「native oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A process for forming a clean oxide film after forming an amorphous silicon film without forming a native oxide on the surface thereof and completing crystallization of silicon is employed.例文帳に追加

非晶質シリコン成膜後にその表面に自然酸化膜を形成させず、クリーンな酸化膜を形成し、シリコンの結晶化を完了するプロセスを採用する。 - 特許庁

The step for forming a silicon oxide film 3a and the step for removing a native oxide layer 10 are preferably carried out in the same equipment.例文帳に追加

この場合、シリコン酸化膜３ａを形成する工程は、自然酸化膜１０を除去する工程と同一の装置内で行われるのが好ましい。 - 特許庁

Consequently, impurities adhering to the amorphous silicon layer is reduced as compared with a process where a native oxide film is formed.例文帳に追加

その結果、自然酸化膜を形成する工程に比べ、非晶質シリコン層に付着する不純物が減少する。 - 特許庁

Impurities, such as a native oxide layer and the like, in a surface of the substrate 2 to be treated are removed mainly by the activated hydrogen.例文帳に追加

被処理基板２表面の自然酸化膜などの不純物は主に活性化された水素によって除去される。 - 特許庁

A step for removing a native oxide layer 10 from the surface of the silicon substrate 1 using chemical may precedes the step for forming a silicon oxide film 3a on the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜３ａを形成する工程の前に、薬液を用いてシリコン基板１の表面から自然酸化膜１０を除去する工程を具備してもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an image sensor in which a native oxide film is prevented from being formed on an undercut to improve reliability of an element.例文帳に追加

アンダーカットに自然酸化膜が形成されるのを防止し、素子の信頼性を向上できるイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method, a processing device, and a program of a workpiece which can remove a native oxide film formed in the workpiece.例文帳に追加

被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To remove the native oxide without reducing the thickness of a gate sidewall insulating film, by setting the etching rate of the gate sidewall insulating film formed of a silicon nitride film which is formed by LP-CVD method by using HCD as a material gas sufficiently lower than that of the native oxide.例文帳に追加

原料ガスとしてＨＣＤを用いたＬＰ−ＣＶＤ法により形成した、シリコン窒化膜からなるゲート側壁絶縁膜のエッチングレートを、自然酸化膜のエッチングレートよりも十分に遅くし、ゲート側壁絶縁膜の薄膜化を招くことなく、自然酸化膜を除去すること。 - 特許庁

By a controller 100 of a thermal processing device 1, the inside of a reaction tube 2 is heated at 400°C storing a semiconductor wafer W where a native oxide film is formed.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。 - 特許庁

To improve the quality of a semiconductor device by suppressing the generation of particles while the increase of a native oxide film is suppressed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に於いて、自然酸化膜の増大を抑制しつつ、更にパーティクルの発生を抑制し、半導体装置の品質の向上を図る。 - 特許庁

To enhance the adhesiveness of a film deposited on a substrate through a next film deposition by reliably removing deposits including a native oxide film.例文帳に追加

自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。 - 特許庁

The etching liquid for removing an insulation film including a silicon oxide film or a silicon native oxide includes aqueous solution containing a hydrofluoric acid salt of hydrofluoric acid and an aliphatic or an alicylic tertiary amine.例文帳に追加

フッ化水素酸と脂肪族又は脂環式第三級アミンのフッ化水素酸塩を含む水溶液を包含する、シリコン酸化膜を含む絶縁膜のエッチング用またはシリコン自然酸化膜のエッチング除去用のエッチング液。 - 特許庁

Further, the apparatus has a low temperature processing chamber wherein the native oxide film is made to react with an NF3 gas at a low temperature and a heating chamber wherein the product film is heated, and the chambers are provided separately.例文帳に追加

また、低温で自然酸化膜にＮＦ３を反応させる低温処理室２０７と生成膜を加熱する加熱室２０９とを別々に有している。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning apparatus that cleans a native oxide film from a metal-containing conductor without changing a (k) value of a circumferential low-k dielectric material on a substrate.例文帳に追加

基板上の周囲の低ｋ誘電材料のｋ値を変化させることなく金属含有導体から未変性酸化物膜を洗浄する基板洗浄装置の提供。 - 特許庁

Contamination of a semiconductor film is suppressed by performing oxidation having an effect of removing organic matters following to removal of a native oxide formed on the surface of the semiconductor film, thereby forming a clean oxide film and then performing laser annealing.例文帳に追加

半導体膜表面に形成された自然酸化膜を除去した後、有機物除去効果のある酸化処理を施して清浄な酸化膜を形成してからレーザーアニールを行うことで半導体膜への汚染を低減させる。 - 特許庁

In a method for selectively forming a germanium structure in a semiconductor manufacturing process, a native oxide is removed in a chemical oxide removing (COR) process, then surfaces of heated nitride and oxide are exposed to a germanium-containing gas to selectively form the germanium only on the surface of the nitride, not on the surface of the oxide.例文帳に追加

