「resist development」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The positive resist composition comprises a resin (A) which is degraded by the action of acid and increases the solubility in an alkaline development solution, a specified phenacyl sulfonium compound (B) and a specified Meldrum's acid compound (C).例文帳に追加

（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）特定のフェナシルスルホニウム化合物、及び、（Ｃ）特定のメルドラム酸化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 - 特許庁

The main carrier robot 30, upon receiving an unprocessed substrate W, forwards the substrate W to a development process unit to be specified by the material of the resist film formed on the substrate W.例文帳に追加

この主搬送ロボット３０は未処理基板Ｗを受け取ると、該基板Ｗに形成されているレジスト膜の膜材料に対応する現像処理ユニットに基板Ｗを搬送する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when an exposure light source of ≤160 nm, concretely F_2 excimer laser light (157 nm) is used and ensuring improved line edge roughness and development defects.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥が改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To form a resist film suppressing generation of defects due to development failure in liquid immersion exposure while the hydrophobicity of a film surface is increased and also being excellent in lithographic performance.例文帳に追加

液浸露光時において被膜表面の疎水性を高くしつつ、現像不良による欠陥の発生を抑制でき、しかもリソグラフィ性能に優れたレジスト被膜を形成する。 - 特許庁

Cooling treaters 14 for cooling wafers W up to a prescribed temperature are arranged between heating treaters 11 and resist coating treatment devices 8 and development processing devices 9.例文帳に追加

加熱処理装置１１とレジスト塗布処理装置８、現像処理装置９との間に、ウエハＷを所定温度にまで冷却する冷却処理装置１４が配置されている。 - 特許庁

A matrix when forming the movable part structure 11 by galvanically depositing an electroformed material on the electrode is formed by a resist material performing exposure/development treatment by using lithography technology.例文帳に追加

電鋳材を電極に電着させて可動部構造体１１を形成する際の母型は、フォトリソグラフィ技術を用いて露光・現像処理が施されたレジスト材によって形成される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition using electron beams or X rays having high resolution and capable of forming a rectangular and excellent pattern profile and improving development defects.例文帳に追加

高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができ、しかも現像欠陥か改善されたポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist composition which has high sensitivity to high-energy rays such as far ultraviolet rays, an electron beams, and X rays and can form a pattern with a superior contrast through development using an alkali solution.例文帳に追加

本発明は、遠紫外線、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりコントラストの優れたパターンを形成できるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

LIQUID DEVELOPER OF ALKALI DEVELOPMENT TYPE DRY FILM RESIST, INKJET HEAD MANUFACTURED WITH USE OF THE LIQUID DEVELOPER, MANUFACTURING METHOD FOR THE INKJET HEAD, AND INKJET TYPE RECORDING APPARATUS WITH THE INKJET HEAD例文帳に追加

アルカリ現像型ドライフィルムレジストの現像液、該現像液を用いて製造されたインクジェットヘッド、及び該インクジェットヘッドの製造方法、並びに該インクジェットヘッドを備えたインクジェット式記録装置 - 特許庁

To simplify complex work or management caused by use of alkali solution during resist development in a method for manufacturing a master optical disk.例文帳に追加

光ディスク原盤作製方法において、レジストを現像する際にアルカリ溶液を用いることによって生じていた煩雑な作業や管理を簡便にすることを目的とする。 - 特許庁

A hole pattern or the like free from a development defect, the pattern having a crosslinked hardened layer 5 on the surface of the resist pattern and having a size less than the resolution limit of the exposure wavelength is formed by developing the coating layer 4.例文帳に追加

被覆層４を現像することにより、レジストパターン表面に架橋、硬化層５を有し、露光波長の解像限界以下のサイズを有する、現像欠陥のないホールパターンなどが形成される。 - 特許庁

Development is then performed to remove the uncured upper solder resist layer 4 under the upper light shielding layer 13 together with the upper light shielding layer 13 thereon, accordingly an opening is formed.例文帳に追加

次に、現像を行なうと、上層遮光層１３下の未硬化の上層ソルダーレジスト層４がその上の上層遮光層１３と共に除去され、開口部が形成される。 - 特許庁

To finally form a pattern at optional size when patterns are formed by conducting exposure treatment plural times between resist film formation and development.例文帳に追加

レジスト膜形成処理と現像処理との間に複数回の露光処理を行うパターン形成処理において、最終的に所望の寸法のパターンを形成する。 - 特許庁

Subsequently, second metal pillars 90 composed of plating metal are formed in second through holes in a micro diameter provided by exposure and development in a second resist layer formed on the upper surface of the first insulating layer 70.例文帳に追加

次いで、第１絶縁層７０上面に形成した第２レジスト層に露光・現像処理により設けた微小径の第２貫通孔にめっき金属からなる第２金属柱９０を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which attains resist formation by a photographic process with good pattern accuracy by development using an aqueous alkali solution and exhibits satisfactory heat resistance and flexibility by processing at a low temperature.例文帳に追加

