「reflected ion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The ion is driven to move axially from the selected end toward the other end and to be reflected back toward the selected end.例文帳に追加

イオンは、駆動されて、選択端部から他方の端部に向かって軸方向に移動し、そして、選択端部に向かって逆反射される。 - 特許庁

The ion beam 28 is reflected between a thin film 26 being an alignment layer on the substrate and the reflective surface 34 of the mask 20, and the alignment layer is formed by the ion beam with which the thin film 26 is finally irradiated.例文帳に追加

配向層となる基板上の薄膜２６とマスク２０の反射面３４との間でイオンビーム２８を反射させ、最終的に薄膜２６に照射されたイオンビームにより配向層を形成する。 - 特許庁

The operating sound of the ion generating device generating from the ion generating surface is reflected on an inner wall of the duct 9 toward downstream side of the air conditioned wind to enable to reduce leakage of the operating sound from the blow-off port.例文帳に追加

これによりイオン発生面から発生するイオン発生装置２０の作動音はダクト９の内壁に反射しながら空調風の上流側に向かい、吹出口からの作動音の漏れを低減することができる。 - 特許庁

This enables not only the introduction of the ion reflected duet to the quadrupole field caused by the ring electrode 2 but retaining of the ion inside the internal space 1a by decelerating the ion which is suddenly accelerated and emitted from the opening 6 after it is incident to the internal space 1a.例文帳に追加

これにより、リング電極２による四重極電場のために反射されるイオンを引き込むことができると共に、内部空間１ａに入射したあと急加速されてそのまま開口６から排出されてしまうイオンを減速して内部空間１ａに留めることができる。 - 特許庁

Since the ultraviolet light 7 irradiated into the ion trap 9 is diffused and reflected to a direction different from its indicent direction by a convex mirror 27, the ultraviolet light which is passed through the ion trap 9 once can be reused.例文帳に追加

また、凸面鏡２７により、イオントラップ９中に照射された真空紫外光７が入射方向と異なった方向に拡散反射されるので、イオントラップ７中を１回通過した真空紫外光を再度利用することができる。 - 特許庁

Metastable parent ions which spontaneously fragment by Post Source Decay whilst passing through the field free or drift region 5 are arranged to enter the ion mirror 7, and reflected by the reflectron towards an ion detector 8 when the reflectron is maintained at a certain voltage.例文帳に追加

ポストソース分解により自然に分解し、フィールドフリー又はドリフト領域５を通り抜ける準安定親イオンは、イオンミラー７に入るよう準備され、リフレクトロンがある一定の電圧で保たれているとき、リフレクトロンでイオン検出器８に向かって反射される。 - 特許庁

Since the end face 14a of the shutter 14 has an inclination surface having an inclination angle larger than a diffusion angle of ion beams, reflected ions and recoil particles on the shutter end face 14a can be reduced.例文帳に追加

シャッタ１４の端面１４ａをイオンビームの拡散角度よりも大きい傾斜角度を有する傾斜面とすることで、シャッタ端面１４ａでの反射イオンや反跳粒子を少なくできる。 - 特許庁

High frequency electricity generated from a high frequency power source 7 is supplied to a switching circuit 4 to form an ion sheath on the front surface of the wall without being reflected by an impedance matching device 6 and a capacitor 5.例文帳に追加

壁前面にイオン・シースを形成するために、高周波電源７から生成された高周波電力は、インピーダンス整合器６及びコンデンサ５によって高周波電源７に反射することなく、スイッチング回路４に供給される。 - 特許庁

Exciting light is made incident on the optical fiber grating 13, and the reflected wavelength of the optical fiber grating is changed by changing the effective refractive index of the optical fiber through a temperature rise caused in the non-radiative relaxation process of a rare earth ion.例文帳に追加

光ファイバグレーティング１３に励起光を入射し、希土類イオンの非放射緩和過程で生じる温度上昇によって光ファイバの実効屈折率を変化させ、光ファイバグレーティングの反射波長を変化させる。 - 特許庁

A single laser beam, emitted from argon ion laser 6, is adjusted in a plane of polarization, and the irradiation light 1 condensed by a condensing lens 10 is allowed to be incident on the surface of the sample 3 at an incident angle which minimizes reflected light and generating only scattered light.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ１０で集光させた照射光１を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料３表面に照射させる。 - 特許庁

To provide a surface shape processing method and a surface shape processing device of a multilayer film which corrects a phase of a reflected wave surface with precision of subnanometer and in which shortening of processing time is attained in milling of the multilayer film utilizing ion beams.例文帳に追加

イオンビームを利用した多層膜のミリングにおいて、サブナノメートル精度で反射波面の位相を補正するとともに加工時間の短縮を実現した多層膜の表面形状加工方法及び表面形状加工装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The microstructure regarding a junction part of a tunnel magneto-resistance film 12 is formed by a lithography process using focused ion beam(FIB) drawing to prevent the problems of deterioration in shape caused by reflected electrons and electrostatic breakdown due to charging-up.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗膜１２の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

The ion injection device injecting impure ions into a silicon wafer 2 has a platen 1 supporting the wafer 2, a goniometer moving the platen 1, an X-ray irradiation mechanism 3 irradiating X-rays to the wafer 2 supported by the platen 1, and a scintillation counter 6 detecting a reflected X-ray 5 which is an X-ray 4 irradiated from the mechanism 3 and reflected from the wafer 2.例文帳に追加

本発明に係るイオン注入装置は、シリコンウェーハ２に不純物イオンを注入する装置において、前記ウェーハ２を保持するプラテン１と、プラテン１を動かすゴニオメータと、プラテン１に保持された前記ウェーハ２にＸ線を照射するＸ線照射機構３と、機構３によって照射されたＸ線４が前記ウェーハ２で反射する反射Ｘ線５を検出するシンチュレーションカウンター６と、を具備する。 - 特許庁

At simulation, based on a manufacturing process for an MOS transistor, a virtual ion-implantation process is added to a process simulation, so that an inversion short-channel effect and enhanced short-channel effect with an actual MOS transistor is reflected on a simulation result.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳトランジスタの製造工程に基づきシミュレーションを行うにあたり、仮想のイオン注入工程をプロセスシミュレーションで追加し、実際のＭＯＳトランジスタにおける逆短チャネル効果やエンハンスト短チャネル効果をシミュレーション結果に反映させるシミュレーション方法である。 - 特許庁

A single laser beam emitted from an argon ion laser 6 passes successively through an extinction filter 8, a 1/2 wave plate 9, a scanning X-Y scanner 7 and a condensing lens 10, and then becomes irradiation light 1 having an adjusted plane of polarization, and enters the silicon wafer sample 3 surface at an incident angle by which reflected light is suppressed minimally and only scattered light is generated effectively.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出された単一レーザー光は、順次減光フィルター８、１／２波長板９、走査用Ｘ−Ｙスキャナー７、集光レンズ１０を経た後、偏光面調整された照射光１となり、シリコンウェーハ試料３表面に対して、反射光を最小限に抑え、散乱光をのみを効果的に発生させる入射角度で入射される。 - 特許庁