「resist development」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

RESIST-DEVELOPING METHOD AND RESIST DEVELOPMENT APPARATUS例文帳に追加

レジスト現像方法及びレジスト現像装置 - 特許庁

RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT例文帳に追加

レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物 - 特許庁

METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT例文帳に追加

レジストパターン形成方法、及びネガ型現像用レジスト組成物 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加

ネガ型現像用レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR SUPERCRITICAL DEVELOPMENT PROCESS例文帳に追加

超臨界現像プロセス用レジスト組成物 - 特許庁

RESIST DEVELOPMENT METHOD AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

レジスト現像方法及びレジスト現像装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR RESIST DEVELOPMENT例文帳に追加

レジスト現像方法およびレジスト現像装置 - 特許庁

METHOD OF DEVELOPMENT OF RESIST AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

LIQUID SUPPLY DEVICE AND RESIST DEVELOPMENT APPARATUS例文帳に追加

液体供給装置およびレジスト現像装置 - 特許庁

The exposed resist is removed by development.例文帳に追加

現像により、露光されたレジストを除去する。 - 特許庁

METHOD FOR DUMMY DISPENSE IN RESIST APPLICATION AND DEVELOPMENT APPARATUS例文帳に追加

レジスト塗布現像装置のダミーディスペンス方法 - 特許庁

The first resist layer 31 is again exposed and the development of the second resist layer 32 and the development of the first resist layer 31 are executed.例文帳に追加

次に、第１のレジスト層３１を再度露光し、第２のレジスト層３２の現像と、第１のレジスト層３１の現像を行う。 - 特許庁

To stabilize resist application, exposure, and development processes by shortening the wafer processing time in a resist application unit or a resist development unit.例文帳に追加

レジスト塗布ユニット内あるいは現像ユニット内におけるウェハ処理時間を短縮化し、レジスト塗布・露光・現像プロセスの安定化を図る。 - 特許庁

RESIST PATTERN FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND RESIST COATING DEVELOPMENT APPARATUS例文帳に追加

レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法、レジスト塗布現像装置 - 特許庁

A resist pattern is formed by performing exposure and development using a mask for the resist.例文帳に追加

レジストにマスクを用いて露光および現像を行うことにより、レジストパターンを生成する。 - 特許庁

To evaluate the developing characteristics of a resist by measuring the dissolving speed of the resist at a high speed in the development.例文帳に追加

現像時のレジストの溶解速度を高速測定して、レジストの現像特性を評価する。 - 特許庁

Thereafter, the resist film 4 is subjected to development and the resist pattern is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜４に現像処理を行ってレジストパターンを形成する。 - 特許庁

Then, the exposure and development of the photo-resist is carried out so that a resist pattern can be formed.例文帳に追加

その後、フォトレジストの露光、現像を行い、レジストパターンを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING DEVELOPMENT, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND SYSTEM FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加

現像処理の評価方法、レジストパタ−ン形成方法及びレジストパタ−ン形成システム - 特許庁

A resist pattern is formed by carrying out a development treatment for the exposed resist layer (S103).例文帳に追加

露光処理されたレジスト層の現像処理を行い、レジストパターンを形成する（Ｓ１０３）。 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT, PATTERING METHOD USING THE SAME, RESIST FILM, AND PATTERN例文帳に追加

ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン - 特許庁

In this resist development method for forming the fine pattern of a resist film on a substrate, a resist film is formed with chemical amplification system resist, and an alternating electric field is applied to a resist film on the substrate after an exposure process to expose the resist film and before the resist development process.例文帳に追加

基板上にレジスト膜の微細パタンを形成するレジスト現像方法において、レジスト膜を化学増幅系レジストで形成するとともに、レジスト膜を露光する露光工程の後で、かつ、レジスト現像工程の前に、基板上のレジスト膜に交番電界を印加する。 - 特許庁

To provide a resist development method and a resist development apparatus that can stabilize pattern dimensions and can suppress the defect generation.例文帳に追加

パターン寸法を安定させ、かつ欠陥発生を抑制させるレジスト現像方法およびレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁

A resist is developed halfway at first development and a resist pattern is formed at second development via rinsing and drying processes.例文帳に追加

第１の現像でレジストを途中まで現像し、リンス、乾燥を経て、第２の現像を行ってレジストパターンを形成する。 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE-TONE DEVELOPMENT AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

