「nitrogen-source」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing drink includes a step before fermentation for preparing the liquid before fermentation containing a nitrogen source and a carbon source which an enzyme can assimilate, a fermentation step four carrying out alcohol fermentation by adding the yeast to the liquid before fermentation, processed mushrooms are added in the step before fermentation or the fermentation step.例文帳に追加

本発明に係る飲料の製造方法は、酵母が資化可能な窒素源及び炭素源を含む発酵前液を調製する発酵前工程と、前記発酵前液に酵母を添加してアルコール発酵を行う発酵工程と、を含み、前記発酵前工程又は前記発酵工程においてキノコ加工物を添加する。 - 特許庁

The beer-taste fermented beverage having 7-10% of the alcohol content and obtained by using raw materials at least containing a carbon source, a nitrogen source, water and, optionally, hop is obtained by using one or more kinds of a sweetener, an acidulant, a caramel pigment and a yeast essence as raw materials.例文帳に追加

炭素源、窒素源、水および所望によりホップを少なくとも含む原料を用いたビールテイスト発酵飲料であって、更に、甘味料、酸味料、カラメル色素、酵母エキスのいずれか一種又は複数種を原料とすることを特徴とするアルコール度７〜１０％のビールテイスト発酵飲料である。 - 特許庁

Provided are the method for screening the acrylamide-degrading microorganism, in which microorganisms are cultured in a culture medium containing limited concentration of a carbon source and/or a nitrogen source and constant concentration of the acrylamide and then examining the growth states; a culture medium and a kit therefor; and an acrylamide-degrading microorganism obtained by the method.例文帳に追加

制限濃度の炭素源および／または窒素源、ならびに一定濃度のアクリルアミドを含有する培地にて微生物を培養し、その生育状況を調べることを特徴とする、アクリルアミド分解性菌のスクリーニング方法、そのための培地およびキット、ならびに該方法により得られるアクリルアミド分解性菌。 - 特許庁

In a method for forming a boron nitride film by which the plasma of a boron source gas and a nitrogen source gas is generated in a film forming chamber and these gases are reacted, an inert gas is supplied at a rate smaller than the same flow rate, and a rate larger than the same flow rate or approximately equally with the same flow rate with respect to the flow rate of a raw material gas.例文帳に追加

成膜室内において、ホウ素源ガスと窒素源ガスとのプラズマを発生させて、これらのガスを反応させて窒化ホウ素膜を成膜する方法において、原料ガスの流量に対して、不活性ガスを同じ流量以下で、又は同じ流量以上で、又は略同じ流量で供給する。 - 特許庁

A growth substrate is arranged in a reaction vessel, organic metal gas of a group III metal diluted with a carrier gas is used as a group III metal source, and a semiconductor layer of the group III nitride compound is epitaxially grown on the growth substrate through an MOVPE method using ammonia gas as a nitrogen source.例文帳に追加

成長用基板を反応容器中に配置し、ＩＩＩ族金属源として該ＩＩＩ族金属の有機金属ガスをキャリアガスにて希釈して用い、窒素源としてアンモニアガスを用いたＭＯＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長用基板上にエピタキシャル成長する。 - 特許庁

In LPCVD apparatus 10, silicon source materials (SiH_2Cl_2, SiCl_4, SiCl_6 and the like) are supplied from an injector 11, and a mixed gas of ammonia (NH_3) and monomethylamine (CH_3NH_2) as nitrogen source materials are supplied from an injector 12, and a silicon nitride film is thus formed on a silicon wafer 14 arranged on a boat 13.例文帳に追加

ＬＰＣＶＤ装置１０において、インジェクター１１からシリコン原料（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２，ＳｉＣｌ_４，Ｓｉ_２Ｃｌ_６等）を供給するとともに、インジェクター１２から窒素原料であるアンモニア（ＮＨ_３）とモノメチルアミン（ＣＨ_３ＮＨ_２）との混合ガスを供給し、ボート１３上に設置されたシリコンウェーハ１４に窒化珪素膜を形成する。 - 特許庁

Outside a vacuum chamber 1, nitrogen ions 17 are generated by an ion shower source 3, carbon ions 38 are generated in a cathodic arc source 2, ion beams 17A, 38A are introduced in the vacuum chamber 1 to irradiate a substrate 4 disposed in the chamber, and the negative pulse-like voltage is applied to the substrate 4.例文帳に追加

真空チャンバー１外において、イオンシャワー源３で窒素イオン１７を生成し、カソーディックアークソース２で炭素イオン３８を生成し、これらのイオンビーム１７Ａ、３８Ａを真空チャンバー１内に導入してチャンバー内に配した基板４に照射すると共に、この基板４に負のパルス状電圧を印加する。 - 特許庁

