「porous silicon layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The porous silicon layer is selectively etchedly removed, and the remainder silicon porous layer is made to serve as the gas diffusion filter.例文帳に追加

更にポーラスシリコン層を選択的にエッチング除去し、残されたポーラスシリコン層をガス拡散フィルタとする。 - 特許庁

METHOD FOR FORMATION AND LIFT-OFF OF POROUS SILICON LAYER例文帳に追加

多孔質シリコン層の形成方法およびリフトオフ方法 - 特許庁

A three-layer structure wherein a porous silicon layer is used as a high-resistance layer and is made to work as a gettering layer is comprised of a silicon thin-film, porous silicon and a silicon substrate, and it is used as a false SOI substrate.例文帳に追加

多孔質シリコン層を、高抵抗層とみなし、更にはゲッタリング層として機能させたシリコン薄膜／多孔質シリコン／シリコン基板からなる３層構造体を、擬似的なＳＯＩ基板として利用する。 - 特許庁

A light emitting device is manufactured of a silicon substrate 2 which has a porous silicon layer 3 on the surface.例文帳に追加

発光器を、上面に多孔性シリコン（３）の層を有するシリコン基板（２）から製造する。 - 特許庁

The clad layer is formed by forming a region of porous silicon on the silicon substrate.例文帳に追加

このクラッド層は、シリコン製基板に多孔質シリコンの領域を形成することにより形成される。 - 特許庁

A porous silicon layer is formed by applying a positive electrode conversion treatment on the silicon substrate.例文帳に追加

前記シリコン基板に対し陽極化成処理を施すことによりポーラスシリコン層を形成する。 - 特許庁

After forming a polycrystalline silicon layer 3 on top of an n-type silicon substrate 1 which constitutes a conductive substrate, a porous polycrystalline silicon layer 4 containing polycrystalline silicon grains and silicon microcrystal is formed by anodic oxidization process transforming the polycrystalline silicon layer 3 into a porous layer.例文帳に追加

導電性基板を構成するｎ形シリコン基板１上に多結晶シリコン層３を形成した後、陽極酸化処理工程にて多結晶シリコン層３を多孔質化して多結晶シリコンのグレインおよびシリコン微結晶を含む多孔質多結晶シリコン層４を形成する。 - 特許庁

MULTILAYER STRUCTURE WAFER HAVING THICK SACRIFICIAL LAYER USING POROUS SILICON OR POROUS SILICON OXIDE, AND MANUFACTURE OF THE WAFER例文帳に追加

多孔質シリコンまたは多孔質酸化シリコンを用いた厚い犠牲層を有する多層構造ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

A porous layer is partially formed in a silicon substrate, and a silicon layer is formed on that substrate, and the formation of a porous layer in that silicon layer is repeated to manufacture the three dimensional porous structure having a plurality of porous regions having different three dimensional structures respectively.例文帳に追加

シリコン基板中に部分的に多孔質層を形成し、その基板上にシリコン層を形成し、そのシリコン層に多孔質層を形成することを繰り返すことによって三次元構造の異なる複数の多孔質領域を有する三次元多孔質構造体を作製する。 - 特許庁

The porous silicon layer has at least two different porosities, and it is preferable that the porous silicon layer formed on the side of the silicon substrate is highly porous and that formed on the side of the silicon thin film is less porous.例文帳に追加

前記多孔質シリコン層が、少なくとも異なる２つの多孔度を有する多孔質シリコン層であり、前記シリコン基板側に形成された多孔質シリコン層が高多孔性であり、シリコン薄膜側が低多孔性であることが好ましい。 - 特許庁

A polycrystal silicon layer 3 is formed on a conductive layer 12 constituting a part of a conductive substrate, and then a part of the polycrystal silicon layer is made porous by anodization to form a porous polycrystal silicon layer 4'.例文帳に追加

導電性基板の一部を構成する導電性層１２上に多結晶シリコン層３を形成した後、陽極酸化処理にて多結晶シリコン層３の一部を多孔質化して多孔質多結晶シリコン層４’を形成する。 - 特許庁

A thin film layer made of a single crystal silicon or a silicon germanium is formed on a substrate 31 made of silicon with a porous layer 32 made of a porous silicon between them.例文帳に追加