半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。 - 特許庁

A method of selectively forming a germanium structure within semiconductor manufacturing processes removes the native oxide in a chemical oxide removal (COR) process and then exposes the heated nitride surface and a oxide surface to a heated germanium containing gas to selectively form germanium only on the nitride surface but not the oxide surface.例文帳に追加

半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。 - 特許庁

To provide a production process of a capacitor, which includes ONO structure with superior film quality and of which dielectric film is formed thin without suffering an influence of a native oxide layer in a simple production process.例文帳に追加

簡単な製造工程で、自然酸化膜の影響を受けることなく、膜質のよいＯＮＯ構造で、その誘電体膜を薄く形成することができるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and apparatus capable of polishing the metal film of a substrate in such a state that a native oxide on the metal film formed on the substrate is removed , and of realizing the uniform planarization of the substrate.例文帳に追加

基板に形成された金属被膜上の自然酸化膜を除去した状態で基板の金属被膜を研磨し、基板の均一な平坦化を実現することができる基板処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

After the removal of the impurities, such as the native oxide layer and the like, is completed, mono germane (GeH4) and mono silane (SiH4) are introduced from a gas introducing tube 17 to form a film of silicon germanium (SiGe) at 500°C, adjusting pressure.例文帳に追加

自然酸化膜などの不純物の除去が完了したら、ガス導入管１７からモノゲルマン（ＧｅＨ４）とモノシラン（ＳｉＨ４）を導入し圧力を調節しながらシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を５００℃で成膜する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing unit for removing a native oxide of a metal that is formed on the surface of the metal film on a wafer W and polishing units 16 and 17 for performing chemical mechanical polishing of the metal film of the wafer W.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェハＷ上の金属被膜の表面に形成された該金属の自然酸化膜を除去する処理ユニットと、ウェハＷの金属被膜を化学機械的研磨する研磨ユニット１６，１７とを備えている。 - 特許庁

The nitrogen density on the side of a gate sidewall insulating film formed of a silicon nitride film 33 is set between 1×10^14 cm^-2 to 5×10^15 cm^-2 inclusive and the native oxide is removed by wet etching by using HF.例文帳に追加

シリコン窒化膜３３からなるゲート側壁絶縁膜の側面における窒素密度を１×１０^14ｃｍ^-2以上５×１０^15ｃｍ^-2以下に設定し、かつＨＦを用いたウエットエッチングにより自然酸化膜を除去する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning substrate by which an edge cut width can be freely set, native oxide in a circuit forming region on the surface of the substrate can be prevented from growing and wiring materials of copper or the like adhered on the back side of the substrate can be surely removed.例文帳に追加

基板表面の回路形成部における自然酸化膜の成長を防止しつつ、基板の周縁部、更には裏面側に付着した銅等の配線材料を確実に除去でき、しかもエッジカット幅を自由に設定できるようにした基板洗浄方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

When As is implanted into a silicon substrate 10 having a native oxide film 11, an amorphous region 10a is formed and the amorphous region 10a is divided into a high concentration oxygen region 10aa having oxygen concentration of critical level or above, and a low concentration oxygen region 10ab having oxygen concentration lower than the critical level.例文帳に追加

自然酸化膜１１を有するシリコン基板１０にＡｓを注入すると、アモルファス領域１０ａが形成され、アモルファス領域１０ａは、酸素濃度が臨界値以上の高濃度酸素領域１０aaと、酸素濃度が臨界値よりも低い低濃度酸素領域１０abとに分かれる。 - 特許庁

Since the gate insulating layers 22b and 22c are not removed simultaneously when a native oxide layer formed on the exposed surface of the underlying gate electrode layers 23b and 23c is removed, electrical short-circuit can be prevented between the gate electrodes SG and TG of a selection gate transistor and an MOS transistor and a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

従って、後の下層ゲート電極層２３ｂ、２３ｃの露出表面に形成された自然酸化膜を除去する際にゲート絶縁層２２ｂ、２２ｃが同時に除去されることがなく、選択ゲートトランジスタ及びＭＯＳトランジスタのゲート電極ＳＧ、ＴＧと半導体基板２１との電気的ショートを防止することができる。 - 特許庁

After forming a thin film from the first semiconductor substrate 11 and before flattening the surface of the active layer 11b by the vapor-phase etching, an organic substance 14 adhering to the surface of the active layer 11b is removed and a native oxide film 15 generated on the surface of the active layer 11b is removed after removing the organic substance 14.例文帳に追加

第１半導体基板１１を薄膜化した後、気相エッチングにより活性層１１ｂ表面を平坦化する前に、活性層１１ｂ表面に付着する有機物１４を除去し、有機物１４を除去した後にこの活性層１１ｂ表面に生成された自然酸化膜１５を除去する。 - 特許庁