「resist development」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The composition of a chemically amplified positive radiation sensitive resin composition is controlled in such a way that the film thickness of the unexposed part of a resist film comprising the radiation sensitive resin composition is reduced after wet development from the film thickness before wet development by 100-400 Å.例文帳に追加

化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物からなるレジスト膜の未露光部の膜厚が、湿式現像後において、湿式現像前の膜厚よりも１００オングストローム〜４００オングストロームの範囲で減少するように、該化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物の組成を制御することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 特許庁

To provide an excellent positive resist composition suitable when an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and specifically, showing sufficient transmitting property when a light source at 157 nm is used, having excellent resolution, and causing little development defect and scum (development residue).例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、解像性に優れ、現像欠陥、スカム（現像残渣）の発生が少ない、優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In the process in which the substrate surface 10 is coated with the negative type photo resist 11 to form the bumps 13 by the exposure with LBR and the following development and thereby the substrate is directly made into the master disk for the optical disk, the bump shape 17 is controlled into a desired shape by heating after development and thereby it is made possible to manufacture heat resistant bumps.例文帳に追加

基板表面１０にネガ型のフォトレジスト１１をコーティングしＬＢＲでの露光とその後の現像によりバンプ１３を形成させ、それを直接光ディスク用原盤とするプロセスにおいて、現像後に加熱することによりバンプ形状１７を所望の形状に制御することにより、形状が制御され、耐熱性を持ったバンプを製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition, which is suitably used in microphoto fabrication using far ultraviolet ray, particularly ArF excimer laser beam and has excellent exposure margin and in which the generation of development defects is reduced.例文帳に追加

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができ、露光マージンに優れ、現像欠陥の発生数が軽減ざれたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a positive photosensitive resin compsn. excellent in the rate of a residual film, resist profile and dry etching resistance and not causing the problem of development defects when far UV, in particular ArF excimer laser light is used as a light source for exposure.例文帳に追加

露光光源として、深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、残膜率、レジストプロファイル及びドライエッチング耐性が優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to a short-wavelength radiation typified by far UV, excellent in basic physical properties as a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape, and ensuring few development defects.例文帳に追加

遠紫外線に代表される短波長の放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に現像欠陥が少ない感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition which does not cause the problem of development defects and has excellent line edge roughness, resist shape, sensitivity and resolving power when deep UV, particularly ArF excimer laser light, is used as the light source for exposure.例文帳に追加

露光光源として、深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、ラインエッジラフネス、レジスト形状、感度、解像力が優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition exhibiting sufficient permeability in the use of F2 excimer laser light (157 nm) as an exposure light source and satisfying coating property and compensating development defect.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ塗布性、現像欠陥を満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 500 includes an indexer block 9, a processing block 10 for reflection prevention films, a processing block 11 for resist films, a development/cleaning/drying block 12, a cleaning/drying block 13, and an interface block 14.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像／洗浄／乾燥処理ブロック１２、洗浄／乾燥処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を含む。 - 特許庁

To provide a developer regeneration unit which can constantly maintain development performance and can significantly shorten an operating shutdown time and reduce overall production cost by automatically controlling the resist and alkali concentrations of alkali developer for photosensitive organic resin to a prescribed level, respectively.例文帳に追加

感光性有機樹脂用アルカリ現像液のレジスト濃度およびアルカリ濃度を所定の濃度に自動制御することにより、現像性能を一定に保持することができるとともに、操業停止時間の大幅な短縮と総合的な製造コストの低減を図ることができる現像液再生装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when F_2 excimer laser light (157nm) is used and ensuring small line edge roughness, few development defects and excellent heat resistance.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥が少なく、耐熱性に優れたポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a color resist composition which shows high spectral reproducibility, high light resistance and heat resistance by increasing the dye concentration to respond to the request for a thin film color filter, and which has resolution as high as ≤5 μm and no development residue.例文帳に追加

本願発明はカラーフィルターの薄膜化に対応すべく、染料濃度を高めることにより高いスペクトル再現性、高い耐光性、耐熱性を示し、且つ、５μｍ以下の高い解像性を持ちさらに現像残渣のないカラーレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having a sufficient transmittance for light of ≤160 nm, in particular F2 excimer laser light (157 nm), and satisfying requirements for coating property, development defects and line edge roughness.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ塗布性、現像欠陥、ラインエッジラフネスを満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a positive type resist composition having high sensitivity and high resolving power, giving a rectangular photoresist, having good wettability with a developing solution, nearly free from development defects and ensuring a slight dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

