| 意味 | 例文 |
nitrogen-sourceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 361件
In an RESURF-MOSFET 100 with an RESURF region 110 functioning as a field buffering region, atoms having n-type conductivity and nitrogen atoms are contained in at least one of the RESURF region 110, an n^+ type contact region 104s functioning as a source contact and an n^+ type contact region 104d functioning as a drain contact.例文帳に追加
電界緩和領域として機能するＲＥＳＵＲＦ領域１１０を備えたＲＥＳＵＲＦ−ＭＯＳＦＥＴ１００において、ＲＥＳＵＲＦ領域１１０と、ソース用コンタクトとして機能するｎ^＋型コンタクト領域１０４ｓと、ドレイン用コンタクトとして機能するｎ^＋型コンタクト領域１０４ｄとのうち少なくとも１つに、ｎ型の導電性を有する原子と窒素原子とを不純物として含ませる。 - 特許庁
The apparatus for producing a DLC-coated container includes a chamber 10 which receives a plastic container B and deposits a DLC film on a surface of the plastic container B, a power supply part 20 which applies voltage to an electrode provided in the chamber 10, and a gas supply and discharge part 30 which supplies nitrogen gas into the chamber 10 to perform gas replacement and then supplies a source gas used as a raw material of the DLC film.例文帳に追加
ＤＬＣ皮膜容器の製造装置は、プラスチック容器Ｂを収容し、そのプラスチック容器Ｂ表面にＤＬＣ膜を成膜するチャンバ１０と、そのチャンバ１０内に設けられた電極に電圧を印加する電源部２０と、上記チャンバ１０内に窒素ガスを給気してガス置換を行った後に、ＤＬＣ膜の原料となる原料ガスを供給するガス供給排出部３０とを有して構成される。 - 特許庁
To lower the running cost of electric energy to be consumed for electrolysis using commercialized electric power source in the case organic wastes are decomposed by combining fermentation treatment and electrolytic treatment and digestion solution containing nitrogen in a high conconcentration and a large quantity of COD which are difficult to be decomposed in the fermentation treatment are decomposed by the electrolytic treatment with suppressed environmental load.例文帳に追加
有機系廃棄物の分解処理を、醗酵処理と電解処理との組み合わせにより行なって、醗酵処理の工程によっては分解が困難な高濃度の窒素・ＣＯＤ等多く含む消化液を、電解処理して分解することで、環境負荷の低減が得られる態様として分解処理する際に、商用電源を用いて行なう電気分解に要する電気エネルギーのランニングコストを低減させる。 - 特許庁
A thin SiO2 film 2 and an amorphous silicon thin film 3 are sequentially formed on a silicon substrate 1, and then subjected to heat treatment in an atmosphere containing NO as a nitriding species to form an oxy nitride film 4A containing nitrogen at an interface between the films 2 and 3 with use of the film 3 forming an interface with the film 2 as a silicon supply source.例文帳に追加
シリコン基板１上に薄いＳｉ０_2膜２、非晶質シリコン薄膜３ａを順次形成し、次に窒化種としてＮＯを含む雰囲気中での熱処理により、ＳｉＯ_2膜２との界面の非晶質シリコン薄膜３ａをシリコン供給源としてＳｉ０_2膜２と非晶質シリコン薄膜３ａとの界面にオキシナイトライド膜４Ａを形成することにより，ゲート絶縁膜として窒素を含むＳｉＯＮ膜４を形成する。 - 特許庁
In a nickel-hydrogen battery using a sintering type nickel electrode for a positive electrode 1, a sintering type nickel electrode of which BET specific area measured by adsorption of nitrogen gas is 18 m^2/g or more in the activated state of the above nickel-hydrogen storage battery is used, and this nickel-hydrogen storage battery is used as a power source for electric driving means of a hybrid electric vehicle.例文帳に追加
正極１に焼結式ニッケル極を用いたニッケル・水素蓄電池において、窒素ガスの吸着により測定されるＢＥＴ比表面積が、上記のニッケル・水素蓄電池を活性化した状態で１８ｍ^２／ｇ以上になった焼結式ニッケル極を用いるようにし、またこのニッケル・水素蓄電池をハイブリッド電気自動車の電気駆動手段用の電源として用いるようにした。 - 特許庁
The method includes the steps of introducing into a remote plasma source 66 a gas mixture including sulfur hexafluoride and an oxygen-containing chemical compound selected from a group composed of oxygen and nitrogen monoxide, dissociating a portion of the gas mixture into ion, transferring their atoms into a processing region 212 of a chamber 202, providing in situ plasma, and rinsing out a deposit from the chamber through ionic reaction.例文帳に追加
六フッ化硫黄と、酸素および亜酸化窒素からなる群から選択された酸素含有化合物とを含むガス混合物を、リモートプラズマ源６６に導入するステップと、ガス混合物の一部分をイオンに解離するステップと、それらの原子をチャンバ２０２の処理領域２１２に移送するステップと、インシチュプラズマを与えるステップと、イオンとの反応によって、チャンバ内から堆積物を洗浄するステップとを含む方法。 - 特許庁
