「porous silicon layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for manufacturing the three-dimensional hollow structure comprises at least a step of partially forming a porous area in a silicon substrate, a step of forming a silicon layer on the substrate forming the porous area and of partially forming the porous area in the silicon layer, and a step of forming a hollow area by removing the porous area by etching.例文帳に追加

シリコン基体中に部分的に多孔質領域を形成する工程、前記多孔質領域を形成した基体上にシリコン層を形成し、前記シリコン層中に部分的に多孔質領域を形成する工程、及び前記多孔質領域をエッチング除去して中空領域を形成する工程を少なくとも有する。 - 特許庁

In the device, a polycrystalline silicon layer 3 is laminated after the bottom side electrode 8 that is a sectional trapezoid is formed on one surface of an insulating substrate 11, a porous polycrystalline silicon layer is formed by making a part on the bottom side electrode 8 porous by an anodizing process and a drift part 6a of a high field drift layer 6 is formed by oxidizing the porous polycrystalline silicon layer.例文帳に追加

絶縁性基板１１の一表面上に断面台形状の下部電極８を形成した後、多結晶シリコン層３を堆積し、陽極酸化処理にて下部電極８上の部位を多孔質化して多孔質多結晶シリコン層を形成し、多孔質多結晶シリコン層を酸化することで強電界ドリフト層６のドリフト部６ａを形成する。 - 特許庁

The porous silicon carbide-based formed body whose pores are controlled is manufactured by forming a layer comprising SiCO on the surface of the silicon carbide-based porous formed body.例文帳に追加

炭化珪素系多孔質成形体の表面にＳｉＣＯからなる層を形成することにより、細孔を制御した炭化珪素系多孔質成形体を製造する。 - 特許庁

The molding die is provided with a container main body 10 made of a heat-resistant member and a mold release material layer 20 applied to the inside surface of the container main body 10 and made from porous silicon nitride or porous silicon oxynitride.例文帳に追加

耐熱部材からなる容器本体１０と、容器本体１０の内面に被覆され、多孔質窒化シリコンまたは多孔質酸窒化シリコンで構成された離型材層２０と、を備える。 - 特許庁

A crystal silicon thin film semiconductor device is characterized by the fact that a first polycrystalline silicon layer 3, which is, at least, partially turned porous, is provided on a substrate 1, and a PN junction is formed in the first polycrystalline silicon layer 3 or between a second polycrystalline silicon layer 4B which is provided coming into contact with the first polycrystalline silicon layer 3 and a third polycrystalline silicon layer 5.例文帳に追加

基板１の上に、少なくとも一部が多孔質化された第１の多結晶シリコン層３を有するとともに、前記第１の多結晶シリコン層３の中で、または前記多結晶シリコン層３に接して設けられた第２の多結晶シリコン層４Ｂおよび第３の多結晶シリコン層５の間に、ＰＮ接合が形成されていることを特徴とする結晶シリコン薄膜半導体装置を提供する。 - 特許庁

To realize a method in which epitaxial growth of a crystal Si layer which completely covers a porous Si layer is made on the porous silicon(Si) layer without abnormal growth.例文帳に追加

多孔質シリコン（Ｓｉ）層上に、異常成長をさせることなく、多孔質Ｓｉ層を覆い尽くす結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる方法を提供する。 - 特許庁

The strong field drift part 6 is formed by forming a porous layer in the amorphous silicon layer, deposited on the conductive substrate 1 by the plasma CVD method, and by oxidizing the porous amorphous silicone layer with acid.例文帳に追加

強電界ドリフト部６は、導電性基板１上にプラズマＣＶＤ法により堆積したアモルファスシリコン層を多孔質化し、多孔質アモルファスシリコン層を酸により酸化することによって形成している。 - 特許庁

A semiconductor wafer is equipped with an oxide film 2 located over a silicon layer 3, where a porous silicon layer 4 is located above the oxide film 2 to function as a gettering layer.例文帳に追加

シリコン層３の上方に酸化膜２を有する半導体ウエハにおいて、上記酸化膜２の上方に、ゲッタリング層として機能する多孔質シリコン層４を有する。 - 特許庁

The intense-field drift layer 6 is formed after the porous polycrystalline silicon layer 4 made by subjecting a polycrystalline silicon layer 3 to anode-oxidation is oxidized, by subjecting it to hydrogen-anneal treatment.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、多結晶シリコン層３に陽極酸化処理を施すことにより形成された多孔質多結晶シリコン層４を酸化した後、水素アニール処理を行うことにより形成されている。 - 特許庁

