「resist development」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and an apparatus for resist development which can advance development more accurately for the whole object to be processed.例文帳に追加

処理対象全体に対して、より正確に現像を進行させることができるレジスト現像方法及びレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁

The exposed wafer is carried to a development unit 13, and the exposed resist film is supplied with developer, and development processing is performed.例文帳に追加

露光されたウエハを現像ユニット１３に搬送し、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像処理を行なう。 - 特許庁

In development simulation process of this resist pattern forming method, a substrate after electron beam lithography is developed using a developer under the predetermined development condition.例文帳に追加

現像工程では、電子線描画後の基板を現像液を用いて予め定められた前記の現像条件で現像する。 - 特許庁

Then, by dropping a second development solution 6 for substitution on the resist film 2, substitution for the already developed first development liquid 5 is made.例文帳に追加

次に、置換用の第２の現像液６をレジスト膜２に滴下して、現像済みの第１の現像液５との置換を行う。 - 特許庁

To enable an easy removing of protective layer after development which protected liquid solder resist layer at the time of exposure or development.例文帳に追加

露光や現像のときに液状ソルダレジスト層を保護した保護層を現像後に容易に除去することが可能にする。 - 特許庁

To reduce film thickness after wet development by a relatively large value and to form a resist pattern free from development defects.例文帳に追加

湿式現像後の膜減り量を比較的大きな値に保持して現像欠陥のないレジストパターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for resist development for more accurately advancing development.例文帳に追加

より正確に現像を進行させることができるレジスト現像方法及びレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁

The wafer exposed in advance is carried in a development unit 13, and a resist film exposed in advance is supplied with developer, and development is performed.例文帳に追加

先行露光されたウエハを現像ユニット１３に搬送して先行露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像処理を行なう。 - 特許庁

To provide a substrate development technique capable of removing a cover film formed on a resist film reliably for preventing development defects.例文帳に追加

レジスト膜の上に形成されたカバー膜を確実に除去して現像欠陥を防止することができる基板現像技術を提供する。 - 特許庁

To provide a black matrix resist composition having high sensitivity and excellent in property of retaining a line width in fine line patterns (development margin) in alkaline development.例文帳に追加

高感度で、かつアルカリ現像時の細線パターンの線幅保持性（現像マージン）に優れるブラックマトリックスレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a development method and a development apparatus capable of preventing a photosensitive material residue from occurring when developing a photosensitive material such as a resist by a spray method.例文帳に追加

レジストのような感光材をスプレー方式で現像するに際して、感光材の残渣が発生しないようにする。 - 特許庁

An inspection block which inspects a development-processed substrate is incorporated in the substrate processing apparatus which performs a resist applying process and development process.例文帳に追加

レジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置に、現像処理後の基板の検査を行う検査ブロックを組み込む。 - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD, AND RESIST COMPOSITION, DEVELOPING SOLUTION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT AND RISING SOLUTION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT TO BE USED IN THE SAME例文帳に追加

パターン形成方法、それに用いられるレジスト組成物、ネガ型現像用現像液及びネガ型現像用リンス液 - 特許庁

To provide a development nozzle and development method, capable of suppressing in-plane variation of resist pattern size caused by development and suppressing development loading effect in a photomask.例文帳に追加

フォトマスクにおいて、現像によるレジストパターン寸法の面内バラツキの抑制、且つ現像ローディング効果を抑制することができる現像ノズルおよび現像方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for a resist underlayer film excellent in storage stability and capable of forming a resist underlayer film excellent in adhesion to a resist film, improving the reproducibility of a resist pattern and having resistance to an alkali solution used for development and to oxygen ashing in resist removal.例文帳に追加

レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。 - 特許庁

A resist pattern forming method includes: a resist film forming step of forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition; an exposure step of selectively irradiating the resist film with exposure light; and a development step of developing a pattern.例文帳に追加

本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に対し露光光を選択的に照射する露光工程と、パターンを現像する現像工程とを含む。 - 特許庁

To provide a polymer for a resist, having high sensitivity and high resolution, and hardly causing defects and line edge roughness at development; to provide a method for producing the polymer for the resist; to provide a resist composition containing the polymer for the resist; and to provide a method for producing a pattern by using the resist composition.例文帳に追加

高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for suppressing the generation of residues after the development of a resist film thereof, while maintaining good adhesion of the resist film to a substrate so as to form a fine resist pattern, and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

微細なレジストパターンを形成するためにレジスト膜と基板との密着性を良好に維持しつつも、レジスト膜の現像後の残渣の発生を少なく抑えることができるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

A rib formation member layer 4 is formed on a rear substrate 10, an alkali development type photo resist 6 and a water development type photo resist 7 are successively formed on the rib formation member layer 4.例文帳に追加

背面基板１０上にリブ形成部材層４を形成し、その上にアルカリ現像タイプのフォトレジスト６と水現像タイプフォトレジスト７を順次形成する。 - 特許庁

Resist film forming conditions for a resist application processing unit (COT) and development processing conditions for a development processing unit (DEV) are controlled on the basis of the function models in the manufacturing stage of actual wafer products.例文帳に追加