シリコンからなる基板３１上に多孔質シリコンからなる多孔質層３２を介して例えば単結晶シリコンまたはシリコンゲルマニウムからなる薄膜層を形成する。 - 特許庁

A porous silicon layer is formed on an auxiliary substrate as a sacrifice layer.例文帳に追加

本発明の方法では、補助基板上に、多孔質シリコン層を犠牲層として形成する。 - 特許庁

At this point, the oxide film 2 and the porous silicon layer 4 are not laminated directly, and a growth silicon layer 5 is interposed between them, by which the porous silicon layer 4 can be ensured of bonding strength to the oxide film 2.例文帳に追加

ここで、酸化膜２と多孔質シリコン層４との間は互いに直接貼り合わせられるのではなく、間に成長シリコン層５を介在させることとすれば、酸化膜２に対するボンディング力を確保することができる。 - 特許庁

The porous silicon carbide filter is characterized by forming a silicon carbide coating layer based on a chemical deposition method on a part of the surface of a porous silicon carbide member constituted of silicon carbide crystals.例文帳に追加

炭化珪素結晶によって構成される多孔質炭化珪素部材の表面の一部に、化学蒸着法による炭化珪素被覆層が形成されていることを特徴とする多孔質炭化珪素フィルター。 - 特許庁

An impurity diffusion silicon layer 4 which includes phosphorous element (P) as impurity is formed along the wall face inside the hole 2 of the porous silicon layer 3.例文帳に追加

多孔質シリコン層３の孔２内の壁面に沿って、不純物となるリン元素（Ｐ）を含む不純物拡散シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

A porous silicon layer 60 is formed on the silicon substrate 20 by anode conversion, an epitaxial growth film 70 is grown on the porous silicon layer 60, and then the epitaxial growth film 70 is adhered to a glass substrate 90.例文帳に追加

シリコン基板２０の上に陽極化成でポーラスシリコン層６０を形成し、このポーラスシリコン層６０の上にエピタキシャル成長膜７０を成長させ、このエピタキシャル成長膜７０にガラス基板９０を貼り付ける。 - 特許庁

ELEMENT FOR ULTRA HIGH FREQUENCY USING POROUS SILICON OXIDE LAYER, AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加

多孔性酸化シリコン層を用いて形成した超高周波用素子及びその形成方法 - 特許庁

To enable a porous silicon layer to be easily controlled in thickness and distribution of porosity or the like.例文帳に追加

多孔質シリコン層の厚さや多孔度等の分布の制御を容易にする。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of separating the porous layer formed on a silicon substrate from the silicon substrate, a process of forming a semiconductor layer on the separated silicon layer, and a process of obtaining the semiconductor layer as a substrate by removing the porous layer.例文帳に追加

シリコン基板に形成された多孔質層を、シリコン基板から分離する工程と、分離された多孔質層に半導体層を形成する工程と、多孔質層を除去することにより、半導体層を基板とする工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The insulation part 2 is constituted of a porous silicon layer formed by making one part of the base substrate 1 porous with anodic oxidation treatment.例文帳に追加

ここで、断熱部２は、ベース基板１の一部を陽極酸化処理により多孔質化することで形成された多孔質シリコン層により構成されている。 - 特許庁

In a region where the depth from a surface of a porous silicon layer is 5-100nm, a parameter which expresses porous structure of porosity or the like is equalized.例文帳に追加

多孔質シリコン層の表面からの深さが５〜１００ｎｍの領域において、多孔度等の多孔質構造を表現するパラメータを均一化した。 - 特許庁

The above effect can be also obtained by disposing a porous plate having similar characteristics as those of the porous layer 8 in the surface part of the silicon carbide raw material 2.例文帳に追加

なお、多孔層８と同様の特性を有する多孔板を炭化珪素原料２の表層部に設置しても、上述の効果が得られる。 - 特許庁

The porous polycrystal silicon layer 4' is then annealed in inert gas, and the porous polycrystal silicon layer 4 after annealing is electrochemically oxidized to form a strong electric field drift layer 6'.例文帳に追加

その後、多孔質多結晶シリコン層４’を不活性ガス中でアニールし、アニール後の多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６’を形成する。 - 特許庁

