「resist development」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a radiation-sensitive resin composition that is excellent in fundamental properties of a resist, such as sensitivity and resolution, even if a thin film, is excellent in exposure latitude when a line pattern is formed, and can form a resist film for reducing residues after development.例文帳に追加

薄膜であっても、感度、解像度等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、ラインパターンを形成する際における露光余裕度が優れ、また、現像後の残渣を低減させるレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type positive type resist, excellent in basic solid state properties as the resist, e.g. sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing semiconductor devices in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resin a resin which favorably hydrophobilizes the surface of resist film to improve the followability of immersion liquid in patterning by immersion exposure and which exhibits an effect of preventing coating defect and development defect and to provide a method for production of the resin, and to provide a positive resist composition containing the resin.例文帳に追加

液浸露光によるパターニングにおいて、良好にレジスト膜表面を疎水化し、液浸液追随性を良好とするとともに、塗布欠陥、現像欠陥の抑制に効果を示す樹脂、及び、その製造方法、該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To obtain a developing solution for a resist excellent in such dissolution selectivity as to promote the solubility of a part to be dissolved and to control the solubility of a part not to be dissolved even in a fine resist pattern and capable of carrying out development in a shorter time.例文帳に追加

微細なレジストパターンにおいても、溶解部に対しては溶解性を促進し、非溶解部に対しては溶解性を抑制するという溶解選択性に優れ、より短い時間で現像しうるレジスト用現像液を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method capable of reducing development defect due to deposition of a resist film and re-adhesion of a semi-insoluble material in a developing and rinsing process with a normal hardware environment, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

通常のハード環境のままで、現像、リンス工程において、レジスト膜の析出及び半不溶化物の再付着による現像欠陥を低減させることができるレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist material having high sensitivity and high resolution to high energy-beam exposure, small line-edge roughness because of controlled swelling at the time of development, small residual dross after development, excellent dry etching resistance, and suitably usable also for liquid immersion lithography, and provide a method for forming patterns by using the resist material.例文帳に追加

レジスト材料であって、高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少なく、優れたドライエッチング耐性を有し、また、液浸リソグラフィーにも好適に用い得るレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for alkali development type resist ink which can respond to direct exposure technique by laser and which has super-high sensitivity exhibiting excellent curing properties even with low exposure energy, coating hardness and a wide heat management width, and to provide a vinyl ester resin which can give such properties to the composition for alkali development type resist ink.例文帳に追加

レーザー光による直接露光方式へ対応可能で、かつ、低露光エネルギーであっても優れた硬化性を発現する超高感度性と、塗膜硬度と、広い熱管理幅とを兼備したアルカリ現像型レジストインキ用組成物を提供すること、並びにこのような特性をアルカリ現像型レジストインキ用組成物に付与し得るビニルエステル樹脂を提供すること。 - 特許庁

A resist pattern forming method is provided which includes disposing one or more films 2 on a substrate 1 and forming a resist pattern in the films 2 by lithography including exposure and development, wherein before exposure or development, the films 2 are subjected to supercritical processing by contact with a supercritical processing liquid 5' in which an organic substance 4 has been dissolved.例文帳に追加

基板１上に１層以上の被膜２を設け、該被膜２に、露光、現像を含むリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成するパターン方法であって、 露光もしくは現像前に、前記被膜２を有機物４を溶解した超臨界処理液５’に接触させる超臨界処理を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 特許庁

A photo-resolving catalyst for precipitating a catalyst only at a portion irradiated with light is applied to the surface of an insulating substrate, a plating resist which is decomposed and removed by exposure and development is applied on the photo-resolving catalyst, and a mask forming a predetermined pattern is placed on the plating resist and is subjected to exposure and development in this state to produce a predetermined metal wiring pattern.例文帳に追加

絶縁基板の表面に光照射部のみ触媒が析出する光解像性触媒を塗布し、光解像性触媒の上に露光・現像により分解・除去されるメッキレジストを塗布し、メッキレジストの上に所定のパターンに形成されたマスクを設置し、その状態で露光・現像を施すことにより所定の金属配線パターンを得るようにしたもの。 - 特許庁

