「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(188ページ目) - Weblio英語例文検索

A second layer is composed of the second constituent fiber produced by covering a core composed mainly of an ester polymer with a sheath composed mainly of an ethylenic polymer.例文帳に追加

エステル系重合体を主成分とする芯部の周囲をエチレン系重合体を主成分とする鞘部で覆った第２の構成繊維により第２の層を形成する。 - 特許庁

Read-out of information from the recording layers and formation of tracking error signals from the tracking layer can be performed at first and second light emission parts and first and second light receiving parts, respectively.例文帳に追加

さらに、第１、第２の発光部、第１、第２の受光部それぞれで、記録層からの情報の読み出し、トラッキング層からのトラッキングエラー信号の生成が行える。 - 特許庁

The first, second insulating layers 28, 30 are formed of heatproof organic fibers and/or ceramic fibers, and a moisture-resistant paint is applied to the second insulating layer 30.例文帳に追加

第一・第二絶縁層２８、３０を耐熱有機繊維及び／又はセラミック繊維で形成するとともに、第二絶縁層３０を防湿性塗料で塗布処理する。 - 特許庁

The element mounting structure of the second layer has a second printed circuit board 24, a circuit 26 such as a matching circuit mounted thereon, and a semiconductor chip 28.例文帳に追加

第２層の素子実装構造は、第２のプリント基板２４と、その上に実装した整合回路等の回路体２６及び半導体チップ２８とから構成されている。 - 特許庁

Deposition is performed by an atomic layer deposition (ALD) process utilizing a first reactant provided during a first pulse period and a second reactant provided during a second pulse period.例文帳に追加

第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。 - 特許庁

Further, a second conductive plug 8 is connected to the upper part of the conductive plug 5 and the second conductive plug 8 is connected to a cylindrical capacitor lower electrode 10 through a reaction barrier layer 9.例文帳に追加

その上部に、さらに第２の導電性プラグ８が接続されており、これは反応バリア層９を介して円筒型のキャパシタ下部電極１０につながっている。 - 特許庁

An electric field is applied to a liquid crystal layer in a first form and a second form differently according to a first area and a second area, respectively, in a liquid crystal display panel.例文帳に追加

液晶表示パネルにおける第１領域および第２領域のそれぞれに応じて異なる第１形態および第２形態で液晶層に電界を印加する。 - 特許庁

In the second insulating layer 23, there are formed a second opening 24 communicating with the first opening 22, and third openings 25 not communicating with the first opening 22.例文帳に追加

第２の絶縁層２３には、第１の開口２２と連通する第２の開口２４と、第１の開口２２と連通しない第３の開口２５とが形成される。 - 特許庁

The connection structure is provided with a first connecting object member, a second connecting object member, and a hardened object layer which connects the first and the second connecting objects.例文帳に追加

接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を接続している硬化物層とを備える。 - 特許庁

A second connecting hole 113 is formed, so that the top of the plug 106 is exposed to the bottom face then a second plug 114, and a contact layer 114a are formed in the connecting hole 113.例文帳に追加

第２の接続孔１１３を、底面にプラグ１０６上面が露出するよう形成し、接続孔１１３に第２のプラグ１１４と密着層１１４ａを形成する。 - 特許庁

Polarization is used for patterning the second structural part on the second layer, and the polarization has the same polarization direction as the first orientation direction.例文帳に追加

上記第２層上に上記第２構造部をパターニングするために偏光が使用され、上記偏光は、上記第１配向方向と同じ偏光方向を有している。 - 特許庁

In a printer 1 which forms a color image on a color thermal recording paper 2, an intensity of a second ultraviolet ray (M ultraviolet ray) irradiated from a second ultraviolet lamp 16 for fixing the magenta layer is measured by an ultraviolet sensor 18.例文帳に追加

