「"porous silicon layer"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To enable a porous silicon layer to be easily controlled in thickness and distribution of porosity or the like.例文帳に追加

多孔質シリコン層の厚さや多孔度等の分布の制御を容易にする。 - 特許庁

A porous silicon layer is formed by applying a positive electrode conversion treatment on the silicon substrate.例文帳に追加

前記シリコン基板に対し陽極化成処理を施すことによりポーラスシリコン層を形成する。 - 特許庁

A porous silicon layer 25 is formed at least partially in the vicinity of a surface of a semiconductor substrate 20, a single crystal layer 4a is further formed on the porous silicon layer 25.例文帳に追加

半導体基板２の表面近傍には、少なくとも部分的に多孔質シリコン層２５が形成されており、さらに、該多孔質シリコン層２５上には単結晶層４ａが形成されている。 - 特許庁

A porous silicon layer 60 is formed on the silicon substrate 20 by anode conversion, an epitaxial growth film 70 is grown on the porous silicon layer 60, and then the epitaxial growth film 70 is adhered to a glass substrate 90.例文帳に追加

シリコン基板２０の上に陽極化成でポーラスシリコン層６０を形成し、このポーラスシリコン層６０の上にエピタキシャル成長膜７０を成長させ、このエピタキシャル成長膜７０にガラス基板９０を貼り付ける。 - 特許庁

At this point, the oxide film 2 and the porous silicon layer 4 are not laminated directly, and a growth silicon layer 5 is interposed between them, by which the porous silicon layer 4 can be ensured of bonding strength to the oxide film 2.例文帳に追加

ここで、酸化膜２と多孔質シリコン層４との間は互いに直接貼り合わせられるのではなく、間に成長シリコン層５を介在させることとすれば、酸化膜２に対するボンディング力を確保することができる。 - 特許庁

An epitaxial film 4 is formed on the surface of porous silicon layer 3 through the epitaxial growth.例文帳に追加

そして、エピタキシャル成長を行い、多孔質シリコン層３の表面にエピタキシャル膜４を形成する。 - 特許庁

An impurity diffusion silicon layer 4 which includes phosphorous element (P) as impurity is formed along the wall face inside the hole 2 of the porous silicon layer 3.例文帳に追加

多孔質シリコン層３の孔２内の壁面に沿って、不純物となるリン元素（Ｐ）を含む不純物拡散シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

The insulation part 2 is constituted of a porous silicon layer formed by making one part of the base substrate 1 porous with anodic oxidation treatment.例文帳に追加

ここで、断熱部２は、ベース基板１の一部を陽極酸化処理により多孔質化することで形成された多孔質シリコン層により構成されている。 - 特許庁

A porous silicon layer 3, whose thickness is about 12 μm formed with a plurality of fine holes 2, is formed on a p-type monocrystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の単結晶のシリコン基板１に、微細な孔２が多数形成された厚さが約１２μｍの多孔質シリコン層３が形成されている。 - 特許庁

In a region where the depth from a surface of a porous silicon layer is 5-100nm, a parameter which expresses porous structure of porosity or the like is equalized.例文帳に追加

多孔質シリコン層の表面からの深さが５〜１００ｎｍの領域において、多孔度等の多孔質構造を表現するパラメータを均一化した。 - 特許庁

By manufacturing the SOI substrate by using the porous silicon layer like this, recessed defects in the SOI layer are reduced.例文帳に追加

このような多孔質シリコン層を利用してＳＯＩ基板を製造することにより、ＳＯＩ層の凹型欠陥を減少させる。 - 特許庁

The porous silicon layer is selectively etchedly removed, and the remainder silicon porous layer is made to serve as the gas diffusion filter.例文帳に追加

更にポーラスシリコン層を選択的にエッチング除去し、残されたポーラスシリコン層をガス拡散フィルタとする。 - 特許庁

To provide a pressure wave generating element capable of preventing reduction of output due to oxidization of a thermal insulating layer consisting of a porous silicon layer.例文帳に追加

多孔質シリコン層からなる断熱層の酸化による出力低下を防止することができる圧力波発生素子を提供する。 - 特許庁

The temperature detecting part 6 is formed in an area where the porous silicon layer 25 exists in an under part, out of the single crystal layer 4a.例文帳に追加

上記温度検知部６は、上記単結晶層４ａのうち、下部に上記多孔質シリコン層２５が存在している領域に形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a porous silicon layer of a silicon substrate using an anodization processing liquid which is easy to handle.例文帳に追加