In mass spectrometry by introducing a sample to an ion source and ionizing it by electron ionization, the sample and at least one kind of inert gas such as helium, nitrogen, argon, neon, krypton and xenon are simultaneously introduced to the ion source when determining concentration of a stable isotope of a specific element in the sample.例文帳に追加

試料をイオン源に導入して電子イオン化法によりイオン化して質量分析することにより、前記試料中の特定の元素の安定同位体の濃度を求める際に、前記イオン源に前記試料と共に不活性ガス、例えば、ヘリウム、窒素、アルゴン、ネオン、クリプトン及びキセノンの少なくとも１種を同時に導入する。 - 特許庁

The light fixture comprises a light source, and a reflector reflecting light emitted from the light source, where the reflector has a body molded of synthetic resin, a metallic film which includes a first metal and is formed on the body, and a metal nitride film which includes a second metal bonded to nitrogen and is formed on a part of the metallic film.例文帳に追加

灯具は、光源と、光源から発せられた光を反射するリフレクタとを備え、リフレクタは、合成樹脂から成型された本体と、第１の金属を含み、本体上に形成された金属膜と、窒素と結合した第２の金属を含み、金属膜の一部の上に形成された金属窒化膜とを有する。 - 特許庁

The method for growing an indium nitride-containing semiconductor layer comprises the steps of: forming indium hydride by causing hydrogen atoms resulting from the decomposition by plasma to react with an indium source including indium metal or indium-containing compound; forming nitrogen atoms by decomposing nitrogen with plasma; and forming an indium nitride-containing semiconductor layer on a substrate by causing the indium hydride and the nitrogen atoms to react with each other.例文帳に追加

本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A treatment device composed of: an electron beam excitation ion source for generating nitrogen atom plasma with a high density and a high dissociation degree; a treatment tank for storing plasma and performing nitriding treatment; a vacuum system device; a heating apparatus; and a gaseous starting material system device is used.例文帳に追加

高密度・高解離度の窒素原子プラズマを発生させるための電子ビーム励起イオン源、プラズマを溜め窒化処理を行う処理槽，真空系装置，加熱装置，原料ガス系装置からなる処理装置を使用する。 - 特許庁

The direct methanol type fuel battery system is provided with a carrier gas source 1 equipped with a compressed-air cylinder of nitrogen gas (N_2) so as to prevent oxygen from being supplied to a fuel electrode, a solid methanol fuel cartridge 3, and a fuel battery cell 5.例文帳に追加

直接メタノール形燃料電池システムは、燃料極に酸素が供給されないよう、窒素ガス（Ｎ_２）の圧縮気体ボンベを備えたキャリアガス源１と、固体状メタノール燃料カートリッジ３と、燃料電池セル５とを備える。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

Prior to the epitaxial growth of an InN thin film on a GaN buffer layer, an In metal with a thickness of approximately one or two molecule layers (ML) is supplied to the GaN buffer layer surface while a plasma source of nitrogen is not supplied.例文帳に追加

ＩｎＮ薄膜をＧａＮバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、ＧａＮバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で約１分子層−２分子層（ＭＬ）の厚さのＩｎ金属を供給する。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for removing nitrogen oxides in combustion exhaust gas produced in a calcination device of a cement source material equipped with a rotary kiln 3, a solid reducing agent is fed to the combustion exhaust gas.例文帳に追加

ロータリーキルン３を備えたセメント原料焼成装置で発生する燃焼排ガス中の窒素酸化物を除去するための窒素酸化物除去方法において、上記燃焼排ガスに対し、固体状の還元剤を投入することとした。 - 特許庁

The deposition method is a method of a metal film at least a part of which is etched after deposition, wherein the metal film consisting of the metal or the ruthenium is formed on a substrate, by flowing source gas and nitrogen gas on the substrate to decompose the source gas, the source gas is composed of gas involving the metal or ruthenium having a crystal structure of body-centered cubic lattice, and hydrogen gas.例文帳に追加

成膜後に少なくともその一部がエッチングされる金属膜の成膜方法であって、 結晶構造が体心立方格子構造の金属またはルテニウムを含有するガスと水素ガスとを含むソースガスと、窒素ガスと、を基体上に流し前記ソースガスを分解することにより前記金属または前記ルテニウムからなる金属膜を前記基体の上に形成することを特徴とする成膜方法を提供する。 - 特許庁