マゼンタ層を定着させるための第２紫外線ランプ１６から照射される第２紫外線（Ｍ紫外線）の強度を紫外線センサ１８で測定する。 - 特許庁

The second wiring layer (the second scanning line 25) from the array substrate 2 side is used as the scanning line and third or more wiring layers are used as signal lines 29.例文帳に追加

アレイ基板２側から数えて２層目の配線層（第２走査線２５）が走査線として用いられ、３層目以上の配線層が信号線２９として用いらる。 - 特許庁

The channel region 162 of the second MOSFET 190 is formed on the first layer 100 and the second source/drain regions 154 is formed on the channel region 162.例文帳に追加

第２のＭＯＳＦＥＴ１９０のチャネル領域１６２は第１の層１００の上に形成され、第２のソース／ドレイン領域１５４はチャネル領域１６２の上に形成される。 - 特許庁

Magnetization of the first and the second magnetic layers are in mutually opposite direction, products of the magnetization and layer thickness are approximately equivalent to each other and synthetic magnetization of the first and second magnetic layers become zero.例文帳に追加

第１磁性層と第２磁性層の磁化は互いに逆向きで、磁化と層厚の積がそれぞれほぼ等しく、第１磁性層と第２磁性層の合成磁化はゼロとなる。 - 特許庁

First and second n-buffer layers 2a and 2b are formed on both sides of an n- drift layer 1, over which first and second p+ base layers 3a and 3b are formed.例文帳に追加

ｎ^- ドリフト層１の両側に、第１、第２ｎバッファ層２ａ、２ｂが形成され、これらのｎバッファ層２ａ、２ｂ上に第１、第２ｐ^+ ベース層３ａ、３ｂが形成される。 - 特許庁

Thus, a capacitor is formed between the second circuit device 40 and the conductive layer 60, and propagation is reduced from the second circuit device 40 to the ground wire 21.例文帳に追加

これにより、第２の回路素子４０と導電層６０との間にキャパシタが形成され、第２の回路素子４０が接地配線２１に伝播することが抑制される。 - 特許庁

At least either the first or the second electrode layer is provided with at least a first and a second conductive means 21, 22 with different layout patterns.例文帳に追加

本表示装置は、前記第１及び第２の透明電極層の少なくとも一方は、レイアウトパターンの異なる少なくとも第１及び第２の導電性手段２１，２２を有する。 - 特許庁

Then, a semiconductor is deposited grown epitaxially from the surface of the substrate exposed in the second window 5 to fill up the second window 5 and the first window 3 with an epitaxial layer 6.例文帳に追加

ついで、第２の窓部５に露出する基板表面から半導体をエピタキシャル成長させて、第２の窓部５および第１の窓部３をエピタキシャル層６で埋める。 - 特許庁

To provide a magnetism sensor which includes a sensor stack having a first magnetic portion, a second magnetic portion, and a barrier layer between the first magnetic portion and the second magnetic portion.例文帳に追加

第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間のバリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。 - 特許庁

A first wire FL1 and a second wire FL2 are arranged as a first metal layer of a memory cell 1A including a first inverter IV1 and a second inverter IV2.例文帳に追加

第１のインバータＩＶ１と第２のインバータＩＶ２を含むメモリセル１Ａの第１の金属層として、第１の配線ＦＬ１及び第２の配線ＦＬ２が配置されている。 - 特許庁

A second clad raw layer which becomes the second clad part 4 of the optical fiber 1 is formed on the circumferential surface of the transparent glass intermediate to make a porous optical fiber preform.例文帳に追加

その後、透明ガラス中間体の外周面に光ファイバ１の第２クラッド部４となる第２クラッド原層を形成して多孔質光ファイバ母材を作り出す。 - 特許庁

The lens portion 8 includes a first lens 5, a second lens 6 covering its outside, and a phosphor-containing resin layer 7 filling a gap between the first lens 5 and the second lens 6.例文帳に追加