高感度及び高解像力で、矩形形状を有するフォトレジストを与え、現像液への濡れ性が良好で現像欠陥が少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写時に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を得る。 - 特許庁

(b) When a photoresist film 20 is formed on the reflection metal film 11 and is subjected to resist development using a specified pattern, the exposed part of the photoresist 20 is removed with TMAH and the reflection metal film 11 under the removed part is simultaneously etched off.例文帳に追加

（ｂ）反射金属膜１１の上にフォトレジスト２０を形成し、所定のパターンでレジストの現像を行う際に、ＴＭＡＨによりフォトレジスト２０の露光部分を除去するとともに、その除去部分の下側の反射金属膜１１をエッチングする。 - 特許庁

To provide a new pigment dispersion for a color filter, which is excellent in pigment dispersibility, fluidity and dispersion stability; and to provide a pigment dispersion resist composition for the color filter, which is excellent in suitability for coating and development properties by using the pigment dispersion for the color filter.例文帳に追加

顔料分散性、流動性、分散安定性に優れる新規なカラーフィルター用顔料分散物、および、該カラーフィルター用顔料分散物を使用することにより、塗工適性、現像特性に優れたカラーフィルター用顔料分散レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a novel radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation, excellent basic physical properties for a resist pattern such as in sensitivity, resolution, and pattern shapes, without causing development defects during fine machining, to manufacture semiconductor elements at a high yield.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、微細加工時に現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造することができる新規な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a development processing method to improve CD value uniformity on a substrate surface and to shorten processing time, even when exposing and developing a substrate with large kinds of films including an immersion protecting film or a water-repellent resist.例文帳に追加

液浸保護膜、又は撥水性レジストを含め、広範な種類の膜が成膜された基板を露光し、現像する場合にも、基板表面内でのＣＤ値の均一性を向上させることができ、処理時間を短縮することができる現像処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that can sufficiently reduce development defects in manufacturing semiconductors, particularly, in the formation of a contact hole pattern, and exhibits the superior depth of a focus (DOF), and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

半導体製造の特にコンタクトホールパターン形成において、現像欠陥を充分に低減できるとともに、焦点深度（ＤＯＦ）に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is a material of a resist film capable of obtaining good pattern configuration, less liable to elute into an immersion liquid for liquid immersion lithography, such as water, having a large receding contact angle to the immersion liquid, and less liable to cause development defects.例文帳に追加

良好なパターン形状を得ることが可能で、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液との後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

After a positive type resist is coated on a test substrate and it is brought into a focus by using a mask original plate for a test pattern to expose at a plurality of parts, development is carried out to form the test patterns composed of remaining patterns at the plurality of parts on the test substrate, respectively (step S11).例文帳に追加

テスト基板上にポジ型レジストを塗布し、テストパターン用マスク原版を用いてフォーカスを振って複数個所に露光した後、現像を行なって、テスト基板上の複数個所にそれぞれ残しパターンからなるテストパターンを形成する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

To accurately measure the outcome of a device even over an entire surface of a substrate with little cost and time, the device including an integrated circuit, a magnetic head, a magnetic disc, a solar cell, an optical module, a light emitting diode, a liquid crystal display panel and the like that are formed on a substrate by repetitively performing film formation, resist application, exposure, development and etching.例文帳に追加

集積回路、磁気ヘッド、磁気ディスク、太陽電池、光モジュール、発光ダイオード、液晶表示パネルなど基板上に成膜、レジスト塗布、露光、現像、エッチングなどを繰り返して形成するデバイスの出来栄えを、コストや時間をかけずに基板の隅々まで精度よく計測する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition satisfying the requirements of wide exposure latitude, reduction in line edge roughness, a desirable pattern configuration and dry etching resistance and giving a pattern with few defects after development, and to provide a method for forming a pattern by use of the above composition.例文帳に追加

広い露光ラチチュード、ラインエッジラフネスの低減、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a production method that allows processing steps of photo-resist (PR) coating, exposure and development to be cut down so that the production process can be simplified as a whole, and also allows a circuit pattern of a printed circuit board to be formed finely and precisely through fewer steps and in a shorter time.例文帳に追加

