| 意味 | 例文 |
non programmingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 71件
NON-VOLATILE MEMORY CELL PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
不揮発性メモリセルプログラミング方法 - 特許庁
LOW POWER PROGRAMMING OF NON-VOLATILE CELL例文帳に追加
不揮発性セルの低電力プログラミング - 特許庁
PROGRAMMING METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法 - 特許庁
METHOD FOR PROGRAMMING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法 - 特許庁
CIRCUIT FOR AUTOMATIC-VERIFICATION-PROGRAMMING NON- VOLATILE MEMORY例文帳に追加
非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路 - 特許庁
PROGRAMMING METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置のプログラム方法 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置とそのプログラム方法 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND PROGRAMMING METHOD THEREOF例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラム方法。 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置およびそのプログラム方法 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ITS PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置及びそれのプログラム方法 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND PROGRAMMING METHOD THEREFOR例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置およびそのプログラミング方法 - 特許庁
METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY CELL AND ITS CONSTITUTION OBJECT例文帳に追加
不揮発性メモリセルのプログラミング方法およびその構成体 - 特許庁
To provide a method and structure for programming for a non-volatile memory which is improved in the programming efficiency.例文帳に追加
プログラミング効率を向上させた非揮発性メモリのためのプログラミングの方法及び構造を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory and a programming method thereof.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラム方法の提供。 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND METHODS OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICES例文帳に追加
不揮発性メモリ装置、それらを含むシステム、及び該不揮発性メモリ装置をプログラミングする方法 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY HAVING BIT LINE SETUP CIRCUIT AND DISCHARGE CIRCUIT FOR PROGRAMMING, AND ITS PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
プログラミング用のビットラインセットアップ及びディスチャージ回路を有する不揮発性メモリ装置及びそのプログラミング方法 - 特許庁
PROGRAMMING METHOD FOR MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY BY CONTROL OF GATE VOLTAGE例文帳に追加
ゲート電圧の制御よるマルチレベル不揮発性メモリのプログラミング方法 - 特許庁
To provide a method for programming a multi-bit non-volatile memory device.例文帳に追加
マルチ-ビット不揮発性メモリー装置をプログラムする方法が提供されている。 - 特許庁
A programming circuit for the anti-fuse uses a bootstrap circuit for charging a capacitor to supply voltage during a non-programming period.例文帳に追加
アンチヒューズのためのプログラミング回路は、非プログラミング期間中にキャパシタを電源電圧に帯電するブート回路を利用する。 - 特許庁
NON-BATTERY NON-OSCILLATOR BINARY TIME CELL AVAILABLE AS TIME MEASURING DEVICE AND RELEVANT PROGRAMMING METHOD AND ITS DEVICE例文帳に追加
測時装置として使用可能な無電池無発振器2進タイム・セルと、関連プログラミング方法および装置 - 特許庁
PARTIAL BLOCK DATA PROGRAMMING AND READING OPERATION IN NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加
不揮発性メモリにおける部分的ブロックデータのプログラミング動作および読出し動作 - 特許庁
The programming strip 10 includes a non-volatile memory 12 and a communication bus 14.例文帳に追加
プログラムストリップ10は、不揮発メモリ12とコミュニケーションバス14とを含んでいる。 - 特許庁
SINGLE-BIT NON-VOLATILE MEMORY CELL, ITS PROGRAMMING METHOD, AND ITS ERASING METHOD例文帳に追加
単一ビット不揮発性メモリーセル、および、その書き込み方法および消去方法 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory and its programming method in which margin between threshold voltage are kept constant after programming.例文帳に追加
プログラム以後しきい値電圧間のマージンを一定に維持させる不揮発性半導体メモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To prevent disturbance in a non-selection cell being adjacent a selection cell at programming of the selection cell.例文帳に追加
選択セルのプログラム時に、それと隣接する非選択セルでのディスターブを防止すること。 - 特許庁
METHOD AND STRUCTURE FOR HIGHLY EFFICIENT HOT CARRIER INJECTION PROGRAMMING FOR NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加
非揮発性メモリのための高効率ホットキャリア注入プログラミングの方法及び構造 - 特許庁
To provide a method for programming a non-volatile semiconductor memory in which programming time can be shortened and the deterioration of the characteristics of a memory cell can be prevented.例文帳に追加
プログラム時間を短縮でき、かつメモリセルの特性低下を防止できる不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法を提供すること。 - 特許庁
CHIP PROVIDED WITH ON-SYSTEM PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY AND OFF-SYSTEM PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY, AND ITS FORMING METHOD AND PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
オンシステムプログラマブル非揮発性メモリ及びオフシステムプログラマブル非揮発性メモリを具えたチップ及びその形成方法とプログラム方法 - 特許庁
To provide a programming method for a non-volatile semiconductor memory by which program disturbance can be prevented.例文帳に追加
プログラムディスターブを防止できる不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法を提供すること。 - 特許庁
The method of soft programming a non-volatile memory blocks includes erasing bits and identifying bits that have been over-erased by the erasing.例文帳に追加