The drift layer 6 is obtained by oxidizing the porous polycrystalline silicon layer 4 formed by oxidizing the polycrystalline silicon layer 3 with the anode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、多結晶シリコン層３に陽極酸化処理を施すことにより多孔質多結晶シリコン層４を形成した後、該多孔質多結晶シリコン層４を酸化することで形成される。 - 特許庁

On the main surface of a conductive n-type silicon substrate 1, an intense-field drift layer 6 consisting of an oxidized porous polycrystalline silicon layer id formed, and a surface electrode 7 is arranged on the intense-field drift layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化された多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

Then, after a rinse process removing residual electrolyte solution on the porous crystalline silicon layer 4, a drying process using freeze-drying is execute and then, a high electric field drift layer 6 is formed by oxidizing the porous polycrystalline silicon layer 4.例文帳に追加

その後、多孔質多結晶シリコン層４に残留している電解液を除去するリンス工程を行った後に、凍結乾燥を利用した乾燥工程を行い、その後、多孔質多結晶シリコン層４を酸化して強電界ドリフト層６を形成する。 - 特許庁

Then, after a rinse process removing residual electrolyte solution on the porous crystalline silicon layer 4 by using deionized water, water soluble (hydrophilic) organic solvent and water non-soluble organic solvent, a high electric field drift layer 6 is formed by oxidizing the porous polycrystalline silicon layer 4.例文帳に追加

その後、純水、水溶性（親水性）の有機溶媒、非水溶性の有機溶媒を用いて多孔質多結晶シリコン層４に残留している電解液を除去するリンス工程を行った後に、多孔質多結晶シリコン層４を酸化して強電界ドリフト層６を形成する。 - 特許庁

The nitride-semiconductor forming substrate has a substrate in which silicon layers having different porous structures are combined, and a silicon epitaxial film layer prepared on the substrate, on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 - 特許庁

When polycrystalline silicon 5 is grown on the porous silicon layer by epitaxial process, it is made to grow more rapidly than the growth of single-crystal silicon.例文帳に追加

多孔質シリコン層上にエピタキシャル工程で多結晶シリコンを成長させる場合、単結晶シリコンを成長させる時より速く成長される。 - 特許庁

The member 21 for retaining the plating solution is comprised of a sheet P1 of porous silicon carbide, and silicon carbide particles 23 in the outer layer part are coated with a substance having better wettability with water than silicon carbide.例文帳に追加

めっき液保持部材２１は多孔質炭化珪素板Ｐ１からなり、その表層部分における炭化珪素粒子２３は炭化珪素よりも水に対する濡れ性のよい物質により被覆されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises forming a porous layer 2 on the surface of a silicon substrate 1 being a base substrate, then forming a silicon carbide seed crystal 3 on the surface of the porous layer 2 by impressing a voltage to the silicon substrate 1 in a plasma atmosphere of a gas containing carbon, and epitaxially growing a crystal layer of silicon carbide by using the seed crystal 3 as a starting point.例文帳に追加

母材基板としてのシリコン基板１の表面に多孔質層２を形成し、炭素を含むガスのプラズマ雰囲気中でシリコン基板１に電圧を印加して多孔質層２の表面にシリコンカーバイドの種結晶３を形成し、その種結晶３を起点にシリコンカーバイドの結晶層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A porous layer is formed on a single-crystal semiconductor substrate made of (100) plane direction single-crystal silicon, and the heat treatment of the porous layer is carried out in a, for example, hydrogen atmosphere.例文帳に追加

（１００）面方位の単結晶シリコンからなる単結晶半導体基板に多孔質層を形成し、この多孔質層を例えば水素雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a rapid thermally oxidized porous polysilicon layer 6 is formed on the surface side of an n-type silicon board 1 as a conductive board, and a gold thin film 7 of a metallic thin film is formed on the quick thermally oxidized porous polysilicon layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６を形成し、急速熱酸化した多孔質ポリシリコン層６上に金属薄膜たる金薄膜７を形成する。 - 特許庁

An epitaxial film 4 is formed on the surface of porous silicon layer 3 through the epitaxial growth.例文帳に追加

そして、エピタキシャル成長を行い、多孔質シリコン層３の表面にエピタキシャル膜４を形成する。 - 特許庁

Thereby, the porous silicon region is selectively oxidized into an insulating isolation layer (SiO2) 16a for isolating between elements.例文帳に追加

これにより多孔質シリコン領域は、選択的に酸化され、素子間を分離するための絶縁分離層（ＳｉＯ_2 ）１６ａとなる。 - 特許庁

The semiconductor layer 14 may be made of silicon or polysilicon and a part or a whole of it may be made porous.例文帳に追加