フォトレジスト(ＰＲ)塗布、露光、現像工程を減らすことができ、全体的に工程が単純化されるとともに、より少ない工程と時間で印刷回路基板の回路パターンを微細で正確に形成することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method using an organic resist capable of development and peeling by an alkaline solution, of a Cr/Cu/Cr wiring struc tural body having a small exposure quantity of an undercut in a lower layer Cr (chromium) film and a Cu (copper) layer on the upper layer, and a plasma display panel using it as an electrode.例文帳に追加

下層Ｃｒ膜のアンダーカットと上面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体とそれを電極に用いたプラズマディスプレイパネルの、アルカリ性溶液による現像と剥離が可能な有機レジスト用いた製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the photolithographic processing unit 1a, a resist application processing apparatus 2 and a development processing apparatus 5 are provided separately from each other, a first exposure processing apparatus 3a is arranged adjacently to a first PEB processing apparatus 4a, and a second exposure apparatus 3b is arranged adjacently to a second PEB processing apparatus 4b.例文帳に追加

フォトリソグラフィー処理部１ａでは、レジスト塗布処理装置２と現像処理装置５とが分離して配置され、第１の露光処理装置３ａと第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと第２のＰＥＢ処理装置４ｂは隣接配置されている。 - 特許庁

A paper feed speed of a pair of resist rolls 6 and 6 is made higher than that of a transfer roll 2 and a photoreceptor 1 so that a recording paper P is brought into contact with an outer wall surface 42 of a housing 41 of a development apparatus 4 and is bent just before a transfer part.例文帳に追加

転写部直前で現像装置４のハウジング４１の外壁面４２に記録紙Ｐが当接して湾曲するように、レジロール対６，６による給送速度を転写ロール２と感光体１による給送速度より大きくする。 - 特許庁

To raise a controllability of a line width of a pattern, while reducing a developing defect, in case of forming a protective film of a water repellent property on a substrate an which a resist film is formed, and performing a development processing to the substrate after forming a liquid layer on a front surface of the protective film and carrying out an oil immersion exposure.例文帳に追加

レジスト膜が形成された基板の上に撥水性の保護膜を形成し、その表面に液層を形成して液浸露光した後の基板に現像処理を行うにあたって、現像欠陥を低減させると共にパターンの線幅の制御性を向上させること。 - 特許庁

The pattern forming method is carried out by irradiating a work coated with a resist with exposure light through a mask in a plurality of shots, developing and etching the work and inspecting the formed pattern, wherein the method includes a step of inspecting the mask after the exposure and development processes and before the etching process.例文帳に追加

レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。 - 特許庁

To provide a positive resist composition exhibiting sufficient transmitting property when a light source at 157 nm is used and causing little line edge roughness, development defects and scum.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photopolymerizable resin composition excellent in resolution of a resist pattern after development while having high sensitivity, excellent also in tenting property of a hardened film and flocculating property during dispersion in a developing solution, and useful as an alkali developable DFR for manufacture of a printed wiring board.例文帳に追加

高感度でありながら現像後のレジストパターンの解像性に優れ、また硬化膜のテンティング性、現像液分散時の凝集性にも優れ、アルカリ現像型プリント配線板作製用ＤＦＲとして有用な光重合性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a pigment dispersed body for a color filter and a pigment dispersed resist composition for a color filter which have high transmissivity, excellent pigment dispersing property, and a less development residue and are used to manufacture an optical color filter used for a color liquid crystal display.例文帳に追加

透過率が高く、顔料分散性が良好で、且つ現像残渣が少なく、カラー液晶ディスプレーに使用される光学的カラーフィルターの製造に使用されるカラーフィルター用顔料分散物及びカラーフィルター用顔料分散レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a new radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation, having excellent basic properties as a resist, e.g. sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing semiconductor devices in a high yield.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、微細加工時に現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造することができる新規な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a developing liquid for photosensitive resin composition for forming a fine pattern while suppressing the load on a resist coating film made of the photosensitive resin composition, and to provide a printed wiring board and a semiconductor package having high reliability by using the liquid for development.例文帳に追加

感光性樹脂組成物からなるレジスト塗膜への負荷を押さえ、よりファインパターンを形成できる感光性樹脂組成物用現像処理液を提供し、さらにはこれを現像に用いた信頼性の高いプリント配線板、半導体パッケージを提供することにある。 - 特許庁