取り扱いの簡易な陽極化成処理液を用いたシリコン基板の多孔質シリコン層の作製方法を提供すること。 - 特許庁

The porous silicon layer has at least two different porosities, and it is preferable that the porous silicon layer formed on the side of the silicon substrate is highly porous and that formed on the side of the silicon thin film is less porous.例文帳に追加

前記多孔質シリコン層が、少なくとも異なる２つの多孔度を有する多孔質シリコン層であり、前記シリコン基板側に形成された多孔質シリコン層が高多孔性であり、シリコン薄膜側が低多孔性であることが好ましい。 - 特許庁

A portion forming a gas flow passage 14 in an Si chip 11 for forming a cavity for a photoacoustic gas sensor is anodic-oxidized to form a porous silicon layer 13, and the porous silicon layer serves as the gas diffusion filter formed integrally inside the gas flow passage.例文帳に追加

光音響ガスセンサのキャビティを形成するＳiチップ１１におけるガス通流路１４の形成部位を陽極酸化してポーラスシリコン層１３を形成し、このポーラスシリコン層をガス通流路内に一体に形成したガス拡散フィルタとする。 - 特許庁

A silicon wafer 1 is made into anode, a porous silicon layer 2 is formed on the surface, an intermediate layer 3 containing diamond-like carbon is formed on the porous silicon layer 2 by vapor phase growth, and the diamond membrane is formed on the intermediate layer 3 by vapor phase growth.例文帳に追加

シリコンウェハー１を陽極化成し、表面に多孔質シリコン層２を形成し、多孔質シリコン層２の上にダイヤモンド状炭素を含む中間層３を気相成長により形成し、中間層３の上にダイヤモンド薄膜を気相成長により形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a process for forming a porous silicon layer 12 on an upper surface of a silicon substrate 11, and a process for supplying a mixed gas of hydrogen gas and hydrocarbon-based gas or a hydrocarbon-based gas, crystallizing and carbonizing the surface of the porous silicon layer 12, and forming a silicon carbide film 13.例文帳に追加

シリコン基板１１の上面に多孔質な多孔質シリコン層１２を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜１３を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

Thus, since the structure of the porous silicon layer to become the base is hardly changed even under the vapor phase growth environment of the diamond membrane of high temperature and low pressure, the diamond membrane can be formed while maintaining the high density nucleus formation state of the porous silicon layer 2, so that the semiconductor device provided with the diamond membrane with the smooth surface and satisfactory quality can be produced at high speed.例文帳に追加

これにより、高温低圧のダイヤモンド薄膜の気相成長環境下においても下地となる多孔質シリコン層の構造が変化しにくくなるので、多孔質シリコン層２の高密度な核生成状態を維持したままでダイヤモンド薄膜を形成できるので、表面が平滑で品質が良好なダイヤモンド薄膜含む半導体装置を高速作製することが可能となる。 - 特許庁

Thereafter, a solar battery element can be manufactured by removing the photoelectric converting part, consisting of the epitaxial film 4 from the single-crystal silicon substrate 5 at the separation layer 3A in the porous silicon layer 3.例文帳に追加

その後、多孔質シリコン層３内の剥離層３Ａにおいて、エピタキシャル膜４からなる光電変換部を単結晶シリコン基板５から剥離することにより、太陽電池素子を製造する。 - 特許庁

According to the method, a photodiode which can sense short wavelength light can be embodied only by means of a silicon semiconductor substrate having a porous silicon layer without using another compound semiconductor substrate which is proper for sensing of short wavelength light.例文帳に追加

本発明によると、短波長光の感知に適した別途の化合物半導体基板を用いずとも、多孔質シリコン層を備えたシリコン半導体基板だけで短波長光が感知できるフォトダイオードを具現することができる。 - 特許庁

Silicon particles are formed by immersing a silicon wafer into a third solution containing hydrofluoric acid (HF) and alcohols and then applying a voltage to the silicon wafer to form a porous silicon layer on the silicon wafer.例文帳に追加

シリコン粒子は、フッ化水素（ＨＦ）酸およびアルコール類を含む第３の溶液中に浸漬し、電圧を印加し、シリコンウエハ上にポーラスシリコン層を形成することによって形成される。 - 特許庁

The porous silicon layer 4 is located above the oxide film 2, so that the silicon layer 4 is not prevented by the oxide film 2 from gettering impurities from the silicon layer 1.例文帳に追加