レンズ部8は、第１レンズ5と、その外側を覆う第２レンズ6と、第１レンズ5と第２レンズ6との間の空間を充填する蛍光体含有樹脂層7とを有する。 - 特許庁

The first wiring 14 and the second wiring 16 are electrically connected to each other through a via 15 bored penetrating the second insulating layer 3 where the wirings face each other.例文帳に追加

第１配線１４と第２配線１６とは、それらが対向する部分において第２絶縁層３を貫通して設けられたビア１５により、電気的に接続されている。 - 特許庁

The multi-fiber POF cable 10 has second tensile strength wires 28 arranged nearby nearly center parts of both side edge parts of the second covering layer 37 in parallel to the POFs 13.例文帳に追加

多心ＰＯＦケーブル１０は、第２被覆層３７の両側縁部の略中央付近にＰＯＦ１３と平行に配される第２抗張力線２８を有する。 - 特許庁

In the second process, by the second inverting machine 30, the absorptive main body is carried in a direction B, an adhesive material 11 for pre-coating is atomized and an adhesive layer 11A is formed.例文帳に追加

第２工程では、第２反転機３０により、吸収性本体２をＢ方向に搬送し、プレ塗工用接着剤１１を噴霧して接着層１１Ａを形成する。 - 特許庁

The second underlayer 7 and the first magnetic layer 11 are provided in an adjacent relation, and the first underlayer 6 is provided adjacent to the second underlayer 7 at the substrate 5 side.例文帳に追加

第２の下地層７が第１の磁性層１１に隣接して設けられ、第１の下地層６が第２の下地層７に隣接して基板５側に設けられる。 - 特許庁

A multiple-exposure lithographic process in which a developed resist pattern derived from a first exposure is present within a second resist layer that is exposed in a second exposure of the multiple-exposure lithographic process.例文帳に追加

第１の露光から得られる現像レジストパターンがマルチ露光リソグラフィ工程の第２の露光で露光される第２のレジスト層内に存在するマルチ露光リソグラフィ工程。 - 特許庁

A contact 312 is formed extending from an upper second wiring pattern 311, so as to be connected to a lower first wiring pattern 314 penetrating through a second insulating layer 313.例文帳に追加

上層の第２配線パターン３１１より第２絶縁層３１３を貫通して下層の第１配線パターン３１４に接続されるコンタクト３１２を形成する。 - 特許庁

A first inner conductor layer includes first and second inner conductors 41, 42, 51 and 52 juxtaposed toward a second side-face 14 side from a first side-face 13 side.例文帳に追加

第１の内部導体層は、第１の側面１３側から第２の側面１４側に向かって並置された第１及び第２の内部導体４１、４２、５１、５２を有する。 - 特許庁

A non-penetrated via hole 15 is arranged on the insulating layer 13 while being positioned in accordance with a second land 14 which is interlayer-connected with a second wiring pattern and the land 12.例文帳に追加

この絶縁体層１３に、第２の配線パターンおよび上記ランド１２に層間接続される第２のランド１４に位置合わせして、非貫通ビアホール１５を設ける。 - 特許庁

An opening 31 is provided in the second conductive pattern 9 and the inter-layer insulating film 5 in a position of overlap between the second conductive pattern 9 and the first conductive pattern 3.例文帳に追加

第２導電パターン９と第１導電パターン３とが重なる位置には、第２導電パターン９および層間絶縁膜５に開口部３１が設けられている。 - 特許庁

An opening part 24a on the second insulating film 24 is shifted to a position different from a contact domain 14a between the sensor structure bodies 15-17 and the second wiring layer 24.例文帳に追加

第２絶縁膜２４における開口部２４ａは、センサ構造体１５〜１７と第２配線層２４とのコンタクト領域１４ａとは異なる位置にずらされている。 - 特許庁

The first and second ground conductor patterns 5A and 5B which are the same potential as the ground conductor layer are connected to the terminal portions of the first and second feeding lines 4A and 4B.例文帳に追加