The negative image forming method includes: a process (A) of coating a substrate with a resist composition; a process (B) of performing the irradiation of active light or radioactive ray; and a process (C) of performing development using the negative type developer, which is discharged within a range of ≤2 mL/sec/mm^2.例文帳に追加

（ア）基板上に、レジスト組成物を塗布する工程、（イ）活性光線又は放射線を照射する工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法であって、ネガ型現像液を２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以下の範囲で吐出することを特徴とするネガ画像形成方法。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative development excellent in line width variation (LWR), exposure latitude (EL) and focal depth allowance (DOF) in order to stably form a high accuracy fine pattern for the manufacture of a highly integrated and high accuracy electronic device, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processor capable of carrying out a series of processes including a resist application and a development process after exposed for a processing substrate at a high throughput including the pre-process and the post-process, and to provide another processor capable of additionally reducing a foot-print as much as possible.例文帳に追加

被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理を含む一連の処理を、その前工程および後工程を含めて高スループットで行うことができる処理装置を提供すること、およびこれに加えて、フットプリントを極力小さくすることができる処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a top layer film forming composition for forming a top layer film that hardly causes intermixing with a photoresist film, keeps a stable film state hardly eluting in an immersion liquid, can suppress generation of a development peeling defect, and allows formation of a resist pattern with high resolution.例文帳に追加

フォトレジスト膜とのインターミキシングが生じ難く、液浸液に溶出し難く安定な被膜を維持可能であり、現像剥離欠陥の発生を抑制することが可能であり、高解像度のレジストパターンを形成可能な上層膜を形成するための上層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

After a two layer mask of an aluminum film 102 and an organic film resist 103 is formed on a silicon substrate 101 and patterned through exposure, development and wet etching, first time dry etching is performed to form a recess 104 including a level difference shape of one step.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、アルミニウム膜１０２と有機膜レジスト１０３の２層のマスクを形成し、露光、現像およびウェットエッチングを経てパターニングした後、１回目のドライエッチングを行い、１段の段差形状を含む凹部１０４を形成する。 - 特許庁

This is a forming method for bumps on the printed wiring board and component mounting bumps are formed by plating the top surface of the printed wiring board having a step resulting from the thickness of a conductor after coating the top surface with resist and then forming opening by exposure and development.例文帳に追加

プリント配線板上のバンプ形成方法であって、導体の厚みによる段差を有するプリント配線板の表面に、レジストを塗布し、露光及び現像によって開口部を形成した後、めっきすることにより、複数の部品搭載用バンプを形成する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having sufficient transmittance when a light source of 157 nm is used and satisfying suitability to coating and development defects.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ塗布性、現像欠陥を満足するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a resin composition having high transparency for radiation rays, excellent in basic physical properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, a pattern shape and the like, and reduced in line edge roughness of the pattern after development.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れるとともに、現像後のパターンのラインエッジラフネスを低減する。 - 特許庁

To obtain a preferable profile of resist pattern and to prevent residue present on a substrate even when a developer comprising a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution having a weight concentration lower than 2.38 wt.% is used for development.例文帳に追加

２．３８ｗｔ％よりも重量濃度が小さいテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液よりなる現像液を用いて現像を行なうにも拘わらず、レジストパターンの形状が良好になると共に基板上に残渣が存在しないようにする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can be exposed with UV and can be developed with a dilute aqueous alkali solution, has sensitivity, good thermal stability and good development latitude, gives a coating film excellent in performance and is suitable for use as a soldering resist ink for the production of a printed wiring board.例文帳に追加

紫外線露光及び希アルカリ水溶液による現像が可能で、高感度であり、しかも熱安定性及び現像管理幅が良好で、塗膜が優れた性能を示すプリント配線版製造用ソルダーレジストインクとして好適な感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition (resist) which allows formation of a thin line pattern excellent in development property and adhesion to a substrate, so that a black matrix for a color filter having high light blocking effect and high reliability can be created, and to provide a method for producing the composition.例文帳に追加

現像特性及び基板密着性の優れた細線パターンの形成を可能とし、高遮光性で高信頼性を持つカラーフィルター用のブラックマトリックスの作成が可能となる感光性樹脂組成物（レジスト）及びその製造方法を提供する。 - 特許庁