「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-side electrode 4 penetrates the n-type semiconductor layer 21 positioned on the side of the support layer 1 from the side of the support layer 1, and a tip thereof reaches the p-type semiconductor layer 23.例文帳に追加

p側電極４は、支持層１側に位置するｎ型半導体層２１を、支持層１の側から貫通し、先端がｐ型半導体層２３に達している。 - 特許庁

An undope AlAs layer 4 as a tunnel layer and a metal thin film NiA 5 lattice- matched with the AlAs layer 4 are continuously epitaxially grown on the n+- GaAs layer 3.例文帳に追加

ｎ^+-ＧaＡs層３上に、トンネル層としてのノンドープＡlＡs層４とこのＡlＡs層４に格子整合した金属薄膜ＮiＡ５とを連続的にエピタキシャル成長する。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is formed on this active region 2a, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

この活性領域２ａ上にＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor layer L has a multilayer structure including an n-type layer 12, a light emitting layer 13, and a p-type layer 14 in this order from the translucent substrate 11 side.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１１側から、ｎ型層１２と、発光層１３と、ｐ型層１４とをこの順に含む積層構造を有している。 - 特許庁

In the magnetic recording medium formed by successively depositing at least a non-magnetic layer, a magnetic layer and a protective layer on a non-magnetic substrate, the non-magnetic layer contains N.例文帳に追加

非磁性基板上に、少なくとも、非磁性層、磁性層、及び保護層の各層が順次形成されてなる磁気記録媒体において、該非磁性層がＮを含有する。 - 特許庁

In a second semiconductor light emitting element, the thickness of the barrier layer among the plurality of the barrier layers on the side of the p-type cladding layer is less than that of the barrier layer on the side of the n-type cladding layer.例文帳に追加

第２の半導体発光素子では、複数のバリア層のうちｐ型クラッド層の側のバリア層の厚さが、ｎ型クラッド層の側のバリア層の厚さより薄い。 - 特許庁

On the semiconductor laminate portion 3, an n-type clad layer 11, an active layer 12, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 14 are laminated in this order from the side of the substrate 2.例文帳に追加

半導体積層部３には、ｎ型クラッド層１１と、活性層１２と、ｐ型クラッド層１３と、ｐ型コンタクト層１４とが基板２側から順に積層されている。 - 特許庁

This semiconductor ultraviolet sensor comprises: a P-type silicon substrate 1; a P-type impurity layer 2; an N-type impurity layer 3; a P-type impurity layer 4; and a metal wiring layer 5.例文帳に追加

半導体紫外線センサは、Ｐ型シリコン基板１と、Ｐ型不純物層２と、Ｎ型不純物層３と、Ｐ型不純物層４と、金属配線層５とを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor laminate 6; an n-type clad layer 9, an active layer 11, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 15 are laminated successively on a substrate 7.例文帳に追加

半導体積層部６は、基板７上に、ｎ型クラッド層９、活性層１１、ｐ型クラッド層１３、及びｐ型コンタクト層１５が順次積層されてなる。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layer 14, and a p-type semiconductor layer are deposited on a substrate 11, and a p-side electrode 22 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１４およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側電極２２が設けられている。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer, an N-type semiconductor material layer, an active layer, and a P-type semiconductor material layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードは、基板と、バッファ層と、Ｎ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを備えている。 - 特許庁

The plasma emission intensity of the etching marker layer 42 is larger than that of an n-type contact layer 21 and the lower cladding layer 25 that are in contact with the etching marker layer 42.例文帳に追加

エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。 - 特許庁

A nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The solar cell having the reflective structure is characterized in that the N layer is a layer of low refraction index, and a refraction index of the layer of low refraction index is lower than that of the I layer.例文帳に追加

反射構造を有する太陽電池は、Ｎ層が低屈折率層で、低屈折率層の屈折率がＩ層の屈折率よりも低いことを特徴とする。 - 特許庁

The second epitaxial layer 13 is provided with an inclined layer 14 having the concentration of n-type impurities continuously lowered in the concentration of n-type impurities in the thickness direction from the first epitaxial layer 12, and a constant concentration layer 15 having the concentration of n-type impurities substantially equal to that of the surface of the inclined layer 14 on the surface side of the inclined layer 14.例文帳に追加