第１及び第２の給電線路４Ａ，４Ｂの終端部に地導体層と同電位となる第１及び第２の地導体パターン５Ａ，５Ｂが接続される。 - 特許庁

A second filled via 9 smaller in diameter than the first filled via 6, a via pad 11A, and a wiring 11B are formed through the second insulating layer 7.例文帳に追加

第２の絶縁層７を貫通して、第１の充填ビア６よりも直径の小さい第２の充填ビア９と、ビアパッド１１Ａと、配線１１Ｂが形成される。 - 特許庁

Lateral faces of the first and the second through holes on the segmentation insulation layer side include a third axis perpendicular to the first and the second axes and have portions parallel with a plane including the first axis.例文帳に追加

第１、２貫通ホールの分断絶縁層の側の側面は、第１、２軸に直交する第３軸を含み第１軸を含む平面と平行な部分を有する。 - 特許庁

A second polarizing film 25 having structure composed of a protection film 22, a polarizer 23 and a protection film 24 is bonded to the other side of the glass cell 35 via a second adhesive layer 21.例文帳に追加

ガラスセル３５の他面には、保護フィルム２２／偏光子２３／保護フィルム２４の構成である第二の偏光フィルム２５が、第二の粘着層２１を介して貼着される。 - 特許庁

The embedded wiring layer 32 is formed between the first and second blocks and on the diffusion area 18-2, and extended to a second direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

埋め込み配線層３２は、第１及び第２のブロック間かつ拡散領域１８−２上に設けられ、かつ第１の方向に直交する第２の方向に延在する。 - 特許庁

This printed circuit board 11 also comprises a plurality of first pads 51 as the second internal layer conductor 60, a second pad 52, a wide area conductive region 53, and a reinforcing bridge 54.例文帳に追加

このプリント配線基板１１は、第２内層導体６０としての複数の第１パッド５１、第２パッド５２、広面積導体領域５３及び補強ブリッジ部５４を備える。 - 特許庁

The second dielectric layer 204 has a structure laminating a first silicon oxide film 104a, a silicon nitride film 104b, and a second silicon oxide film 104c in this order.例文帳に追加

第２の誘電体層２０４は、第１のシリコン酸化膜１０４aと、シリコン窒化膜１０４bと、第２のシリコン酸化膜１０４cとが順に積層された構造を有する。 - 特許庁

The dielectric portion has a portion embedded in the recess and electrically isolates the first electrode from the second electrode, and the first semiconductor layer from the second electrode.例文帳に追加

誘電体部は、凹部内に埋め込まれる部分を有し、第１電極と第２電極との間、及び、第１半導体層と第２電極との間を電気的に絶縁する。 - 特許庁

Specifically, the second electrode catalyst layer 114c includes a plurality of first regions L1 and a plurality of second regions L2 alternately arranged in a stripe-like form.例文帳に追加

具体的には、第２の電極触媒層１１４ｃは、ストライプ状に交互に配列された複数の第１の領域Ｌ１と複数の第２の領域Ｌ２とを含んでいる。 - 特許庁

A second N-well 3 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1 and a P+-type semiconductor layer 8 is formed on the surface of the second N-well 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に第２のＮウエル３が形成され、その第２のＮウエル３の表面にＰ＋型半導体層８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first transistor formed in a first region among the first semiconductor layers, and a second transistor formed on the second semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置は、第１の半導体層のうち第１の領域に形成された第１のトランジスタと、第２の半導体層に形成された第２のトランジスタとを備えている。 - 特許庁

In the circuit substrate 100, a wiring layer 110 has a wiring pattern of a first inductor 12 and a second inductor 14 (a first wiring pattern and a second wiring pattern).例文帳に追加

回路基板１００において、配線層１１０は、第１インダクタ１２および第２インダクタ１４の配線パターン（第１配線パターン、第２配線パターン）を有する。 - 特許庁