「resist development」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, after forming and exposing a second photosensitive resist film 4 on the first photosensitive resist film 3, etching resist patterns 3a, 4a by the first and the second photosensitive resist films 3, 4 are formed by development.例文帳に追加

そして、第１の感光性レジスト膜３上に第２の感光性レジスト膜４を形成し露光した後、現像によって第１および第２の感光性レジスト膜３、４によるエッチングレジストパタ−ン３ａ、４ａを形成する。 - 特許庁

Exposure and development are performed on the resist layer 102 so as to leave a predetermined dimension W_2, as with the first layer (resist layer 100), and then, a third resist layer (resist layer 104) is applied.例文帳に追加

レジスト層１０２についても、一層目（レジスト層１００）と同様に、所定の寸法Ｗ_２を残すように露光現像を行い、その後、三層目のレジスト（レジスト層１０４）を塗布する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that has a hydrophobic property during exposure, has a characteristic in which the hydrophilic property of a resist film surface becomes high during development, and forms a favorable resist pattern, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

露光時に疎水性を有し、かつ、現像の際にレジスト膜表面の親水性が高くなる特性を有し、良好なレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a resist composition which enhances solubility in resist preparation and adhesion of a resist film in development, improves resist stability and excels also in safety.例文帳に追加

レジスト調製時の溶解性、現像時のレジスト膜密着性の特性を高めるだけでなく、レジスト安定性を向上させ、安全性にも優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition improved in solubility at the time of resist preparation, and resist film adhesion at the time of development, also improved resist stability, and excellent in safety.例文帳に追加

レジスト調製時の溶解性、現像時のレジスト膜密着性の特性を高めるだけでなく、レジスト安定性を向上させ、安全性にも優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which is improved not only in the solubility upon preparing a resist and characteristics of adhesiveness of a resist film during development, but resist stability and which is also excellent in safeness.例文帳に追加

レジスト調製時の溶解性、現像時のレジスト膜密着性の特性を高めるだけでなく、レジスト安定性を向上させ、安全性にも優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which enhances solubility in resist preparation and adhesion of a resist film in development, improves resist stability, and excels also in safety.例文帳に追加

レジスト調製時の溶解性、現像時のレジスト膜密着性の特性を高めるだけでなく、レジスト安定性を向上させ、安全性にも優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A resist film is formed on the wafer W and is exposed for development, thus forming the resist pattern on the wafer W.例文帳に追加

ウェハＷ上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を露光し現像してウェハＷ上にレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To prevent fine resist patterns from falling in a drying process after development processing in forming the resist patterns.例文帳に追加

レジストパターンを形成する際に、現像処理後の乾燥工程において、微細なレジストパターンが倒れるのを防止できるようにする。 - 特許庁

Then, a pattern is drawn on the resist layer by an electron ray, and the resist pattern 5 is obtained on the board through the development.例文帳に追加

次に、電子線によりパターンをレジスト層に描画し、現像を経て基板上にレジストパターン５を得る。 - 特許庁

To increase wettability of the surface of a resist layer and improve the uniformity of development in forming a resist pattern in a device such as a photoresist.例文帳に追加

フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の表面の濡れ性を高め、現像の均一性を高める。 - 特許庁

The resist pattern is formed by coating a substrate with a photosensitive resist material and performing an exposure and a development.例文帳に追加

基板上に、感光性レジスト材料を塗布し、露光及び現像を行って、レジストパターンを形成する。 - 特許庁

As a result, the resist film thickness of the halftone region 10b after development is made thinner than the resist film thickness of the light shielding band region 10a.例文帳に追加

これにより、現像後のハーフトーン領域１０ｂのレジスト膜厚は、遮光帯領域１０ａのレジスト膜厚よりも薄くなる。 - 特許庁

Then one resist part Ra is formed by exposure and development and the corner part at the upper part of the end surface is hardened after made smooth by a resist flow.例文帳に追加

次いで、レジストの一方Ｒａを露光・現像により形成して、端面上部の角部をレジストフローによりなだらかとした後に硬化する。 - 特許庁

To restrain floating and separation of color resist caused in color resist development using a liquid alkaline developer.例文帳に追加

アルカリ性現像液によるカラーレジスト現像時に起こるカラーレジストの浮きやハガレによる欠陥を抑制すること。 - 特許庁

Then, rinsing liquid 9 is dropped on the resist film 2, substitution is made between the second development solution 6 and the rinsing solution 9, and the resist film 2 is rinsed.例文帳に追加

次に、リンス液９をレジスト膜２に滴下して、第２の現像液６とリンス液９とを置換し、レジスト膜２を洗浄する。 - 特許庁

Then, the first resist film R1 is selectively exposed to light, and development is made to form a first resist pattern P1 (Fig.7(c)).例文帳に追加

その後、第１のレジスト膜Ｒ１を選択的に露光し、現像して第１のレジストパターンＰ１を形成する（図７（ｃ））。 - 特許庁

After the exposure step for all of the resist films 12 and 14 is completed, development of the resist films 12 and 14 is collectively performed so that a three-dimensional void 15 is formed.例文帳に追加

そして全てのレジスト膜１２、１４の露光が終了した後に、レジスト膜の現像を一括して行い、三次元の空隙１５を形成する。 - 特許庁

The resist 32 is exposed, in such a manner that the thickness of a resist film after development corresponds to an etched depth which should be achieved in the board 23.例文帳に追加