ここで、前記半導体層は、シリコンまたはポリシリコンからなり、その一部または全部を多孔質とすることができる。 - 特許庁

The nano-porous silicon oxide based film may also be used as an intermetal dielectric layer for manufacturing dual damascene structure.例文帳に追加

ナノ多孔質酸化シリコン系膜は、デュアルダマシン構造を製造するための金属間誘電層として用いられてもよい。 - 特許庁

Then, after the plate is crimped to the conductive layer of the substrate, PN junction is formed at silicon for forming the porous body.例文帳に追加

そしてプレートを基板の導電層に圧着した後、多孔体をなすシリコンにＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

A crystal silicon substrate is anodized to form a porous layer 102, on which a thin-film crystal is grown by an epitaxial growing method.例文帳に追加

結晶シリコン基板を陽極化成して多孔質層を形成し、この多孔質層上にエピタキシャル成長法により薄膜結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a bonding substrate having an insulation layer in a part of a substrate using a porous silicon technique.例文帳に追加

ポーラスシリコン技術を用いて、基板の一部に絶縁層を有する貼り合わせ基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The electron source element 10a is structured with an n-type silicon substrate 1, a semiconductor layer 3 consisting of a polycrystalline silicon layer formed on the main surface of the n-type silicon substrate, a high-field drift layer consisting of an oxidized porous polycrystalline silicon layer formed on the semiconductor layer 3, and a surface electrode 7 formed on the high-field drift layer 6.例文帳に追加

電子源素子１０ａは、ｎ形シリコン基板１と、ｎ形シリコン基板１の主表面上に形成されたノンドープの多結晶シリコン層よりなる半導体層３と、半導体層３上に形成された酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６上に形成された表面電極７とで構成されている。 - 特許庁

A portion forming a gas flow passage 14 in an Si chip 11 for forming a cavity for a photoacoustic gas sensor is anodic-oxidized to form a porous silicon layer 13, and the porous silicon layer serves as the gas diffusion filter formed integrally inside the gas flow passage.例文帳に追加

光音響ガスセンサのキャビティを形成するＳiチップ１１におけるガス通流路１４の形成部位を陽極酸化してポーラスシリコン層１３を形成し、このポーラスシリコン層をガス通流路内に一体に形成したガス拡散フィルタとする。 - 特許庁

A two-layer structure comprising a sub-micron or micron-sized columnar porous layer and a nano-sized silicon particle layer is arranged on a surface of a silicon single crystal substrate by carrying out electrolytic oxidation for anodizing the silicon single crystal substrate in a hydrofluoric acid-based electrolyte having a predetermined concentration.例文帳に追加

サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 - 特許庁

The present invention relates to a device having a substrate including a silicon substrate having a porous top layer, a second layer on the top layer formed of a Ge material, and the other layer on the second layer formed of a group-III nitride material.例文帳に追加

本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、 上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、 上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。 - 特許庁

The present invention relates to a device comprising: a substrate including a silicon substrate having a porous top layer; a second layer formed of Ge material on the top layer; and the other layer formed of group-III nitride material on the second layer.例文帳に追加

本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、 上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、 上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。 - 特許庁

Thereafter, a solar battery element can be manufactured by removing the photoelectric converting part, consisting of the epitaxial film 4 from the single-crystal silicon substrate 5 at the separation layer 3A in the porous silicon layer 3.例文帳に追加

その後、多孔質シリコン層３内の剥離層３Ａにおいて、エピタキシャル膜４からなる光電変換部を単結晶シリコン基板５から剥離することにより、太陽電池素子を製造する。 - 特許庁

A strong electric field drift layer 6 is formed by an oxidizing processing of electrochemically oxidizing a porous polycrystalline silicon layer 4 formed on an n type silicon substrate 1 in an electrolyte.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多孔質多結晶シリコン層４を、電解液中にて電気化学的に酸化する酸化工程により形成されている。 - 特許庁

The strong field drift layer 6 is formed by oxidizing a poly-silicon layer formed on the n-type silicon substrate 1 by a rapid thermal oxidizing method after making it porous by an anode oxidization.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成されたポリシリコン層を陽極酸化処理により多孔質化した後、急速熱酸化法によって酸化することによって形成されている。 - 特許庁

As a result, a void layer 8 occurring at the pn-junction between the silicon region 1 and the bottom surface of the source region 3a and drain region 4a extends into the porous silicon layer 2.例文帳に追加

その結果、シリコン領域１とソース領域３ａ及びドレイン領域４ａの底面とのｐｎ接合部分に生じる空乏層８は、ポーラスシリコン層２内に達している。 - 特許庁

Then, the porous silicon layer 60 is splitted and removed to obtain a single crystal thin-film silicon layer due to the epitaxial growth film 70 on the glass substrate 90.例文帳に追加