多孔質シリコン層４は、酸化膜２の上方にあるため、シリコン層１からの不純物のゲッタリングが酸化膜２によって妨げられる事はない。 - 特許庁

When polycrystalline silicon 5 is grown on the porous silicon layer by epitaxial process, it is made to grow more rapidly than the growth of single-crystal silicon.例文帳に追加

多孔質シリコン層上にエピタキシャル工程で多結晶シリコンを成長させる場合、単結晶シリコンを成長させる時より速く成長される。 - 特許庁

To provide a method for forming micropores with high controllability in a porous silicon layer formed by an anode oxidation method that can increase the luminous efficiency and narrow the band of the emission wavelength.例文帳に追加

発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer is equipped with an oxide film 2 located over a silicon layer 3, where a porous silicon layer 4 is located above the oxide film 2 to function as a gettering layer.例文帳に追加

シリコン層３の上方に酸化膜２を有する半導体ウエハにおいて、上記酸化膜２の上方に、ゲッタリング層として機能する多孔質シリコン層４を有する。 - 特許庁

The silicon particles are mixed in the first organic solvent by immersing the silicon wafer into the first organic solvent and removing the porous silicon layer from the silicon wafer by utilizing an ultrasonic wave.例文帳に追加

シリコン粒子は、第１の有機溶媒中にシリコンウエハを沈殿し、シリコンウエハからポーラスシリコン層を超音波によって除去することによって有機溶媒中に混合される。 - 特許庁

A silicon layer or porous silicon layer 23b is formed below the channel area and it electrically and partially brings it into contact with the lower silicon substrate 1 and the upper silicon patter 2a.例文帳に追加

また、チャンネル領域の下部にはシリコン層または多孔性シリコン層２３ｂが形成されて下部シリコン基板２１及び上部シリコンパターン２５ａを電気的に部分コンタクトする。 - 特許庁

The bottom surface of the source region 3a and drain region 4a is close to the upper surface of the porous silicon layer 2 above the upper surface of it.例文帳に追加

ソース領域３ａ及びドレイン領域４ａの底面は、ポーラスシリコン層２の上面に近接してポーラスシリコン層２の上面よりも上方に位置している。 - 特許庁

As a result, a void layer 8 occurring at the pn-junction between the silicon region 1 and the bottom surface of the source region 3a and drain region 4a extends into the porous silicon layer 2.例文帳に追加

その結果、シリコン領域１とソース領域３ａ及びドレイン領域４ａの底面とのｐｎ接合部分に生じる空乏層８は、ポーラスシリコン層２内に達している。 - 特許庁

A single-crystal silicon substrate is used as the semiconductor substrate 1, and the heating element part 2 is composed of a porous silicon layer of porosity of 40-70%.例文帳に追加

半導体基板１として単結晶のシリコン基板を用いており、発熱体部２は、多孔度が４０％〜７０％程度の多孔質シリコン層により構成されている。 - 特許庁

Then, the porous silicon layer 60 is splitted and removed to obtain a single crystal thin-film silicon layer due to the epitaxial growth film 70 on the glass substrate 90.例文帳に追加

この後、ポーラスシリコン層６０を分断して除去し、ガラス基板９０の上にエピタキシャル成長膜７０による単結晶薄膜シリコン層を得る。 - 特許庁

To provide a porous silicon substrate, having a porous silicon layer whose light-emitting efficiency is high and whose light emission intensity is large, and to provide a light-emitting element using the porous silicon substrate and a method for manufacturing the porous silicon substrate.例文帳に追加

多孔質シリコン層を有するシリコン基板であって、発光効率が高く、発光強度が大きい多孔性シリコン基板及びそれを用いた発光素子並びに多孔性シリコン基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a P+-type or N+-type wafer which are subjected to high density doping is prepared, the surface is subjected to anodic reaction, thereby simply obtaining a thick porous silicon layer.例文帳に追加

高濃度ドーピングされたp^+型またはn^+型ウェーハを用意した後、その表面を陽極反応させることにより簡単に厚い多孔質シリコン層が得られる。 - 特許庁

A three-layer structure wherein a porous silicon layer is used as a high-resistance layer and is made to work as a gettering layer is comprised of a silicon thin-film, porous silicon and a silicon substrate, and it is used as a false SOI substrate.例文帳に追加

多孔質シリコン層を、高抵抗層とみなし、更にはゲッタリング層として機能させたシリコン薄膜／多孔質シリコン／シリコン基板からなる３層構造体を、擬似的なＳＯＩ基板として利用する。 - 特許庁

