「resist development」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A dummy substrate used for alignment process for adjusting the exposure position of a pattern image in an oil immersion-compliant exposure unit are conveyed to a substrate processing apparatus, for performing a resist coating process and a development process before and after the exposure.例文帳に追加

液浸露光対応の露光ユニットにおいてパターン像の露光位置を調整するアライメント処理に使用するダミー基板を露光前後のレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置に搬送する。 - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD, RESIST COMPOSITION TO BE USED IN THE PATTERN FORMING METHOD, NEGATIVE DEVELOPING SOLUTION TO BE USED IN THE PATTERN FORMING METHOD AND RINSING SOLUTION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT TO BE USED IN THE PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ型現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ型現像用リンス液 - 特許庁

A thin film 5 is formed in the front surface of a processed layer 4 on a substrate 1, and a first pattern 6 is formed in the front surface of the thin film 5 by a lithographic process (resist application, a pattern exposure, development, etc.).例文帳に追加

基板１上の被加工層４の表面に薄膜５を形成し、リソグラフィ工程（レジスト塗布、パターン露光、現像等）により薄膜５の表面に第１のパターン６を形成する。 - 特許庁

The substrate treating device is mechanically divided into each processing block of an indexer block 1, a bake block 2, a resist coating block 3, a development processing block 4, an interface block 5, and an inspection block IB.例文帳に追加

基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４、インターフェイスブロック５、検査ブロックＩＢに各処理ブロックに機械的に区分される。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which has high sensitivity, high resolution and good low scum properties and which is useful for DFR (dry film resist) for manufacturing printed circuit boards of an alkaline development type, lead frames and semiconductor packages.例文帳に追加

高感度、高解像度であり、良好な低スカム性を有する、アルカリ現像型のプリント回路板、リ−ドフレ−ム及び半導体パッケ−ジ製造用のＤＦＲに有用な、感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resin composition superior in development residue and outgassing performance, and to provide a method of forming a pattern using the positive resist composition.例文帳に追加

現像残渣に優れ、かつアウトガス特性に優れたポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a resin composition which is excellent in photosensitivity, gives a cured material excellent in flexibility, resistance to soldering heat, heat aging resistance, resistance to electroless gilding, can realize the development with a dilute alkaline solution, and is suitable for a soldering resist and an interlaminar insulating layer.例文帳に追加

感光性に優れ、硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method with which good liquid immersion lithography can be carried out and development of a resist film and removal of a protective film can simultaneously and collectively be performed and to provide the protective film therefor and a material thereof.例文帳に追加

良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる方法、その為の保護膜およびその材料を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist material having a high sensitivity and a high resolution in exposure with a high energy line and ensuring a minimal line edge roughness and little residue after development.例文帳に追加

高エネルギー線での露光において高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

After providing a conductive layer over the whole surface of a transparent base material 11 comprising a polyester film, etc., by forming a photosensitive layer on the conductive layer, such a series of patterning treatments as pattern exposure and development are so performed as to form a resist pattern.例文帳に追加

ポリエステルフィルム等からなる透明基材１１の全面に導電層を設け、導電層上に感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in sensitivity in exposure and resolution of a resist pattern after development, giving a tough cured film free of break for tenting and having good plating resistance.例文帳に追加

露光時の感度及び現像後のレジストパターンの解像性に優れるとともに、テンティング用では膜破れのない強靭な硬化膜を有し、耐めっき性が良好な感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to a radiation, satisfying basic properties required by a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape, and ensuring good adhesiveness to a substrate and few development defects.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストに要求される基本性能を満たすとともに、基板に対する接着性が良好で現像欠陥が少ない。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and giving a resist pattern free from residue on development and having no density dependency even when an acid decomposable resin containing an introduced alicyclic hydrocarbon part is used in micro- photofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、脂環式炭化水素部位が導入された酸分解性樹脂を用いたときでも、十分な感度及び解像力を有し、現像残査及び疎密依存性のないレジストパターンを与えるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative tone development, which reduces line edge roughness, enhances in-plane uniformity of a pattern dimension and shows excellent bridge margin, so as to stably form a high precision fine pattern for manufacturing a highly integrated electronic device with high precision, and to provide a method for forming a pattern using the resist composition.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ラインエッジラフネスを低減し、パターン寸法の面内均一性を高め、更にはブリッジマージンに優れたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The development processing method includes processing liquid supply processes S14-S16 of supplying a processing liquid, where a hydrophobic agent for hydrophobizing the resist pattern is diluted by hydrofluoroether onto the substrate where the rinse liquid is supplied, after the resist pattern is developed; and processing liquid removal steps S18, S19 for removing the processing liquid from an area on the substrate to which the processing liquid has been supplied.例文帳に追加

レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程Ｓ１４〜Ｓ１６と、処理液が供給された基板上から、処理液を除去する処理液除去工程Ｓ１８、Ｓ１９とを有する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable when an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F_2 excimer laser light (157 nm) is used, and specifically to provide a positive resist composition having sufficient transmitting property when a light source at 157 nm is used, and having improved surface roughness, development defect, scum and resolution.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ表面ラフネス、現像欠陥、スカム、解像力が改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a UV-curing resin composition excellent in developability, resolution, development latitude and resistance to the heat of soldering and capable of preparing a photo-soldering resist ink developable with a dilute aqueous alkali solution and capable of forming a soldering resist which exhibits excellent adhesion to a substrate, excellent electric corrosion resistance and particularly excellent resistance to the heat of soldering and to gold plating on the substrate.例文帳に追加

現像性、解像性、現像幅及びはんだ耐熱性に優れ、また優れた基板密着性及び耐電蝕性並びに特に優れたはんだ耐熱性及び耐金めっき性を示すソルダーレジストを基板上に形成することができる希アルカリ水溶液で現像可能なフォトソルダーレジストインクを調製できる紫外線硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies characteristics such as sensitivity and resolution in the use of electron beams or X-rays, resist shape, development defects, appliability and solubility in a solvent.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状、現像欠陥、塗布性及び溶剤溶解性の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used, ensures good pattern profile and line edge roughness, and produces little residue on development (scum).例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、パターンプロファイルとラインエッジラフネスの特性が良好で、現像残渣（スカム）の少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To enhance performance in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays, to solve the conventional problems and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays having good sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used, reducing development defects and having good suitability to coating.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上及び従来の問題点を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して良好な感度、解像度、レジスト形状に加え、現像欠陥を低減し、良好な塗布性を有する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that can give a resist coating showing a high dynamic contact angle during exposure in an immersion exposure process, thereby showing excellent draining capability on the surface of the resist coating as well as high solubility with an alkali developing solution and with a rinsing liquid, and suppressing occurrence of a development defect.例文帳に追加

液浸露光プロセスにおいて、露光時には高い動的接触角を示すことにより、レジスト被膜表面が優れた水切れ性を示す一方で、アルカリ現像液及びリンス液に対する高い溶解性を示し、現像欠陥の発生が抑制されるレジスト被膜を与えることができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) and to concretely provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used and ensuring small line edge roughness, few development defects and little scum.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

In this pattern treatment method of a resist pattern 2 that is formed via exposure and development processes or a material pattern consisting of a resin pattern that is formed with the resist pattern as a mold, the surface region of the material pattern is selectively heated by casting light for allowing the surface region to selectively reflow.例文帳に追加

露光及び現像工程を経て形成されたレジストパターン２又は該レジストパターンを鋳型として形成された樹脂パターンからなる材料パターンのパターン処理方法であって、光照射によって材料パターンの表面領域を選択的に加熱して該表面領域を選択的にリフローする。 - 特許庁

To enhance performance and to solve technical problem in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies characteristics such as sensitivity, resolution, resist shape, development defects and appliability in the use of electron beams or X-rays.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能の向上及び技術課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度、解像度、レジスト形状、現像欠陥、及び塗布性の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤300 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when the light source of 157 nm is used and ensures little line edge roughness, few development defects, and little scum.例文帳に追加

３００ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In platemaking plating method for enabling the lead frame or forming a semiconductor package to be subjected to metal plating required or wire bonding, there is a process for forming a resist film made of photoresist in the entire lead frame, and then exposing only the entire back to light, and then performing the pattern exposure of the front for development, metal plating, and resist peeling.例文帳に追加