To provide a pigment dispersion composition which has good fluidity and good dispersion stability even when it has a high pigment concentration and exhibits good development characteristics when used in fields, such as resist compositions for color filters and resist compositions for black matrices, where development characteristics are essential.例文帳に追加

本発明は、高顔料濃度の場合であっても良好な流動性と分散安定性を有し、且つ、カラーフィルター用のレジスト組成物やブラックマトリックス用のレジスト組成物等の、現像特性が要求される分野に使用した場合、良好な現像特性を有する顔料分散組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition which solves the problem of the occurrence of development defects and scum in development in micro-photofabrication using far ultraviolet light and which is capable of giving a resist pattern excellent in adhesion to a substrate.例文帳に追加

遠紫外光を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、現像の際の現像欠陥発生及びスカムの発生の問題を解消し、更には基板密着性に優れたレジストパターンを与え得るポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for liquid immersion exposure which is capable of providing a resist coating film that exhibits excellent drainability on the surface by having a high dynamic contact angle during the exposure in a liquid immersion exposure process, while suppressing occurrence of development defects by being greatly decreased in the dynamic contact angle during the development.例文帳に追加

液浸露光プロセスにおいて、露光時には大きい動的接触角により、レジスト膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には動的接触角が大きく低下することにより、現像欠陥の発生が抑制される液浸露光用感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide an alkali developing solution giving a stable pattern shape because of a long allowed time of development time, capable of forming a resist pattern with little residue on development, a good pattern shape and good resolution and having high developing capacity in a colored pattern forming step using a photosensitive composition.例文帳に追加

感光性組成物を用いた着色パターン形成工程において、現像処理時間の許容時間が長く安定したパターン形状が得られ、現像残りが少なく、パターン形状、解像度が良好なレジストパターンを得ることができ、現像処理能が大きい現像液を提供すること。 - 特許庁

This developing apparatus for developing a substrate with the resist subjected to pattern exposure applied thereon comprises a development chamber having a development chuck for fixing the substrate and a developer nozzle for discharging a developer, a developer tank, and a temperature controller for adjusting the temperature of the developer to be higher than ordinary temperature.例文帳に追加

パターン露光されたレジストが塗布された基板を現像する装置であって、該基板を固定する現像チャックと、現像液を吐出する現像液ノズルとを有する現像チャンバーと、現像液タンクと、該現像液を常温より高温に調節するための温調器と、を有する現像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board which can be improved in plating adhesiveness to give high reliability and productivity by reducing development residues in opening portions such as a minute pad formed in a predetermined region of an alkali development type solder resist layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

アルカリ現像型ソルダーレジスト層の所定の部位に形成された微小なパッドなどの開口部における現像残渣などを抑えることにより、めっき付着性などを改善し、高い信頼性、生産性を得ることが可能なプリント配線板の製造方法およびプリント配線板を提供する。 - 特許庁

In order to improve the uniformity of the projection size in the substrate top surface, an exposure quantity E is set to 1 to 3 times as large as the complete dissolution exposure quantity E0 (exposure quantity for eliminating the thickness of a resist after development) of a positive type photoresist in development processing.例文帳に追加

基板表面内の突起寸法の均一性を向上させるため、露光量Ｅは、現像処理時のポジ型フォトレジストの完全溶解露光量Ｅ０（現像後のレジストの厚みがなくなる露光量）の１倍より大きく３倍未満に設定される。 - 特許庁

To provide a composition for forming a photosensitive resist underlayer film to form a resist underlayer film which avoids elution of a photoacid generator therein into the solvent of an overcoat photoresist, enables sensitivity adjustment of the resist underlayer film, and is alkali developed simultaneously with alkali development of a photoresist film.例文帳に追加

上塗りフォトレジストの溶剤に対してレジスト下層膜中の光酸発生剤が溶出することがないこと、レジスト下層膜の感度調節が可能なこと、及びフォトレジスト膜がアルカリ現像される際に同時にアルカリ現像されるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 500 comprises an indexer block 9, a processing block 10 for an antireflection film, a processing block 11 for a resist film, a development processing block 12, a processing block 13 for a resist cover film, a resist cover film removal block 14, a cleaning/drying processing block 15, and an interface block 16.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を備える。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 500 comprises: an indexer block 9; a processing block 10 for an antireflection film; a processing block 11 for a resist film; a development processing block 12; a processing block 13 for a resist cover film; a resist cover film removing block 14; a cleaning/drying processing block 15; and an interface block 16.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を備える。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition suitable for use under a light source for exposure which emits light of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), to provide a positive type resist composition having improved surface roughness and superior storage stability and to further product a positive type resist composition which also diminishes development defects.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、表面ラフネスが改善され、保存安定性に優れたポジ型レジスト組成物、更には現像欠陥をも低減したポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