This UV light irradiation device 10 has a base 13 which bears the workpiece T in the atmosphere, a UV light irradiation light source 11 for irradiating the surface to be worked of the workpiece T with the UV light and an inert gas inflow means 22 which admits the inert gas, more preferably any of nitrogen, helium or argon into the space in the atmosphere above the surface to be worked of the workpiece T.例文帳に追加
本発明の紫外光照射装置１０は、被加工物Ｔを大気中で支承する基台１３と、波長１７５ｎｍ以下の真空紫外光を、被加工物Ｔの被加工面に照射するための紫外光照射光源１１と、被加工物Ｔの被加工面上方の大気中の空間に、不活性ガス、好ましくは窒素、ヘリウム又はアルゴンの何れかを流入させる不活性ガス流入手段２２を備える。 - 特許庁
In the method for manufacturing a gallium nitride based compound semiconductor by supplying a halide containing gas and a nitrogen source containing gas onto a substrate disposed in a reactor and growing a gallium nitride based compound semiconductor on the substrate by vapor phase epitaxy, a compound containing at least carbon and hydrogen is supplied into the reactor in a gas state, and the gallium nitride based compound semiconductor is doped with a dopant by supplying material gas of dopant onto the substrate.例文帳に追加
反応器内に配置された基板上にガリウムのハロゲン化物含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、少なくとも炭素と水素とを含む化合物を、反応器内に気体状態で供給するとともに、ドーパントの原料ガスを基板上に供給してドーパントを窒化ガリウム系化合物半導体にドーピングする。 - 特許庁
In this method of manufacturing a carbon material, while a feed compound as carbon source is supplied in a closed vessel in which argon, carbon dioxide or nitrogen in supercritical state is contained as an ambient fluid, discharge plasma is generated by applying a voltage between the two electrodes set in the closed vessel and the feed compound is decomposed by the discharge plasma and a membranal carbon material is formed at least on one of the two electrodes.例文帳に追加
超臨界状態のアルゴン、二酸化炭素または窒素を雰囲気流体とする密閉容器内に炭素源となる原料化合物を供給しつつ、前記密閉容器内に設けられた２つの電極に電圧を印加することで前記２つの電極間に生起させた放電プラズマによって前記原料化合物を分解し、前記２つの電極のうちの少なくとも一方の電極上に膜状の炭素材料を形成する炭素材料の製造方法。 - 特許庁
Article 328 The employer shall, when carrying out the pressure feeding work of corrosive liquid using the pressure of compressed gas as power source, not use gas other than air for the said compressed gas. However, in the case of having completed the said work, and when removing the said gas immediately, or when taking measures of indicating the existence of the said gas, etc., which are unlikely to cause danger of suffocation due to workers entering the facilities used for the said pressure feeding, nitrogen or carbon dioxide gas may be used. 例文帳に追加
第三百二十八条 事業者は、圧縮したガスの圧力を動力として用いて腐食性液体を圧送する作業を行なうときは、空気以外のガスを当該圧縮したガスとして使用してはならない。ただし、当該作業を終了した場合において、直ちに当該ガスを排除するとき、又は当該ガスが存在することを表示する等労働者が圧送に用いた設備の内部に立ち入ることによる窒息の危険が生ずるおそれのない措置を講ずるときは、窒素又は炭酸ガスを使用することができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
The method for producing an aluminum nitride single crystal comprises heating a raw material gas generation source arranged in a raw material supply part to a raw material gas generation temperature T_1 so as to generate aluminum gas or aluminum oxide gas being a raw material gas, then supplying the raw material gas and nitrogen gas to the deposition part where a substrate for growing the aluminum nitride single crystal is arranged, and producing the aluminum nitride single crystal on the substrate.例文帳に追加
本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、 原料供給部に配置した原料ガス発生源を原料ガス発生温度Ｔ_１に加熱して、原料ガスであるアルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを生成し、 窒化アルミニウム単結晶成長用基板を配置した析出部に該原料ガスおよび窒素ガスを供給して、該基板上に窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、 該原料ガスおよび窒素ガスからの単結晶窒化アルミニウムの析出開始温度Ｔ_２と、前記原料ガス発生温度Ｔ_１と析出部温度Ｔ_Ｓとが、下記条件を満たす条件下で窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁
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 | ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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