この第２のエピタキシャル層１３は、第１のエピタキシャル層１２側から厚さ方向に連続的にＮ型の不純物濃度が低められる傾斜層１４と、この傾斜層１４の表面側にこの傾斜層１４の表面と略同一濃度のＮ型の不純物濃度を有する定濃度層１５とを備えている。 - 特許庁

On a buffer layer 23, an n-type InGaAs channel layer 24 having a large electron affinity and high impurity concentration, an InGaAs channel layer 25 having a large electron affinity and low impurity concentration, an n-type AlGaAs barrier layer (electron feeding layer) 26 having a small electron affinity and high impurity concentration, and an n+-type GaAs contact layer 27, are stacked.例文帳に追加

バッファ層２３の上に、電子親和力が大きくて高不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓチャネル層２４、電子親和力が大きくて低不純物濃度のＩｎＧａＡｓチャネル層２５、電子親和力が小さくて高不純物濃度のｎ型ＡｌＧａＡｓ障壁層（電子供給層）２６、ｎ^＋型ＧａＡｓコンタクト層２７を積層する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a GaAs layer 2 made of a material easier to etch than an n-type GaN layer 6 on a Si substrate 1, a step of forming the n-type GaN layer 6 on the GaAs layer 2, and a step of etching the GaAs layer 2 to remove it, thereby separating the n-type GaN layer 6 from the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ｎ型ＧａＮ層６に比べてエッチングされやすい材料からなるＧａＡｓ層２を形成する工程と、ＧａＡｓ層２上にｎ型ＧａＮ層６を形成する工程と、その後、ＧａＡｓ層２をエッチングにより除去することによって、Ｓｉ基板１とｎ型ＧａＮ層６とを分離する工程とを備えている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated sequentially and the quantum well active layer 14 has a well layer sandwiched by a pair of partition wall layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated successively on a sapphire substrate 11, where the quantum well active layer 14 is equipped with a well layer sandwiched inbetween a pair of barrier layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

A body layer includes a first body layer 3 deeply formed by including a channel region CH between an n+-type source layer and an n-type first drain layer 4, and a second body layer 6 overhanging from the first body layer 3 to a region under the layer 4 and shallowly formed.例文帳に追加

ボディ層は、Ｎ＋型ソース層とＮ型の第１ドレイン層４との間のチャネル領域ＣＨを含んで深く形成された第１のボディ層３と、この第１のボディ層３からＮ型の第１ドレイン層４の下の領域に張り出して浅く形成された第２のボディ層６とから構成されるようにした。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28.例文帳に追加

受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。 - 特許庁

When the positive electrode layer is applied with drawing the intermittent pattern of a stripe, the following formula is satisfied: W1>n×W2 (where n (n≥2) is the number of stripes).例文帳に追加

正極層をストライプの間欠パターンで塗布形成する場合には、ストライプの条数をｎ（ｎ≧２）としたとき、Ｗ１＞ｎ×Ｗ２を満たすように構成する。 - 特許庁

The p-type separation areas 3 and 4 separate the n-type epitaxial growing layer 2 and two or above n-type (n- type) areas 21 and 22 are formed.例文帳に追加

そして、そのエピタキシャル成長層２に表面から前記半導体基板１に達するようにｐ形（ｐ^+ 形）分離領域３、４が拡散により形成されている。 - 特許庁

In the n-type DBR layer 12, a plurality of pairs of n-type InP layers 12a (second semiconductor layers) and n-type InGaAsP layers 12b (first semiconductor layers) are alternately laminated.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２は、ｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第２半導体層）とｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂ（第１半導体層）を交互に複数ペア積層したものである。 - 特許庁

A portion of the n-type contact layer 21 where the n-type electrode 5 is bonded is formed with a contact portion 21A onto which the n-type electrode 5 is ohmic-bonded.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１においてｎ型電極５が接合される部分は、このｎ型電極５との間にオーミック接合を形成する接触部２１Ａをなしている。 - 特許庁

An N type substrate 10 that becomes an N type layer 2 as a drift region is prepared (FIG.2(a)) and a trench 11 is formed on a surface side of the N type substrate 10 (FIG.2(b)).例文帳に追加