そして、実際の製品ウェハの製造段階においてこの関数モデルに基づきレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）におけるレジスト膜形成条件、現像処理ユニット（ＤＥＶ）の現像処理条件等を制御する。 - 特許庁

Consequently, no photosolder resist is left as contaminants on the plate surface after development and upper and lower recesses of the photosolder resist SR in the through hole after the development are small.例文帳に追加

このため，現像後に板面上にフォトソルダレジストが汚染物として残ることがなく，また，現像後におけるスルーホール中のフォトソルダレジストＳＲの上下の凹みが小さい。 - 特許庁

To reduce resist development defects in development of a positive chemically amplifying photoresist film on a large diameter substrate of ≥8 in and to form a resist pattern of a good shape free from T-top shape or the like.例文帳に追加

８インチ以上の大口径基板におけるポジ型の化学増幅型フォトレジスト膜現像時のレジスト現像欠陥を低減するとともに、Ｔ−トップ形状などのない良好な形状のレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a resist protective film material for immersion lithography which is excellent in water repellency and water sliding property, hardly causes defects in development and provides a good shape of resist pattern after development, and to provide a pattern forming method using the material.例文帳に追加

撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィー用レジスト保護膜材料、更にはこの材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a development processing method capable of accurately controlling a line width of a second resist pattern in a second development processing of double patterning by LLE and accurately controlling a line width of a first resist pattern as well.例文帳に追加

ＬＬＥによるダブルパターニングの２回目の現像処理において、２回目のレジストパターンの線幅を精度良く制御でき、１回目のレジストパターンの線幅も精度良く制御できる現像処理方法を提供する。 - 特許庁

The resist pattern forming method includes: at least a resist film forming step of forming a resist film by applying and heating the resist composition on a surface to be processed; an irradiation step of selectively irradiating the resist film with ionizing radiation; a heating step of hating the resist film irradiated with the ionizing radiation; and a development step of developing the resist film.例文帳に追加

本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工面上に、本発明の前記レジスト組成物を塗布し加熱してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に対して、電離放射線を選択的に照射する電離放射線照射工程と、電離放射線が照射された該レジスト膜を加熱する加熱工程と、現像する現像工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

In a resist film forming unit 23, which forms a resist film by a dry process with a substrate G, there are provided development process unit 24 which exposes the resist film formed on the substrate to a prescribed pattern before development in a drying process, and a transfer mechanism 32 for transferring the substrate G to the resist film forming unit 23 and the development process unit 24, which are configured as one body.例文帳に追加

基板Ｇに対してドライプロセスによりレジスト膜を形成するレジスト膜形成ユニット２３と、基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光後、ドライプロセスにより現像する現像処理ユニット２４と、これらレジスト膜形成ユニット２３および現像処理ユニット２４に対する基板Ｇの搬送を行う搬送機構３２とを具備し、これらが一体的に構成されている。 - 特許庁

An excimer laser or ultraviolet exposure resist or an electron beam resist is applied over a surface, exposure and development using ultraviolet light or electron beams are performed to form a patterned unit resist (a).例文帳に追加

（ａ）面上に、エキシマレーザ用もしくは紫外線露光用のレジストまたは電子ビーム用レジストを塗布し、紫外領域の光または電子ビームによる露光及び現像を行って、パターニングされた単位レジストを形成する。 - 特許庁

To provide a slimming processing method for a resist pattern which can reduce variation in line width of a resist pattern after slimming processing when the resist pattern formed by exposure processing and development processing is subjected to slimming processing.例文帳に追加

露光処理、現像処理を行って形成したレジストパターンをスリミング処理する際に、スリミング処理後のレジストパターンの線幅のばらつきを低減させることができるレジストパターンのスリミング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which has hydrophobicity suitable for the formation of a fine resist pattern and ensures excellent solubility of its exposed part in an alkali developer in development, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

微細なレジストパターンの形成等に好適な疎水性を有し、現像処理時には、露光部がアルカリ現像液に対する溶解性に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

Pattern exposure and development is performed to the resist film 11 subjected to the plasma treatment and the resist pattern 15 comprising unexposed parts 11b of the resist film 11 is formed.例文帳に追加

プラズマ処理が施されたレジスト膜１１に対してパターン露光及び現像を行なって、レジスト膜１１の未露光部１１ｂよりなるレジストパターン１５を形成する。 - 特許庁

The resist residue on the substrate surface can be efficiently removed by bringing the resist substrate after development into contact with the resist substrate processing liquid, and then cleaning the substrate with a rinsing liquid such as water.例文帳に追加

現像処理後のレジスト基板を、このレジスト基板処理液に接触させ、水などのリンス液による洗浄することによって、基板表面のレジスト残渣を効率的に除去することができる。 - 特許庁