An electroplating is applied on the silicon substrate using a plating bath dispersed with carbon nanotubes, and a part of carbon nanotubes are penetrated into the micropores of the porous silicon layer and are thrusted on it, thereby they are fixed in almost perpendicularly on the silicon substrate.例文帳に追加

前記シリコン基板にカーボンナノチューブを分散させたメッキ浴を用いて電気メッキを施すことにより、カーボンナノチューブの一部を前記ポーラスシリコン層の微細孔に貫入させて突き立て、前記シリコン基板にほぼ垂直に配向させて固定した。 - 特許庁

Furthermore, since the porous silicon layer is formed only by chemical treatment by stain etching, a semiconductor element forming the integrated circuit is not electrically affected when it is embodied on the silicon substrate together with an integrated circuit for signal processing.例文帳に追加

また、本発明に用いる多孔質シリコン層はステインエッチングによる化学的処理のみで形成されるので、信号処理用の集積回路と共にシリコン基板上に具現される際、該集積回路を成す半導体素子に電気的な影響を与えずに済むことができる。 - 特許庁

A porous silicon layer 102 is formed on a silicon substrate 101, and respective layers being constitutional elements of an inkjet recording head are formed thereon, and after a delivering opening 109 is formed, a silicon substrate 101 is cut off, and thereafter, an ink feeding opening is formed.例文帳に追加

シリコン基体１０１にポーラスシリコン層１０２を形成し、その上にインクジェット記録ヘッドの構成要素となる各層を形成し、吐出口１０９を形成した後にシリコン基体１０１を切り離し、その後にインク供給口を形成する。 - 特許庁

In this chemical reaction chip, an island 20 comprising one or more of single crystal or polycrystal surrounded with a porous silicon layer 10 is provided to integrate constructingly the isolated chemical reaction systems on the island 20, together with a temperature sensor element 50 and a heater 60, and temperatures thereof are controlled with the excellent independency.例文帳に追加

多孔質シリコン層１０に囲まれた１個以上の単結晶または多結晶からなるアイランド２０を有し、該温度センサー素子５０とヒータ６０と伴に、アイランド２０上に孤立化学反応系を構築して集積化し、独立性良く温度制御を行う化学反応チップ。 - 特許庁

Therefore, a p-n junction is formed along the hole 2 of the porous silicon layer 3 so that since the area of the p-n junction per unit area in the silicon substrate 1 can be substantially increased, a highly efficient light-emitting element is realized.例文帳に追加

従って、多孔質シリコン層３の孔２に沿ってｐｎ接合が形成されているので、シリコン基板１における単位面積当たりのｐｎ接合の面積を実質的に大きくすることができるので、高効率の発光素子を実現することができる。 - 特許庁

The photoelectrically converting device is configured to include a p-type monocrystal silicon layer 100, an n-type semiconductor layer 120, a porous silicon layer 110 which is formed between the p-type monocrystal silicon layer 100 and the n-type semiconductor layer 120, and contains a plurality of quantum dots 112 in a hole 111.例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、ｐ型単結晶シリコン層１００と、ｎ型半導体層１２０と、ｐ型単結晶シリコン層１００とｎ型半導体層１２０との間に形成された、孔１１１に複数の量子ドット１１２を含有する多孔質シリコン層１１０と、を備える構成としている。 - 特許庁

A first conductivity silicon region 1, a porous silicon layer 2 formed as an embedded layer inside the silicon region 1, and second conductivity source region 3a and drain region 4a which are different from the first conductivity and formed selectively in the upper surface of the silicon region 1, are provided.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型のシリコン領域１と、シリコン領域１の内部に埋め込み層として形成されたポーラスシリコン層２と、シリコン領域１の上面内に選択的に形成された、上記第１導電型とは異なる第２導電型のソース領域３ａ及びドレイン領域４ａとを備えている。 - 特許庁

The method comprises a step for preparing a silicon substrate, a step for forming a first conductivity type impurity region in a first region of the silicon substrate, a step for forming a second conductivity type impurity region in a second region which is separated from the first region of the silicon substrate and a step for forming a porous silicon layer by chemically etching the surface of the second conductivity type impurity region.例文帳に追加

本発明のフォトダイオードの製造方法は、シリコン基板を用意する段階と、前記シリコン基板の第１領域に第１導電型不純物領域を形成する段階と、前記シリコン基板の前記第１領域と離隔した第２領域に第２導電型不純物領域を形成する段階と、前記第２導電型不純物領域の表面を化学的エッチング処理して多孔質シリコン層を形成する段階を含む。 - 特許庁