 of a dummy cell.例文帳に追加

間引き型のＩＧＢＴ素子において、ダミーセルのＰ型のフロート層１８にＮ型のホールストッパー層１９を設ける。 - 特許庁

Next, a P^+-drain layer 1 is formed on the rear surface of the N^+-buffer layer 2 by means of the ion implantation and irradiation of a second laser light beam.例文帳に追加

次に、Ｎ^＋バッファ層２の裏面にイオン注入と第２のレーザ照射によりＰ^＋ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

A portion of a source wiring layer 8, wired toward an earth line, is arranged in a trench 20 formed in an N-type layer 1.例文帳に追加

アースラインに向かって配線されたソース配線層８の一部をＮ型層１に形成したトレンチ２０内に配設する。 - 特許庁

A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に設けられたｎ型埋め込み層２には、ｐ型埋め込み層３´が設けられている。 - 特許庁

(n.d)>(1/2.λ)...(1), wherein (n) is refractive index of a corresponding material layer and (d) is the mechanical thickness of the corresponding material layer.例文帳に追加

（ｎ・ｄ）＞（１／２・λ） ・・・（１） 但し、ｎ： 対応する物質層の屈折率 ｄ： 対応する物質層の機械的厚さ - 特許庁

In the separation part 30, an N^+ layer 3N, silicon 11, and a P^+ layer 3P are arranged alongside in this order in the X-direction.例文帳に追加

分離部３０には、Ｎ＋層３Ｎ、シリコン１１およびＰ＋層３Ｐが、この順で、Ｘ方向に並んで配置される。 - 特許庁

An n^+ source region 6 is formed at a surface layer section in a site between adjacent trenches 3 in the epitaxial layer 2.例文帳に追加

エピタキシャル層２における隣り合うトレンチ３の間の部位での表層部にｎ^+ソース領域６が形成されている。 - 特許庁

In an n-type nitride semiconductor layer 2, a level difference A is formed in a region over an active layer 3 viewed from a p-side.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層２には、ｐ側から見て活性層３を越えた領域に段差Ａが形成されている。 - 特許庁

The electric charge storing layer 6 comprises quantum dots 61a to 61c made of n^+Si and an oxide layer 62 covering it.例文帳に追加

電荷蓄積層６は、ｎ^＋Ｓｉからなる量子ドット６１ａ〜６１ｃと、それを被覆する酸化層６２とからなる。 - 特許庁

A power MOSFET 21 has an n-type drift layer 10 and a p-type base layer 11 laminated and formed thereon.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ２１は、ｎ型ドリフト層１０とその上に積層形成されたｐ型ベース層１１とを具備する。 - 特許庁

An n-type channel layer 12 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the deep diffusion layers 14 and 14.例文帳に追加

ディープ拡散層間１４，１４間のｐ型ウェル層１１表面に、ｎ型チャネル層１２が形成されている。 - 特許庁

Next, it is heated to activate impurities of the N-type impurity layer 32 and P-type impurity layer 34.例文帳に追加

次いで、熱処理を施して、Ｎ型不純物層３２及びＰ型不純物層３４の不純物を活性化させる。 - 特許庁