A porous silicon layer 25 is formed at least partially in the vicinity of a surface of a semiconductor substrate 20, a single crystal layer 4a is further formed on the porous silicon layer 25.例文帳に追加

半導体基板２の表面近傍には、少なくとも部分的に多孔質シリコン層２５が形成されており、さらに、該多孔質シリコン層２５上には単結晶層４ａが形成されている。 - 特許庁

A porous layer 12, a silicon layer 13, a SiGe layer 14, and a silicon layer 15 are successively formed on a silicon board 11 for the formation of a first board 10.例文帳に追加

シリコン基板１１上に多孔質層１２、シリコン層１３、ＳｉＧｅ層１４及びシリコン層１５を順に形成して第１の基板１０を作製する。 - 特許庁

Silicon particles are formed by immersing a silicon wafer into a third solution containing hydrofluoric acid (HF) and alcohols and then applying a voltage to the silicon wafer to form a porous silicon layer on the silicon wafer.例文帳に追加

シリコン粒子は、フッ化水素（ＨＦ）酸およびアルコール類を含む第３の溶液中に浸漬し、電圧を印加し、シリコンウエハ上にポーラスシリコン層を形成することによって形成される。 - 特許庁

A silicon layer or porous silicon layer 23b is formed below the channel area and it electrically and partially brings it into contact with the lower silicon substrate 1 and the upper silicon patter 2a.例文帳に追加

また、チャンネル領域の下部にはシリコン層または多孔性シリコン層２３ｂが形成されて下部シリコン基板２１及び上部シリコンパターン２５ａを電気的に部分コンタクトする。 - 特許庁

The porous quality silicon carbide ceramic sintered compact having conductivity has a silicon dioxide layer formed on a particle surface.例文帳に追加

導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックス焼結体であって、粒子表面に二酸化珪素層が形成されている。 - 特許庁

A porous silicon layer 3, whose thickness is about 12 μm formed with a plurality of fine holes 2, is formed on a p-type monocrystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の単結晶のシリコン基板１に、微細な孔２が多数形成された厚さが約１２μｍの多孔質シリコン層３が形成されている。 - 特許庁

At least a part of a heat sensitive element is formed on a porous silicon oxide layer 2 formed on a part of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上の一部に形成した多孔性酸化シリコン層２上に、感温素子の少なくとも一部を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a porous silicon layer of a silicon substrate using an anodization processing liquid which is easy to handle.例文帳に追加

取り扱いの簡易な陽極化成処理液を用いたシリコン基板の多孔質シリコン層の作製方法を提供すること。 - 特許庁

A silicon wafer 1 is made into anode, a porous silicon layer 2 is formed on the surface, an intermediate layer 3 containing diamond-like carbon is formed on the porous silicon layer 2 by vapor phase growth, and the diamond membrane is formed on the intermediate layer 3 by vapor phase growth.例文帳に追加

シリコンウェハー１を陽極化成し、表面に多孔質シリコン層２を形成し、多孔質シリコン層２の上にダイヤモンド状炭素を含む中間層３を気相成長により形成し、中間層３の上にダイヤモンド薄膜を気相成長により形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a process for forming a porous silicon layer 12 on an upper surface of a silicon substrate 11, and a process for supplying a mixed gas of hydrogen gas and hydrocarbon-based gas or a hydrocarbon-based gas, crystallizing and carbonizing the surface of the porous silicon layer 12, and forming a silicon carbide film 13.例文帳に追加

シリコン基板１１の上面に多孔質な多孔質シリコン層１２を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜１３を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The high-field drift layer 6 consists of an oxidized porous polycrystalline silicon layer and is constituted from a polycrystalline silicon grain 51, microcrystalline silicon 63, an oxidized silicon film 52 formed on the grain surface and oxidized silicon film 64 formed on the surface of the microcrystalline silicon 63, etc.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなり、多結晶シリコンのグレイン５１、シリコン微結晶６３、グレイン５１表面に形成された酸化シリコン膜５２、シリコン微結晶６３の表面に形成された酸化シリコン膜６４などにより構成される。 - 特許庁

The joint article includes a porous SiC article and a jointing layer of metal silicon, in which the thickness of an impregnated layer of the metal silicon impregnated in the porous SiC article is ≤50 μm.例文帳に追加