半導体パッケージを形成するリードフレームにワイヤーボンディングのために必要な金属めっきを施す製版めっき方法において、リードフレーム全体にフォトレジストのレジスト膜を形成した後、まず先に裏面のみを全面露光し、次いで表面のパターン露光を行ってから、現像、金属めっき、レジスト剥離を行う工程を含むようにする。 - 特許庁

The objective positive type resist composition contains one or more components which are preferably substantially stable 1) in soft baking which is a heat treatment before exposure for removing the solvent carrier of an applied resist and 2) in a heat treatment after exposure and before development for accelerating or increasing an acceleration reaction by an acid in an exposed region (typically a deblocked region).例文帳に追加

１）塗布されたレジストの溶媒キャリアを除去するための露光前の熱処理である、ソフトベイク、２）露光された領域（典型的にはデブロッキングされた領域）での、酸による促進反応を促進または増大させるための露光後、現像前の熱処理の間、好ましくは実質的に安定である１以上の成分を含むポジ型レジスト組成物。 - 特許庁

To reduce the amount of the wastes to be discharged and the cost of energy as well in treating the waste liquid containing a combustible organic solvent, such as isopropyl alcohol, used in rinsing, etc., of a resist peeling liquid discharged from a semiconductor manufacturing process step and the waste developing solution of a water system used for development of the resist.例文帳に追加

半導体製造工程から排出される、レジスト剥離液のリンス等に使用されたイソプロピルアルコール等の可燃性有機溶媒を含む廃液、及びレジストの現像に用いられた水系の現像廃液の処理にあたり、廃棄物の排出量を低減させるとともに、エネルギーコストも低減させる。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition for exposure with far UV adaptable to exposure in the far UV region using ArF or KrF as a light source in production of a semiconductor device, ensuring improved dimensional uniformity of a resist pattern and excellent also in various properties as a resist, such as resolving power, focal depth and development defects.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、レジストパターンの寸法均一性が改善され、さらに解像力、焦点深度、現像欠陥などのレジスト諸特性にも優れた遠紫外線露光用ポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition improved in resolution, development defects and outgassing and a pattern forming method using the same, which are a positive resist composition suitable for use in an ultramicrolithography process for producing VLSI or high-capacity microchips or in other photofabrication processes and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトパブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、解像力、現像欠陥、アウトガスが改良されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) and to concretely provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used and ensuring reduced line edge roughness and development defects.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥が著しく軽減されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

This method comprises a step for performing a surface reforming process to expose the underlayer film surface including the basic substance to the plasma of gas including carbon gas, a step for coating the chemically amplified resist film of the underlayer film, and a step for patterning the chemically amplified resist through the exposing and development processes thereof.例文帳に追加

塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンガスを含むガスによるプラズマを晒す表面改質処理を行う工程と下地膜上に化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えるようにしたものである。 - 特許庁

To provide a chemically amplified resist composition suitable for use of an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to more specifically provide a chemically amplified resist composition excellent in sensitivity and dissolution contrast when using a light source of 157 nm and improved in development defects and density distribution dependency, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適な化学増幅型レジスト組成物、より具体的には１５７ｎｍの光源使用時の感度、溶解コントラストに優れており、尚且つ、現像欠陥、疎密依存性が改良された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition that is suitable for the use of an exposure light source of ≤160nm especially of a F_2 excimer laser beam (157nm), specifically a positive type resist composition that indicates sufficient transparency when a light source of 157nm is used and has little light edge roughness, development defect and scum.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤200 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition for exposure with F_2 excimer laser light (157 nm) improved in coatability (uniformity of a coated surface), development defects and sensitivity in F_2 exposure.例文帳に追加

本発明は、２００ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供すること、具体的には塗布性（塗布面の均一性）、現像欠陥性、及びＦ_2露光時の感度が改良されたＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）露光用のポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is suitably used for a light source for exposure of ≤160 nm, particularly, an F_2 excimer laser beam (157 nm), and specifically to provide a positive resist composition which exhibits sufficient transmissibility when used for the light source of 157 nm and has little line edge roughness, development defect and scum.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a positive resist composition, in which the problems of the performance improvement technique of a microphoto application of its own using far ultraviolet ray, particularly ArF excimer laser beam are solved and concretely, the improvement of sensitivity and resolution and a problem of generation of development defect at the time of developing are resolved and which is small in roughness and fineness dependency and capable of obtaining an excellent resist pattern.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、感度及び解像力に優れ、現像の際の現像欠陥発生の問題が解消され、疎密依存性が少なく優れたレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