ドリフト領域としてのＮ型層２となるＮ型基板１０を用意し（図２（ａ））、Ｎ型基板１０の表面側にトレンチ１１を形成する（図２（ｂ））。 - 特許庁

The fibrous cord constituted of filaments of a polyolefin ketone having a structure expressed by formula (1): -(CH_2-CH_2-CO)n-(R-CO)m- where 1.05≥(n+m)/n≥1.00 and R is a 3 or higher C alkylene group, is used as the fibrous cord of the carcuss layer.例文帳に追加

−（ＣＨ_2 −ＣＨ_2 −ＣＯ）ｎ−（Ｒ−ＣＯ）ｍ− ・・・（１） ここで、１．０５≧（ｎ＋ｍ）／ｎ≧１．００、 Ｒは炭素数が３以上のアルキレン基である。 - 特許庁

The MOSFET also has n-type shorting channels extending from respective n-type silicon carbide regions through the p-type silicon carbide regions to the n-type silicon carbide drift layer.例文帳に追加

またＭＯＳＦＥＴは、ｎ型炭化ケイ素領域のそれぞれからｐ型炭化ケイ素領域を通ってｎ型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるｎ型短絡チャネルを有する。 - 特許庁

An upper layer packet N is fragmented into plural fragmented packets N-1 to N-4 of fragment numbers 1 to 3 and transmitted through a radio network.例文帳に追加

上位層パケットＮを断片番号１乃至断片番号３の複数の断片化パケットＮ−１乃至Ｎ−４に断片化して、無線ネットワークを介して送信する。 - 特許庁

A light-emitting element is configured, by successively laminating an n-type GaN layer 12, an InGaN light-emitting layer 16, a p-type GaN layer 20, a p-type electrode 22, and an n-type electrode 24 on a substrate 10.例文帳に追加

発光素子は、基板１０上に順次ｎ型ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ発光層１６，ｐ型ＧａＮ層２０、ｐ型電極２２及びｎ型電極２４を積層して構成させる。 - 特許庁

Since a P-type implantation layer 14 eliminates compensation, lateral diffusion is accelerated in the channel regions of the N-type source layer 11 and N-type drain layer 12 of a high breakdown strength transistor.例文帳に追加

このため、Ｐ型注入層１４によってコンペンセーションが生じなくなり、高耐圧トランジスタのＮ−型ソース層１１、Ｎ−型ドレイン層１２のチャネル領域における横方向の拡散が促進される。 - 特許庁

In a semiconductor substrate 22 (a heavily-doped p-type substrate 23, whereon a high concentration n-type epitaxial layer 24 and a hightly-doped n-type epitaxial layer 25 are deposited), a p-type channel layer 26 is formed and trenches 29 are formed shallow.例文帳に追加

半導体基板２２（高濃度ｐ型基板２３に高濃度ｎ型エピタキシャル層２４，低濃度ｎ型エピタキシャル層２５を有する）にｐ型チャネル層２６を形成し、トレンチ２９を浅く形成する。 - 特許庁

Consequently, light incident on a light-receiving element 10 is not transmitted through the N+ layer 16, but reaches a PN junction surface between a P-Sub layer 12 and the N-WELL layer 14 to excite electrons.例文帳に追加

これにより、受光素子１０に入射された光は、Ｎ＋層１６を透過せずに、Ｐ−Ｓｕｂ層１２とＮ−ＷＥＬＬ層１４とのＰＮ接合面に到達し、電荷を励起させる - 特許庁

In the vertical diode 1, an N^+-type layer 11, an N^--type layer 12, and a P^+-type layer 13 are stacked in this order on a lower electrode film 10, and an upper electrode film 20 is provided thereon.例文帳に追加

縦型ダイオード１において、下部電極膜１０上にＮ^＋型層１１、Ｎ^−型層１２及びＰ^＋型層１３をこの順に積層させ、その上に上部電極膜２０を設ける。 - 特許庁

A diode having a first p-type region 11, an n^+-type region 12, and an n^--type region 13 is formed in a semiconductor layer 10 of a BOX (Bottom Oxide Layer) layer 2.例文帳に追加