When abnormal temperature increase occurs at the time of regeneration treatment, thermorunaway at the time of the regeneration is prevented by conducting some of operations such as nitrogen gas injection to a regeneration duct 29 from a nitrogen gas lead-in pipe 52, cease of circulation of a component gas by stopping a blower 33 for regeneration and at the same time closing a flow rate control damper 53, and shutdown of a power source of a heating part 31 in combination.例文帳に追加

再生処理時に異常な温度上昇が発生したら、窒素ガス導入管５２から再生ダクト２９へ窒素ガスを注入、再生用ブロア３３を停止すると共に流量制御ダンパ５３を閉にして成分ガスの循環を停止、加熱部３１の電源をＯＦＦ、の幾つかを組み合わせて実行することにより再生時の熱暴走を防止する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the Ga layer 43 is irradiated with a nitrogen source to rebuild this Ga layer 43 on the lower layer 44 of the GaN layer having a little number of transfers and the upper layer 45 of the GaN layer having further less number of transfers than the lower layer 44.例文帳に追加

この後、Ｇａ層４３の表面に、窒素源を照射して、このＧａ層４３を転位が少ないＧａＮ層の下層部４４と、この下層部４４よりも更に転位の数が少ないＧａＮ層の上層部４５に再構築する。 - 特許庁

A Ga solution is brought into contact with the 1st main surface side of a GaP epitaxial wafer and NH3 gas is supplied as a nitrogen source to the circumferential atmosphere coming into contact with the Ga solution to form the N-doped GaP layer through liquid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

ＧａＰエピタキシャルウェーハの第一主表面側にＧａ溶液を接触させ、当該Ｇａ溶液と接する周囲雰囲気に窒素源としてＮＨ_３ガスを供給することによりＮドープＧａＰ層を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To improve gas displacement efficiency and minimize the time required for displacement in a method for preventing contamination in a container by displacing with an inert gas or the like such as nitrogen gas or the like in a container of a lens system or a projection lens system for a light source.例文帳に追加

光源のレンズ系や投影レンズ系統の容器内を窒素ガス等の不活性ガス等により置換することで、容器内の汚染を防ぐ方法において、ガス置換効率を高め、置換にかかる時間を最小限にすることを目的とする。 - 特許庁

The refractory-metal material can be manufactured by applying a carbon supply source to the metallic base material and subjecting the base material to heating in a nitrogen atmosphere at 1100-1400°C and to pressurizing treatment at ≥1 MPa pressure.例文帳に追加

耐酸化層を有する高融点金属材料を製造する方法は金属母材に炭素供給源を塗布し、窒素雰囲気中で１１００〜１４００℃の温度範囲で加熱及び１ＭＰａ以上の圧力で加圧処理することにより形成する。 - 特許庁

This method is characterized by controlling a refraction index of a formed GeN thin film through controlling a nitro-pressure, a substrate temperature, and a high frequency output, with reactive high-frequency ion plating using Ge for an evaporation source in an atmosphere of introduced nitrogen gas.例文帳に追加

窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源としてＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティングであって、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する。 - 特許庁

In the nitriding treatment apparatus 1, an accelerating power source 22 applies a pulse voltage to a cathode 18 for acceleration and an anode 19 for acceleration to make a pulsed electron beam emitted into a reaction chamber 49, and consequently makes the electron beam generate nitrogen plasma in the reaction chamber 49.例文帳に追加

窒化処理装置１では、加速電源２２が、加速用陰極１８および加速用陽極１９にパルス電圧を印加することにより、パルス状の電子ビームを反応室４９内に出力し、反応室４９内に窒素プラズマを生成する。 - 特許庁

As shown in the figure, ammonia 1 as starting material is introduced into a reactor 2 and a surface of a catalyst 3 put in the reactor is irradiated with light 5 emitted from a light source 4, whereby the ammonia is decomposed to obtain hydrogen and nitrogen 6 which are products.例文帳に追加

本発明は、図１に示すように、原料のアンモニア１を反応容器２に導入し、反応容器内に設置した触媒３の表面に、光源４から得た光５を、照射し、アンモニアを分解して、生成物である水素および窒素６を得る。 - 特許庁

To provide a microorganism culture medium, especially an organic nitrogen source as a substitute for expensive yeast extract, peptone, etc., produced by using yeast cell residue, contributing to waste disposal and suitable for the culture of microorganisms, especially mold, streptomyces, etc.例文帳に追加

廃棄物処理にも貢献でき、かつ、微生物の培養、特に糸状菌、放線菌等の培養に好適に用いられる、酵母菌体残渣を利用した微生物培養基材、特に、高価な酵母エキス、ペプトン等に代わる有機窒素源、を提供する。 - 特許庁

