「resist development」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The resist is crosslinked in a more intense heat treatment (thermal flow hard baking) after development.例文帳に追加

しかし、本発明のレジストは現像後のより激しい熱処理（熱フローハードベイク工程）の間に架橋する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which significantly decreases the occurrence of development defects and with which an excellent square profile can be obtained.例文帳に追加

現像欠陥の発生を著しく低減し、優れた矩形のプロファイルが得られるポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method which reduces efficiently the amount of footing after development in a resist process.例文帳に追加

レジストプロセスにおける現像後のフッティング量を効果的に削減することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The wiring board is manufactured by going through a board preparation step, a solder resist formation step, an exposure step, a development step and a curing step.例文帳に追加

配線基板は、基板準備工程、ソルダーレジスト形成工程、露光工程、現像工程及び硬化工程を経て製造される。 - 特許庁

To provide a method and device for development by which the line width uniformity of a resist pattern film in the surface of a water can be improved.例文帳に追加

ウエハ面内のレジストパターン膜の線幅均一性を向上させる現像処理方法及び現像処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin film for reducing sludge during development, and to provide a method for manufacturing a resist pattern using it.例文帳に追加

現像時のスラッジを低減できる感光性樹脂フィルム及びこれを用いたレジストパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a manner, it is possible to eliminate the processes of photo- resist deposition, pattern exposure, and development which have been necessary for patterning the protective insulating film in the conventional art.例文帳に追加

これにより従来保護絶縁膜のパターニングに必要としていたフォトレジスト成膜、パターン露光、現像工程を削減できる。 - 特許庁

In a measuring step S20, the resist pattern form of basic patterns which are formed after exposure and development steps is measured.例文帳に追加

測定工程Ｓ２０では、露光、現像工程後に形成された基本パターンのレジストパターン形状を測定する。 - 特許庁

To provide a resist developing solution which can perform development without corroding metal such as aluminum.例文帳に追加

アルミニウム等の金属を腐食することなく、現像を行うことのできるレジスト現像液を提供する - 特許庁

Thereby, the imaging characteristic adjustment information can be obtained without going through the steps of exposure, development, measurements of a resist image and the like in a short time.例文帳に追加

従って、結像特性調整情報を、露光、現像、レジスト像の計測等の工程を経ることなく、短時間で取得できる。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus and development processing method for suitably removing dissolution product on a resist film.例文帳に追加

レジスト膜の溶解生成物を好適に除去することができる基板処理装置および現像処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a substrate capable of reducing a required quantity of supply of a rinsing liquid and improving efficiency of removing development defects of photo resist film.例文帳に追加

基板を洗浄するにあたって、リンス液の必要供給量を減少させ、レジスト膜の現像欠陥の除去効率を向上させる。 - 特許庁

The diluted developer has concentration that is lower than that of a developer used for the development processing of the resist film.例文帳に追加

希釈現像液とはレジスト膜の現像処理に使用する現像液よりも濃度の低い現像液である。 - 特許庁

In a process ST3, developer and resist dissolved in developer are shaken off and removed by rotating the wafer after development.例文帳に追加

次に、工程ＳＴ３において、現像後に現像液及び該現像液に溶解したレジストをウェハを回転させることにより振り切り除去する。 - 特許庁

The exposure-development step thus follows the prebaking in a short time and the change of the resist pattern can be reduced.例文帳に追加

これによって、プリベークから短時間で連続して感光・現像工程に移ることが可能となり、レジストパターンの変動を減少させることができる。 - 特許庁

After patterning by exposure and development of the master optical disk, a resist surface is subjected to surface treatment to form a specified pattern.例文帳に追加

光ディスク原盤の露光及び現像によりパターニングした後に、レジスト表面を表面処理して所定のパターンを形成する。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition excellent in shelf stability and giving a resist pattern free from development defects.例文帳に追加

保存安定性に優れ、現像欠陥のないレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a master disk for an optical disk directly by applying a negative photo resist on a substrate surface and forming bumps by exposure and development.例文帳に追加

基板表面にネガ型のフォトレジストをコーティングし露光と現像によりバンプを形成させ、それを直接光ディスク用原盤とすること。 - 特許庁

When a development process is carried out after a pattern exposure process, the resist film is removed from the film thickness measuring region 42 to make the region 42 flat.例文帳に追加

パターン露光を経て現像処理すると、膜厚測定領域４２のレジスト膜を取り去り、平坦な状態にすることができる。 - 特許庁

To improve uniformity in a resist residual film after development and to suppress variations in the line width and pitches of a wiring pattern.例文帳に追加

現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。 - 特許庁

When a series of treatment processes, such as resist coating, exposure, development processes, is carried out for the substrate, the carriage of the substrate is in one direction, so that the throughput can be improved.例文帳に追加