写真法によるパターン精度の良いレジスト形成が、アルカリ水溶液を用いた現像で可能であり、また、低温での加工で十分な耐熱性及び柔軟性を発現する、感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) and suppresses occurrence of development defects.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、現像欠陥の発生が低減されたポジ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

The resist composition for negative-tone development includes a resin having an acid-decomposable repeating unit with a specific structure and being capable of decreasing the solubility in a negative developer by the action of an acid.例文帳に追加

特定の構造を有する酸分解性の繰り返し単位を有し、酸の作用によりネガ現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for dry development with which it is possible to form a high resolution pattern with low line edge roughness in a silylation process, and a method for forming the resist pattern.例文帳に追加

シリル化プロセスにおいて、低ラインエッジラフネスで、高解像度なパターンの形成が可能となるドライ現像用の感光性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

First metal pillars 60 composed of plating metal are formed in first through holes in a micro diameter provided by exposure and development in a first resist layer formed on the upper surface of a first metal layer 40.例文帳に追加

第１金属層４０上面に形成した第１レジスト層に露光・現像処理により設けた微小径の第１貫通孔にめっき金属からなる第１金属柱６０を形成する。 - 特許庁

To provide a positive electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, ensuring diminished development defects and excellent also in suitability to coating (intrasurface uniformity).例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、現像欠陥が低減し、更に塗布性（面内均一性）にも優れたポジ型電子線又はＸ線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The permanent resist is produced by applying the positive photosensitive composition on a substrate and subjecting the resulting coating to exposure, alkali development and post-bake at 120-350°C.例文帳に追加

永久レジストは、上記ポジ型感光性組成物を基材上に塗布し、塗布物を露光し、アルカリ現像した後に、１２０〜３５０℃の温度でポストベークして製造される。 - 特許庁

The substrate processing equipment 500 includes an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, and an interface block 13.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３を備える。 - 特許庁

After development, with the resist remaining on the surface of the master disk set as a mask, the surface of the master disk is subjected to reactive ion etching to manufacture a master disk for an information recording medium.例文帳に追加

現像後、原盤の表面に残存したレジストをマスクとして、原盤表面をリアクティブイオンエッチングを行い、情報記録媒体用原盤を作製する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin curing agent that is advantageous for obtaining a cured product having good adhesiveness, solder heat resistance, hardness, chemical resistance, toughness, water resistance and the like without loss of development properties, and to provide a resist composition containing the same.例文帳に追加

現像性を損なうことなく、優れた密着性やはんだ耐熱性、硬度、耐薬品性、強靱性、耐水性等を有する硬化物を得るのに有利なエポキシ樹脂硬化剤、及びそれを含有するレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

After signals by a laser beam 4 are recorded, the surface of the resist film not exposed is silylated and the silylated film 14 is used as a mask to carry out dry development to form pits 16 having a large inclination angle of the side walls to increase the density of the disk.例文帳に追加

レーザビーム４による信号記録後、露光されなかったレジスト膜表面をシリル化し、シリル化された膜１４をマスクにドライ現像し、側壁傾斜角度の大きいピット１６を形成し、ディスクの高密度化を図る。 - 特許庁

To provide a pigment dispersion resist composition for a color filter excellent in developability such as a long development margin and less production of residue.例文帳に追加

現像時のマージンが長く、さらに残渣の発生が少ないといった現像性に優れたカラーフィルター用顔料分散レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The resist film 16 is then selectively exposed to <50 mJ/cm2 radiation in an oxidizing environment and the exposed or unexposed part is removed by an etching process to carry out development.例文帳に追加

次いで酸化環境の中で、５０ｍＪ／ｃｍ^２未満の放射線に選択的に露出した後、エッチングプロセスを使って露出部分、または非露出部分を除去、現像する。 - 特許庁

To obtain a composition having excellent development properties in a diluted alkali aqueous solution, providing a cured material suitable as a resist ink for a flexible printed wiring board, having excellent flexing resistance and folding resistance.例文帳に追加

希アルカリ水溶液での現像性に優れ、得られた硬化物が耐屈曲性、耐折性に優れたフレキシブルプリント配線板のレジストインキ用として好適な組成物を提供する。 - 特許庁

An original plate for a mold in which a concavo-convex pattern with modulated depth is formed is produced by subjecting an inorganic resist containing an incomplete oxide of a transition metal to pattern exposure and development.例文帳に追加

遷移金属の不完全酸化物を含む無機レジストのパターン露光及び現像によって、深さの変調された凹凸パターンが形成された金型用の原盤を作製する。 - 特許庁

The substrate processing equipment 500 includes an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a drying processing block 13 and an interface block 14.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、乾燥処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 1 has an application and development block 14 for forming a resist film on the substrate W and developing the substrate W, an exposure machine 16 for exposing the substrate W and an etching portion 17 for etching the substrate W which are integrally constituted.例文帳に追加