As a metal thin film acting as the gate electrode 1, etc., or a metal thin film acting as the source electrode 7, the drain electrode 6, etc., the metal thin film which has a layer 1a, consisting of a metal, and a layer 1b in which the nitrogen atom is added to the metal, is used.例文帳に追加

ゲート電極１などとなる金属薄膜またはソース電極７およびドレイン電極６などとなる金属薄膜として、金属からなる層１ａと金属に窒素原子を添加した層１ｂを有する金属薄膜を用いる。 - 特許庁

The coal is carbonized to produce a reducing gas, the whole reducing gas is converted into hydrogen and a part of hydrogen is passed through the fuel cells to produce water, electricity and nitrogen and the electricity is used for the carbonization of the coal and the pressure rising as a power source to produce the synthetic gas.例文帳に追加

石炭を乾留し、還元ガスを製造する一方、全部の該ガスを水素に転換し、一部の燃料電池に通し、水、電気、窒素を製造し、該電気を該石炭の乾留用と昇圧用の電源にしつつ、合成ガスを発生させる。 - 特許庁

A process for producing the catalyst for nitrogen oxide removal comprises: drying a mixture slurry that contains a metal source, a zeolite, and metal oxide particles having an average particle diameter of 0.1-10 μm and/or an inorganic binder; and burning the obtained dry powder.例文帳に追加

金属源、ゼオライト、並びに平均粒子径０．１〜１０μｍの金属酸化物粒子及び／又は無機バインダーを含む混合スラリーを乾燥させ、得られた乾燥粉体を焼成することによりこの窒素酸化物浄化用触媒を製造する方法。 - 特許庁

The ammonia required for reduction in the SCR catalyst 12 for nitrogen oxide in exhaust gas from the thermal engine 10 can be used before completing the preparation of an ammonia source 19 after restarting the operation of the thermal engine 10.例文帳に追加

熱機関（１０）の排気ガス中に含まれている窒素酸化物のＳＣＲ触媒（１２）の中での還元のために必要なアンモニアは、熱機関（１０）の運転再開の後、アンモニア源（１９）の準備が完了する前に使用することができる。 - 特許庁

The method is characterized by employing vanadium as a vaporizing source, employing nitrogen gas and/or hydrocarbon gas as an injection gas, adjusting a quantity of the injection gas and a gas ratio according to a kind of film and a film thickness, and keeping the condition, to form each layer of the vanadium-based film through reaction.例文帳に追加

バナジウムを蒸発源とし、注入ガスを窒素ガス及び／又は炭化水素ガスとして注入ガス量・ガス比を膜種・膜厚に対応させて調節維持することにより、バナジウム系被膜の各層をそれぞれ反応成膜させる。 - 特許庁

To increase the amount of organic acids in a fermented drink by a simple treatment of yeast without necessitating the selection of raw materials such as malt, pH adjuster, sugar source, nitrogen source and minor elements, the examination of their ratios, the examination of the method for the production of fermentation stock solution containing wort and the selection of yeast in the production of the fermented drink.例文帳に追加

発酵飲料の製造に際して、麦芽、pH調整剤、糖源、窒素源、微量元素などの原料の選択、およびその比率の検討、麦汁を含む発酵原液の製造方法の検討、あるいは酵母の選択などを行うことなく、酵母に簡単な処理を施すことにより、発酵飲料の有機酸量を増加させることを課題とする。 - 特許庁

When a gallium nitride semiconductor containing at least indium is produced by organo-metallic CVD system, contamination of organic metal compound is reduced by employing nitrogen as a carrier gas for gasifying the organic metal compound of an indium source and employing hydrogen for the organic metal compound other than indium source.例文帳に追加

有機金属気相成長法により、少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を製造するに際して、有機金属化合物の気化に用いるキャリアガスをインジウム源の有機金属化合物では窒素とし、インジウム源以外の有機金属化合物では水素とすることによって、有機金属化合物の汚染を低減する。 - 特許庁

To provide a converter refining method using plastic as a heat source instead of an Fe-Si alloy and a carbonaceous material such as coke which causes reduction in iron yield and to contamination of sulfur and nitrogen and restrict a kind of a subject steel and a using quantity.例文帳に追加

転炉精錬での熱源としてＦｅ−Ｓｉ合金やコークス等の炭材を使用すると、鉄歩留まりの低下や［Ｓ］及び［Ｎ］の汚染があり、対象鋼種や使用量が制限されるため、これらに替わってプラスチックを熱源とした転炉精錬方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing nitrogen oxides in combustion exhaust gas to obtain a high denitration effect even when the method is applied to a calcination device of a cement source material in which a high denitration effect cannot be obtained by a conventional denitration method in which an aqueous solution of a reducing agent such as urea is sprayed.例文帳に追加