この後、ポーラスシリコン層６０を分断して除去し、ガラス基板９０の上にエピタキシャル成長膜７０による単結晶薄膜シリコン層を得る。 - 特許庁

A strong electric field drift layer 6 made of an oxidized porous polycrystalline silicon layer is deposited on the main surface of a conductive n-type silicon substrate 1, having a surface electrode 7 formed thereon.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化された多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

A strong electric field drift layer 6 made of an oxidized porous polycrystalline silicon layer is deposited on the main surface of a conductive n-type silicon substrate 1, having a surface electrode 7 formed thereon.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

Then, a porous layer 21, a thin film 12 and a reinforcing layer 11 made of, for example, silicon oxide are formed on a supporting substrate 20 constituted of a silicon wafer.例文帳に追加

一方で、シリコンウェハからなる支持基板２０上に、多孔質層２１、膜膜１２、および例えば酸化シリコンからなる補強層１１を形成しておく。 - 特許庁

A heat insulation layer 2 having heat conductivity smaller than that of a supporting substrate is formed by turning silicon into porous state from one side surface of the supporting substrate made of silicon, and non-porous silicon serving as a heating element layer 3 remains at the other side face of the supporting substrate, and a pair of pads 4 are formed on the surface of the heating element layer 3.例文帳に追加

シリコンからなる支持基板の一方の表面からシリコンを多孔質化することにより支持基板よりも熱伝導率の小さな断熱層２を形成するとともに、前記支持基板の他方の表面には多孔質化されていないシリコンが発熱体層３として存在し、該発熱体層３の表面に一対のパッド４が形成されてなる。 - 特許庁

The field emission type electron source 10 comprises a lower electrode 2 formed on one surface side of a substrate, a non-doped polycrystalline silicon layer 3 formed on the lower electrode 2 as a semiconductor layer, a strong electric field drift layer 6 composed of oxidized porous silicon polycrystalline layer formed on the polycrystalline silicon layer 3 as an electron passing layer, and a surface electrode 7 formed on the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、基板１の一表面側に下部電極２が形成され、下部電極２上に半導体層としてノンドープの多結晶シリコン層３が形成され、多結晶シリコン層３上に電子通過層として、酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

The density of the porous silicon nitride to constitute the internal part 2 is smaller than the density of the dense silicon nitride to constitute the facial layer 1, and the density of the whole rolling element is equal to or less than 90% of the density of the dense silicon nitride to constitute the facial layer 1.例文帳に追加

そして、表層部１を構成する緻密な窒化ケイ素の密度よりも、内部２を構成する多孔質窒化ケイ素の密度の方が小さく、転動体全体としての密度は表層部１を構成する緻密な窒化ケイ素の密度の９０％以下となっている。 - 特許庁

An electrode body 2 is integrally fixed with a porous structure 1 via a silicon carbide layer 3 formed on an interface between the electrode body 2 and the porous structure 1 by using the electrode body 2 being carbonaceous such as graphite.例文帳に追加

黒鉛など炭素質の電極体２を用い、電極体２と多孔質構造体１との界面に形成された炭化ケイ素層３を介して、電極体２を多孔質構造体１と一体に固着した。 - 特許庁

In the semiconductor wafer 1, with which a compound crystal layer 4 is formed on the silicon crystal wafer 2, and the manufacturing method therefor, an SiGe crystal layer 3 is formed on the surface of the silicon crystal wafer 2, the surface side of the SiGe crystal layer 3 is made porous, and the compound crystal layer 4 is formed on the surface of the porous SiGe crystal layer.例文帳に追加

シリコン結晶基板２上に化合物結晶層４を形成した半導体基板１であって、前記シリコン結晶基板２の表面上にＳｉＧｅ結晶層３が形成され、該ＳｉＧｅ結晶層３の表面側が多孔質化しており、該多孔質ＳｉＧｅ結晶層の表面に化合物結晶層４が形成されてなるものであることを特徴とする半導体基板１及びその製造方法。 - 特許庁

The drift layer 6 has an oxide layer of a dense SiO2 structure or a structure near to it obtained by heat-treating the porous polycrystalline silicon layer 4 formed by oxidizing the polycrystalline silicon layer 3 with the anode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、多結晶シリコン層３に陽極酸化処理を施すことにより形成された多孔質多結晶シリコン層４に熱処理を行った後、酸化されており、水素の混入が少なく緻密なＳｉＯ_2の構造若しくはＳｉＯ_2の構造に近い酸化膜を有する。 - 特許庁