A splitting-groove resist-printing step for printing a resist for splitting grooves is provided between a development step and the wet-etching step in the photolithographic process for forming the thin-film resistance-member layer, so that the resist can cover a thin-film upper-electrode layer, resistance-member film-applied portions, and a photoresist, positioned within the splitting grooves.例文帳に追加

薄膜抵抗体層を形成するフォトリソプロセス工程における現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたものである。 - 特許庁

A processing method for a substrate in which development is carried out after pattern exposure includes a shaping stage of shaping the resist pattern shape, so that the side wall 111 of the resist pattern 110 having been developed swells toward a groove and a swell 116 which swells toward the groove and curves concavely toward the groove is formed at a corner 115 at the bottom of the resist pattern.例文帳に追加

パターンの露光処理の後に現像処理が行われる基板の処理方法において，現像処理後のレジストパターン１１０の側壁部１１１が溝側に膨出し，かつレジストパターンの底部の角隅部１１５に，溝側に膨出してかつ溝側に凹に湾曲する膨出部１１６が形成されるように，レジストパターン形状を整形する整形工程を有する。 - 特許庁

To provide a spot resist film peeling machine which can continuously perform etching added to a quartz substrate 1 and peel a resist film pattern 3' of only a pattern for phase difference measurement without repeating the formation of a resist film, electron beam drawing, and development when it becomes evident that the depth of a shifter is insufficient when a Revenson type phase shift mask 60 is manufactured.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスク６０の製造において、シフターの深さが不足していることが判明した際に、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行うことなく、石英基板１に追加したエッチングを継続して行うことができる、位相差測定用のパターンのみのレジスト膜パターン３’を剥膜するスポットレジスト剥膜機を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the multilayer interconnection board should comprise a process for forming a light-sensitive resist film on one surface of a substrate made of a conductive material that can be etched, a process for exposing the light-sensitive resist film for development, and a process for making coarse the surface of the substrate where the light-sensitive resist film is removed by the process.例文帳に追加

エッチング可能な導電材料から成る基板の片方の面に感光性レジスト膜を形成する工程と、該感光性レジスト膜を露光して現像する工程と、前記工程で感光性レジスト膜を除去したところの基板表面を粗化する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a positive resist composition improved in thickness reduction of a resist film after pattern development and deterioration of a pattern profile in normal exposure, and further improved in elution of a resist component into a immersion solution, pattern collapse or deterioration of a profile after immersion exposure in liquid immersion exposure, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

通常露光時に於ける、パターン現像後のレジスト膜厚減少、及び、パターンプロファイル劣化が改善され、更には、液浸露光時に於ける、液浸液へのレジスト成分の溶出が改善され、液浸露光後のレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, after the laminated film of the transfer film is formed by transferring so as to abut the inorganic pigment layer on a substrate and the resist layer is subjected to exposure processing, a resist pattern is manifested by carrying out development processing, an inorganic pigment pattern and a phosphor pattern corresponding to the resist pattern are formed, and firing processing is carried out, thereby simply and efficiently forming the inorganic pattern.例文帳に追加

また、前記転写フィルムの積層膜を、基板上に無機顔料層が当接するように転写して形成し、レジスト層を露光処理した後、現像処理してレジストパターンを顕在化させ、該レジストパターンに対応する無機顔料パターンおよび蛍光体パターンを形成し、焼成処理することにより、無機パターンを簡便かつ効率的に形成することができる。 - 特許庁

To provide a high molecular compound having excellent reactivity, inflexibility and adhesion to a substrate and less liable to swell in development and a resist material using the high molecular compound as a base resin and having much higher resolution and etching resistance than conventional resist materials and to provide a pattern forming method using the resist material.例文帳に追加