DEVELOPMENT METHOD AND EXPOSURE TRANSFER METHOD OF CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST例文帳に追加

化学増幅型レジストの現像方法及び露光転写方法 - 特許庁

FLUID SUPPLY DEVICE, RESIST DEVELOPMENT DEVICE, AND MOLD MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

流体供給装置、レジスト現像装置およびモールド製造方法 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME例文帳に追加

ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

The resist is then subjected to development processing by using a developer.例文帳に追加

次に、レジストに対して現像液を用いて現像処理を行う。 - 特許庁

Subsequently, a liquid developer 5 is brought into contact with the resist layer 93 (a development process).例文帳に追加

次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE TYPE DEVELOPMENT, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

To provide a positive resist composition causing little problem relating to development defects.例文帳に追加

現像欠陥の問題が少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

FLUID SUPPLY DEVICE, RESIST DEVELOPMENT APPARATUS, AND MOLD MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

流体供給装置、レジスト現像装置およびモールド製造方法 - 特許庁

To enhance the intrasurface uniformity of resist pattern size in development.例文帳に追加

現像時にレジストパターン寸法の面内均一性の向上を図る。 - 特許庁

An opening 10a is made in the thick resist 10 by development treatment.例文帳に追加

現像処理により厚膜レジスト１０に開口部１０ａを形成する。 - 特許庁

Then, development is applied to the resist film having undergone the pattern exposure, and a resist pattern is formed from the resist film.例文帳に追加

続いて、パターン露光が行われたレジスト膜に対して現像を行って、レジスト膜からレジストパターンを形成する。 - 特許庁

A resist pattern 1a capable of generating an acid 1b is formed by development in a shortened time, and the top of the resist pattern 1a is coated with a resist 2 which is crosslinked in the presence of the acid.例文帳に追加

時間を短縮した現像により、酸を発生しうるレジストパターンを形成し、この上を、酸の存在で架橋するレジストで覆う。 - 特許庁

In a development simulation process of this resist pattern forming method, by calculating a stored energy distribution in the resist film after electron beam lithography and by performing a development simulation for estimating a resist pattern form after development corresponding to the distribution, a resist pattern form after development is presumed and the development condition is determined so that the resist pattern form becomes optimal.例文帳に追加

現像シミュレーション工程では、電子線描画後のレジスト膜中の蓄積エネルギー分布を計算し、その分布に対応した現像後のレジストパターン形状を予測する現像シミュレーションを行うことによって現像後のレジストパターン形状を推定し、レジストパターン形状が最適となるように現像条件を決定する。 - 特許庁

Then, a second resist film is formed using the second resist material on the substrate having the first resist pattern formed thereon, and exposure and development processing is executed to the second resist film to form a second resist pattern.例文帳に追加

そして、第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する。 - 特許庁

RESIST PATTERN FORMING METHOD, RESIST PATTERN, CROSSLINKABLE NEGATIVE CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION FOR ORGANIC SOLVENT DEVELOPMENT, RESIST FILM AND RESIST-COATED MASK BLANKS例文帳に追加

レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、及びレジスト塗布マスクブランクス - 特許庁

To provide a resist substrate processing liquid capable of efficiently removing a resist residue remaining on the surface of a resist substrate after development, which also enables microfabrication of a pattern, and a method for processing a resist substrate using the resist substrate processing liquid.例文帳に追加

現像後のレジスト基板表面に残存するレジスト残渣を効率的に除去でき、かつパターンの微細化も可能なレジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which can reduce the number of treatment units of a resist coating development apparatus, a semiconductor device manufacturing method, and a resist coating development apparatus.例文帳に追加

レジスト塗布現像装置の処理ユニット数を減らすことができるようにしたレジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法、レジスト塗布現像装置を提供する。 - 特許庁

In this wafer development method, a developer is supplied to the surface of a resist film formed on a wafer, and during the development of the resist film, the line width of a pattern on the resist film is measured.例文帳に追加

ウェハの現像処理において，ウェハ上のレジスト膜の表面に現像液が供給されて，レジスト膜の現像が行われている際に，レジスト膜に形成されるパターンの線幅が測定される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for resist development for detecting the end point of development of a resist such that the most optimum optical performance as an optical element, etc., can be obtained when the resist applied onto a substrate is developed.例文帳に追加

基材上に塗布されたレジストを現像する際に光学素子等として最も適正な光学性能を得ることができるようなレジストの現像終点を検出できるレジスト現像方法及びレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