A resist coated on a substrate G is dried before heating exposure, and development here, a chamber wherein the inside is kept at depressurized atmosphere, a stage 63 where, provided in the chamber, the substrate G after coated with resist is placed, and an exhaust mechanism where the chamber is vacuumized to keep a depressurized condition, are provided.例文帳に追加

基板Ｇ上に塗布されたレジストを、その後の加熱処理、露光処理および現像処理に先立って乾燥処理する基板処理装置であって、内部を減圧雰囲気に保持可能なチャンバーと、チャンバー内に設けられ、レジストが塗布された後の基板Ｇが載置されるステージ６３と、チャンバー内を排気して減圧状態に保持する排気機構とを具備する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used and also satisfies characteristics such as development defects, suitability to coating and solubility in a solvent.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状、現像欠陥、塗布性及び溶剤溶解性の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

When using the photosensitive dry film resist, by light-shielding only the holes to be filled by a film mask or a straight drawing device and executing full exposure, the dry film resist of a hole part to be filled is removed in development processing, and only the holes desired to be filled are selectively exposed with high accuracy equivalent to a pattern forming technology.例文帳に追加

感光性ドライフィルムレジストを使用する場合には、フィルムマスクまたは直描装置にて埋める穴部のみを遮光し全面露光することで、現像処理にて埋める穴部のドライフィルムレジストが除去され、パターン形成技術と同等の高精度で埋めたい穴のみを選択的に露出させることができる。 - 特許庁

To provide an acrylate or a methacrylate copolymer suitable for use as a resin component of a chemically amplified photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, a resist pattern shape, dry etching resistance and adhesion, having a high affinity to an alkali and capable of giving a good resist pattern by paddle development, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性が高く、かつ優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示すとともに、アルカリに対する親和性が高く、パドル現像により良好なレジストパターンを与えうる化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂成分として好適に用いうるアクリル酸若しくはメタクリル酸エステル共重合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A dry film resist 6 is laminated to a copper-clad laminate board where a copper foil 2 is pasted to a substrate 1, which is heated while moisture is absorbed so that a minute void 11 between the copper-clad laminate and the dry film resist 6 is reduced, and a copper wiring pattern 10 is formed after exposure and development.例文帳に追加

基板１に銅箔２を貼り付けた銅張り積層板にドライフィルムレジスト６をラミネートし、これを加熱、吸湿させ、銅張り積層板とドライフィルムレジスト６との間に発生した微少な空隙１１を減少させ、さらに露光、現像して銅配線パターン１０を形成する高密度プリント配線基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gate electrode of a fine structure by effecting etching to two kinds of insulating films in independent steps, respectively, for substantially reducing the thicknesses of the insulating films, and thus shortening etching time and effectively mitigating aspect ratio, thereby optimizing conditions of thickness, exposure and development of a resist film for obtaining a fine and good resist opening pattern.例文帳に追加

２種の絶縁膜に対し独立した工程でエッチングを行い、絶縁膜の厚みを事実上薄くして、エッチング時間の短縮やアスペクト比を実効的に緩和して、微細で良好なレジスト開ロパタンを得るためのレジスト膜厚・露光・現像条件を最適化して、微細構造のゲート電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in sensitivity in exposure and resolution of a resist pattern after development, less liable to scum in a developing step, having good plating resistance and useful as alkali-developable DFR (dry film resist) for manufacturing substrates for a printed wiring board, for a lead frame and for a semiconductor package.例文帳に追加

露光時の感度及び現像後のレジストパターンの解像性に優れるとともに、現像工程におけるスカムの発生が少なく、耐めっき性が良好で、アルカリ現像型プリント回路板用、リ−ドフレ−ム用及び半導体パッケ−ジ用の基板作製用ＤＦＲとして有用な感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type resist, excellent in basic physical properties as a resist such as dry etching resistance, sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing a semiconductor device in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかもドライエッチング耐性、感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