基板処理装置１は、基板Ｗにレジスト膜を形成し、基板Ｗを現像する塗布現像ブロック１４と、基板を露光する露光機１６と、基板をエッチングするエッチング部１７とは一体に構成されている。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when a light source of exposing light of ≤160nm, concretely of the F2 excimer laser beam (157nm) is used and allows the line edge roughness, development defect and scum to be improved.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、ラインエッジラフネス、現像欠陥、スカムが改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist laminate adaptable to exposure in the far ultraviolet region, having high resolving power, nearly free of line waves and development defects particularly in the case of a narrow line/space of ≤0.2 μm and having high suitability to production.例文帳に追加

遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、特に0.2μｍ以下の微細なライン／スペースにおけるラインうねり及び現像欠陥が少なく、更に高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供する。 - 特許庁

In exposing during the second or a final photo resist pattern forming time, the film is exposed by an exposure amount to a degree that a part of the thinned film 18 can be removed by development.例文帳に追加

２回目又は最終回のフォトレジストパターン形成工程における露光では、薄くなったフォトレジスト膜１８部分を現像により除去できる程度の露光量で行う。 - 特許庁

On application, developing apparatuses there are provided a liquid film formation unit for applying a resist and performing development, and a heating unit, and atmosphere in the units are exhausted.例文帳に追加

塗布、現像装置にはレジストの塗布や現像を行う液膜形成ユニット及び加熱ユニットが設けられており、これらユニット内の雰囲気が排気されている。 - 特許庁

After a heat treatment for releasing a protective group from a substrate resin, and prior to the development, a water soluble protective film 4 is formed on a positive type chemical sensitization resist 2.例文帳に追加

基材樹脂から保護基を離脱させる熱処理を行う工程の後、現像を行う前に、水溶性の補強用膜４を前記ポジ型化学増幅レジスト２上に形成する。 - 特許庁

Using a semiconductor laser as a light source, an inorganic resist (a phase change film etc.) is irradiated with the laser beam to change its state, and the narrow track pitch substrate is obtained by development treatment and etching treatment.例文帳に追加

光源に半導体レーザを用い、無機レジスト（相変化膜など）にレーザビームを照射して状態変化させ、現像処理及びエッチング処理により狭トラックピッチ基板を得る。 - 特許庁

A thin-film conductor layer 21 and a photosensitive layer 31 are formed on an insulating base 11 and a series of patterning treatment, such as pattern exposure and development, is performed, thus forming a resist pattern 31a.例文帳に追加

絶縁基材１１上に薄膜導体層２１及び感光層３１を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン３１ａを形成する。 - 特許庁

To provide an exposure/development method featuring high resolution and high line width precision on the surface, which is capable of removing watermarks and spots produced at the time of liquid immersion exposure without doing damage to resist.例文帳に追加

液浸露光時に生じるウォーターマークやシミをレジストにダメージを与えることなく除去して、解像度及び面内の線幅精度の高い露光・現像方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which has a high sensitivity and high resolution and decreased development defects in pattern formation by irradiation with active radiations (electron beams, X-rays, or EUV: extreme ultraviolet rays) for manufacturing of semiconductors, photomasks, etc.例文帳に追加

半導体、フォトマスク製造等のための、活性放射線（電子線、Ｘ線、又はＥＵＶ）の照射によるパターン形成において、高感度、高解像力で、現像欠陥が低減されたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The substrate processing equipment 500 comprises an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a liquid immersion processing block 13, and an interface block 14.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、液浸露光用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。 - 特許庁

To provide a resist composition for supercritical development process which suppresses pattern deformation due to swelling and pattern collapse and can obtain a pattern having a high aspect ratio, and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

パターンの膨潤による変形及びパターン倒れを抑制するとともに、高アスペクト比のパターンを得ることのできる超臨界現像プロセス用レジスト組成物及び当該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To improve circuit accuracy in development by preventing remaining of air between a mask and a substrate and correcting warpage, thereby preventing the variations of a resist width and the generation of bleeding to circuit with an exposure machine for printed circuit boards.例文帳に追加

プリント配線板用露光機において、マスクと基板間の空気残り防止及びそり矯正により、レジスト幅ばらつき又は回路にじみの発生を防止して、現像時の回路精度を向上させることである。 - 特許庁

The blocks are made up for each of varied liquid-processing, e.g., forming of an antireflection film, coating of a resist, and its development, and those plural blocks are located in line.例文帳に追加

そして異なる液処理ごとに、例えば反射防止膜の形成処理、レジストの塗布処理及び現像処理の各液処理毎にブロックを構成し、それら複数個のブロックを並設する。 - 特許庁

To reduce the depth dimension of a coating and developing system performing the steps of forming an antireflection film to a substrate, forming a resist film, and performing development to the substrate after exposure.例文帳に追加

基板に対して反射防止膜を形成する工程、レジスト膜を形成する工程、露光後の基板に対して現像を行う工程を実施する塗布、現像装置において、装置の奥行き寸法を抑えること。 - 特許庁