現像後のレジスト膜厚が石英基板２３に形成すべき彫り込み量に対応するようにレジスト３２を露光する（図２（ｂ））。 - 特許庁

To provide a polymer for resist, and a resist composition high in light transmittance, and little in defects in development.例文帳に追加

光線透過率が高く、現像時のディフェクトが少ないレジスト用の重合体、レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

APPLICATOR AND DEVELOPER, RESIST PATTERN FORMATION APPARATUS, APPLICATION AND DEVELOPMENT METHOD, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

塗布、現像装置、レジストパターン形成装置、塗布、現像方法、レジストパターンの形成方法及び記憶媒体。 - 特許庁

By applying development processing, a portion of a non-crosslinked lower layer resist material film is removed while leaving the crosslinked lower layer resist film 3b.例文帳に追加

現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having favorable development defect performance and a square resist profile.例文帳に追加

良好な現像欠陥性能、矩形なレジストプロファイルを有するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To reduce a deviation of a resist pattern formed on a resist after development from a pattern based on a design due to the loading effect.例文帳に追加

ローディング効果により現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのズレを軽減すること。 - 特許庁

Thereafter, the exposed parts of the resist are moved by a development process to form a resist mask 107.例文帳に追加

その後、現像処理を行うことにより、露光したレジストを除去し、レジストマスク１０７を形成する。 - 特許庁

At the time of forming a wiring groove pattern, a negative resist is used as a resist and the outer peripheral section of the wafer is exposed to light before development.例文帳に追加

配線溝パターンを形成する際のレジストとしてネガレジストを用い、現像前にウエハ外周部を露光する。 - 特許庁

Resist Rn is newly applied, and then cut by exposure and development to form the other resist part Rb.例文帳に追加

次いで、新たにレジストＲｎを塗布し、これを露光・現像によりカットして他方のレジストＲｂを形成する。 - 特許庁

In a process of executing development processing for an exposed resist film formed on the surface of a substrate W, a developing liquid mixed with a hydrophobing agent is supplied from a development liquid supply nozzle 28 onto the resist film, and the resist film is subjected to rinse processing, after the development processing and spin-dried.例文帳に追加

基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理する工程において、現像液供給ノズル２８から疎水化剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給し、現像処理後にリンス処理しスピン乾燥する。 - 特許庁

To provide a development method and a developer for uniformizing a size of a wafer surface by uniformizing the thickness of a resist film.例文帳に追加

レジスト膜厚を均一にすることにより、ウエハ面内寸法を均一にすることを目的とする。 - 特許庁

ALKALI DEVELOPMENT TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST INK AND PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

アルカリ現像型感光性樹脂組成物、レジストインキ及びプリント配線基板。 - 特許庁

A preferable photoresist can reduce defects in a resist coating layer after development.例文帳に追加

特に好ましいフォトレジストはレジストの塗膜層の現像後の欠陥を低減できる。 - 特許庁

In the case of the diluted developer, the substantial development processing of the resist film does not progress.例文帳に追加

また、希釈現像液であればレジスト膜の実質的な現像処理は進行しない。 - 特許庁

After that, PEB treatment (S107) and development processing (S108) are performed to obtain a resist pattern.例文帳に追加

その後、ＰＥＢ処理（Ｓ１０７）および現像処理（Ｓ１０８）を施してレジストパターンを得る。 - 特許庁

In developing processing of a resist film 62 development made after the exposure to light, the sublimation preventive film 64 is removed.例文帳に追加

露光後行われるレジスト膜６２の現像処理にて昇華防止膜６４を除去する。 - 特許庁

The third resist layer 19, corresponding to the mask 20, is removed by development.例文帳に追加

次に、現像によりマスク２０に対応する第３のレジスト層１９を除去する。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING RESIST DEVELOPMENT, AND APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SURFACE例文帳に追加

レジスト現像処理装置とその方法及び表面処理装置とその方法 - 特許庁

Accordingly, the residual resist film after development can be improved in uniformity.例文帳に追加

従って、現像後のレジストの残膜の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

To simplify prediction of the shape of resist patterns which are formed through an exposure process and a development process.例文帳に追加

露光工程及び現像工程を経て形成されるレジストパターンの形状の予測を簡易化する。 - 特許庁

The exposure and development are performed on the third layer (resist layer 104) as well to leave a predetermined dimension W_3.例文帳に追加

三層目（レジスト層１０４）においても所定の寸法Ｗ_３を残すように露光現像を行う。 - 特許庁

To ensure the solubility of a resist to a developer and to realize proper development processing.例文帳に追加

レジストの現像液に対する溶解性を確保し，適正な現像処理を実現する。 - 特許庁

To provide: a resist composition having excellent development failure performance; and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

現像欠陥性能に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a second process ST2, development reaction is advanced on the resist film with supplied developer.例文帳に追加

次に、工程ＳＴ２において、供給された現像液によりレジスト膜に現像反応を進行させる。 - 特許庁

At this time, the curing level of the solder resist layer 250 is left at a level where it can not withstand development.例文帳に追加

この際に、ソルダーレジスト層２５０を現像に耐え得ない硬化レベルにとどめる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having excellent profile and which is less liable to cause development defects.例文帳に追加

プロファイルに優れ、現像欠陥の問題が少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The resist 32 and the board 23 which remain after the development are etched in batch.例文帳に追加

現像後に残ったレジスト３２と石英基板２３とを一括してエッチングする（図２（ｃ））。 - 特許庁