A first resist layer 2 having high adhesion to a substrate 1 and a second resist layer 3 having high resolution are formed on the substrate 1 and selectively irradiated with radiation 4 to expose at least the second resist layer 3 and then development is carried out.例文帳に追加

基板１上に基板１と密着性の高い第１のレジスト層２と、高解像度の第２のレジスト層３を形成し、放射線４を選択的に照射して少なくとも第２のレジスト層３を露光したのち現像する。 - 特許庁

To provide the pretreatment of a copper surface and a wiring substrate capable of securing the unglossiness of the copper surface and adhesion between the copper surface and a resist, and completely removing the resist from the copper surface in development or exfoliation of the resist.例文帳に追加

銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及び配線基板を提供する。 - 特許庁

The substrate is etched with the positive type resist as mask by a heat treatment, full-surface exposure and development processing while the resist on recorded and exposed parts is made to remain after signal recording of the resist on the substrate.例文帳に追加

基板上のポジ型レジストの信号記録後、熱処理と全面露光及び現像処理により記録露光部のレジストを残し、上記レジストをマスクにして基板をエッチングし、基板を直接スタンパーにする。 - 特許庁

To reduce displacement between a resist pattern formed on a resist after development and a resist pattern in designing, the displacement being caused due to front scattering and back scattering.例文帳に追加

前方散乱・後方散乱に起因する、現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のレジストパターンとのズレを軽減すること。 - 特許庁

Resist 31 is applied onto a surface of a flat substrate 20 of which the main component is carbon, exposure and development of the resist 31 are performed to form a resist pattern R, and thus a die 40 for a transfer master disk substrate 11 is manufactured.例文帳に追加

カーボンを主成分とする平坦基板２０の表面にレジスト３１を塗布し、レジスト３１の露光及び現像を実施してレジストパターンＲを形成し、転写用原盤基板１１の型４０を製造する。 - 特許庁

Then, the second resist film R2 is selectively exposed to light, and development is made to form a second resist pattern P2 on the same layer as the first resist pattern P1 (Fig.7(f)).例文帳に追加

その後、第２のレジスト膜Ｒ２を選択的に露光し、現像して、第１のレジストパターンＰ１と同じ層に第２のレジストパターンＰ２を形成する（図７（ｆ））。 - 特許庁

To provide a resist composition having excellent temporal stability of a resist pattern and achieving decrease in development defects, and to provide a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンの経時安定性に優れ、かつ現像欠陥低減を達成可能なレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, a second development is applied to the heated first resist pattern 102a, to obtain a second resist pattern 102b which is a reduced pattern of the first resist pattern 102a.例文帳に追加

その後、加熱された第１のレジストパターン１０２ａに第２の現像を行って、第１のレジストパターン１０２ａが縮小された第２のレジストパターン１０２ｂを得る。 - 特許庁

Thereafter, a first heating is made on the resist film 102 having been subjected to the pattern exposure, and first development is applied to the heated resist film 102 to form a first resist pattern 102a.例文帳に追加

続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２に第１の加熱を行い、加熱されたレジスト膜１０２に第１の現像を行って、第１のレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁

When a development is performed after the resist film 102 in which the pattern exposure is conducted is postbaked, a resist pattern 102a made of an unexposed part of the resist film 102 and having a good shape is obtained.例文帳に追加

パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対してポストベークを行なった後、現像を行なうと、レジスト膜１０２の未露光部よりなり、良好な形状を持つレジストパターン１０２ａを得られる。 - 特許庁

After development of a first resist, but before providing a second resist on the substrate, a surface conditioning of the bottom anti-reflection coating is applied to the cleared region between lines of a first resist material.例文帳に追加

第１のレジストを現像した後、第２のレジストを基板に設ける前に、下層反射防止コーティングの表面調整が、第１のレジスト材料のライン間のクリアされた領域に対し行われる。 - 特許庁

In addition, at formation of a wiring hole pattern a positive resist is used as a resist and wiring holes in the outer peripheral section of the wafer are crushed, by selectively heat-treating the outer peripheral section, after and development following the resist exposure.例文帳に追加

また配線孔パターンを形成する際のレジストとしてポジレジストを用い、パターン露光後の現像後にウエハ外周部を選択的に熱処理しウエハ外周部の配線孔を潰す。 - 特許庁

Also, the solder resist penetrating the inside of each through hole after the coating of the solder resist is so sublimated and so removed by a laser as to subject the solder resist to its exposure processing and its development processing.例文帳に追加

また、ソルダーレジストの塗布後、スルーホール内へ浸入したソルダーレジストをレーザーにより昇華除去し、露光処理、現像処理をするものとした。 - 特許庁

Liquid resist layers 41 and DFR (dry film resist) layers 42 are formed on a Cu substrate 40, and patterns 41a and 42a with the shape of spiral contacts 20 are formed on the liquid resist layers 41 and DFR layers 42 by exposure development.例文帳に追加

Ｃｕ基板４０上に液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２を形成し、前記液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２にスパイラル接触子２０の形状のパターン４１ａ，４２ａを露光現像により形成する。 - 特許庁