反応性、剛直性及び基板密着性に優れ、かつ現像時の膨潤の小さい高分子化合物、該高分子化合物をベース樹脂とし、従来品を大きく上回る解像性及びエッチング耐性を有するレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resin composition for forming a resist protective film for forming a protective film that does not have affinity with respect to an immersion liquid, can suppress the elution of low-molecular weight components from a resist layer or swelling in a resist film, can be removed easily in a process of alkali development after exposure, and can provide a preferable pattern profile.例文帳に追加

液浸液に対しては親和性を有さず、レジスト層からの低分子成分の溶出やレジスト膜の膨潤を抑制することができるとともに、露光後のアルカリ現像のプロセスで容易に除去でき、良好なパターンプロファイルを得ることができる保護膜を形成できるレジスト保護膜形成用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The substrate-treating device 500 comprises an indexer block 9, a treatment block 10 for antireflection films, a treatment block 11 for resist films, a development processing block 12, a treatment block 13 for resist cover films, a resist cover film removal block 14, a cleaning/drying treatment block 15, and an interface block 16.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を備える。 - 特許庁

The substrate-treating device 500 includes an indexer block 9; a treatment block 10 for reflection prevention films; a treatment block 11 for resist films; a development treatment block 12; a treatment block 13 for resist cover films; a resist cover film removal block 14; a cleaning/drying treatment block 15; and an interface block 16.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。 - 特許庁

When manufacturing an outer lens 14, a photolithography process comprising respective processes of resist coating, exposure and development is performed on a bilayer substrate 23 consisting of a flat surface substrate 21 and a flexible substrate 22, thereby, a dot pattern of a photomask 25 is accurately transferred to a resist layer 24 and a resist fine structure 24a assured of forming accuracy can be manufactured.例文帳に追加

アウターレンズ１４の製造に際して、レジスト塗布、露光及び現像の各工程からなるフォトリソグラフィ工程を、平面基板２１及びフレキシブル基板２２からなる二層基板２３上で行うことにより、フォトマスク２５のドットパターンをレジスト層２４に正確に転写し、形成精度の確保されたレジスト微細構造体２４ａを製作する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a printed wiring board wherein a solder mask is formed by coating the surface of a base material having formed circuits and through holes with a liquid solder resist and by subjecting the solder resist to its exposure processing and its development processing, the solder resist remaining in each through hole after the formation of the solder mask is sublimated and removed by a laser.例文帳に追加

回路及びスルーホールを形成した基材の表面に、液状のソルダーレジストを塗布し、露光処理、現像処理をすることによってソルダーマスクを形成するプリント配線板の製造方法において、ソルダーマスクの形成後、スルーホール内に残存したソルダーレジストをレーザーにより昇華除去するものとした。 - 特許庁

To provide a photosensitive element which suppresses surface roughening of side faces of a resist pattern and occurrence of stringlike development residue in a place where the resist pattern has a narrow interval, and can achieve high-level resolution, and to provide a resist pattern forming method using the same and a method for manufacturing a printed wiring board.例文帳に追加

レジストパターンの側面の粗面化及びレジストパターンの間隔の狭い箇所での糸状現像残りの発生を充分に抑制し、高水準の解像度を達成することが可能な感光性エレメント、並びにそれを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative type radiation sensitive resin composition for a chemical amplification type negative type resist applicable to an alkali developing solution of ordinary concentration, capable of forming a high resolution rectangular resist pattern with respect to an ordinary line-and-space pattern, free of resist pattern defects (bridging and chipping) after development and excellent also in sensitivity, developability, dimensional faithfulness, etc.例文帳に追加