従来の尿素等の還元剤の水溶液噴霧による脱硝法では、大きな脱硝効果が得られないセメント原料焼成装置に適用しても、高い脱硝効果が得られるようにした燃焼排ガス中の窒素酸化物除去方法 - 特許庁

Yeast is cultured on a flat plate of a minimum medium added with a single amino acid as a nitrogen source, and a colony smaller than a colony formed by culturing the yeast on a complete medium containing all amino acids is selected from the formed colonies.例文帳に追加

窒素源として単一のアミノ酸を加えた最小栄養培地の平板プレートを用いて酵母を培養し、形成されたコロニーのうち、当該酵母を全てのアミノ酸を含む完全培地で培養したときに形成されるコロニーより小さいものを選択して取得する。 - 特許庁

To provide a new microorganism utilizing the racemic form or optically active isomeric forms of propionic acid amide as a sole nitrogen source and a new enzyme, and to provide a method for producing (S)- or (R)-3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-methylpropionic acid from a trifluoroacetoacetic acid ester.例文帳に追加

プロピオン酸アミドのラセミ体形態または光学活性異性体形態を唯一の窒素源として利用する新規微生物および新規酵素、さらに、トリフルオロアセト−酢酸エステルから、(S)-または(R)-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸を製造する方法を提供する。 - 特許庁

When the plasma producing chamber of a high-frequency ion source is cleaned, at least one kind of cleaning gas among all the chlorofluoro-halocarbons, nitrogen trifluorides, hydrogen halides, and halogen trifluorides is introduced into the chamber.例文帳に追加

高周波イオン源のプラズマ生成室内をクリーニングするに際し、プラズマ生成室内に全ハロゲン化塩化フッ化炭素、三フッ化窒素、ハロゲン化水素及び三フッ化ハロゲンから選ばれる少なくとも１種のクリーニングガスを導入し、該クリーニングガスを励起して活性種を生成させる。 - 特許庁

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁

The dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering, for example, by means of the cathode sputtering which is assisted by a magnetic field and is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4).例文帳に追加

誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。 - 特許庁

A filling gas having a thermal conductivity which is larger than that of nitrogen is used in an outer side of the light source and in an inner side of the shroud, and the shroud is improved so that the same contains at least 20% of an initial filling gas volume over at least a specified lifetime of a lamp working.例文帳に追加

窒素よりも大きな熱伝導率を有する充填ガスを光源の外側かつシュラウドの内側に用い、シュラウドが少なくともランプ動作の定格寿命にわたって最初の充填ガス量の少なくとも２０％を含有するよう改良する。 - 特許庁

Electrodes 14, 16 are heated by resistance heating of a resistance heating member 32 by applying current to the resistance heating member 32 from an alternating current power source 34 in either of vacuum, nitrogen gas atmosphere, or inert gas atmosphere after oxidation treatment.例文帳に追加

酸化処理を行った後に、真空、窒素ガスの雰囲気又は不活性ガスの雰囲気中で交流電源３４から抵抗加熱部材３２を通電し、前記抵抗加熱部材３２の抵抗加熱によって発生した熱で電極１４、１６を加熱させる。 - 特許庁

To provide a liquid peptide-containing nutrient composition capable of efficiently replenishing calorie, nitrogen source, glucide, mineral and vitamin for a surgical patient or a patient in undernutrition, and free from becoming cloudy even when being refrigerated so as to be easily ingested.例文帳に追加

外科手術患者や低栄養状態の患者などに対して、効率的に熱量、窒素源、糖質、ミネラル、およびビタミンの補給ができ、かつ、摂取しやすいように冷蔵保存されても白濁しない液状のペプチド含有栄養組成物を提供するものである。 - 特許庁

Nitrogen or oxygen gas activated into an atomic state is supplied from an atomic gas source 15 through a pipe 17 and an inlet 25 into a CVD chamber 13, where reaction gas is made to react on a wafer 32 placed on a heating mechanism 31 at a low temperatures of 600 to 650°C.例文帳に追加

加熱機構３１上に置かれたウエハ３２に反応ガスを６００℃〜６５０℃の低温で作用させるＣＶＤチャンバー１３に原子ガスソース１５からパイプ１７、入口２５を通じて窒素原子又は酸素原子状態に活性化したガスを供給する。 - 特許庁

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.例文帳に追加

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