ＢＯＸ（Ｂｏｔｔｏｍ ＯＸｉｄｅ ｌａｙｅｒ）層２上の半導体層１０には、第１のＰ型領域１１、Ｎ^＋型領域１２、Ｎ^−型領域１３から成るダイオードが形成される。 - 特許庁

In the signal interconnection forming layer 13 of (N+1)th layer, dummy wiring 44 thinner than the signal interconnections 17-20 is formed in flush with the upper surface of the signal interconnections 17-20 of (N+1)th layer.例文帳に追加

Ｎ＋１層目の信号配線形成層１３には、Ｎ＋１層目の信号配線１７〜２０と上面において面一、かつ、信号配線１７〜２０よりも厚みが薄いダミー配線４４を形成する。 - 特許庁

An N type embedded drift layer 5 extending from the surface of an N-type well layer 2 on the bottom of a trench T1 for forming TNDMOS to the inside thereof and connected to a P type body layer 3 is formed.例文帳に追加

ＴＮＤＭＯＳ形成のためのトレンチＴ１の底部のＮ型ウエル層２の表面から内部に延在し、Ｐ型ボディ層３と接続するＮ型埋め込みドリフト層５を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor region 12 and the p-type semiconductor region 13 are spaced apart by 1 μm and a p-layer/i-layer/n-layer structure of a PIN diode 16 is formed.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１２とｐ型半導体領域１３を相互に１μｍ離間させて配置しており、これによりＰＩＮダイオード１６のｐ層−ｉ層−ｎ層という構造が形成される。 - 特許庁

The drain diffusion layer 8 comprises an N-type lightly doped impurity diffusion layer 8a formed on the buried oxide film 2 and an N-type deeply doped impurity diffusion layer 8b formed thereon.例文帳に追加

ドレイン拡散層８は、埋込酸化膜２上に形成されたＮ型低濃度不純物拡散層８ａと、その上に形成されたＮ型高濃度不純物拡散層８ｂとから構成されている。 - 特許庁

Specifically, a solar cell is disclosed which has an n-layer composed of n-type amorphous carbon and carbon nanotubes, an i-layer 14 composed of an i-type amorphous carbon, and a p-layer composed of p-type amorphous carbon.例文帳に追加

具体的には、ｎ層がｎ型アモルファスカーボン及びカーボンナノチューブによって構成され、ｉ層１４がｉ型アモルファスカーボン、ｐ層がｐ型アモルファスカーボンによって構成された太陽電池が例示される。 - 特許庁

A contact hole is opened in an insulation layer 9 on the N^+-type diffusion layer 6, and a cathode electrode 10 electrically connected with the N^+-type diffusion layer 6 is formed through this contact hole.例文帳に追加

Ｎ＋型の拡散層６上の絶縁膜９にはコンタクトホールが開口され、このコンタクトホールを通して、Ｎ＋型の拡散層６と電気的に接続されたカソード電極１０が形成されている。 - 特許庁

Thus, when a breakdown voltage is applied as a reverse-bias voltage, a depletion layer is stopped in the N cathode buffer layer 4 and is prevented from reaching the N^+ cathode layer 3, thereby suppressing leakage current.例文帳に追加

それによって、逆バイアス電圧として耐圧が印加されたときに、空乏層をＮカソードバッファ層４の途中で止め、空乏層がＮ^+カソード層３に到達するのを防ぎ、漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

A p-type base layer 3 is formed at a specified depth under the surface of an epitaxial layer 2, at the center part of the n-type epitaxial layer 2 formed on an n-type semiconductor board 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１上に形成されたｎ型のエピタキシャル層２の中央部には、エピタキシャル層２の表面から一定の深さにかけてｐ型のベース層３が形成されている。 - 特許庁

The first reflection layer 3a has a DBR structure where an n-type AlInP layer and an n-type GaAs layer are laminated alternately, and a first refractive index difference that is a difference between refractive indexes in both layers is 0.578.例文帳に追加

第１反射層３ａは、ｎ型ＡｌＩｎＰ層とｎ型ＧａＡｓ層とが交互に積層されたＤＢＲ構造を有し、両層の屈折率の差である第１屈折率差は、０．５７８である。 - 特許庁