通常濃度のアルカリ現像液に適用でき、かつ通常のライン・アンド・スペースパターンにおいて、高解像度で矩形のレジストパターンを形成することができ、現像後にレジストパターン欠陥(橋架け(ブリッジング)、欠け）がなく、感度、現像性、寸法忠実度等にも優れる化学増幅型ネガ型レジストのためのネガ型感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises processes for forming a resist pattern on a base layer; smoothing, at least the wall surfaces of the resist pattern by applying a resist pattern smoothing material to the surface of the resist pattern and by controlling at least either one of coating thickness and heating temperature, including heating and development; and patterning the base layer by etching, using the smoothed resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの表面にレジストパターン平滑化材料を塗布した後、加熱し、現像することを含み、塗布の厚み及び加熱の温度の少なくともいずれかを調整することにより、レジストパターンにおける少なくとも壁面を平滑化させる工程と、平滑化されたレジストパターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for forming a resist pattern includes steps of forming a photoresist pattern from a resist film with exposure and development, swelling a resist insoluble layer formed on the front surface of the photoresist pattern with the vapor of resist solvent sprayed from a nozzle 12 within the thermal flow apparatus 10, and shrinking the photoresist pattern attained by swelling the resist insoluble layer by heating the same pattern with a hot plate 11 for thermal flow.例文帳に追加

レジストパターン形成方法は、露光及び現像により、レジスト膜からフォトレジストパターンを形成する工程と、サーマルフロー装置１０内で、フォトレジストパターンの表面に形成されたレジスト難溶化層を、ノズル１２から噴霧するレジスト溶剤の蒸気で膨潤させる工程と、レジスト難溶化層を膨潤させたフォトレジストパターンを、ホットプレート１１で加熱し、サーマルフローさせてシュリンクする工程とを有する。 - 特許庁

When a series of treatment processes, such as resist coating, exposure, development processes is carried out for the substrate, one-sided carriage of the substrate is performed in two directions of carriage from the coating module 10a through the exposure unit 20a to the development module 30 and from the coating module 10b through the exposure unit 20b to the development module 30.例文帳に追加

レジスト塗布、露光、現像といった一連の基板処理を行う際に、塗布モジュール１０ａから露光装置２０ａを経て現像モジュール３０への搬送方向および塗布モジュール１０ｂから露光装置２０ｂを経て現像モジュール３０への搬送方向の２通りの一方通行搬送が行われる。 - 特許庁

In addition, structural reforms, development policies, particularly supporting the poorest countries, and ongoing efforts to refrain from raising trade and investment barriers and resist protectionist measures are required. 例文帳に追加

更に、構造改革、とりわけ最貧国を支援する開発政策、貿易・投資障壁引き上げを自制し保護主義的措置に対抗する努力の継続が必要である。 - 財務省

The rinse used for rinsing the resist after development has a composition containing 90-95 wt.% ethylene glycol monoethyl ether and 5-10 wt.% isoamyl acetate.例文帳に追加

また、前記レジストの現像後のリンスに使用するリンス液であって、エチレングリコールモノエチルエーテルを９０〜９５重量％、酢酸イソアミルを５〜１０重量％含有する組成からなる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance to ≤160 nm, concretely F_2 excimer laser light (157 nm) and excellent in line edge roughness and development defects.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）に対する十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥性能が優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In the rinsing liquid, wherein the liquid resist coated on the surface of a conductor pattern is exposed for development with alkali, and the rinsed, Ca ion concentration is 17-20 mg/L.例文帳に追加

導体パターンの表面に塗布した液体レジストを露光しアルカリ現像後、水洗に用いる水洗用液であって、Ｃａイオン濃度が１７〜２０ｍｇ／Ｌである。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in residual film ratio and resist profile and not causing the problem of development defects even when deep UV, particularly ArF excimer laser light is used as a light source for exposure.例文帳に追加

露光光源として、深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、残膜率、レジストプロファイルが優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist using an incomplete oxide of transition metal with high transmittance to ultraviolet rays and permitting positive type exposure development, and to provide a stamper for a multilayer recording medium.例文帳に追加

本発明は、ポジ型の露光現像が可能で、且つＵＶ光に対する透過率の高い遷移金属の不完全酸化物を用いたレジスト及び多層記録媒体用のスタンパを提供するものである - 特許庁

To provide a polymer having high sensitivity and high resolution and causing little defect in development when it is used for a resist composition in DUV excimer laser lithography and the like.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等においてレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトが少ない重合体を提供する。 - 特許庁

The resist 3 at a position corresponding to the second deepest pattern in the step pattern to be formed in the quartz substrate 1 is removed by exposure and development.例文帳に追加

次に、石英基板１に形成される段差パターンのうち、２番目に深いパターンに対応する位置のレジスト３を露光と現像により除去する。 - 特許庁