レジスト塗布、露光、現像といった一連の基板処理を行う際に、基板の搬送が一方向となるので、スループットが向上する。 - 特許庁

In addition, the resist composition obtains a high resolution pattern since the dissolution speed is remarkably improved and can prevent substrate defect formation such as development inferiority.例文帳に追加

また、溶解速度が著しく向上することから高解像度なパターンが得られ、現像不良などの基板欠陥形成を防止できる。 - 特許庁

A development processing device group 90 and a resist application device group 100 are arranged confronting each other to interpose the second transfer device 30 between them.例文帳に追加

第２搬送装置３０を挟んで現像処理装置群９０及びレジスト塗布装置群１００を対向配置させる。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having such good performance as not to cause development defects and good line edge roughness.例文帳に追加

現像欠陥性能及びラインエッジラフネスが良好なポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a resist underlay film from the above composition for forming a resist underlay film on a substrate; forming a resist film thereon; forming a resist pattern by exposure and development; etching the underlay film through the resist pattern; and processing the semiconductor substrate through the patterned underlay film.例文帳に追加

基板にレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、露光と現像によりレジストパタ−ンを形成する工程、レジストパタ−ンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパタ−ン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the method for forming a chemical amplification type resist pattern by photolithography, a chemical amplification type resist film is formed on a substrate, a coating comprising amorphous polyolefins and having a smaller thickness than the resist film is formed on the resist film and the formation of a latent image pattern, the removal of the coating and development are successively carried out to form the objective chemical amplification type resist pattern.例文帳に追加

フォトリソグラフィーにより化学増幅型レジストパターンを形成する方法において、基板上に化学増幅型レジスト膜を形成したのち、その上に、該レジスト膜の厚さ以下の厚さを有する非晶性ポリオレフィン類からなる皮膜を形成し、次いで潜像パターンの形成、該皮膜の除去及び現像処理を順次施し、化学増幅型レジストパターンを形成する。 - 特許庁

A resist coating/development system 100, which is one of operation forms of the liquid treatment apparatus, possesses a resist coating system (CT) for forming a resist film on the substrate G 22, a peripheral resist removing unit (ER) 23 for removing the resist in the peripheral part of the substrate G and a transporting structure 50 for transporting the substrate G between 2 units.例文帳に追加

液処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システム１００は、基板Ｇにレジスト膜を形成するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２と、基板Ｇの周縁部におけるレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３と、これらの２つのユニット間で基板Ｇを搬送する搬送機構５０を具備する。 - 特許庁

To provide a resist polymer which has high sensitivity and resolution and causes only a small number of defects and a small degree of line edge roughness upon development, when used for a resist composition in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography, its manufacturing process, a resist composition containing the resist polymer and a patterning process using the resist composition.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等においてレジスト用組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト用組成物、および、このレジスト用組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid photoresist resin composition for a printed wiring board which reduces the amount of a residual solvent in a resist film in the formation of the resist film, makes the resist film homogeneous and dense and enhances characteristics such as the rate of a residual film, uniformity in line width and the adhesion of the resist film in development as well as to enhance solubility and stability in the preparation of the resist composition.例文帳に追加

レジスト組成物調製時の溶解性並びに安定性を高めると共に、レジスト製膜時にレジスト膜中の残存溶剤量を減少させ、更には均質で緻密であり、残膜率、線幅均一性、現像時のレジスト膜の密着性等の特性を向上させたプリント配線板用液状フォトレジスト樹脂組成物。 - 特許庁

Slight exposure can prevent the adhesion of development contrast of the resist film and large film reduction can be prevented, and the difference in surface condition between the element forming region and the resist film is reduced, thus smoothly shaking off the generated development defect when rinsing or high-speed rotation thereof.例文帳に追加

軽微に露光することで、レジスト膜の現像コントラストは付かず、大きな膜減りはないが、素子形成領域Ａｒ１におけるレジスト膜との表面状態の差が低減されることにより、発生した現像欠陥をリンス時や及びその高速回転においてスムーズに振るい落とすことができる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for black resist which is free from development residue, has excellent pattern dimensional stability and a pattern contactness, can obtain a pattern excellent in sharpness of its edge shape with a wide development margin, and can obtain a black resist high in light shielding property.例文帳に追加

現像残渣がなく、パターン寸法安定性及びパターン密着性に優れ、パターンのエッジ形状のシャープ性が良好なパターンを広い現像マージンで得ることができ、遮光性の高いブラックレジストが得られるブラックレジスト用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The resist mask 54 comprises a benzophenone system novolac resist mask which is, after the exposure and development, heated while an ultraviolet radiation is applied to be cured.例文帳に追加