方法は、ビットを消去し、消去によって過消去されたビットを識別するステップを含む。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY BY CONTROLLING PULL-DOWN SPEED OF SOURCE CURRENT例文帳に追加
ソース電流プルダウン速度を制御することにより不揮発性メモリをプログラミングするための方法及び装置 - 特許庁
To provide an apparatus and a programming method for a non-volatile memory cell of a multi-bit magnetic random access memory cell.例文帳に追加
マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルの不揮発性メモリセルのための装置およびプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory in which the programming time of a memory cell can be drastically shortened.例文帳に追加
メモリセルのプログラム時間を大幅に短縮可能である不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To verify data by non-programming by using a common component for performing check processing of the validity of data.例文帳に追加
データの妥当性のチェック処理を行う共通部品を用いてノンプログラミングでデータを検証する。 - 特許庁
The programming of the device is configured to retrieve the content within the second multimedia stream in response to device programming, user set parameters, learned behaviors and/or non-user based selections.例文帳に追加
機器のプログラムは、機器のプログラム、ユーザ設定パラメータ、学習された行動及び/又はユーザに基づかない選択に応じて、第2のマルチメディアストリーム内でコンテンツを検索する。 - 特許庁
To minimize current consumption in a memory array during programming of non-volatile memory cells, such as NROM cells.例文帳に追加
メモリアレイにおいて、NROMセル等の不揮発性メモリセルのプログラム時に電流消費量を最小にする。 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND PROGRAMMING METHODS THEREOF INCLUDING MOVING ELECTRONS THROUGH PAD OXIDE LAYERS BETWEEN CHARGE TRAP LAYERS例文帳に追加
パッドオキサイドレイヤーを通じてチャージトラップレイヤー間で電子を移動させる不揮発性メモリ装置及びプログラミング方法 - 特許庁
To use a negative voltage in a non-selection word line in order to minimize a program disturbance (phenomenon that content of non-selection bit changes at the programming).例文帳に追加
プログラムディスターブ(プログラム時に非選択ビットの内容が変化してしまうこと)を最小にするために、非選択ワード線に対して負電圧を使用する。 - 特許庁
For example, the non-local self-boosting and the local self-boosting are selectively applied in response to the first string of serially connected cells in response to the programming voltage during an incremental step pulse programming operation.例文帳に追加
例えば、ノンローカルセルフブーストとローカル−セルフブーストは、増加形ステップパルスプログラミング動作間のプログラミング電圧に応答して、直列接続したセルの第1ストリングに選択的に適用される。 - 特許庁
To use a coding support function installed in a multifunctional IDE even in the case of performing coding in non-standard programming language.例文帳に追加
規格外プログラミング言語によるコーディングの際にも、多機能IDEが備えるコーディング支援機能を利用可能にする。 - 特許庁
To provide a programming environment for automatically converting non-global program codes into global ones.例文帳に追加
国際化対応されていないプログラムコードを国際化対応に自動的に変換するためのプログラミング環境を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile multilevel memory that can store two or more programming states to represent one bit information.例文帳に追加
1ビットの情報を表すのに2以上のプログラミング状態を記憶することが可能な不揮発性マルチレベルメモリを提供する。 - 特許庁
Non-local self-boosting and local self-boosting are selectively applied in response to the programming voltage applied to the selected word line.例文帳に追加
ノンローカルセルフブーストとローカルセルフブーストは、選択されたワードラインに印加されるプログラミング電圧に応答して選択的に適用される。 - 特許庁
To provide a read-out buffer circuit having simple constitution and a program circuit being suitable for programming multi-valued data, in a multi- valued recording non-volatile memory.例文帳に追加
多値記録不揮発性メモリにおける簡単な構成の読出しバッファ回路で、且つ、多値をプログラムするに好適なプログラム回路。 - 特許庁
To provide a programming method for a non-volatile semiconductor memory in which program disturbance phenomenon owing to a parasitic MOS transistor can be prevented.例文帳に追加
寄生MOSトランジスタによるプログラムディスターブ現象を防止できる不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a system, method, and a device for programming so that an EEPROM having non-volatile stored data has reliability.例文帳に追加
不揮発性格納データを有するEEPROMが信頼性を有するようにプログラミングするためのシステム、方法、および装置を提供すること。 - 特許庁
To obtain aprogramming method for a non-volatile memory in which the time required for performing programming operation can be minimized by control of gate voltage.例文帳に追加
ゲート電圧の制御によりプログラミング操作の実行に必要な時間を最少化し得る不揮発性メモリのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁
In the read operation, the selection gates can be formed perfectly to the off-state by programming the selection gates in the non-selection memory block, and the leakage current of the non-selection block at the read operation can be suppressed.例文帳に追加
読み出し時には、非選択のメモリブロック内の選択ゲートをプログラムすることにより、選択ゲートを完全にオフ状態にすることができ、読み出し時の非選択ブロックにおけるリーク電流を抑制できる。 - 特許庁
The mobile communication system determines an optimum power for maximizing the number of simultaneous connections by using a linear programming method or a non-linear programming method on the basis of a constraint condition for specifying the transmission power being a prescribed power or below and a conditional expression of an inequality for satisfying the quality.例文帳に追加
送電力が一定値以下である拘束条件、品質を満たす不等式の条件式から線形計画法または非線形計画法により、同時接続数を最大にする最適な電力を決定する - 特許庁
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