ＳｉＣ多孔体と金属シリコンの接合層とを含む接合体であって、ＳｉＣ多孔体に浸透した金属シリコンの浸透層の厚みが５０μｍ以下であることを特徴とする接合体。 - 特許庁

Further, the heat-insulating layer 2 and the heat generator 3 are made up of porous silicon layers having mutually different degrees of porosity, and the heat generator 3 is made up of porous silicon layers having a degree of porosity smaller than the heat-insulating layer 2.例文帳に追加

また、断熱層２および発熱体３は、互いに多孔度の異なる多孔質シリコン層により構成し、発熱体３は、断熱層２よりも多孔度の小さな多孔質シリコン層により構成している。 - 特許庁

The porous silicon layer 4 is located above the oxide film 2, so that the silicon layer 4 is not prevented by the oxide film 2 from gettering impurities from the silicon layer 1.例文帳に追加

多孔質シリコン層４は、酸化膜２の上方にあるため、シリコン層１からの不純物のゲッタリングが酸化膜２によって妨げられる事はない。 - 特許庁

A porous polycrystalline silicon layer 4 is formed, by forming a polycrystalline silicon layer 3 which is a lamellar semiconductor layer comprising polycrystalline silicon on a conductive layer 12 composing a part of a conductive substrate and then providing pores on a part of the polycrystalline silicon layer 3 by anodizing.例文帳に追加

導電性基板の一部を構成する導電性層１２上に多結晶シリコンからなる層状の半導体層たる多結晶シリコン層３を形成した後、陽極酸化処理にて多結晶シリコン層３の一部を多孔質化して多孔質多結晶シリコン層４を形成する。 - 特許庁

A porous layer 12 is made by anodizing a silicon substrate 11 to form a porous layer's pores sealing layer 13 (a porous layer 12 and a sealing layer 13 become a strain-induced porous layer) by deposition of silicon-germanium, introduction of a gas, solid, or liquid containing germanium, and spreading of germanium and sealing of pores.例文帳に追加

シリコン基板１１を陽極化成することによって多孔質層１２を作製し、シリコンゲルマニウムの堆積や、ゲルマニウムを含む気体、固体あるいは液体の導入，ゲルマニウムの拡散と孔封止にて多孔質層の孔封止層１３（孔多孔質層１２と封止層１３は歪み誘起多孔質層となる）を形成する。 - 特許庁

The joined article comprises an SiC porous article, a penetrating layer where metal silicon is penetrated in the SiC porous body and a joining layer consisting of a silicon alloy contacting with the penetrating layer, and has an aluminum content in the silicon alloy of 1-20 wt.%.例文帳に追加

ＳｉＣ多孔体と、該ＳｉＣ多孔体に金属シリコンが浸透した浸透層と、該浸透層に接したシリコン合金からなる接合層とを含む接合体であって、前記シリコン合金のアルミニウム含有量は１〜２０ｗｔ％であることを特徴とする接合体。 - 特許庁

The silicon particles are mixed in the first organic solvent by immersing the silicon wafer into the first organic solvent and removing the porous silicon layer from the silicon wafer by utilizing an ultrasonic wave.例文帳に追加

シリコン粒子は、第１の有機溶媒中にシリコンウエハを沈殿し、シリコンウエハからポーラスシリコン層を超音波によって除去することによって有機溶媒中に混合される。 - 特許庁

As for the strong electric field drift layer 6, the region almost overlapped with the rear face electrodes 4 is composed of a porous semiconductor layer 6a of an oxidized porous polycrystal silicon layer, and the rest of the region is composed of a semiconductor layer 6b of a polycrystal silicon layer.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、裏面電極４にほぼ重なる領域が酸化した多孔質多結晶シリコン層からなる多孔質半導体層６ａにより構成され、それ以外の領域が多結晶シリコン層からなる半導体層６ｂにより構成されている。 - 特許庁

A strong field drift layer 6' is formed by electrochemically oxidizing the porous polycrystalline silicon layer 4.例文帳に追加

その後、多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６’を形成する。 - 特許庁

After that, the porous polycrystal silicon layer 4 is electrochemically oxidized to form a strong field drift layer 6.例文帳に追加

その後、多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６を形成する。 - 特許庁