レジストマスク５４は、ベンゾフェノン系ノボラックレジストを露光、現像した後、必要に応じて紫外線を照射しながら加熱して硬化させることにより形成する。 - 特許庁

Subsequently, a development process is performed for the acid compensating layer and the photo resist layer, and patterning of the acid compensating layer and the photo resist layer is performed.例文帳に追加

続いて、前記酸補償層及び前記フォトレジスト層に対して現像工程を行い、前記酸補償層及び前記フォトレジスト層をパターニングする。 - 特許庁

To obtain a TAAH regenerated liquid of high purity in which a development waste liquid that contains a resist exfoliation and tetraalkylammonium hydroxide (TAAH) is processed to highly remove a resist component.例文帳に追加

レジスト剥離物とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＡＡＨ）とを含む現像廃液を処理してレジスト成分を高度に除去した高純度のＴＡＡＨ再生液を得る。 - 特許庁

The inorganic resist material is film-deposited on the substrate and exposed to a laser beam and an exposed part corresponding to grooves is left after development to obtain a resist pattern.例文帳に追加

無機レジスト材料が基板上に成膜され、レーザ光で露光され、グルーブに対応する露光部が現像後に残るレジストパターンが得られる。 - 特許庁

In the wafer treatment chamber 10, development is carried out, by using tetramethylammonium hydroxide aqueous solution on an exposed resist film 17, to form a resist pattern.例文帳に追加

ウェハ処理室１０において、露光されたレジスト膜１７に対して、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像を行なってレジストパターンを形成する。 - 特許庁

A resist for excimer laser or ultraviolet exposure is applied onto a surface, and a patterned unit resist is formed by exposure to light of the ultraviolet area and development.例文帳に追加

面上に、エキシマレーザ用または紫外線露光用のレジストを塗布し、紫外領域の光による露光及び現像を行って、パターニングされた単位レジストを形成する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist having excellent heat resistance, sensitivity and resolution, having a fast resist stripping rate with ozone water, being developable with an alkali aqueous solution, and hardly producing scum as a dissolution residue of the resist upon development.例文帳に追加

耐熱性、感度及び解像度に優れ、オゾン水によるレジスト剥離速度が速く、アルカリ水溶液で現像することができ、さらに現像の際にレジストの溶け残り物であるスカムが生じ難いポジ型フォトレジストを提供する。 - 特許庁

By the water-soluble resin included in the developer solution applied on the resist film on the substrate surface, the component eluted from the resist by the development is prevented from diffusing in the developer solution.例文帳に追加

基板表面のレジスト膜上に塗布された現像液中に含まれる水溶性樹脂により、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散することを抑制する。 - 特許庁

To provide a lactone compound useful for a resist composition which can suppress roughness of the surface generated in a resist pattern after etching or development, preferably after the both.例文帳に追加

エッチング後と現像後の一方、好ましくは両方において、レジストパターンに生じる表面荒れの発生を抑制できるレジスト組成物に有用なラクトン化合物を提供する。 - 特許庁

To prevent the swelling of a resist pattern obtained by subjecting a patternwise exposed resist film to development, rinsing and drying in a supercritical fluid.例文帳に追加

パターン露光されたレジスト膜に対して、現像、リンス及び超臨界流体中での乾燥を行なうことにより得られるレジストパターンが膨潤しないようにする。 - 特許庁

After a resist pattern 2a is formed by exposure/development treatment by means of a circuit pattern mask 3, laser is cast selectively on a part which fines the resist pattern 2a through an irradiation mask 4.例文帳に追加

回路パターンマスク３による露光・現像処理で、レジストパターン２ａを形成した後、このレジストパターン２ａの微細化を行う部分に対して照射マスク４を介して選択的にレーザを照射する。 - 特許庁

In the development, the resist is first removed at a first speed in the exposed parts, then the resist is removed at a second speed slower than the first speed in the unexposed parts.例文帳に追加

現像処理では、まず、露光部においてレジストを第１の速度で除去し、次に、未露光部においてレジストを第１の速度よりも遅い第２の速度で除去する。 - 特許庁

A resist film 16 is formed on a polysilicon film 15 and subjected to exposure/development thus patterning the resist film 16.例文帳に追加

ポリシリコン膜１５上にレジスト膜１６を形成した後、このレジスト膜１６に対して露光・現像することにより、レジスト膜１６をパターニングする。 - 特許庁

A resist 3 is applied onto the surface of an oxide film 2 formed on a substrate 1 having optical surface accuracy and a resist portion 4 is formed by a photomask forming, exposure and development steps.例文帳に追加

光学的面精度を有する基板１上に形成した酸化膜２面にレジスト３を塗布し、フォトマスク形成、露光・現像工程を経てレジストパターン４を形成する。 - 特許庁